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基于阻抗补偿技术的毫米波超宽带功分器 被引量:1
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作者 卢启军 韩大伟 +2 位作者 张浩 张涛 朱樟明 《电子学报》 北大核心 2025年第1期112-118,共7页
针对宽带功率分配器面积大、回波损耗差等问题,本文提出了一款基于阻抗补偿技术的毫米波超宽带威尔金森功率分配器.在传统集总功分器输出端口添加并联LC谐振网络,可以补偿功分器的输入和输出阻抗并引入额外的匹配和无损耗频率点,进而有... 针对宽带功率分配器面积大、回波损耗差等问题,本文提出了一款基于阻抗补偿技术的毫米波超宽带威尔金森功率分配器.在传统集总功分器输出端口添加并联LC谐振网络,可以补偿功分器的输入和输出阻抗并引入额外的匹配和无损耗频率点,进而有效地提高功分器的分数带宽.提出的功率分配器采用65 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺设计并测试验证,核心面积紧凑,仅有0.021 mm2.测试结果表明,该功分器的插入损耗为1.35~1.55 dB,0.2-dB幅度带宽为44~96 GHz,输入输出回波损耗和隔离性能在整个工作频段内均优于11 dB.与已发布的毫米波功率分配器相比,提出的功率分配器在保持良好端口匹配的同时实现了较高的幅度带宽. 展开更多
关键词 威尔金森功率分配器 集总电路 超宽带 阻抗补偿技术 谐振网络
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一种波导内阻抗匹配的0.4THz宽带倍频器
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作者 胡松祥 宋旭波 +2 位作者 顾国栋 刘庆彬 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期822-827,共6页
为满足近场通信和成像等应用领域对0.4 THz宽带倍频器的需求,基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)设计了一款工作在0.4 THz的宽带平衡式二倍频器。该设计采用波导内输出阻抗匹配结构,解决了传统悬置带线设计中阻抗失配导致的带宽受限问题。... 为满足近场通信和成像等应用领域对0.4 THz宽带倍频器的需求,基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)设计了一款工作在0.4 THz的宽带平衡式二倍频器。该设计采用波导内输出阻抗匹配结构,解决了传统悬置带线设计中阻抗失配导致的带宽受限问题。二倍频器采用反向偏置工作模式,通过优化散射参数的相位一致性,提高了谐波合成效率。设计了0.4 THz宽带的E面探针过渡和直流偏置的集成复合结构,采用紧凑型谐振器结构低通滤波器实现悬置带线至波导的高效转换,并抑制了信号泄漏。测试结果表明,在0.37~0.43 THz工作频带内,二倍频器实现了3.4%以上的转换效率,最高转换效率达6.7%,峰值输出功率为4.4 mW,为太赫兹频段宽带二倍频器设计提供了新的解决方案。 展开更多
关键词 太赫兹 二倍频器 肖特基势垒二极管(SBD) GAAS 宽带
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小型化X波段六倍频源设计和实现
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作者 肖磊 柯鸣岗 +2 位作者 齐锋 蔡晓波 盛世威 《微波学报》 北大核心 2025年第2期97-100,共4页
直接合成频率源在雷达接收机中具有广泛应用,但由于其体积较大、成本较高,已无法适应雷达系统小型化、多功能的发展需求。文中采用系统级封装技术,研制了小型化X波段倍频源,该系统尺寸仅有21 mm×16 mm×3 mm,可实现从输入1 GHz... 直接合成频率源在雷达接收机中具有广泛应用,但由于其体积较大、成本较高,已无法适应雷达系统小型化、多功能的发展需求。文中采用系统级封装技术,研制了小型化X波段倍频源,该系统尺寸仅有21 mm×16 mm×3 mm,可实现从输入1 GHz~2 GHz到输出6 GHz~12 GHz的倍频变换。测试结果表明,输出信号功率约为0 dBm,杂散与主要输出信号的频率间隔大于2 GHz,单个系统的杂散抑制度可达到60 dBc。 展开更多
关键词 六倍频 系统级封装 直接合成频率源 高温共烧陶瓷
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基于准八木天线探针过渡的E波段倍频器模块
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作者 罗蒸鸿 高港 +2 位作者 周梓乔 于伟华 周明 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第1期1-5,11,共6页
介绍了一种新型E波段倍频器模块的设计和制作方法。该模块使用一种准八木天线形式的石英探针,实现芯片至矩形波导的高效信号过渡。为抑制封装芯片腔体中产生的高次模谐振,引入销钉形式的电磁带隙结构,拓展了工作带宽。为验证该方法,对... 介绍了一种新型E波段倍频器模块的设计和制作方法。该模块使用一种准八木天线形式的石英探针,实现芯片至矩形波导的高效信号过渡。为抑制封装芯片腔体中产生的高次模谐振,引入销钉形式的电磁带隙结构,拓展了工作带宽。为验证该方法,对模块进行了仿真优化、加工和测试。测试结果表明,在13 dBm的输入功率下,能够输出频率在60~80 GHz范围内,功率大于0 dBm的射频信号。测试结果与芯片的在片测试结果吻合良好,证明了该方法的可行性。 展开更多
