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LiTaO_(3)/SiO_(2)/Poly-Si/Si衬底SAW谐振器高阶模态抑制
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作者 周增毅 帅垚 +3 位作者 吴传贵 彭斌 潘忻强 张万里 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期6-11,共6页
通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可... 通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可知当(110)Si面内旋转角度a110=90°/160°/270°/340°时,Si衬底水平剪切体声波声速V_(SH)和垂直剪切体声波声速V_(SV)同时达到较小的值,高阶模态杂波声速V_(p-h)>V_(SH),V_(p-h)>V_(SV),高阶模态杂波的能量辐射到Si衬底中发生泄露,从而达到抑制高阶模态的目的。仿真和流片实验表明,对于使用逆时针旋转270°的(110)Si的LTOI衬底SAW谐振器,其仿真、流片实验的阻抗曲线均未观察到高阶模态杂散响应。 展开更多
关键词 高阶模态抑制 声表面波谐振器 声表面波(SAW) LTOI Si的晶体取向
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Tailoring Light–Matter Interactions in Overcoupled Resonator for Biomolecule Recognition and Detection
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作者 Dongxiao Li Hong Zhou +2 位作者 Zhihao Ren Cheng Xu Chengkuo Lee 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2025年第1期262-280,共19页
Plasmonic nanoantennas provide unique opportunities for precise control of light–matter coupling in surface-enhanced infrared absorption(SEIRA)spectroscopy,but most of the resonant systems realized so far suffer from... Plasmonic nanoantennas provide unique opportunities for precise control of light–matter coupling in surface-enhanced infrared absorption(SEIRA)spectroscopy,but most of the resonant systems realized so far suffer from the obstacles of low sensitivity,narrow bandwidth,and asymmetric Fano resonance perturbations.Here,we demonstrated an overcoupled resonator with a high plasmon-molecule coupling coefficient(μ)(OC-Hμresonator)by precisely controlling the radiation loss channel,the resonator-oscillator coupling channel,and the frequency detuning channel.We observed a strong dependence of the sensing performance on the coupling state,and demonstrated that OC-Hμresonator has excellent sensing properties of ultra-sensitive(7.25%nm^(−1)),ultra-broadband(3–10μm),and immune asymmetric Fano lineshapes.These characteristics represent a breakthrough in SEIRA technology and lay the foundation for specific recognition of biomolecules,trace detection,and protein secondary structure analysis using a single array(array size is 100×100μm^(2)).In addition,with the assistance of machine learning,mixture classification,concentration prediction and spectral reconstruction were achieved with the highest accuracy of 100%.Finally,we demonstrated the potential of OC-Hμresonator for SARS-CoV-2 detection.These findings will promote the wider application of SEIRA technology,while providing new ideas for other enhanced spectroscopy technologies,quantum photonics and studying light–matter interactions. 展开更多
关键词 Plasmonic nanoantennas Light-matter interaction Surface-enhanced infrared absorption Overcoupled BIOSENSING
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植入式医学装置电场耦合式电能传输新方法 被引量:11
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作者 辛文辉 曹忠鲁 +2 位作者 辛亚娟 李仕春 宋跃辉 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期1816-1821,共6页
