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题名退火对电容型硅纳米孔柱阵列湿度传感器性能的影响
被引量：1
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作者
吉慧芳
董永芬
李隆玉
姜卫粉
吕运朋
李新建
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机构
郑州大学物理系
郑州大学测控技术系
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第7期1097-1101,共5页
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基金
国家自然科学基金资助(10574112)
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文摘
基于硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)制备电容型湿度传感元件,并在250℃、450℃和550℃三个温度下对元件进行退火处理。测试数据显示,在测试温度低于550℃时,Si-NPA湿敏元件灵敏度随退火温度的升高而增大,但响应时间略微延长,湿滞回差略微增大;550℃退火后,元件的灵敏度急剧降低。采用场发射扫描电镜(FE-SEM)对不同温度退火的硅纳米孔柱阵列表面形貌进行观察,发现550℃退火元件的微观多孔结构发生了明显变化,即多孔结构致密化。结果表明,通过合适温度退火可以显著提高Si-NPA湿敏元件灵敏度,同时仍然保持较快的响应速度和较小的湿滞回差。
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关键词
硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)
湿敏
退火
温度
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Keywords
silicon nanoporous pillar array （Si-NPA）
humidity sensitive
anneal
temperature
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分类号
TP-212
[自动化与计算机技术]
TN303
[电子电信—物理电子学]
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