增强型(E-mode)氮化镓(GaN),即E-GaN器件因开关速度快、导通损耗小以及无反向恢复的特点,逐渐成为实现高开关频率逆变电源的理想选择。本文结合E-GaN的驱动特性,给出了驱动芯片选择及驱动电路设计的依据及建议,分析高频全桥逆变器中E-Ga...增强型(E-mode)氮化镓(GaN),即E-GaN器件因开关速度快、导通损耗小以及无反向恢复的特点,逐渐成为实现高开关频率逆变电源的理想选择。本文结合E-GaN的驱动特性,给出了驱动芯片选择及驱动电路设计的依据及建议,分析高频全桥逆变器中E-GaN器件的应用优势。考虑实际数字化控制分析并建立了数字化单相逆变电路的数学模型,并根据此模型对控制器参数进行了系统性设计。500 W E-GaN样机实验结果显示,在100 kHz的开关频率下,整机输出特性良好。展开更多
文摘增强型(E-mode)氮化镓(GaN),即E-GaN器件因开关速度快、导通损耗小以及无反向恢复的特点,逐渐成为实现高开关频率逆变电源的理想选择。本文结合E-GaN的驱动特性,给出了驱动芯片选择及驱动电路设计的依据及建议,分析高频全桥逆变器中E-GaN器件的应用优势。考虑实际数字化控制分析并建立了数字化单相逆变电路的数学模型,并根据此模型对控制器参数进行了系统性设计。500 W E-GaN样机实验结果显示,在100 kHz的开关频率下,整机输出特性良好。