提出一种人体植入式医学装置电能传输新方法,该方法以人体组织作为耦合介质,通过体内、外耦合极板构建耦合电容,以耦合电场实现电能的无线传输。分析了人体组织的电学特性,设计了电能传输系统,并通过实验验证了该方法的可行性。实验中,... 提出一种人体植入式医学装置电能传输新方法,该方法以人体组织作为耦合介质,通过体内、外耦合极板构建耦合电容,以耦合电场实现电能的无线传输。分析了人体组织的电学特性,设计了电能传输系统,并通过实验验证了该方法的可行性。实验中,通过36 cm2的耦合面积,穿越2 cm厚度的生物组织,可传输100 m W的可用电能,传输效率为35%~40%。该电能传输方式具有无电涡流致热、电磁干扰小、易于与医学仪器集成的优点,是人体植入式医学装置无线电能供给的新思路。 展开更多
关键词 无线电能传输 电场耦合 人体组织 介电特性
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多腔谐振腔中渡越时间效应的线性理论 被引量:9
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作者 范植开 刘庆想 +2 位作者 刘锡三 周传明 胡海鹰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期633-638,共6页
以小信号条件下入射相位为的单个电子在驻波电场中的运动为基础,研究了电子束在多腔谐振腔。模驻波场中的渡越时间效应,导出了多腔谐振腔的电子负载电导的表达式,讨论了腔数N对渡越时间效应的影响。
关键词 多腔谐振腔 渡越时间效应 线性理论
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X切LNOI谐振器的横模抑制方法研究
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作者 王浩东 帅垚 +3 位作者 吴传贵 彭斌 潘忻强 张万里 《压电与声光》 北大核心 2025年第3期474-478,共5页
研究了基于X切LNOI(LiNbO_(3)on Insulator)衬底的声表面波谐振器。在保持谐振器品质因数(Q)值不变的情况下,采用电极假指长度加权的方法来抑制横向模态。设计并制备了不同结构的加权电极结构谐振器,系统地探讨了电极加权周期及幅值对... 研究了基于X切LNOI(LiNbO_(3)on Insulator)衬底的声表面波谐振器。在保持谐振器品质因数(Q)值不变的情况下,采用电极假指长度加权的方法来抑制横向模态。设计并制备了不同结构的加权电极结构谐振器,系统地探讨了电极加权周期及幅值对横向模态的影响规律。通过对比分析,确定了在频率2.5 GHz下X切LNOI结构的最佳加权电极结构。实验结果表明,调整加权电极的设计可以有效抑制因X切LN(LiNbO_(3))材料引发的横向模态,进而优化谐振器的性能。 展开更多
关键词 LNOI 声表面波 机电耦合系数 横向模态抑制 加权电极
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倾斜小锤结构对SAW谐振器性能的影响研究
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作者 李强 帅垚 +2 位作者 吴传贵 罗文博 张万里 《压电与声光》 北大核心 2025年第3期484-489,共6页
为了提升5G时代高频滤波器的性能,研究了基于X-37°Y LiNbO3为压电衬底的固态装配型谐振器(SMR)结构的声表面波(SAW)谐振器。通过二维和三维有限元仿真,研究了谐振器结构参数对其性能的影响,并通过流片验证了仿真结果。结果表明,该... 为了提升5G时代高频滤波器的性能,研究了基于X-37°Y LiNbO3为压电衬底的固态装配型谐振器(SMR)结构的声表面波(SAW)谐振器。通过二维和三维有限元仿真,研究了谐振器结构参数对其性能的影响,并通过流片验证了仿真结果。结果表明,该结构下旋转角37°时谐振器性能最优,且倾斜角度的增加可增强对横向模态杂散的抑制效果,当倾斜角度超过18°后效果减弱并引入新的杂散。倾斜小锤结构在一定程度上能提高谐振器的品质因数(Q)值,由此确定其最佳倾斜角度为15°~18°,且能在抑制杂散和保持Q值间取得平衡,这为高频SAW滤波器提供了设计指导。 展开更多
关键词 固态装配型谐振器(SMR) 声表面波谐振器 有限元仿真 倾斜小锤结构 品质因数
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磁耦合谐振式无线电能传输功率与效率分析 被引量:11
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作者 李晨东 黄守道 +1 位作者 李中启 黄禹 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2014年第3期28-31,共4页
通过电磁仿真得到了螺旋线圈在终端开路和终端短路两种不同馈电方式下相应的等效电路,基于螺旋线圈等效电路,运用等效电路理论,建立了螺旋线圈终端短路串电容两线圈结构模型。利用系统的等效电路,得到了系统输出功率和传输效率的数学表... 通过电磁仿真得到了螺旋线圈在终端开路和终端短路两种不同馈电方式下相应的等效电路,基于螺旋线圈等效电路,运用等效电路理论,建立了螺旋线圈终端短路串电容两线圈结构模型。利用系统的等效电路,得到了系统输出功率和传输效率的数学表达式,并进一步分析了当系统谐振时,系统的输出功率及传输效率与互感系数、线圈分布电容、线圈内阻和负载电阻等参数之间的关系,从而给出了系统的参数优化方法,得到了最大功率输出时的最优互感值及传输效率随互感值变化而变化的趋势。设计制作了一套基于螺旋线圈终端短路串电容模型的磁耦合谐振式无线电能传输系统,通过实验验证了上述分析的正确性。 展开更多
关键词 磁耦合谐振 终端短路串电容 等效电路
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矩形开口谐振环腔间耦合特性研究 被引量:5
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作者 李桐 翟会清 +1 位作者 梁昌洪 李奇 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期26-29,35,共5页
对矩形微带开口谐振环以及矩形地面缺陷开口谐振环的腔间耦合特性进行了深入研究.通过分析耦合谐振的电路模型,得到了耦合系数的计算公式;对矩形微带环、矩形地面缺陷环不同位置下的耦合特性分别进行了分析,系统总结了矩形谐振环之间不... 对矩形微带开口谐振环以及矩形地面缺陷开口谐振环的腔间耦合特性进行了深入研究.通过分析耦合谐振的电路模型,得到了耦合系数的计算公式;对矩形微带环、矩形地面缺陷环不同位置下的耦合特性分别进行了分析,系统总结了矩形谐振环之间不同位置形式下的耦合强度;根据不同腔间耦合形式设计了两个带通滤波器,验证了文中的研究. 展开更多
关键词 微带开口谐振环 地面缺陷结构 耦合特性 带通滤波器
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高频压电陶瓷谐振器的制备与性能 被引量:7
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作者 肖洪地 王成建 马洪磊 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期33-35,共3页
