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带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管 被引量:5
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作者 刘翠翠 林楠 +2 位作者 马骁宇 井红旗 刘素平 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期110-118,共9页
为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析。首先,对于带有非吸收窗口的二极... 为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析。首先,对于带有非吸收窗口的二极管,在其谐振腔上方前后腔面附近的窗口区域覆盖50 nm Si/100 nm SiO_(2)组合介质层,在远离腔面的增益区域覆盖50 nm Si/100 nm TiO_(2)组合介质层,并采用875℃/90 s快速热处理工艺促进Si杂质扩散诱导量子阱混杂并去除非辐射复合中心。然后,基于相同外延结构、相同流片工艺制备了无非吸收窗口的激光二极管作对照组。测试结果显示,带有非吸收窗口的新型激光二极管平均峰值输出功率提升约33.6%,平均峰值输出电流提升约50.4%,腔面光学灾变损伤的发生概率和破坏程度均明显降低,且其阈值电流、斜率效率及半高全宽等特性也无任何退化。该研究证明,采用Si杂质诱导量子阱混杂技术制备的非吸收窗口,对近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管腔面光学灾变损伤有明显的抑制效果。 展开更多
关键词 半导体激光二极管 腔面光学灾变损伤 量子阱混杂 非吸收窗口
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基于局部优化SFLA的VCSEL模型参数识别
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作者 施立恒 余正风 +2 位作者 郭亚杰 郭冬梅 曹华琦 《南京师范大学学报(工程技术版)》 CAS 2018年第4期59-64,共6页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是光纤通信系统的重要光源,精确的参数是光纤通信仿真分析取得正确结果的必要因素.通过实验测得激光器L-I-V关系和小信号响应,引入混合蛙跳算法(SFLA)来实现参数搜索.针对经典SFLA收敛速度慢、子群易陷入局部... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是光纤通信系统的重要光源,精确的参数是光纤通信仿真分析取得正确结果的必要因素.通过实验测得激光器L-I-V关系和小信号响应,引入混合蛙跳算法(SFLA)来实现参数搜索.针对经典SFLA收敛速度慢、子群易陷入局部最优的缺点,引入NM单一形状搜索法改进局部搜索方案.实验结果表明,局部优化SFLA在本工作中收敛速度更快、适应度更优,可准确实现对VCSEL实际参数的识别. 展开更多
关键词 直腔面发射激光器 混合蛙跳算法 参数识别
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