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非易失性快速擦写串行RAM及其应用 被引量:1
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作者 沈承虎 蔡德钧 容太平 《国外电子元器件》 1999年第4期16-18,21,共4页
Xicro公司生产的X25Fxx系列非易失性快速擦写串行RAM具有功耗低,擦写速度快的特点,它采用SPI三总线接口,可与各种单片机连接,且具有很完善的数据保护功能。本文从应用角度出发,介绍X25Fxx的功能特点、工作... Xicro公司生产的X25Fxx系列非易失性快速擦写串行RAM具有功耗低,擦写速度快的特点,它采用SPI三总线接口,可与各种单片机连接,且具有很完善的数据保护功能。本文从应用角度出发,介绍X25Fxx的功能特点、工作原理及与微处理器的接口。 展开更多
关键词 SPI总线 非易失性 E^2PROM X25F128 RAM
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串行E^2PROM芯片AT24C02及其在自动加油机中的应用
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作者 樊波 李孝全 +1 位作者 王和明 王晓燕 《电测与仪表》 北大核心 1997年第10期26-28,共3页
本文介绍了串行E2PROM芯片AT24C02以及其在自动加油机中的应用,并给出了AT89C51单片机对它的读写操作方法和程序框图。
关键词 串行E^2PROM I^2C总线时序 加油机 交通管理
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优化阵列结构的5ns 32kb CMOS SRAM及其外围电路
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作者 颜渝瑜 程君侠 许俊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期83-88,共6页
设计了一个地址有效时间为5ns的32kb(2k×16位)CMOS静态随机存储器。设计中采用优化的阵列结构、分段字线译码,以达到1.75mW/MHz的低功耗;采用位线平衡技术、高速两级敏感放大器及可预置电压的数据输... 设计了一个地址有效时间为5ns的32kb(2k×16位)CMOS静态随机存储器。设计中采用优化的阵列结构、分段字线译码,以达到1.75mW/MHz的低功耗;采用位线平衡技术、高速两级敏感放大器及可预置电压的数据输出缓冲,以提高存储器的读写频率。同时,利用两级敏感放大器的层次式结构降低数据线的电压幅度,进一步降低了功耗。 展开更多
关键词 静态随机存储器 地址有效时间 阵列结构
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闪速存储器的研究与进展 被引量:6
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作者 于宗光 何耀宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期1-7,共7页
介绍了闪速存储器的发展历史,分析了闪速存储器单元及电路的工作原理,并就“与非”结构闪速存储器进行探讨,最后讨论了在闪速存储器中应用的误差矫正码/电路和深亚微米(0.25μm)闪速存储器技术。
关键词 闪速存储器 EPROM E^2PROM 结构
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双口RAM在计算机通信中的运用
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作者 罗刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期61-63,共3页
根据数控机床主轴控制系统的通信接口,以CY7C130为例,介绍了双口RAM芯片的性能特性及其在通信中的应用、硬件接口电路、通信协议等,对双口RAM芯片在通信中的运用进行了初步的探索。
关键词 主轴控制系统 双口RAM 随机存贮器 数控机床
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