主要研究PbTiO3基陶瓷谐振器的制备工艺和主要性能。PbTiO3基陶瓷采用传统工艺来制备。这种陶瓷具有高kt和Qm,低er和高频率稳定性,用此种陶瓷制备的高频谐振器具有优良性能,并完全满足使用的需要。
关键词 高频 压电陶瓷 谐振器 制备 钛酸铅基压电陶瓷 频率稳定性
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基于S_(0)模态的谐振器杂波抑制方法
10
作者 郭天赐 帅垚 +2 位作者 罗文博 吴传贵 张万里 《压电与声光》 北大核心 2025年第3期479-483,共5页
杂波抑制是高性能声表面波(SAW)谐振器面临的一个巨大挑战。为了抑制在高频宽带谐振器出现的杂波,以X-40°Y-LiNbO_(3)(LN)/SiO_(2)/Ta_(2)O_(5)/SiO_(2)/Ta_(2)O_(5)/SiO_(2)/Si结构为衬底激发S0模态声表面波,得到高频宽带的谐振器... 杂波抑制是高性能声表面波(SAW)谐振器面临的一个巨大挑战。为了抑制在高频宽带谐振器出现的杂波,以X-40°Y-LiNbO_(3)(LN)/SiO_(2)/Ta_(2)O_(5)/SiO_(2)/Ta_(2)O_(5)/SiO_(2)/Si结构为衬底激发S0模态声表面波,得到高频宽带的谐振器,同时对杂波抑制进行了深入研究。提出了两种新型叉指换能器(IDT)设计方案,并进行仿真和流片验证。测试结果表明,所提出的三母线IDT结构为高频宽带谐振器提供了良好的杂波抑制,同时使品质因数(Q)与正常类型谐振器保持相同的水平。通过流片测试比较了不同切指形状叉指换能器(IDT)对谐振器的杂波抑制效果。 展开更多
关键词 谐振器 杂波抑制 机电耦合系数 叉指结构 切指
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Inverse correlation between plasmon near-field enhancement and lifetime in the single-element nanoresonator
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作者 YANG XU BOYU JI +5 位作者 PENG LANG LUN WANG QI SHAO ZHENLONG ZHAO XIAOWEI SONG JINGQUAN LIN 《Photonics Research》 2025年第12期3295-3311,共17页
Understanding the relationship between plasmon near-field enhancement and lifetime is crucial for various applications,yet their inverse correlation in single-element nanoresonators remains underexplored.Here,we exper... Understanding the relationship between plasmon near-field enhancement and lifetime is crucial for various applications,yet their inverse correlation in single-element nanoresonators remains underexplored.Here,we experimentally demonstrate an inverse correlation between these two parameters in single-element gold lateral V-shaped nanoresonators under different light polarization conditions by tuning the opening angle,through femtosecond time-resolved photoemission electron microscopy.Specifically,under p-polarized light irradiation,as the opening angle of V-shaped nanoresonators decreases,the plasmon near-field enhancement increases while the lifetime shortens simultaneously. 展开更多
关键词 tuning opening anglethrough LIFETIME femtosecond time resolved photoemission electron microscopy plasmon near field enhancement inverse correlation demonstrate inverse correlation single element nanoresonator opening angle
原文传递
多天线系统的广义谐振研究 被引量:4
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作者 李龙 梁昌洪 史琰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期2205-2209,共5页
本文从电磁场的复玻印廷定理出发 ,对由多根天线组成的天线系统的广义谐振行为进行了深入的研究 ,揭示开放系统中广义谐振发生的条件和矩阵描述 .在此基础上 ,导出天线系统的广义Foster定理和表征广义谐振的网络Q值 .研究实例表明 ,广... 本文从电磁场的复玻印廷定理出发 ,对由多根天线组成的天线系统的广义谐振行为进行了深入的研究 ,揭示开放系统中广义谐振发生的条件和矩阵描述 .在此基础上 ,导出天线系统的广义Foster定理和表征广义谐振的网络Q值 .研究实例表明 ,广义谐振在近场区可表现出强场尖峰效应 。 展开更多
关键词 多天线系统 广义谐振 广义Foster定理 网络Q值
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超导量子多层介质芯片中的读取腔的快速解析方法
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作者 王乔 吴永政 +1 位作者 郭科选 季阳 《中国电子科学研究院学报》 2025年第4期368-374,共7页
在超导量子芯片中,多个超导量子比特的读取腔通过耦合传输线耦合到同一条读取馈线上。对超导量子比特的读取腔的分析常常采用电磁仿真软件进行仿真,但很耗内存和时间,当读取腔的数量庞大时,将会给设计带来负担。并且采用不同的电磁仿真... 在超导量子芯片中,多个超导量子比特的读取腔通过耦合传输线耦合到同一条读取馈线上。对超导量子比特的读取腔的分析常常采用电磁仿真软件进行仿真,但很耗内存和时间,当读取腔的数量庞大时,将会给设计带来负担。并且采用不同的电磁仿真软件和不同的仿真方法仿出来的耦合Q值相差很大。解析的求解方法既能缩短求解时间,又能对各种仿真软件的仿真结果进行检验。本文提出了一套适用于多层介质的超导读取腔的解析方法。首先,提出一种保角变换求解多层介质的共面波导(Coplanar Waveguide,CPW)耦合线,并与2D电磁仿真结果进行对比,结果吻合;然后,提出一种适用于多层介质的读取腔的分析方法;最后,提出了读取腔S参数的计算方法。并将这套分析方法应用于超导量子倒装芯片中的超导读取腔,并与3D电磁仿真结果进行对比,结果吻合。 展开更多
