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2.45 GHz 0.18μm全差分CMOS低噪声放大器设计
被引量：
5
1
作者
齐凯
蔡理
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期773-777,共5页
设计了一个基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的2.45 GHz全差分CMOS低噪声放大器。根据电路结构特点,采用图解法对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;设计了仅消耗15μA电流的偏置电路;采用在输入级增加电容的方法,在改善输...
设计了一个基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的2.45 GHz全差分CMOS低噪声放大器。根据电路结构特点,采用图解法对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;设计了仅消耗15μA电流的偏置电路;采用在输入级增加电容的方法,在改善输入匹配网络特性的同时,解决了栅极电感的集成问题。仿真结果表明:LNA噪声系数为1.96 dB,功率增益S21超过20 dB,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-30 dB和-20 dB,反向功率增益S12小于-30 dB,1 dB压缩点和三阶互调输入点IIP3分别达到-17.1 dBm和-2.55 dBm,整个电路在1.8V电源下功耗为22.4 mW。
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关键词
低噪声放大器
噪声优化
输入匹配
偏置电路
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职称材料
S波段小型化微带低噪声放大器的研制
被引量：
2
2
作者
朱兆君
贾宝富
+1 位作者
罗正祥
羊恺
《电子器件》
EI
CAS
2006年第2期405-408,共4页
对具有极低噪声系数的超小型微带放大器进行了设计和讨论。与以往同类工作有很大不同,为了实现LNA小型化的目的,对匹配电路和直流偏置网络采用多次曲折线的形式。常规的纯电路模型仿真方法失效,而采用场路混合仿真的方法。结果表明:采...
对具有极低噪声系数的超小型微带放大器进行了设计和讨论。与以往同类工作有很大不同,为了实现LNA小型化的目的,对匹配电路和直流偏置网络采用多次曲折线的形式。常规的纯电路模型仿真方法失效,而采用场路混合仿真的方法。结果表明:采用多次曲折线的形式使实际样品加工尺寸大大缩小;场路混合仿真的设计方法精度高,样品实测性能大大优于预期指标。
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关键词
低噪声放大器
匹配电路
直流偏置网络
场路混合仿真
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职称材料
基于噪声抵消技术的CMOS宽带LNA设计
被引量：
4
3
作者
齐凯
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期622-626,共5页
设计了一种用于1～4GHz射频前端的全集成CMOS宽带低噪声放大器。利用电流复用技术,对典型并联共栅-共源噪声抵消结构进行改进,以缓和噪声、增益及功耗之间的矛盾。采用在输入端引入电容电感并与MOS管寄生电容构成П形网络的方式来改善...
设计了一种用于1～4GHz射频前端的全集成CMOS宽带低噪声放大器。利用电流复用技术,对典型并联共栅-共源噪声抵消结构进行改进,以缓和噪声、增益及功耗之间的矛盾。采用在输入端引入电容电感并与MOS管寄生电容构成П形网络的方式来改善输入匹配特性。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,LNA噪声系数小于3.24dB,输入反射系数S11小于-8.86dB,增益大于15.6dB,IIP3优于+1.55dBm,在1.8V单电源供电条件下功耗仅为16.2mW。
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关键词
低噪声放大器
噪声抵消
电流复用
输入匹配
原文传递
1.8～2.8 GHz低噪音放大器的仿真设计
4
作者
李凯
《电子设计工程》
2014年第8期31-33,共3页
利用pHEMT工艺设计了一个1.8～2.8GHz波段单片低噪声放大器电路.本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATT-58143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能...
利用pHEMT工艺设计了一个1.8～2.8GHz波段单片低噪声放大器电路.本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATT-58143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比和稳定系数等特性进行了研究.设计出一个增益大于20dB,噪声系数小于1.5dB,输入输出电压驻波比小于1.9,达到设计要求.
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关键词
低噪音放大器
负反馈网络
ADS仿真
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职称材料
制冷HEMT低噪声放大器偏置电源的研制
被引量：
2
5
作者
徐江
孙正文
《天文研究与技术》
CSCD
北大核心
2008年第1期91-96,98,共7页
高电子迁移率晶体管(HEMT)目前被广泛应用于高灵敏度(低噪声)射电天文接收机中。在低温制冷环境下,其低噪声性能更佳,但对偏置供电系统要求很高,只有在特定的偏置条件下才能得到最佳的低噪声、高增益、高稳定性。本文提供了一套可调试...
