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用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计 被引量:8
1
作者 陈磊 赵鹏 +4 位作者 崔杰 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期65-68,100,共5页
提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)I艺实现。由于衬底电阻率高达1000Ω·am,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果表明,该款开关的插入损耗在0... 提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)I艺实现。由于衬底电阻率高达1000Ω·am,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果表明,该款开关的插入损耗在0~2.4GHz频段内均小于ldB,隔离度平均大于35dB,功率处理能力也达到了36dBm以上,完全满足设计需求。 展开更多
关键词 绝缘体上硅工艺 单刀八掷开关 插入损耗 隔离度 功率处理能力
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射频微机械CPW开关的研究 被引量:2
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作者 张正元 温志渝 +2 位作者 徐世六 张正番 黄尚廉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期671-673,共3页
本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 ... 本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 3dB .该工艺完全与硅基IC工艺兼容 ,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化 。 展开更多
关键词 射频微机械开关 CPw开关 金属膜 绝缘层 牺牲层
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全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计
3
作者 崔杰 陈磊 +4 位作者 赵鹏 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期362-366,共5页
利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅(SOI)CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷(SP16T)天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,... 利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅(SOI)CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷(SP16T)天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六路开关分支的插损0~3GHz频段内均小于2dB,隔离度平均大于35dB,回波损耗小于-20dB,功率处理能力超过36dBm,完全满足设计要求。 展开更多
关键词 绝缘体硅 单刀十六掷 回波损耗 插入损耗 隔离度
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三自由度转台的设计与实现 被引量:1
4
作者 李跃 《现代电子技术》 2011年第17期135-136,140,共3页
基于MSP430F149单片机设计了一种三自由度转台系统。在该系统中,利用旋转编码器的信息反馈,通过对电机的闭环控制,使三自由度转台能够模拟飞机的飞行姿态。实验证明:系统能平稳、精确地按照任意给定的位置信息转动,动态性能良好,系统稳... 基于MSP430F149单片机设计了一种三自由度转台系统。在该系统中,利用旋转编码器的信息反馈,通过对电机的闭环控制,使三自由度转台能够模拟飞机的飞行姿态。实验证明:系统能平稳、精确地按照任意给定的位置信息转动,动态性能良好,系统稳定性和抗干扰能力强。 展开更多
关键词 三自由度转台 MSP430单片机 模糊控制 PID控制
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天线开关交换系统故障分析与处理
5
作者 董涛 《广播电视信息》 2012年第2期74-77,共4页
文章简单介绍了天线开关控制系统的原理,对系统在运行过程中出现的几起典型故障进行了分析,并提出了处理方法和改进措施。
关键词 天线开关交换 原理 故障 分析处理 改进措施
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天线开关控制系统硬件的模块化设计
6
作者 刘启东 《广播电视信息》 2012年第1期76-79,共4页
本文主要介绍了572台TKZ-3型天线开关控制系统组成和原理,阐述了模块化的设计理念,并通过实例详细介绍了模块的功能和使用方法。
关键词 天线开关控制系统 组成 原理 应用实例
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高隔离度的天线开关
7
作者 邓维波 《电波与天线》 1991年第1期65-67,共3页
关键词 高隔离度 天线开关 PIN管
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