基于砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺,设计了一款工作频率为2.7 GHz~3.5 GHz的幅相多功能芯片。该芯片内部集成了6位数字衰减器、6位数字移相器、单电源自偏式驱动放...基于砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺,设计了一款工作频率为2.7 GHz~3.5 GHz的幅相多功能芯片。该芯片内部集成了6位数字衰减器、6位数字移相器、单电源自偏式驱动放大器和开关电路,其中,6位数字衰减器中的基本位电路采用T型或π型衰减结构,6位数控移相器中的基本位电路采用单刀双掷开关切换高通网络和低通网络,或采用桥T型移相结构。芯片在片测试结果表明:在2.7 GHz~3.5 GHz频段,发射支路增益大于5.0 dB,接收支路插入损耗小于7.5 dB,移相精度均方根误差(root mean square,RMS)小于2°,移相寄生调幅RMS小于0.4 dB,接收支路衰减精度RMS小于0.2 dB。展开更多
文摘基于砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺,设计了一款工作频率为2.7 GHz~3.5 GHz的幅相多功能芯片。该芯片内部集成了6位数字衰减器、6位数字移相器、单电源自偏式驱动放大器和开关电路,其中,6位数字衰减器中的基本位电路采用T型或π型衰减结构,6位数控移相器中的基本位电路采用单刀双掷开关切换高通网络和低通网络,或采用桥T型移相结构。芯片在片测试结果表明:在2.7 GHz~3.5 GHz频段,发射支路增益大于5.0 dB,接收支路插入损耗小于7.5 dB,移相精度均方根误差(root mean square,RMS)小于2°,移相寄生调幅RMS小于0.4 dB,接收支路衰减精度RMS小于0.2 dB。
