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电荷俘获型3D NAND闪存边缘字线可靠性优化方法
1
作者 谭家乐 许旭晗 +2 位作者 宣吴丽娜 张俊杰 曹炳尧 《计算机测量与控制》 2025年第6期200-205,239,共7页
3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点,在众多领域得到广泛应用;然而,在3D NAND闪存块不完全编程时,其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异,这对数据存储的可靠性构成了严重威胁;为应对这一挑战,提出了一种适用于... 3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点,在众多领域得到广泛应用;然而,在3D NAND闪存块不完全编程时,其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异,这对数据存储的可靠性构成了严重威胁;为应对这一挑战,提出了一种适用于边缘字线的4-8 LC方法;该方法将TLC闪存的8种阈值电压状态均分为4组,组内两种状态对应的信息编码的汉明距离需为1;分组后,将与擦除态同组的另一阈值电压状态的闪存单元编程至擦除态,其余3组中处于较低阈值电压状态的闪存单元编程为同组中的另一状态;随后进行数据保留实验并读取误码信息;实验结果显示,在闪存块历经3 000次P/E循环,并在常温下数据保留一年的条件下,边缘字线的平均保留错误数量达到了内部字线的2.97倍,所提出的4-8 LC方法使边缘字线的低页和高页误码率分别降低了99.7%和99.9%,提升可靠性的效果是EP方法的1.74倍。 展开更多
关键词 3D NAND闪存 边缘字线 保留错误 4-8 LC
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铁电基的存算一体组合优化求解器
2
作者 钱煜 杨泽禹 +7 位作者 王然然 蔡嘉豪 李超 黄庆荣 樊凌雁 李云龙 卓成 尹勋钊 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第9期3104-3115,共12页
组合优化问题在诸多领域应用广泛,大多属于非确定多项式时间难题,基于冯·诺依曼架构的传统数字计算机难以满足其极高计算复杂度的需求。具有阈值电压可编程特性和多端口输入结构的铁电晶体管(FeFET)为高效求解组合优化问题提供了... 组合优化问题在诸多领域应用广泛,大多属于非确定多项式时间难题,基于冯·诺依曼架构的传统数字计算机难以满足其极高计算复杂度的需求。具有阈值电压可编程特性和多端口输入结构的铁电晶体管(FeFET)为高效求解组合优化问题提供了新的机遇。基于FeFET的存算一体架构具有能效高、延时低等特点,同时支持对向量-矩阵及向量-矩阵-向量乘法等复杂算子的加速,非常适合求解组合优化问题。该文回顾了FeFET的器件特性,介绍了组合优化问题的基本求解过程,并进一步探讨了近年来面向等式约束、不等式约束和纳什均衡场景下基于FeFET的存算一体组合优化求解器工作。最后,该文从多个方面分析并展望了基于FeFET的存算一体组合优化求解器的前景与挑战。 展开更多
关键词 铁电晶体管 存算一体 组合优化
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柔性云母基底上高性能Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜制备与性能研究
3
作者 沈家宁 《功能材料与器件学报》 2025年第1期48-55,共8页
铪基铁电薄膜与传统的互补金属氧化物半导体(CMOS)加工工艺兼容,且在超薄膜厚(低至1 nm)下仍具有良好的铁电性,用其制作的柔性铁电存储器将为柔性电子系统注入新的活力。然而,剩余极化强度不高且器件可靠性不佳是铪锆氧(HZO)基柔性铁电... 铪基铁电薄膜与传统的互补金属氧化物半导体(CMOS)加工工艺兼容,且在超薄膜厚(低至1 nm)下仍具有良好的铁电性,用其制作的柔性铁电存储器将为柔性电子系统注入新的活力。然而,剩余极化强度不高且器件可靠性不佳是铪锆氧(HZO)基柔性铁电存储器普遍面临的问题。本研究在云母衬底上沉积了氧化铝缓冲层,制备了W/TiN/HZO/TiN/Al_(2)O_(3)/Mica结构的铁电存储器。该柔性铁电存储器表现出免“唤醒”特性,其二倍剩余极化强度高达44μC/cm^(2),可耐受至少10~9次±3 MV/cm的反复写擦。在弯曲半径低至3 mm以及经历高达5 000次弯曲的情况下,器件的剩余极化强度、矫顽场均未衰减,体现出良好的弯曲可靠性。进一步研究表明,氧化铝缓冲层能有效解决膜层之间应力失配所导致的膜层开裂问题,此外,HZO中正交相存在且具有较大占比,这些可能是决定器件剩余极化强度高和可靠性好的重要因素。 展开更多
