铁电薄膜和铁电场效应存储器研究 被引量：1

1

作者 周文利 于军 曹广军 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1995年第3期31-34,共4页

简述了铁电场效应管ＦＦＥＴ工作原理；说明了器件对薄膜和结构的要求；指出了铁电薄膜的电滞回线及金属铁电半导体结构的Ｃ－Ｖ特性。

关键词 铁电薄膜 结构 C-V特性 存储器 铁电场效应

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CMOS存储器IDD频谱图形测试 被引量：3

2

作者 李少平 肖庆中 《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第4期50-52,共3页

通过对 ＣＭ ＯＳ 存储器 ＩＤＤ 频谱图形测试过程的介绍，测试及试验数据证实 ＣＭ ＯＳ 存储器 ＩＤＤ 频谱图 ：形 测 试是 可行 的 。

关键词 互补金属氧化物半导体存储器 电源电流 频谱图形 测试向量 缺陷

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SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析

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作者 黄君凯 易清明 +2 位作者 刘伟平 钟雨乐 张坤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期236-240,共5页

采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模... 采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 。 展开更多

关键词 金属—氮化硅—二氧化硅—硅结构 存储陷阱分布 高频容—压特性 SiO2—Si3N4栅介质膜 陷阱特性 非挥发性存储器

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CMOS存储单元的开路故障可测性设计 被引量：3

4

作者 刘建都 《微电子测试》 1994年第2期23-24,22,共3页

在CMOS电路中,静态寄存器和触发器的某些电路分支的开路故障是不可检测的。当这些电路分支发生开路故障时,静态电路就变为动态电路,使故障的检测变为不可能。事实上,大部分时序存储器中的不可检测开路故障都属于这一类。针对这一情况,... 在CMOS电路中,静态寄存器和触发器的某些电路分支的开路故障是不可检测的。当这些电路分支发生开路故障时,静态电路就变为动态电路,使故障的检测变为不可能。事实上,大部分时序存储器中的不可检测开路故障都属于这一类。针对这一情况,本文提出了可使该类故障变为可测的设计方法,并给出了两个开路故障完全可测的触发器电路。 展开更多

关键词 存储单元 CMOS 开路故障 可测性 设计

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CMOS数据保护

5

作者 关庄 王颖纯 +1 位作者 魏全民 徐承才 《河北省科学院学报》 CAS 2001年第1期21-23,共3页

CMOS是PC机主板上的一块芯片 ,其中保存着微机系统的当前硬件配置和用户对某些参数的设定。本文介绍了为保护系统 ,防止病毒的攻击 ,PC机CMOS数据的一种保护方法 ,并给出用TurboPascal 5 .0编写的源程序。

关键词 CMOS BIOS设置 数据保护 PC机 硬件配置 参数测定 病毒防止

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体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究

6

作者 刘侠 王钦 《现代电子技术》 2006年第23期124-126,共3页

从等温和非等温两个角度,在250 K^573 K(-23℃~300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理。

关键词 体硅LDMOS 等温 非等温 负阻效应

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CMOS中PASSWORD的清除

7

作者 刘辉 吴赟 《微机发展》 1996年第2期14-15,共2页

本文介绍微机ＣＭＯＳ被加锁后的几种解锁方法

关键词 CMOS存储器 存储器 PASSWORD CMOS

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USB2.0在CMOS图像采集系统中的应用 被引量：7

8

作者 李巍 邱跃洪 董佳 《科学技术与工程》 2006年第23期4719-4722,4727,共5页

设计了一个基于USB2.0接口的CMOS图像采集系统。详细介绍了USB数据接口的固件设计、驱动程序开发以及上层驱动程序的设计。该系统采用CYPRESS公司的EZ-USBFX2芯片作为USB通信及主控芯片,采用块传输模式。试验结果表明,该系统完全符合USB... 设计了一个基于USB2.0接口的CMOS图像采集系统。详细介绍了USB数据接口的固件设计、驱动程序开发以及上层驱动程序的设计。该系统采用CYPRESS公司的EZ-USBFX2芯片作为USB通信及主控芯片,采用块传输模式。试验结果表明,该系统完全符合USB2.0的协议规范,可以很好地满足实时图像传输的要求。 展开更多

关键词 通用串行总线 块传输 EZUSB-FX2 CMOS图像传感器IBIS5-A-1300

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基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究 被引量：1

9

作者 陈珂 杜智超 +2 位作者 叶松 王颀 霍宗亮 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2619-2625,共7页

为减小共源线噪声对NAND闪存读可靠性的影响,设计了一种可实现C/F(Coarse/Fine)读取操作的页缓存器电路,并设计实现了适用于此电路的C/F读取算法,显著减小了共源线噪声.该算法通过两次子读感应读取存储单元,在第一次子读感应中分辨出阈... 为减小共源线噪声对NAND闪存读可靠性的影响,设计了一种可实现C/F(Coarse/Fine)读取操作的页缓存器电路,并设计实现了适用于此电路的C/F读取算法,显著减小了共源线噪声.该算法通过两次子读感应读取存储单元,在第一次子读感应中分辨出阈值电压较低的存储单元并标记在页缓存器中,使其不再进行第二次子读感应,从而减小共源线噪声引起的阈值偏移.电路仿真计算表明,该支持C/F读取算法的页缓存器结构能够减小阈值偏移至少495. 6mV,有效提高了NAND闪存读操作的精确性. 展开更多