关键词 CPW 保角变换 多层介质 超导量子倒装芯片 超导读取腔
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All-optical digital logic and neuromorphic computing based on multi-wavelength auxiliary and competition in a single microring resonator
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作者 Qiang Zhang Yingjun Fang +5 位作者 Ning Jiang Anran Li Jiahao Qian Yiqun Zhang Gang Hu Kun Qiu 《Opto-Electronic Science》 2025年第11期54-73,共20页
Photonic hardware implementation of spiking neural networks,regarded as a viable potential paradigm for ultra-high speed and energy efficiency computing,leverages spatiotemporal spike encoding and event-driven dynamic... Photonic hardware implementation of spiking neural networks,regarded as a viable potential paradigm for ultra-high speed and energy efficiency computing,leverages spatiotemporal spike encoding and event-driven dynamics to simulate brain-like parallel information processing.Silicon-based microring resonators(MRRs)offer a power efficiency and ultrahigh flexibility scheme to mimic biological neuron,however,their substantial potential for integrated neuromorphic systems remains limited by insufficient exploration of MRR-based spiking digital and analog computation.Here,an all-optical neural dynamics framework,encompassing both excitatory and inhibitory behaviors based on multi-wavelength auxiliary and competition mechanism in an MRR,is proposed numerically.Leveraging multi-wavelength resonance characteristics and wavelength division multiplexing(WDM)technology,a single MRR implements the five fundamental optical digital logic gates:AND,OR,NOT,XNOR and XOR.Besides,the cascading capabilities of MRR-based spiking neurons are demonstrated through multi-level digital logic gates including NAND,NOR,4-input AND,8-input AND,and a full adder,emphasizing their promise for large-scale digital logic networks.Furthermore,an exemplary binary convolution has been achieved by utilizing the proposed MRR-based digital logic operation,illustrating the potential of all-optical binary convolution to compute image gradient magnitudes for edge detection.Such passive photonic neurons and networks promise access to the high transmission speed and low power consumption inherent to optical systems,thus enabling direct hardware-algorithm co-computation and accelerating artificial intelligence. 展开更多
关键词 photonic neuron spiking neural network microring resonator optical computing artificial intelligence
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(yxl)φ切压电石英谐振器振动模式分析 被引量:2
15
作者 王矜奉 董火民 +2 位作者 张沛霖 钟维烈 秦自楷 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第2期99-102,共4页
从压电方程、动力学方程入手,分析了(yxl)φ切石英谐振器的厚度切变振动,利用自由边界条件及串联与并联谐振时的电学条件,求出了并联谐振频率和串联谐振频率,讨论了实测频率与频率公式存在一定偏差的原因。
关键词 压电方程 谐振器 厚度切变 并联谐振 串联谐振
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微波谐振模型及其3dB-Q值 被引量:5
16
作者 苏涛 梁昌洪 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期335-337,共3页
本文通过网络方法对通过式谐振腔的性质进行了深入分析 ,指出它不同于传统的并联谐振模型 ,进一步推得通过式谐振腔的 3dB Q值公式 ,其结果与微扰法、复频率法的结果近似相等 ,它为微波工程中半功率点法Q值的理论提出了重要佐证 .
