文中设计了一种宽带低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了基于周期性时变电感的Class-D结构,并将共模谐振扩展技术应用于谐振腔,实现了宽带谐波整形,优化了整个带宽内的相位噪声性能。此外,将传统的N沟道金属氧化物半导体对替换为P...文中设计了一种宽带低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了基于周期性时变电感的Class-D结构,并将共模谐振扩展技术应用于谐振腔,实现了宽带谐波整形,优化了整个带宽内的相位噪声性能。此外,将传统的N沟道金属氧化物半导体对替换为P沟道金属氧化物半导体交叉耦合对,降低了沟道电流的热噪声与闪烁噪声。该芯片采用SMIC 55-nm CMOS工艺制造,包括焊盘在内的芯片面积为0.47 mm^(2)。测试结果表明,该VCO芯片在3.5 GHz~5.1 GHz(38.4%)的宽频率范围内能连续工作,输出功率为7.5 d Bm~7.1 d Bm,其在3.5 GHz处测试的相位噪声为-125.8 d Bc/Hz@1 MHz。当电源电压为1.8 V时,该VCO核心消耗电流为21.3 m A~23.0 m A,缓冲级消耗电流为14.4 m A~15.3 m A,对应含调谐范围的优值(Fo MT)为192.4 d Bc/Hz~189.6 d Bc/Hz。展开更多
针对目前电容量小,连接被测电容和测量电路之前的电缆周围存在着较强的寄生电容干扰,微弱电容测量电路采样频率低,现有电容测量电路不能满足被测电容对采样率的要求等问题,提出了一种新型的基于充放电的微弱电容测量电路。该测量电路分...针对目前电容量小,连接被测电容和测量电路之前的电缆周围存在着较强的寄生电容干扰,微弱电容测量电路采样频率低,现有电容测量电路不能满足被测电容对采样率的要求等问题,提出了一种新型的基于充放电的微弱电容测量电路。该测量电路分析了现有电容测量电路中的关键部件,采用高采样率、高精度、高稳定性的信号调理电路实现传统测量电路中的信号调理电路部分。通过对信号调理电路的改善,达到具有国内外领先水平的高采样率电容测量电路。经过实验验证测量电路的采样率,发现该电容的采样率可达100 k Hz,满足了目前众多电容对测量电路采样率的需求。展开更多
针对方波-三角波-正弦波变换电路实验问题,设计了基于NI ELVIS Ⅱ+平台的波形变换电路实验.首先介绍了利用运算放大器进行波形变换电路实验教学的整个过程,通过理论分析确定实验方案,然后在Multisim软件上进行仿真,最后在NI ELVIS Ⅱ+...针对方波-三角波-正弦波变换电路实验问题,设计了基于NI ELVIS Ⅱ+平台的波形变换电路实验.首先介绍了利用运算放大器进行波形变换电路实验教学的整个过程,通过理论分析确定实验方案,然后在Multisim软件上进行仿真,最后在NI ELVIS Ⅱ+平台上搭建电路进行仿真验证和数据测试.展开更多
文摘文中设计了一种宽带低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了基于周期性时变电感的Class-D结构,并将共模谐振扩展技术应用于谐振腔,实现了宽带谐波整形,优化了整个带宽内的相位噪声性能。此外,将传统的N沟道金属氧化物半导体对替换为P沟道金属氧化物半导体交叉耦合对,降低了沟道电流的热噪声与闪烁噪声。该芯片采用SMIC 55-nm CMOS工艺制造,包括焊盘在内的芯片面积为0.47 mm^(2)。测试结果表明,该VCO芯片在3.5 GHz~5.1 GHz(38.4%)的宽频率范围内能连续工作,输出功率为7.5 d Bm~7.1 d Bm,其在3.5 GHz处测试的相位噪声为-125.8 d Bc/Hz@1 MHz。当电源电压为1.8 V时,该VCO核心消耗电流为21.3 m A~23.0 m A,缓冲级消耗电流为14.4 m A~15.3 m A,对应含调谐范围的优值(Fo MT)为192.4 d Bc/Hz~189.6 d Bc/Hz。
文摘针对目前电容量小,连接被测电容和测量电路之前的电缆周围存在着较强的寄生电容干扰,微弱电容测量电路采样频率低,现有电容测量电路不能满足被测电容对采样率的要求等问题,提出了一种新型的基于充放电的微弱电容测量电路。该测量电路分析了现有电容测量电路中的关键部件,采用高采样率、高精度、高稳定性的信号调理电路实现传统测量电路中的信号调理电路部分。通过对信号调理电路的改善,达到具有国内外领先水平的高采样率电容测量电路。经过实验验证测量电路的采样率,发现该电容的采样率可达100 k Hz,满足了目前众多电容对测量电路采样率的需求。