关键词 云母基底 柔性 Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2) 铁电薄膜
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Ar等离子体处理对H_(0.5)Z_(0.5)O_(2)薄膜铁电电容器的影响
4
作者 蒋瑞 《功能材料与器件学报》 CAS 2024年第2期79-83,共5页
氧化铪基铁电薄膜近年来广受关注,因为具有优良的铁电性能,并可以与CMOS工艺完美兼容。有研究表明,Ar等离子体处理HZO界面可以有效提高铁电性能,但存在剩余极化强度较低(~30μC/cm^(2))的问题。本文通过不同功率(50W,100W,150W,200W)Ar... 氧化铪基铁电薄膜近年来广受关注,因为具有优良的铁电性能,并可以与CMOS工艺完美兼容。有研究表明,Ar等离子体处理HZO界面可以有效提高铁电性能,但存在剩余极化强度较低(~30μC/cm^(2))的问题。本文通过不同功率(50W,100W,150W,200W)Ar等离子体处理TiN/HZO下界面,研究其对TiN/HZO/TiN/W结构器件铁电性能的影响。研究表明,施加150W等离子体处理底电极TiN时,器件的铁电性能是最优的,它可将器件的两倍剩余极化强度(2Pr)由~27μC/cm^(2)提升至~44μC/cm^(2),还将矫顽场由~1.7 MV/cm降低至~1.37 MV/cm。进一步分析表明,Ar等离子体修饰抑制了单斜相的生长,并提高了正交相比率(由~66%提高至~88%),从而促进了铁电性能的提升。另外,Ar等离子体修饰后器件的C-V曲线呈现“蝴蝶”形状,其相对介电常数提高到55左右,大大提高了器件性能。 展开更多
关键词 等离子体处理 HZO薄膜 正交相 剩余极化强度
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FPGA实现高速实时多端口图像处理系统的研究 被引量：16
5
作者 樊博 王延杰 +2 位作者 孙宏海 陈怀章 何舒文 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期620-625,共6页
为了满足多个设备实时处理传输高速图像数据的需求,介绍了利用Virtex-6FPGA设计实现高速实时多端口图像处理系统的原理和方法。通过Chipscope工具采样输入输出数据,验证了系统的可行性和可靠性,并分析计算出系统速率和其他主要时间参数... 为了满足多个设备实时处理传输高速图像数据的需求,介绍了利用Virtex-6FPGA设计实现高速实时多端口图像处理系统的原理和方法。通过Chipscope工具采样输入输出数据,验证了系统的可行性和可靠性,并分析计算出系统速率和其他主要时间参数。实现了相机采集、PCIe输入输出以及DVI输出等功能,实验结果显示高速实时多端口图像处理系统具有集成度高、传输带宽高、功耗低等优点。在实时图像处理领域具有很高的实用价值。 展开更多
关键词 FPGA 实时 多端口 PCIE 图像
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ECC嵌入BCH码的NAND闪存纠错算法 被引量：10
6
作者 李进 金龙旭 +3 位作者 李国宁 张珂 傅瑶 朱鹏 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1399-1404,共6页
针对现有闪存基于硬件ECC纠错算法的纠错能力差,而基于RS码和BCH码纠错算法的译码耗时长的问题,提出一种适于空间应用的硬件ECC嵌入BCH码的闪存纠错算法.分析了闪存内部组织结构特点及闪存硬件ECC纠错原理,提出了一种嵌入BCH(2084,2048... 针对现有闪存基于硬件ECC纠错算法的纠错能力差,而基于RS码和BCH码纠错算法的译码耗时长的问题,提出一种适于空间应用的硬件ECC嵌入BCH码的闪存纠错算法.分析了闪存内部组织结构特点及闪存硬件ECC纠错原理,提出了一种嵌入BCH(2084,2048,3)码的闪存纠错算法.采用一种蝶形阵列处理机制来迭代计算BCH校验码.使用地面检测设备对闪存纠错算法进行了试验验证.结果表明,纠错算法能快速稳定、可靠地工作,在Flash单页2 kB/页下,可以纠正24b错误.该纠错提高了空间相机图像存储系统的可靠性. 展开更多