高电子迁移率晶体管(HEMT)目前被广泛应用于高灵敏度(低噪声)射电天文接收机中。在低温制冷环境下,其低噪声性能更佳,但对偏置供电系统要求很高,只有在特定的偏置条件下才能得到最佳的低噪声、高增益、高稳定性。本文提供了一套可调试、高稳定、高可靠性、带远程监控功能的可供多级低温制冷HEMT管的偏置电源的设计思路、方法和制作,使在低温制冷状态下的HEMT管能够稳定、安全、可靠地工作在最佳状态。
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关键词
HEMT
低噪声
放大器
偏置电源
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职称材料
题名
2.45 GHz 0.18μm全差分CMOS低噪声放大器设计
被引量：
5
1
作者
齐凯
蔡理
机构
空军工程大学理学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期773-777,共5页
文摘
设计了一个基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的2.45 GHz全差分CMOS低噪声放大器。根据电路结构特点,采用图解法对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;设计了仅消耗15μA电流的偏置电路;采用在输入级增加电容的方法,在改善输入匹配网络特性的同时,解决了栅极电感的集成问题。仿真结果表明:LNA噪声系数为1.96 dB,功率增益S21超过20 dB,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-30 dB和-20 dB,反向功率增益S12小于-30 dB,1 dB压缩点和三阶互调输入点IIP3分别达到-17.1 dBm和-2.55 dBm,整个电路在1.8V电源下功耗为22.4 mW。
关键词
低噪声放大器
噪声优化
输入匹配
偏置电路
Keywords
Low noise amplifier（LNA）
Noise optimization
Input matching
Bias circuit
分类号
TN772.3 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
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职称材料
题名
S波段小型化微带低噪声放大器的研制
被引量：
2
2
作者
朱兆君
贾宝富
罗正祥
羊恺
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《电子器件》
EI
CAS
2006年第2期405-408,共4页
基金
国防科技基础研究基金资助项目(51440030203DZ02)
文摘
对具有极低噪声系数的超小型微带放大器进行了设计和讨论。与以往同类工作有很大不同,为了实现LNA小型化的目的,对匹配电路和直流偏置网络采用多次曲折线的形式。常规的纯电路模型仿真方法失效,而采用场路混合仿真的方法。结果表明:采用多次曲折线的形式使实际样品加工尺寸大大缩小;场路混合仿真的设计方法精度高,样品实测性能大大优于预期指标。
关键词
低噪声放大器
匹配电路
直流偏置网络
场路混合仿真
Keywords
low noise amplifier
matching circuits
DC bias networks
field-circuit mix simulation
分类号
TN772.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于噪声抵消技术的CMOS宽带LNA设计
被引量：
4
3
作者
齐凯
机构
空军工程大学理学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期622-626,共5页
文摘
设计了一种用于1～4GHz射频前端的全集成CMOS宽带低噪声放大器。利用电流复用技术,对典型并联共栅-共源噪声抵消结构进行改进,以缓和噪声、增益及功耗之间的矛盾。采用在输入端引入电容电感并与MOS管寄生电容构成П形网络的方式来改善输入匹配特性。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,LNA噪声系数小于3.24dB,输入反射系数S11小于-8.86dB,增益大于15.6dB,IIP3优于+1.55dBm,在1.8V单电源供电条件下功耗仅为16.2mW。
关键词
低噪声放大器
噪声抵消
电流复用
输入匹配
Keywords
LNA
Noise canceling
Current reuse
Input matching
分类号
TN772.3 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
1.8～2.8 GHz低噪音放大器的仿真设计
4
作者
李凯
机构
电子科技大学物理电子学院
出处
《电子设计工程》
2014年第8期31-33,共3页
文摘
利用pHEMT工艺设计了一个1.8～2.8GHz波段单片低噪声放大器电路.本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATT-58143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比和稳定系数等特性进行了研究.设计出一个增益大于20dB,噪声系数小于1.5dB,输入输出电压驻波比小于1.9,达到设计要求.
关键词
低噪音放大器
负反馈网络
ADS仿真
Keywords
low-noise amplifier
negative feedback network
pHEMT
ADS simulation and optimization
分类号
TN772.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
制冷HEMT低噪声放大器偏置电源的研制
被引量：
2
5
作者
徐江
孙正文
机构
中国科学院国家天文台乌鲁木齐天文站
出处
《天文研究与技术》
CSCD
北大核心
2008年第1期91-96,98,共7页
文摘
高电子迁移率晶体管(HEMT)目前被广泛应用于高灵敏度(低噪声)射电天文接收机中。在低温制冷环境下,其低噪声性能更佳,但对偏置供电系统要求很高,只有在特定的偏置条件下才能得到最佳的低噪声、高增益、高稳定性。本文提供了一套可调试、高稳定、高可靠性、带远程监控功能的可供多级低温制冷HEMT管的偏置电源的设计思路、方法和制作,使在低温制冷状态下的HEMT管能够稳定、安全、可靠地工作在最佳状态。
关键词
HEMT
低噪声
放大器
偏置电源
Keywords
HEMT
low noise
bias power supply
分类号
TN322.6 [电子电信—物理电子学]
TN772.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
2.45 GHz 0.18μm全差分CMOS低噪声放大器设计
齐凯
蔡理
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
S波段小型化微带低噪声放大器的研制
朱兆君
贾宝富
罗正祥
羊恺
《电子器件》
EI
CAS
2006
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于噪声抵消技术的CMOS宽带LNA设计
齐凯
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
原文传递
4
1.8～2.8 GHz低噪音放大器的仿真设计
李凯
《电子设计工程》
2014
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
制冷HEMT低噪声放大器偏置电源的研制
徐江
孙正文
《天文研究与技术》
CSCD
北大核心
2008
2
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职称材料
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