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基于源极负反馈结构的全G波段低噪声放大器芯片
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作者 祁路伟 袁思昊 +4 位作者 余国栋 陈忠飞 王丹 郭啸 贾朔维 《固体电子学研究与进展》 2025年第6期23-28,共6页
基于源极负反馈技术研制了全G波段(140~220 GHz)的宽带低噪声放大器芯片。主传输线采用高低阻抗线结构降低电路的传输损耗,采用源极负反馈电路拓扑结构与片上最佳噪声匹配技术降低宽带低噪声放大器芯片的噪声系数。采用分布式模型架构... 基于源极负反馈技术研制了全G波段(140~220 GHz)的宽带低噪声放大器芯片。主传输线采用高低阻抗线结构降低电路的传输损耗,采用源极负反馈电路拓扑结构与片上最佳噪声匹配技术降低宽带低噪声放大器芯片的噪声系数。采用分布式模型架构准确描述HEMT器件在太赫兹频段信号沿栅极输入至漏极输出时引入的寄生效应;通过对无源结构仿真数据与实测结果的拟合,依次对电磁场仿真边界条件中衬底与介质材料的厚度、损耗、介电常数以及通孔电感、材料方阻等参数进行修正,从而提升太赫兹低噪声放大器芯片的设计精度。基于50 nm InP HEMT工艺实现该芯片的研制,实测结果显示,在140~220 GHz频段内,小信号增益大于20 dB,噪声系数小于5.3 dB,典型值为4.8 dB。 展开更多
关键词 太赫兹 低噪声放大器芯片 源级负反馈 InP HEMT
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基于GaAs肖特基二极管单片集成技术的330~400 GHz三倍频器 被引量：1
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作者 纪东峰 代鲲鹏 +1 位作者 王维波 余旭明 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期396-400,共5页
基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小... 基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小电路封装误差,采用单片集成技术将二极管和外围电路集成在25μm厚的砷化镓衬底上实现三倍频芯片。并将芯片封装入一体设计的屏蔽腔中构成了波导-悬置微带线结构来减小电路损耗。实测结果显示,在330~400 GHz范围内,当输入功率为22 dBm时,三倍频器输出功率大于5.5 dBm,并有优于7 dBm的峰值输出功率。 展开更多
关键词 三倍频器 太赫兹 砷化镓肖特基二极管 单片集成技术
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