关键词 空间相机 硬件ECC BCH(2084 2048 3)码 蝶形阵列
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应用NAND型闪存的高速大容量图像存储器 被引量：16
7
作者 余辉龙 何昕 +1 位作者 魏仲慧 王东鹤 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2548-2554,共7页
针对单片闪存存储速度低,容量小,且存在无效块的问题,提出了一种高速大容量图像存储器的可靠性存储方案。通过分析闪存的组织结构和特征,并区分闪存写入无效块和非写入无效块,提出了基于CAM的数据分类匹配检测机制,以提高无效块信息匹... 针对单片闪存存储速度低,容量小,且存在无效块的问题,提出了一种高速大容量图像存储器的可靠性存储方案。通过分析闪存的组织结构和特征,并区分闪存写入无效块和非写入无效块,提出了基于CAM的数据分类匹配检测机制,以提高无效块信息匹配速度,并采用SRAM阵列冗余备份防止数据写入错误。在此基础上,提出了具有双总线结构的双流水线机制,多个流水线级出现写入无效块时,不中断流水线,保证存储器写入速度。通过搭建硬件平台进行实验测试,结果表明,该方法能够在5个系统时钟周期内实现无效块匹配,其持续存储速度达到960 Mb/s,持续读取速度达到1.152 Gb/s,擦除速度达到27.3 Gb/s,系统存储容量为80 GB。 展开更多
关键词 无效块管理 内容可寻址存储器 冗余备份 双流水线 双总线结构
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移动便携图像存储系统的设计 被引量：12
8
作者 吕耀文 王建立 +1 位作者 曹景太 杨轻云 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期697-702,共6页
为满足Camera Link相机图像存储系统小型化、可移动、易携带的要求,设计了基于Xilinx公司V4系列现场可编程门阵列(FPGA)和TI公司6000系列数字信号处理器(DSP)相结合的硬件电路方案。首先,在FPGA的控制下图像数据缓存到一片SDRAM中,同时... 为满足Camera Link相机图像存储系统小型化、可移动、易携带的要求,设计了基于Xilinx公司V4系列现场可编程门阵列(FPGA)和TI公司6000系列数字信号处理器(DSP)相结合的硬件电路方案。首先,在FPGA的控制下图像数据缓存到一片SDRAM中,同时读出另外一片SDRAM中缓存的图像,经乒乓操作存储到两块固态硬盘中。其次,DSP与上位机用百兆网连接,在上位机的控制下,DSP从外部存储器接口(EMIF)中获取图像数据后,发送给上位机完成实时显示或者存储图像回放的功能。实验表明:在相机分辨率为640×480、帧频为100f/s且像素为10位时,该系统可以不丢帧地完成图像存储任务。在不需要实时显示的应用场合,系统可以单独完成脱机存储任务,满足Base型Camera Link相机的便携存储要求。 展开更多
关键词 图像存储 CAMERA link接口 FPGA SDRAM控制器 DSP
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空间图像存储器NAND Flash的可靠性 被引量：6
9
作者 李进 金龙旭 +2 位作者 韩双丽 李国宁 王文华 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1090-1101,共12页