关键词 并联谐振 通过式谐振腔 3dB-Q值 微波网络 微波谐振模型
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电热激励微悬臂梁谐振器输出电压影响因素研究 被引量:2
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作者 韩建强 朱长纯 +1 位作者 刘君华 魏培永 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期504-507,519,共5页
制作了电热激励硅 /二氧化硅双层微悬臂梁谐振器。对影响谐振器输出电压的因素研究结果表明 :减小梁宽度、硅层厚度、环境气压和温度 ,可增大微悬臂梁谐振器输出电压 ;输出电压随激励功率增加而增大 ;谐振器输出电压与谐振器根部压敏电... 制作了电热激励硅 /二氧化硅双层微悬臂梁谐振器。对影响谐振器输出电压的因素研究结果表明 :减小梁宽度、硅层厚度、环境气压和温度 ,可增大微悬臂梁谐振器输出电压 ;输出电压随激励功率增加而增大 ;谐振器输出电压与谐振器根部压敏电桥电源电压成正比。 展开更多
关键词 电热激励 微悬臂梁 谐振器 输出电压 压敏电桥 硅微机械谐振式传感器
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内置负载开缝腔体谐振效应抑制方法研究 被引量:3
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作者 安静 张庆 吴一辉 《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第4期30-33,38,共5页
开缝腔体谐振特性放大了进入腔内的耦合能量,对内部电子设备构成严重威胁。文中建立内含金属隔板、吸波体等负载的圆柱腔体模型,提出了在隔板上涂覆吸波材料以抑制谐振的新方式,研究了吸波体电磁特性对谐振的影响。结果表明:隔板越靠近... 开缝腔体谐振特性放大了进入腔内的耦合能量,对内部电子设备构成严重威胁。文中建立内含金属隔板、吸波体等负载的圆柱腔体模型,提出了在隔板上涂覆吸波材料以抑制谐振的新方式,研究了吸波体电磁特性对谐振的影响。结果表明:隔板越靠近腔体前壁放置、板间距越大,对内部场影响越小,谐振点出现位置越接近空腔固有模式;谐振点处屏蔽效能(Shielding Efficiency,SE)的提升是隔板和吸波材料综合作用的结果,隔板可迫使谐振点迁移,吸波材料能改善谐振特性,并且涂覆磁性吸波材料性能更优;在隔板双面涂敷吸波材料抑制高次谐振效果更好;适当增加隔板上涂覆材料厚度或提高材料相对磁导率,都能实现和全腔内壁涂覆相同的谐振抑制效果,效费比也更高;场强分布因传播模式不同而不同,强电场区应放置电性吸波体才有效。 展开更多
关键词 圆柱腔体 金属隔板 吸波材料 屏蔽效能 高次谐振
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电路元件参数对串联谐振电路选择性影响研究 被引量:2
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作者 毛会琼 王军 +1 位作者 陈世海 牛小玲 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2017年第1期56-58,68,共4页
针对串联谐振电路中,当改变电容C来改变电路的品质因数Q时电流谐振曲线的尖锐程度不发生改变的问题,通过对串联谐振电路电流谐振曲线分析,研究在相同偏谐程度下的各谐振电路对失谐信号的抑制能力,提出不能用品质因数Q值的大小来衡量任... 针对串联谐振电路中,当改变电容C来改变电路的品质因数Q时电流谐振曲线的尖锐程度不发生改变的问题,通过对串联谐振电路电流谐振曲线分析,研究在相同偏谐程度下的各谐振电路对失谐信号的抑制能力,提出不能用品质因数Q值的大小来衡量任意串联谐振电路选择性的好坏,并明确电路元件参数对串联谐振电路选择性的具体影响。最后通过Multisim仿真实验验证了该结论的正确性。 展开更多
关键词 串联谐振电路 品质因数Q 电路元件参数
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