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题名超大规模集成电路内部单粒子翻转效应仿真
被引量：2
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作者
王红敏
董涛
宁生科
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机构
西安工业大学工业中心
西安工业大学光电工程学院
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出处
《计算机仿真》
北大核心
2021年第8期277-281,共5页
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基金
陕西省自然科学基础研究计划一般项目(2019JM-601)
陕西省高等教育科学研究项目(XGH19134)。
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文摘
针对超大规模集成电路特征尺寸的逐渐减小,对空间辐射环境越加敏感,从而引发了单粒子翻转效应,造成程序运行出现错误的问题,研究超大规模集成电路内部单粒子翻转效应,并提出抗辐射加固策略。研究以仿真的形式进行,首先对单粒子翻转效应物理机制进行了分析,为后续研究提供指导方向,然后选择被测器件,搭建效应测试平台,设置测试条件以及阐述单粒子翻转效应仿真测试方法。结果表明:脉冲激光的能量越大,单粒子翻转概率越高;只有激光光束照射到超大规模集成电路芯片有源区时,才可获得最低和最大的翻转截面;激光脉冲注量对单粒子翻转截面测试有影响;存储数据和测试模式对单粒子翻转效应测试都无影响。
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关键词
超大规模集成电路
内部单粒子
翻转效应
仿真分析
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Keywords
VLSI
Internal single event
Flip effect
Simulation analysis
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分类号
TP163.6
[自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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