针对空间相机中的图像存储器NAND Flash由于坏块和单粒子翻转导致存储数据不可靠的问题,研究了Flash坏块的管理策略和纠错算法。分析了Flash结构和工作特点,提出了基于并行双遍历机制的坏块管理策略,阐述了双遍历机制的设计思想并分析... 针对空间相机中的图像存储器NAND Flash由于坏块和单粒子翻转导致存储数据不可靠的问题,研究了Flash坏块的管理策略和纠错算法。分析了Flash结构和工作特点,提出了基于并行双遍历机制的坏块管理策略,阐述了双遍历机制的设计思想并分析了它的有效性。在分析Flash结构和纠错特点的基础上,提出了在域GF(28)上的缩短码RS(246,240)+RS(134,128)纠错算法,并说明了编解码算法思想和实现电路。最后,在一空间多光谱相机样机的图像存储设备上进行了试验验证。结果表明,管理策略能快速可靠地处理坏块事件,每次操作仅需1个系统时钟周期即可完成坏块判断。纠错算法在2KB/page内可以纠正27B错误,编码速度达到72.53MBps,解码器速度达到54.26MBps。提出的管理策略和纠错算法有效地解决了Flash数据存储的不可靠问题。 展开更多
关键词 空间相机 图像存储器 坏块管理 单粒子翻转 并行双遍历机制 级联LC RS码
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高介电常数材料在半导体存储器件中的应用 被引量：17
10
作者 邵天奇 任天令 +1 位作者 李春晓 朱钧 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期312-317,共6页
高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几... 高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几类常用的高介电常数材料的特性和制备方法 。 展开更多
关键词 半导体存储器件 高介电常数材料 铁电体 氮化物 铁电场效应管
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阻变存储器及其集成技术研究进展 被引量：13
11
作者 左青云 刘明 +6 位作者 龙世兵 王琴 胡媛 刘琦 张森 王艳 李颖弢 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期546-551,共6页
在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望。
关键词 非挥发性存储器 阻变存储器 电阻转变
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卷积神经网络(CNN)算法的FPGA并行结构设计 被引量：14
12
作者 王巍 周凯利 +3 位作者 王伊昌 王广 杨正琳 袁军 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第4期57-62,66,共7页
本文进行了CNN算法的FPGA并行结构设计.该设计首先利用CNN的并行计算特征以及循环变换方法,实现了可高效进行并行流水线的卷积计算电路,然后利用能够减少存储器访存时间的双缓存技术,在输入输出部分实现了缓存阵列,用于提高电路的计算性... 本文进行了CNN算法的FPGA并行结构设计.该设计首先利用CNN的并行计算特征以及循环变换方法,实现了可高效进行并行流水线的卷积计算电路,然后利用能够减少存储器访存时间的双缓存技术,在输入输出部分实现了缓存阵列,用于提高电路的计算性能(GOPS,每秒十亿次运算数).同时本文还对激活函数进行了优化设计,利用查找表和多项式结合的分段拟合方法设计了激活函数(sigmoid)的硬件电路,以保证近似的激活函数的硬件电路不会使精度下降.实验结果表明:输入时钟为150 MHz时,整体电路在计算性能上由15.87 GOPS提高到了20.62 GOPS,并在MNIST数据集上的识别率达到了98.81%. 展开更多
关键词 卷积神经网络 现场可编程门阵列(FPGA) 并行结构 流水线
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NAND型闪存大容量图像存储器无效块管理 被引量：6
13
作者 余辉龙 何昕 +1 位作者 魏仲慧 王东鹤 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第2期1-4,共4页
针对NAND型闪存大容量图像存储器存在无效块的问题,提出了一种无效块快速检测与管理算法.在分析闪存写入无效块和非写入无效块的基础上,采用基于CAM的无效块信息分类匹配检测机制.闪存在擦除、写入和读取操作过程中采用CAM和SRAM匹配检... 针对NAND型闪存大容量图像存储器存在无效块的问题,提出了一种无效块快速检测与管理算法.在分析闪存写入无效块和非写入无效块的基础上,采用基于CAM的无效块信息分类匹配检测机制.闪存在擦除、写入和读取操作过程中采用CAM和SRAM匹配检测无效块,并存储新增长无效块.另外高速图像写入闪存过程中,提出了基于SRAM数据备份的方法,防止图像数据存储错误.通过搭建基于FPGA的闪存图像存储器硬件平台,实验证明该算法能够在5个系统时钟周期内匹配无效块,能够在3个系统时钟周期内存储新增无效块,能够匹配连续无效块信息,并实现数据备份. 展开更多
