展示了一款基于全金属工艺的紧凑型双极化基站天线辐射单元,其核心设计融合了正交偶极子辐射机理与寄生结构加载技术。通过铝合金一体化压铸成型工艺,单元采用对称偶极子主体结构,在辐射体上方加载带四角枝节的方形引向片,形成等效电容...展示了一款基于全金属工艺的紧凑型双极化基站天线辐射单元,其核心设计融合了正交偶极子辐射机理与寄生结构加载技术。通过铝合金一体化压铸成型工艺,单元采用对称偶极子主体结构,在辐射体上方加载带四角枝节的方形引向片,形成等效电容耦合效应,实现阻抗匹配带宽拓展与增益提升双重优化。寄生枝节设计通过引导垂直电流路径,使振子投影面积缩减至0.37λ0×0.37λ0(λ0为2.7 GHz对应波长),较传统PCB方案缩小22%。实测数据显示:该单元在1.7~3.7 GHz连续频带内实现S11/S22<-15 d B,核心频点达-32 d B,端口隔离度>28 d B,完整覆盖LTE(1.7~2.7 GHz)和Sub6 GHz频段(3.3~3.7 GHz)。辐射方向图测试表明,3 d B波瓣宽度稳定在65°±5°,平均增益9.0 d Bi。展开更多
文摘展示了一款基于全金属工艺的紧凑型双极化基站天线辐射单元,其核心设计融合了正交偶极子辐射机理与寄生结构加载技术。通过铝合金一体化压铸成型工艺,单元采用对称偶极子主体结构,在辐射体上方加载带四角枝节的方形引向片,形成等效电容耦合效应,实现阻抗匹配带宽拓展与增益提升双重优化。寄生枝节设计通过引导垂直电流路径,使振子投影面积缩减至0.37λ0×0.37λ0(λ0为2.7 GHz对应波长),较传统PCB方案缩小22%。实测数据显示:该单元在1.7~3.7 GHz连续频带内实现S11/S22<-15 d B,核心频点达-32 d B,端口隔离度>28 d B,完整覆盖LTE(1.7~2.7 GHz)和Sub6 GHz频段(3.3~3.7 GHz)。辐射方向图测试表明,3 d B波瓣宽度稳定在65°±5°,平均增益9.0 d Bi。