关键词 E波段 封装 准八木天线 销钉型电磁带隙结构 二倍频器
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基于GaN肖特基二极管的200 GHz二倍频器研制
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作者 杨岚馨 骆祥 +1 位作者 肖飞 张勇 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第1期44-48,共5页
基于GaN肖特基二极管设计并实现了一款200 GHz高功率二倍频器。该倍频器采用高功率容量的氮化镓(GaN)肖特基二极管代替传统GaAs肖特基二极管,并结合高热导率的氮化铝(AlN)衬底,较大提升了倍频器的散热性能和输出功率;采用含有楔形膜片... 基于GaN肖特基二极管设计并实现了一款200 GHz高功率二倍频器。该倍频器采用高功率容量的氮化镓(GaN)肖特基二极管代替传统GaAs肖特基二极管,并结合高热导率的氮化铝(AlN)衬底,较大提升了倍频器的散热性能和输出功率;采用含有楔形膜片的悬置微带-波导过渡结构,通过插入标准矩形波导中的楔形膜片实现模式转换并使输入输出同向,实现倍频器的小型化。考虑到温度对二极管工作的影响,对传统二极管模型进行修正,并进行电热耦合仿真。实际测试结果表明,在500 mW连续波输入的情况下,该二倍频器在190~220 GHz频率范围内输出均高于20 mW,并在218 GHz实现了最大36 mW的功率输出,转换效率为7.2%。 展开更多
关键词 太赫兹 氮化镓 二倍频 氮化铝
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一种有源宽带四倍频器芯片的研究与设计
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作者 霍现荣 姜兆国 《通讯世界》 2025年第8期50-52,共3页
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺,设计了一款2 GHz~4 GHz有源宽带四倍频器单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC)芯片。通过仿真优化GaAs肖特... 基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺,设计了一款2 GHz~4 GHz有源宽带四倍频器单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC)芯片。通过仿真优化GaAs肖特基二极管和宽带巴伦,利用相位相消技术抑制对应的奇次谐波,提高所需的四次谐波频谱纯度。该四倍频器芯片在工作频段内,当输入功率为-5 dBm时,四次谐波输出功率大于6 dBm,三次谐波抑制度和五次谐波抑制度达到20 dB,流片后的芯片尺寸仅为1.90 mm×1.55 mm×0.07 mm,可广泛应用于微波混合集成电路的小型化设计。 展开更多
关键词 GAAS 倍频器 有源宽带 MMIC
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A high output power 340 GHz balanced frequency doubler designed based on linear optimization method
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作者 LIU Zhi-Cheng ZHOU Jing-Tao +5 位作者 MENG Jin WEI Hao-Miao YANG Cheng-Yue SU Yong-Bo JIN Zhi JIA Rui 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第2期184-191,共8页
In this paper,a linear optimization method(LOM)for the design of terahertz circuits is presented,aimed at enhancing the simulation efficacy and reducing the time of the circuit design workflow.This method enables the ... In this paper,a linear optimization method(LOM)for the design of terahertz circuits is presented,aimed at enhancing the simulation efficacy and reducing the time of the circuit design workflow.This method enables the rapid determination of optimal embedding impedance for diodes across a