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一种线性增强的低功耗轨到轨运算放大器设计
1
作者 张子欧 李文昌 +6 位作者 鉴海防 阮为 刘剑 张天一 滕瑞 贾晨强 张益翔 《微电子学》 北大核心 2025年第4期507-513,共7页
针对运算放大器Class-AB输出级存在的信号失真问题,设计并实现了一种线性增强的低功耗轨到轨运算放大器。基于对短沟道引起的非理想高阶效应的机理分析,提出了一种线性增强浮动电流源结构,在利用跨导线性环控制功耗的同时,有效降低了电... 针对运算放大器Class-AB输出级存在的信号失真问题,设计并实现了一种线性增强的低功耗轨到轨运算放大器。基于对短沟道引起的非理想高阶效应的机理分析,提出了一种线性增强浮动电流源结构,在利用跨导线性环控制功耗的同时,有效降低了电路增益非线性度,减少了信号处理过程中的失真问题。电路采用0.18μm CMOS工艺流片,测试结果表明,芯片实现了轨到轨输入输出范围,增益非线性度为5.5×10^(-6),静态电流为39μA,开环增益为119.5 dB。 展开更多
关键词 轨到轨运算放大器 增益非线性度 低功耗 短沟道效应
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一种高精度隔离运算放大器
2
作者 陈玉 郑钰 孔祥伟 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期828-832,共5页
隔离运算放大器是一种测量放大电路,采用振荡器、脉冲变压器、运算放大器、调制解调电路及有源低通滤波器设计了一款磁隔离运算放大器。输入端选用高性能运算放大器SGM8249,通过配置外部电阻使输入电压为-500~500 mV时,输出可调电压为-1... 隔离运算放大器是一种测量放大电路,采用振荡器、脉冲变压器、运算放大器、调制解调电路及有源低通滤波器设计了一款磁隔离运算放大器。输入端选用高性能运算放大器SGM8249,通过配置外部电阻使输入电压为-500~500 mV时,输出可调电压为-10~10 V。此外,还设计了输出电压为±15 V、输出电流为±15 mA的隔离直流电源。该放大器共模电压均方根值为3500 V,共模抑制比大于120 dB,非线性度不大于0.05%。该隔离运算放大器具有体积小、精度高、实用性强的优点。 展开更多
关键词 振荡器 脉冲变压器 放大器 调制解调 有源低通滤波器
原文传递
基于斩波技术的CMOS运算放大器失调电压的消除设计 被引量：17
3
作者 吴孙桃 林凡 +1 位作者 郭东辉 李静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第8期60-64,共5页
实现传感器系统的高分辨率,要求其内部运算放大器具有低失调电压和低噪声的性能,为此介绍了一种可减少运算放大器的失调电压和低频噪声的斩波技术,并基于该技术进行温度传感器中CMOS运算放大电路失调电压的消除设计,最后通过SPICE仿真... 实现传感器系统的高分辨率,要求其内部运算放大器具有低失调电压和低噪声的性能,为此介绍了一种可减少运算放大器的失调电压和低频噪声的斩波技术,并基于该技术进行温度传感器中CMOS运算放大电路失调电压的消除设计,最后通过SPICE仿真分析来权衡电路各参数的设定。 展开更多
关键词 斩波技术 CMOS 运算放大器 失调电压 消除设计 集成电路
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双极运算放大器的辐射效应和退火特性 被引量：10
4
作者 陆妩 任迪远 +4 位作者 郭旗 余学锋 范隆 张国强 严荣良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期374-380,共7页
本文介绍了ＯＰ－０７双极运算放大器的６０Ｃｏγ射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及６０Ｃｏγ和电子辐射损伤在室温和１００℃高温条件下的退火效应，揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律；研究了不同辐射源对... 本文介绍了ＯＰ－０７双极运算放大器的６０Ｃｏγ射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及６０Ｃｏγ和电子辐射损伤在室温和１００℃高温条件下的退火效应，揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律；研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理；并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同６０Ｃｏγ和电子辐照损伤的差异进行了探讨．结果表明，界面态的产生是６０Ｃｏγ和电子辐照损伤的主要原因，而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位． 展开更多
关键词 运算放大器 双极型 辐射效应 退火
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运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 被引量：9
5
作者 陆妩 任迪远 +2 位作者 郭旗 余学峰 艾尔肯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1464-1468,共5页