关键词 NAND型闪存无效块 图像存储 内容可寻址存储器 分类匹配 数据备份
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一次性可编程存储器的数据保持特性建模及分析
14
作者 钟岱山 王美玉 +3 位作者 陈志涛 张有志 叶继兴 朱友华 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期346-350,共5页
基于300 mm 0.18μm MS 5 V工艺平台设计并流片了1k×16一次性可编程OTP器件,并对存储单元的结构、工作原理及工艺等可能影响数据保持寿命的因素进行了分析。根据Arrhenius寿命模型对不同样品设置了高温老化实验测试,收集数据并对OT... 基于300 mm 0.18μm MS 5 V工艺平台设计并流片了1k×16一次性可编程OTP器件,并对存储单元的结构、工作原理及工艺等可能影响数据保持寿命的因素进行了分析。根据Arrhenius寿命模型对不同样品设置了高温老化实验测试,收集数据并对OTP器件的保持特性进行建模。通过225℃、250℃和275℃条件下的高温老化加速实验,拟合样品最大数据保持时间曲线。在生产过程中可能出现的最差产品条件下,对1/(kT)与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算在不同失效条件下的浮栅电荷泄漏的激活能和最大数据保持时间。 展开更多
关键词 一次性可编程存储器 嵌入式非易失性存储器 数据保持寿命 加速老化实验 Arrhenius模型 激活能
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电阻开关式非挥发性随机存储器的机理及其材料 被引量：6
15
作者 季振国 陈伟峰 毛启楠 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期195-204,共10页
在众多新型非挥发存储器中,电阻式存储器具有结构简单,存储密度高,读写速度快,数据保持时间长,制作方法与传统CMOS工艺兼容性好等优点成为研究的热点。本文简要回顾了电阻式存储器器件的结构、机制、材料以及制备方法,并讨论了电阻式存... 在众多新型非挥发存储器中,电阻式存储器具有结构简单,存储密度高,读写速度快,数据保持时间长,制作方法与传统CMOS工艺兼容性好等优点成为研究的热点。本文简要回顾了电阻式存储器器件的结构、机制、材料以及制备方法,并讨论了电阻式存储器的单极性和双极性电阻开关特性,最后着重介绍了电阻开关特性的块体主导机制和界面主导机制。 展开更多
关键词 电阻式存储器 非挥发性 随机存储器 电阻开关
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Base型Camera Link脱机存储系统设计 被引量：5
16
作者 吕耀文 王建立 曹景太 《光电子技术》 CAS 北大核心 2012年第4期242-245,共4页
为解决现有Base型Camera Link相机需要专用采集卡和系统机才能存储的问题,设计了基于FPGA的脱机存储系统。该系统使用两片SDRAM交替缓存图像后,经乒乓操作存储到两块IDE固态硬盘中。该系统实现了分辨率为640×480,帧频为100f/s的10... 为解决现有Base型Camera Link相机需要专用采集卡和系统机才能存储的问题,设计了基于FPGA的脱机存储系统。该系统使用两片SDRAM交替缓存图像后,经乒乓操作存储到两块IDE固态硬盘中。该系统实现了分辨率为640×480,帧频为100f/s的10位图像数据存储。实验表明系统实现了图像数据的完整存储。 展开更多
关键词 图像存储 Camera Link 现场可编程逻辑阵列 同步动态随机存取器 IDE固态 硬盘
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基于二维汉明码结构的闪存纠错存储系统 被引量：2
17