specific bandwidth to achieve maximum efficiency through harmonic balance simulations.By optimizing the linear matching circuit with the optimal embedding impedance,the method effectively segregates the simulation of the linear segments from the nonlinear segments in the frequency multiplier circuit,substantially improving the speed of simulations.The design of on-chip linear matching circuits adopts a modular circuit design strategy,incorporating fixed load resistors to simplify the matching challenge.Utilizing this approach,a 340 GHz frequency doubler was developed and measured.The results demonstrate that,across a bandwidth of 330 GHz to 342 GHz,the efficiency of the doubler remains above 10%,with an input power ranging from 98 mW to 141mW and an output power exceeding 13 mW.Notably,at an input power of 141 mW,a peak output power of 21.8 mW was achieved at 334 GHz,corresponding to an efficiency of 15.8%. 展开更多
关键词 linear optimization method(LOM) three-dimensional electromagnetic model(3D-EM) Harmonic impedance optimization Schottky planar diode Terahertz frequency doubler
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连续波输出功率111.27 mW的G波段四端口平衡式倍频器
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作者 黄昆 杨昊 +4 位作者 李若雪 周人 蒋均 何月 田遥岭 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期79-84,共6页
利用新颖的四端口平衡式二倍频原型,开发了215~230 GHz频段的肖特基变容管倍频器,并具备更加优秀的变频效率和功率容量。同时,所提出的倍频架构能够实现奇次谐波和四次谐波的本征抑制,并且其中采用的二极管管结数量相对于传统平衡倍频... 利用新颖的四端口平衡式二倍频原型,开发了215~230 GHz频段的肖特基变容管倍频器,并具备更加优秀的变频效率和功率容量。同时,所提出的倍频架构能够实现奇次谐波和四次谐波的本征抑制,并且其中采用的二极管管结数量相对于传统平衡倍频结构提升了两倍。因此,这种四端口倍频电路可以实现更好的转换效率和双倍的功率处理能力。在室温下,当输入功率为196~340 mW时,该倍频器具有约39.5%的峰值转换效率(@218 GHz),即使在较高的频率下,该倍频器也被证明是高功率太赫兹波信号产生的理想解决方案。 展开更多
关键词 平衡式二倍频 太赫兹信号产生 非线性 肖特基二极管
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260 GHz GaN高功率三倍频器设计
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作者 盛百城 宋旭波 +8 位作者 顾国栋 张立森 刘帅 万悦 魏碧华 李鹏雨 郝晓林 梁士雄 冯志红 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第3期290-295,共6页
基于GaN太赫兹二极管芯片,采用非平衡式电路结构,设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率;采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波;采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输... 基于GaN太赫兹二极管芯片,采用非平衡式电路结构,设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率;采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波;采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输出滤波器。测试结果显示,该三倍频器在261 GHz峰值频率下,实现最大输出功率为69.1 mW,转换效率为3.3%,同时具有较好的谐波抑制特性。 展开更多