对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET Bi,MOS Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小... 对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET Bi,MOS Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的“后损伤”现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别. 展开更多
关键词 运算放大器 ^60Coγ辐照 退火 剂量率效应
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一种新型差动式压电加速度传感器 被引量：19
6
作者 刘俊 秦岚 +1 位作者 刘京诚 李敏 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期903-909,共7页
设计了一种新型的差动式压电加速度传感器。介绍了传感器的结构和工作原理,推导了传感器的数学模型,并分析了传感器惯性质量块和压电元件的质量对其输出特性的影响。然后,分析了传感器处理电路的结构,推导了该电路的设计指标。实验结果... 设计了一种新型的差动式压电加速度传感器。介绍了传感器的结构和工作原理,推导了传感器的数学模型,并分析了传感器惯性质量块和压电元件的质量对其输出特性的影响。然后,分析了传感器处理电路的结构,推导了该电路的设计指标。实验结果表明,该传感器采用单个惯性质量块实现了对加速度信号的差动式测量,其结构简单、重量轻、易于加工制造、抗干扰能力强;线性度为0.1%,是普通加速度计的1/2;频率响应误差为1%;重复性为1.27%;测量灵敏度是普通加速度计的2倍,基本达到了设计的目的。 展开更多
关键词 压电传感器 加速度传感器 差动
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CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性 被引量：7
7
作者 陆妩 郭旗 +3 位作者 余学锋 张国强 任迪远 严荣良 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期753-756,共4页
对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其辐照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电... 对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其辐照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电离辐射环境下ＣＭＯＳ运算放大器的损伤机制及参数失效机理。 展开更多
关键词 CMOS 运算放大器 总剂量 辐射损伤 退火
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基于共模电平偏移电路新型CMOS低电压满幅度运放设计 被引量：9
8
作者 林越 徐栋麟 +1 位作者 任俊彦 许俊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期529-534,共6页
针对电源电压为 1V甚至更低的应用环境 ,给出了一种基于共模电平偏移电路的新型 rail- to- rail运放结构 ,相对以往同类电路具有很好的对称性和较高的输入阻抗 ,并对之进行了详细的讨论 .在整个共模输入电压范围内 ,其单位增益带宽随共... 针对电源电压为 1V甚至更低的应用环境 ,给出了一种基于共模电平偏移电路的新型 rail- to- rail运放结构 ,相对以往同类电路具有很好的对称性和较高的输入阻抗 ,并对之进行了详细的讨论 .在整个共模输入电压范围内 ,其单位增益带宽随共模电压变化仅为 0 .0 5 % . 展开更多
关键词 CMOS RAIL-TO-RAIL 共模电平偏移电路 运算放大器 低电压
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几种典型运算放大器的应用技术 被引量：14
9
作者 郑宏军 黎昕 +1 位作者 杨少卿 王立新 《电子技术应用》 北大核心 1999年第8期56-58,共3页
对几种不同类型的运算放大器及其应用技术进行了讨论。给出的典型应用为电路设计者提供了有益的参考，具有一定的实用价值。
关键词 运算放大器 应用技术 类型 AD811 AD820
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CMOS运算放大器的电子和^(60)COγ辐照效应及退火特性 被引量：9
10
作者 陆妩 任迪远 +3 位作者 郭旗 余学锋 张国强 严荣良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期323-328,共6页
研究了LF7650CMOS运算放大器电路在1MeV电子和~60Coγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电高辐照敏感参数，辐照后在室温和100℃高温条件下，随时间变化关系的分析，探讨了引起电参数失效的机理。结果表明，由于电离... 研究了LF7650CMOS运算放大器电路在1MeV电子和~60Coγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电高辐照敏感参数，辐照后在室温和100℃高温条件下，随时间变化关系的分析，探讨了引起电参数失效的机理。结果表明，由于电离辐射产生的界面态增加，引起的多数载流子迁移率的减小，导致MOSFET跨导的下降，是造成CMOS运算放大器电路失效的主要机制，也是引起1MeV电子辐照的损伤敏感度明显大于~60Coγ射线的原因所在。 展开更多