关键词 NAND闪存 多值存储单元 页缓存器 Coarse/Fine读取算法 读可靠度

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CMOS CAM存储单元的优化设计

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作者 廖斌 吴洪江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期37-39,64,共4页

对采用华晶１．０μｍＣＭＯＳ工艺设计的ＣＡＭ存储单元的结构、工作原理和主要参数进行了分析。

关键词 CMOS CAM 设计 存储器

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EEPROM单元结构的变革及发展方向 被引量：11

11

作者 于宗光 许居衍 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期233-240,共8页

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。

关键词 场效应型 半导体集成电路 存储器

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微机BIOS SETUP详解(上)

12

作者 忻根勇 《电脑技术——Hello-IT》 2000年第1期60-62,共3页

关键词 BIOS SETUP ROM 存储器 微机 CMOS存储器

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微机BIOS SETUP详解(中)

13

作者 忻根勇 《电脑技术——Hello-IT》 2000年第2期60-61,共2页

关键词 微机 BIOS 参数设置 CMOS 存储器

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随钻测井仪器测试软件设计与实现

14

作者 李传伟 祝环芬 +3 位作者 杨亮 陈国兴 孙博文 符涛 《计算机应用与软件》 北大核心 2018年第5期139-143,290,共6页

随钻测井在水平井和大斜度井的勘探开发中发挥越来越重要的作用。需要从技术上完善仪器标定和刻度的方法,从管理上规范室内和现场操作。从系统平台架构设计、功能模块划分、软件编程的实现出发,将仪器测试、标定刻度和现场测井应用等功... 随钻测井在水平井和大斜度井的勘探开发中发挥越来越重要的作用。需要从技术上完善仪器标定和刻度的方法,从管理上规范室内和现场操作。从系统平台架构设计、功能模块划分、软件编程的实现出发,将仪器测试、标定刻度和现场测井应用等功能有效集成。通过数据结构定义、仪器参数结构设计,实现各种随钻测井仪器的接口协议规范统一。阐述基于VC编程工具实现功能模块的方法,形成一套软件系统。室内测试和现场应用取得较好的效果,验证了系统设计思想和软件功能。 展开更多

关键词 随钻测井 仪器配置 测试与刻度 通信协议

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新型CMOS实时时钟芯片MSM6242简介

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作者 汤同奎 《常州大学学报（自然科学版）》 CAS 1994年第Z1期52-57,共6页

ＭＳＭ６２４２是一种新型直接总线式ＣＭＯＳ实时时钟／日历芯片，特别适合于智能仪器仪表的使用。本文详细介绍了它的功能特点以及使用方法．

关键词 实时时钟 MSM6242 智能仪器仪表 总线式 读写时序 读写操作 写周期 晶体振荡器 位地址 最大功耗

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CMOS RAN芯片读写操作方法

16

作者 伍晓宇 肖祥芷 《微型计算机》 北大核心 1995年第2期70-71,共2页

关键词 CMOS 存储器 芯片 读写操作

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CMOS RAM故障浅谈

17

作者 施冠忠 《微型电脑应用》 1995年第1期85-86,共2页

目前,286及386以上档次的微型计算机存在一个系统设置电路,通常称之为COMSRAM电路,其作用是用来存放系统的硬件配置信息和确保机内时钟走时正确.有关CMOS RAM接口电路如附图.其中U1是CMOS RAM芯片,有MC146818,M5818,P82C206,N82230—2等... 目前,286及386以上档次的微型计算机存在一个系统设置电路,通常称之为COMSRAM电路,其作用是用来存放系统的硬件配置信息和确保机内时钟走时正确.有关CMOS RAM接口电路如附图.其中U1是CMOS RAM芯片,有MC146818,M5818,P82C206,N82230—2等.U2是CMOS的反向门电路,MC14069,CD4069等都可以. 展开更多

关键词 存储器 CMOS RAM 故障 微机

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中科院面向应用的阻变存储器研究获新进展

18

《军民两用技术与产品》 2014年第3期26-26,共1页

中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器研究方面取得了新进展。 阻变存储器（RRAM）是非挥发性存储器的重要替代方案之一，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、存取速度快、低功耗、可嵌入功能强等特点。研究人员在前期建立新... 中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器研究方面取得了新进展。 阻变存储器（RRAM）是非挥发性存储器的重要替代方案之一，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、存取速度快、低功耗、可嵌入功能强等特点。研究人员在前期建立新材料、新结构及与产业化CMOS集成的验证平台的研究基础上，在实用化所需的高性能、高可靠性器件方面取得了重要进展。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 面向应用 中科院 器件结构 电子研究所 中国科学院 存取速度 研究人员

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华虹NEC成功开发具超高可靠性的嵌入式非挥发性存储器模块

19

《中国集成电路》 2012年第3期1-1,共1页

上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／Flas... 上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／FlashIP的数据保存时问从常规的10年提升到了超过30年，而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0．13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势，巩固公司在智能卡和安全类芯片领域的地位。（来自华虹NEC） 展开更多

关键词 非挥发性存储器 嵌入式存储器 存储器模块 高可靠性 NEC 开发 SONOS 数据保存

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中科院面向应用的阻变存储器研究取得新进展

20

《军民两用技术与产品》 2014年第1期28-28,共1页

中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器（RRAM）研究方面取得新进展。RRAM是非挥发性存储器的一种重要替代方案，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、速率高、

关键词 非挥发性存储器 面向应用 中科院 电子研究所 中国科学院 器件结构

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