关键词 三倍频器 太赫兹 肖特基二极管 非平衡式 倒装
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一种67~115GHz宽带平衡式三倍频器芯片
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作者 何锐聪 王亚冰 +1 位作者 何美林 胡志富 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期691-697,共7页
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT),研制了一种W波段的毫米波宽带三倍频器芯片。采用输入和输出Lange耦合器和两个反向并联晶体管对设计了平衡式倍频器电路拓扑,较好地抑制了基波、偶次谐波等信号,并且110 GHz处的峰值功率比传统... 基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT),研制了一种W波段的毫米波宽带三倍频器芯片。采用输入和输出Lange耦合器和两个反向并联晶体管对设计了平衡式倍频器电路拓扑,较好地抑制了基波、偶次谐波等信号,并且110 GHz处的峰值功率比传统三倍频器提高约4 dB。利用晶体管对紧凑的输入和输出匹配结构减小了芯片面积。测试结果表明,输入功率为22 dBm时,该三倍频器在输出频率67~115 GHz内的饱和输出功率大于5 dBm,变频损耗小于17 dB,在110 GHz处的峰值输出功率为8 dBm,倍频效率约为4%。该芯片尺寸为1.40 mm×0.80 mm,能够与功率放大器集成,实现宽带毫米波收发系统的小型化。 展开更多
关键词 GaAs 赝配高电子迁移率场效晶体管(pHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 三倍频器 平衡式电路拓扑
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一种硅基CMOS 24~30 GHz三倍频器设计
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作者 万一兆 万恒至 赵涤燹 《遥测遥控》 2025年第4期26-32,共7页
本文基于65nm CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互补金属氧化物半导体)工艺,设计了一款工作在24~30 GHz频段的三倍频器,旨在提升毫米波通信系统中本振链路的性能。本设计利用了MOS(Metal-OxideSemiconductor,金属氧化物... 本文基于65nm CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互补金属氧化物半导体)工艺,设计了一款工作在24~30 GHz频段的三倍频器,旨在提升毫米波通信系统中本振链路的性能。本设计利用了MOS(Metal-OxideSemiconductor,金属氧化物半导体)晶体管的非线性特性,通过优化偏置电压和匹配网络,有效增强了三次谐波,同时抑制了基波和高次谐波。本文提出的三倍频器采用两级架构:第一级基于差分的共源共栅架构,针对三次谐波进行了高效提取与放大;第二级为功率放大器,通过负载牵引分析进一步优化了带宽和输出功率。版图后仿真结果表明,该三倍频器的3 dB带宽为24~30 GHz,相对带宽达到22%,并在27 GHz处实现了7.4 dBm的饱和输出功率,带内最大转换增益为4.2 dB,基波和五次谐波的抑制分别达29 dBc和28 dBc,在较宽的输入功率范围内均具有良好的性能。本文的设计为毫米波通信中的K/Ka波段本振链路提供了一种高效且紧凑的实现方案。 展开更多
关键词 三倍频器 CMOS工艺 谐波抑制 毫米波通信 本振链路
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基于对差分结构的320 GHz三倍频器 被引量:2
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作者 张筱健 蒋均 +4 位作者 田遥岭 杨昊 何月 李若雪 刘戈 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期63-69,共7页
结合高频特性下肖特基二极管有源区电气模型建模方法,实现了一种基于对差分结构的320 GHz三倍频器,相比于传统的平衡式和非平衡式电路,这种结构可以在降低工艺复杂度的同时使电路的功率容量增加一倍,更好地满足现代通信系统对大功率太... 结合高频特性下肖特基二极管有源区电气模型建模方法,实现了一种基于对差分结构的320 GHz三倍频器,相比于传统的平衡式和非平衡式电路,这种结构可以在降低工艺复杂度的同时使电路的功率容量增加一倍,更好地满足现代通信系统对大功率太赫兹频率源的需求。为了提高电路在高耗散功率下的仿真精度,使用符号定义器件在电路仿真软件中建立起新型的电-热自适应模型,最后按照场路结合的迭代方式完成整体电路设计。测试结果表明设计的三倍频器在123~200 mW的驱动功率下可以实现最高8.8%的转换效率,最大输出功率为17.27 mW;在305~384 mW的驱动功率下可以实现最高7.2%的转换效率,最大输出功率为27.33 mW,为高功率太赫兹器件的高效设计提供了有益借鉴。 展开更多
关键词 对差分结构 三倍频器 太赫兹 功率容量 肖特基二极管
