随着电子技术的发展,电子系统的集成度持续增加,使其对外部电磁环境越来越敏感。因此,为了提高射频微波电路的鲁棒性,研究半导体器件的可靠性至关重要。本文研究了磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(high electron mobility ...随着电子技术的发展,电子系统的集成度持续增加,使其对外部电磁环境越来越敏感。因此,为了提高射频微波电路的鲁棒性,研究半导体器件的可靠性至关重要。本文研究了磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)低噪声放大器(low-noise amplifier,LNA)在电磁脉冲干扰下的非线性失真行为。随着注入脉冲功率的增大,HEMT的输出电流、载流子迁移率和跨导率降低,最终导致增益压缩。LNA的注入实验有效地验证了其失效机理,实验结果表明,InP HEMT在纳秒级脉宽的电磁脉冲干扰下,HEMT的增益瞬间被抑制,接收信号无法有效放大,且恢复到正常增益水平需要微秒级时间;而GaAs HEMT的增益在电磁脉冲结束后迅速恢复至正常水平。展开更多