作者 余辉龙 张健 +3 位作者 李清 覃翠 赵静 花涛 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第3期1-3,共3页
针对闪存存储单元会出现多位错误,提出了NAND型闪存存储器的二维汉明码算法,从行和列二维结构上对任意2Jbit字长的存储数据,用统一的公式化算法进行汉明编码,通过计算纠错偶对能够纠错多位数据误码的情况,译码时先纠错,再校验,保证存储... 针对闪存存储单元会出现多位错误,提出了NAND型闪存存储器的二维汉明码算法,从行和列二维结构上对任意2Jbit字长的存储数据,用统一的公式化算法进行汉明编码,通过计算纠错偶对能够纠错多位数据误码的情况,译码时先纠错,再校验,保证存储系统数据的完整性,解决了MLC结构闪存的纠错问题.在此基础上分析了不能纠错的图样模式.该算法核心结构上只有异或操作,易于实现,适用于NAND型闪存存储器.实验表明,闪存系统中有效数据二维结构为1 024×128时,采用二维汉明码结构,编码效率为11%,实际编码效率为12.6%.其编码速度和译码速度均达到了102Gbps,适用于高速存储系统. 展开更多
关键词 二维汉明码 纠错编码 NAND闪存 纠错偶对
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高速弹丸位置坐标自动测量系统设计 被引量：4
18
作者 樊博 王延杰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期741-747,共7页
为了精确测量高速弹丸穿越光幕靶瞬间的位置坐标,设计一种基于FPGA加DSP的实时图像处理板卡,采用处理板卡与嵌入式软件算法相结合的方式组成高速弹丸位置坐标自动测量系统。该系统可以设置相机面阵和线阵工作,使测量前端自动互瞄、自动... 为了精确测量高速弹丸穿越光幕靶瞬间的位置坐标,设计一种基于FPGA加DSP的实时图像处理板卡,采用处理板卡与嵌入式软件算法相结合的方式组成高速弹丸位置坐标自动测量系统。该系统可以设置相机面阵和线阵工作,使测量前端自动互瞄、自动组成光幕靶,提高系统自动化程度。设计基于FPGA的SATA硬盘阵列控制方法,保证高速图像的实时记录和回放。利用FPGA实现的PCIe接口保证上位机与板卡数据交换和通信的实时性。实验结果表明,本系统能够自动完成测量前的准备工作,高速弹丸的捕获概率超过99%,以中心点为原点的200mm直径范围内的测量精度优于1mm。本系统能够满足高速弹丸位置坐标的测量需求,具有捕获率高、精度高、实时性好等特点,有很高的实用价值。 展开更多
关键词 高速弹丸 位置测量 自动 FPGA DSP
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镁掺杂氧化锌基阻变存储器的制备研究
19
作者 别佳瑛 《电光系统》 2024年第3期58-64,共7页
近年来,由于大数据的迅速发展,人类对集成电路中半导体存储器的容量、密度以及存储速度提出越来越高的要求。阻变存储器(ResistanceRandomAccess Memory,RRAM)具有结构简单、存储密度高、擦写速度快、写入电压低、耐久性高等特点,使其... 近年来,由于大数据的迅速发展,人类对集成电路中半导体存储器的容量、密度以及存储速度提出越来越高的要求。阻变存储器(ResistanceRandomAccess Memory,RRAM)具有结构简单、存储密度高、擦写速度快、写入电压低、耐久性高等特点,使其成为了最具发展潜力的新型半导体存储器之一。金属氧化物如ZnO、MgO等材料具有与CMOS工艺良好的兼容性,易于三维集成的优势,因此它们是制备RRAM的理想材料。文章主要开展了磁控溅射法镁掺杂氧化锌(MgZnO)薄膜制备及其RRAM性能的研究,研究出了MgZnO薄膜的制备对RRAM特性的影响规律。 展开更多
关键词 阻变存储器 磁控溅射 MgZnO薄膜
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高集成度TYPE A读写器芯片MF RC500及其应用 被引量：10
20
作者 单承赣 柴斌 姚磊 《国外电子元器件》 2004年第8期34-37,共4页
介绍了高集成度TYPEA读写器芯片MFRC500的内部电路结构 ,并对其内部寄存器的有关命令及加密算法等功能做了较详细的阐述 。
关键词 TYPE A 读写器 FIFO 命令 CRYPTO1
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