关键词 CMOS 运算放大器 电子辐照 退火
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低功耗CMOS集成运算放大器的研究与设计 被引量：18
11
作者 易清明 张静 石敏 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期414-416,420,共4页
基于0.35μm N阱硅栅CMOS标准工艺,设计了一个工作电压为±2.5 V的CMOS两级全差分运算放大器。通过采用密勒电容和调零电阻串联的补偿电路,有效地改善了电路的频率响应特性,提高了转换速度,使该两级运算放大器在获得较大输入共模范... 基于0.35μm N阱硅栅CMOS标准工艺,设计了一个工作电压为±2.5 V的CMOS两级全差分运算放大器。通过采用密勒电容和调零电阻串联的补偿电路,有效地改善了电路的频率响应特性,提高了转换速度,使该两级运算放大器在获得较大输入共模范围和输出摆幅的同时,还获得了较高的增益及相位裕度,满足便携式电子产品的低功耗、高性能要求。Cadence SpectreBSIM3V3模型仿真结果表明,在10 GΩ负载电阻和1 pF负载电容并联的条件下,该两级运算放大器的功耗为3 mW,开环直流电压增益为73 dB,单位增益带宽达到90 MHz,相位裕度为47°。 展开更多
关键词 CMOS 低功耗运算放大器 差分对
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CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应 被引量：5
12
作者 陆妩 任迪远 +4 位作者 郭旗 余学锋 范隆 张国强 严荣良 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期42-47,共6页
介绍了ＬＦ７６５０ＣＭＯＳ运算放大器在６０Ｃｏγ射线、１ＭｅＶ电子和４、７、３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性，探讨了引起ＣＭＯＳ运放... 介绍了ＬＦ７６５０ＣＭＯＳ运算放大器在６０Ｃｏγ射线、１ＭｅＶ电子和４、７、３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性，探讨了引起ＣＭＯＳ运放在不同辐射环境中辐照响应出现差异的损伤机理，并对ＣＭＯＳ运放电路在不同辐射环境中表现出的与ＣＭＯＳ数字电路不同的响应特征给予了解释。 展开更多
关键词 CMOS 运算放大器 电离辐射 辐射损伤
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OP07运算放大器的电离辐射损伤和退火特性研究 被引量：4
13
作者 陆妩 任迪远 +3 位作者 郭旗 余学锋 张国强 严荣良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期34-37,共4页
对ＴＴＬ双极运算放大器ＯＰ０７进行了６０Ｃｏγ和１ＭｅＶ及１．５ＭｅＶ电子电离辐照实验，研究了ＯＰ０７的电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其电离辐照敏感参数辐照后在室温和１００℃高温条件下随时间的变化关系... 对ＴＴＬ双极运算放大器ＯＰ０７进行了６０Ｃｏγ和１ＭｅＶ及１．５ＭｅＶ电子电离辐照实验，研究了ＯＰ０７的电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其电离辐照敏感参数辐照后在室温和１００℃高温条件下随时间的变化关系，分析了在电离辐射环境中双极运算放大器的损伤机制及参数失效机理，为该类器件在卫星等电离辐射环境下的可靠应用。 展开更多
关键词 双极 运算放大器 电离辐射 退火 损伤 放大器
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CMOS 运算放大器的质子和 γ 辐照效应 被引量：5
14
作者 陆妩 任迪远 +2 位作者 郭旗 余学锋 严荣良 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期370-373,共4页
ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应... ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对实验结果的... 展开更多
关键词 CMOS 运算放大器 Γ辐照 电离损伤 质子辐照
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一种高速CMOS全差分运算放大器 被引量：10
15
作者 朱小珍 朱樟明 柴常春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期287-289,299,共4页
设计并讨论了一种高速CMOS全差分运算放大器。设计中采用了折叠共源共栅结构、连续时间共模反馈以及独特的偏置电路,以期达到高速及良好的稳定性。基于TSMC0.25μm CMOS工艺,仿真结果表明,在2.5V的单电源电压下,运算放大器的直流开环增... 设计并讨论了一种高速CMOS全差分运算放大器。设计中采用了折叠共源共栅结构、连续时间共模反馈以及独特的偏置电路,以期达到高速及良好的稳定性。基于TSMC0.25μm CMOS工艺,仿真结果表明,在2.5V的单电源电压下,运算放大器的直流开环增益为71.9dB,单位增益带宽为495MHz(CL=0.5pF),建立时间为24ns,功耗为3.9mW。 展开更多