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带有四次谐波回路的110GHz二倍频器
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作者 刘志成 周静涛 +3 位作者 王晓宇 柴凯龙 金智 贾锐 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期105-108,共4页
在本文中,基于肖特基二极管和单片集成技术,设计了一款带有四次谐波回路的110GHz二倍频器。该倍频器基于平衡式二倍频器的电路拓扑结构,引入了额外的四次谐波回路,以提高输出效率。为了减少电路的长度,降低损耗和装配难度,采用改进型CS... 在本文中,基于肖特基二极管和单片集成技术,设计了一款带有四次谐波回路的110GHz二倍频器。该倍频器基于平衡式二倍频器的电路拓扑结构,引入了额外的四次谐波回路,以提高输出效率。为了减少电路的长度,降低损耗和装配难度,采用改进型CSMRs滤波器替代了传统的高低阻抗滤波器,同时引入波导谐振腔用来调节四次谐波回路的相位。测试结果表明,在120mW的输入功率下,倍频器在111.5GHz处达到最大输出功率20.86mW,对应的效率为17.4%,在107.5-113GHz内的范围内,输出功率大于4mW。 展开更多
关键词 二倍频器 谐波回收 单片集成 肖特基二极管 太赫兹电路
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600 GHz高效率二倍频器
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作者 蒋长宏 赵向阳 +2 位作者 吴大勇 邢东 冯志红 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期326-329,共4页
面向空间射电天文等1THz以上太赫兹光谱仪应用,基于GaAs TMIC工艺开发了600GHz高效率二倍频器。该倍频器可直接驱动不加直流偏置的1.2THz混频器。采用固态微波器件与电路全国重点实验室3.5um厚度Ga As薄膜电路制造工艺,肖特基二极管结电... 面向空间射电天文等1THz以上太赫兹光谱仪应用,基于GaAs TMIC工艺开发了600GHz高效率二倍频器。该倍频器可直接驱动不加直流偏置的1.2THz混频器。采用固态微波器件与电路全国重点实验室3.5um厚度Ga As薄膜电路制造工艺,肖特基二极管结电容6fF。测试结果表明在612~652GHz频率范围内,输出功率大于1mW,最高输出功率4mW出现在624GHz和636GHz,对应最高倍频效率为11%。 展开更多
关键词 太赫兹 倍频器 高效率
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160~240 GHz宽带高效率二倍频器设计
15
作者 赵安捷 骆祥 张勇 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期306-309,共4页
随着科技进步,频谱资源的紧张性日益凸显,太赫兹频段的频谱资源开发利用显得尤为迫切。在此背景下,倍频器作为产生太赫兹波的关键器件,其宽频带与高效率设计成为研究的重点。本文设计了一款工作频率覆盖160~240GHz的宽带高效率二倍频器... 随着科技进步,频谱资源的紧张性日益凸显,太赫兹频段的频谱资源开发利用显得尤为迫切。在此背景下,倍频器作为产生太赫兹波的关键器件,其宽频带与高效率设计成为研究的重点。本文设计了一款工作频率覆盖160~240GHz的宽带高效率二倍频器,对输入输出匹配结构的阻抗进行特殊设计,将共轭匹配与无反射匹配相结合,提高了在宽带范围内的转换效率。仿真结果显示,在输入功率为500mW时,该二倍频器在160~240GHz频段内的转换效率超过14%;输入功率提升至1W时,效率仍有13.5%~18%。相较于同类已报道的二倍频器,本文设计在拓宽频带的同时保持了高转换效率。 展开更多
关键词 二倍频器 GAN 太赫兹 宽频带 高效率
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太赫兹科学与电子信息学报
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作者 薛欣童 李战峰 +2 位作者 张海涛 郝晓林 梁士雄 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第12期1339-1355,共17页
太赫兹波在电磁波谱中处于独特位置,具有高频率、高带宽和高穿透性等特点,在通信、雷达、成像、传感、安检等领域具有广泛的应用前景。倍频器和混频器等变频器件是固态太赫兹系统的关键组成部分。肖特基二极管具有寄生参数低,工艺简单,... 太赫兹波在电磁波谱中处于独特位置,具有高频率、高带宽和高穿透性等特点,在通信、雷达、成像、传感、安检等领域具有广泛的应用前景。倍频器和混频器等变频器件是固态太赫兹系统的关键组成部分。肖特基二极管具有寄生参数低,工艺简单,易于集成等优点,其工作频率已覆盖了整个太赫兹频段。基于肖特基二极管变频器件具有室温工作、频带宽、电子可调性、相位噪声低和灵敏度高等特点,已成为太赫兹收发链路的主流器件。本文综述了近年来肖特基二极管技术的发展,包括其结构和制备方法。此外,还介绍了基于肖特基二极管的倍频器和混频器现状,并对未来的发展趋势进行了探讨。 展开更多
关键词 肖特基二极管 化合物半导体 倍频器 混频器 太赫兹 单片集成电路
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170GHz二倍频器2路功率合成技术研究
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作者 徐鹏 徐辉 +6 位作者 王国瑾 张立森 梁士雄 宋旭波 顾国栋 郝晓林 冯志红 《空间电子技术》 2024年第4期59-64,共6页
文章研究并实现了基于170GHz二倍频器2路的功率合成。采用三维电磁场仿真设计并实现了E面T型功分/功合器。功率分配器采用WR10标准波导,80GHz~95GHz频带内,插入损耗在0.2dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。输出功率合成器采用WR... 文章研究并实现了基于170GHz二倍频器2路的功率合成。采用三维电磁场仿真设计并实现了E面T型功分/功合器。功率分配器采用WR10标准波导,80GHz~95GHz频带内,插入损耗在0.2dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。输出功率合成器采用WR5标准波导,160GHz~185GHz频带内,插入损耗在0.4dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。采用GaAs肖特基二极管单片集成技术设计并制备单路二倍频器,以满足一致性要求;基于170GHz二倍频器2路功率合成的测试结果表明,输入功率在600mW~800mW之间,163GHz~178GHz的输出功率在110mW~264mW,合成效率在80%以上。在171GHz的频点下,峰值输出功率可达264mW,峰值合成效率达到92%。 展开更多
关键词 太赫兹 二倍频器 功率合成
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基于GaAs肖特基二极管单片集成技术的330~400 GHz三倍频器 被引量:1
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作者 纪东峰 代鲲鹏 +1 位作者 王维波 余旭明 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期396-400,共5页
基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小... 基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小电路封装误差,采用单片集成技术将二极管和外围电路集成在25μm厚的砷化镓衬底上实现三倍频芯片。并将芯片封装入一体设计的屏蔽腔中构成了波导-悬置微带线结构来减小电路损耗。实测结果显示,在330~400 GHz范围内,当输入功率为22 dBm时,三倍频器输出功率大于5.5 dBm,并有优于7 dBm的峰值输出功率。 展开更多
关键词 三倍频器 太赫兹 砷化镓肖特基二极管 单片集成技术
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高效170GHz平衡式肖特基二极管倍频器 被引量:13
19
作者 何月 蒋均 +3 位作者 陆彬 陈鹏 黄昆 黄维 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期210-217,共8页
太赫兹源的输出功率是限制太赫兹技术远距离应用的重要参数。为了实现高效的太赫兹倍频器,基于高频特性下肖特基二极管的有源区电气模型建模方法,利用指标参数不同的两种肖特基二极管,研制出了两种170 GHz平衡式倍频器。所采用的肖特基... 太赫兹源的输出功率是限制太赫兹技术远距离应用的重要参数。为了实现高效的太赫兹倍频器,基于高频特性下肖特基二极管的有源区电气模型建模方法,利用指标参数不同的两种肖特基二极管,研制出了两种170 GHz平衡式倍频器。所采用的肖特基二极管有源结区模型完善地考虑了二极管IV特性,载流子饱和速率限制,直流串联电阻以及趋肤效应等特性。通过对两种倍频器仿真结果进行对比,完备地分析了二极管主要指标参数对倍频器性能的影响。最后测试结果显示两种平衡式170 GHz倍频器在155~178 GHz工作带宽内的最高倍频效率分别大于11%和24%,最高输出功率分别大于15 m W和25 m W。从仿真和测试结果表示,采用的肖特基二极管建模方法和平衡式倍频器结构适用于研制高效的太赫兹倍频器。 展开更多
关键词 太赫兹 肖特基二极管模型 倍频器 平衡结构
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漏电检测与智能鉴相漏电保护器的研究 被引量:14
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作者 吴慎山 苏本庆 +2 位作者 谢鸿凤 杨豪强 史水娥 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期53-55,共3页
分析漏电检测与漏电保护原理;介绍各种不同类型漏电保护器保护的原理与特点,,指出解决漏电保护器保护死区的重要性,介绍新型脉冲鉴幅鉴相式无死区漏电保护器和智能鉴相漏电保护器的工作原理与构成,展望漏电保护器的发展趋势.
关键词 漏电 漏电保护器 鉴幅 鉴相
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