关键词 折叠共源共栅 共模反馈 全差分 高速
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运放对压电陶瓷驱动电路系统精度影响的研究 被引量：10
16
作者 王学亮 李佩玥 +1 位作者 郑楠 崔洋 《电子测量技术》 2014年第10期33-36,共4页
为了在光刻机投影物镜中使用压电陶瓷对像质补偿镜组进行精密定位,设计了一种以集成运算放大器构成的压电陶瓷驱动电路。针对光刻物镜中压电陶瓷的亚微米量级高精度定位要求,研究了驱动电路的系统精度要求,并对系统误差进行分解,着重分... 为了在光刻机投影物镜中使用压电陶瓷对像质补偿镜组进行精密定位,设计了一种以集成运算放大器构成的压电陶瓷驱动电路。针对光刻物镜中压电陶瓷的亚微米量级高精度定位要求,研究了驱动电路的系统精度要求,并对系统误差进行分解,着重分析了运算放大器放对系统精度的影响。首先,分析运放失调误差的影响;其次,使用PSpice仿真获得运放的固有频率特性,分析工作带宽下运放有限开环增益的影响;然后,对运放反馈网络的影响进行分析;最后,分析运放输出噪声的影响。计算表明,在最坏情况下该压电陶瓷驱动电路中由运算放大器引起的系统误差小于130mV,满足系统误差分配的要求。试制了系统样机并进行了验证实验,实验结果表明由运放引起的系统误差不超过100mV,与理论分析的结果符合。 展开更多
关键词 光刻物镜 压电陶瓷 驱动电路 误差分析 亚微米
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电压反馈和电流反馈运算放大器的比较 被引量：11
17
作者 庞佑兵 梁伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期132-135,139,共5页
　从闭环特性、开环特性、输入级、噪声等几个方面,对电流反馈(CFB)放大器和电压反馈(VFB)放大器进行了详细的比较,得出了CFB放大器和VFB放大器的一些基本特性和应用场合。通过对这两种电路的比较,有助于电路设计师在实际应用中选择最... 　从闭环特性、开环特性、输入级、噪声等几个方面,对电流反馈(CFB)放大器和电压反馈(VFB)放大器进行了详细的比较,得出了CFB放大器和VFB放大器的一些基本特性和应用场合。通过对这两种电路的比较,有助于电路设计师在实际应用中选择最适合自己要求的运算放大器。 展开更多
关键词 电流反馈 电压反馈 运算放大器 开环特性 闭环特性 压摆率
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低电压满电源幅度CMOS运算放大器设计 被引量：4
18
作者 徐栋麟 林越 +3 位作者 杨柯 程旭 任俊彦 许俊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期373-380,共8页
回顾了在标准 CMOS工艺下 ,满幅度运放设计的各个发展阶段 ,结合笔者实际设计和测试的相关电路 ,较为详细地评述了它们的设计方法和各自的优缺点 ,着重阐述了低工作电压设计思想和如何做到输入级跨导的满幅度范围内恒定 ,使读者清楚了... 回顾了在标准 CMOS工艺下 ,满幅度运放设计的各个发展阶段 ,结合笔者实际设计和测试的相关电路 ,较为详细地评述了它们的设计方法和各自的优缺点 ,着重阐述了低工作电压设计思想和如何做到输入级跨导的满幅度范围内恒定 ,使读者清楚了解该类运放的各自特点和发展趋势 ,为数模混合设计和系统级集成设计中采用何种运放结构提供了参考。在此基础上 ,提出了一种共模偏置电压具有严格的对称性能的新型满电源幅度运算放大器结构。 展开更多
关键词 满电源幅度 运算放大器 低电压 CMOS
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一种适用于D类音频功放的全差分运算放大器 被引量：3
19
作者 王会影 徐祥柱 +2 位作者 张雨河 周泽坤 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期13-16,共4页
介绍了一种应用于超低EMI无滤波D类音频功放的全差分运算放大器结构,可构成积分器,起滤除高次谐波的作用。该运算放大器采用两级结构来获得高增益,第一级为折叠共源共栅,偏置电路采用反馈结构,给整个运算放大器提供偏置电流,从而提高电... 介绍了一种应用于超低EMI无滤波D类音频功放的全差分运算放大器结构,可构成积分器,起滤除高次谐波的作用。该运算放大器采用两级结构来获得高增益,第一级为折叠共源共栅,偏置电路采用反馈结构,给整个运算放大器提供偏置电流,从而提高电路的电源抑制比;采用伪AB类输出级提高运放的瞬态响应,稳定运放输出。仿真结果表明,该电路具有良好的性能:增益为113dB,相位裕度为67°;单位增益带宽为1.9MHz,共模抑制比为160dB,电源抑制比为82.7dB;共模反馈环路增益为120dB,相位裕度为62°。 展开更多
关键词 全差分运算放大器 D类音频放大器 摆率增强 共模反馈
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运算放大器在电视技术中的应用 被引量：8
20
作者 郑宏军 黎昕 +1 位作者 杨光卿 王立新 《电视技术》 北大核心 1999年第9期69-70,共2页
关键词 运算放大器 电视技术 应用 视频线路接收器
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