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DAM100KW中波发射机射频功率放大器工作原理
1
作者 邵炳翔 《工业控制计算机》 2026年第1期130-131,共2页
重点分析了中波100 kW发射机功率放大器的设计思路。首先对中波发射机的工作原理进行了介绍,随后详细阐释了发射机中功率放大器的工作原理,涉及电路架构、元器件的放大原理以及相关周边电路等核心内容。通过实际应用的总结分析,研究揭... 重点分析了中波100 kW发射机功率放大器的设计思路。首先对中波发射机的工作原理进行了介绍,随后详细阐释了发射机中功率放大器的工作原理,涉及电路架构、元器件的放大原理以及相关周边电路等核心内容。通过实际应用的总结分析,研究揭示了功率放大器展现出的优异线性特性、高效率以及稳定的运行性能。这些成果为中波100 kW发射机功率放大器的进一步优化提供了理论依据和技术支持。 展开更多
关键词 射频功率放大器 差分放大电路 场效应管
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S波段内匹配Doherty GaN功率放大器设计 被引量:1
2
作者 景少红 时晓航 +2 位作者 吴唅唅 豆刚 张勇 《电子与封装》 2025年第2期44-48,共5页
无线通信系统中,功率放大器既是发射端尺寸最大的器件,也是功耗最高的器件。为应对通信系统对功放提出的小体积、高效率的要求,介绍了一款基于GaN工艺的内匹配Doherty功率放大器。该放大器工作频率为3.4~3.6 GHz,饱和输出功率大于47 d ... 无线通信系统中,功率放大器既是发射端尺寸最大的器件,也是功耗最高的器件。为应对通信系统对功放提出的小体积、高效率的要求,介绍了一款基于GaN工艺的内匹配Doherty功率放大器。该放大器工作频率为3.4~3.6 GHz,饱和输出功率大于47 d Bm,附加效率大于55%,输出功率回退4.5 d B时,附加效率大于52%。功率放大器采用内匹配技术设计,可以有效减小体积,整个放大器外封装尺寸为30.8 mm×27.4 mm。 展开更多
关键词 GAN DOHERTY 内匹配
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微波固态放大器的发展
3
作者 邓世雄 王磊 +3 位作者 周彪 王乔楠 孔伟东 高长征 《电声技术》 2025年第6期112-115,共4页
微波固态放大器的发展始于20世纪中期,并随着半导体技术的发展进步,逐渐取代了传统的真空管放大器。在现代电子技术中,它广泛应用于无线通信、雷达和卫星通信等领域。微波固态放大器技术近年来取得了显著进展,主要体现在功率密度、效率... 微波固态放大器的发展始于20世纪中期,并随着半导体技术的发展进步,逐渐取代了传统的真空管放大器。在现代电子技术中,它广泛应用于无线通信、雷达和卫星通信等领域。微波固态放大器技术近年来取得了显著进展,主要体现在功率密度、效率和频率范围的提升方面。随着材料科学和半导体技术的发展,微波固态放大器在高频和高功率应用中表现出更好的性能。微波固态放大器未来会朝着更低噪声、更高功率、更高频率和更宽带宽方向发展,同时在低功耗和集成化方面会有所突破,以满足未来微波系统的高需求。 展开更多
关键词 微波固态放大器 半导体 材料
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一种毫米波宽带紧凑型高效率波导功分器
4
作者 李凯 胡顺勇 +2 位作者 张能波 赵鹏 石金辉 《微波学报》 北大核心 2025年第3期66-70,共5页
提出了一种工作频段可覆盖整个Ka频段的紧凑型波导H面T型功分器。通过在T型结宽边加载容性凹槽和窄边加载感性台阶,实现了H面T型结构不连续性等效参数的可调,在整个Ka频段获得了良好的输入阻抗匹配。容性凹槽和感性台阶结构简单,易于毫... 提出了一种工作频段可覆盖整个Ka频段的紧凑型波导H面T型功分器。通过在T型结宽边加载容性凹槽和窄边加载感性台阶,实现了H面T型结构不连续性等效参数的可调,在整个Ka频段获得了良好的输入阻抗匹配。容性凹槽和感性台阶结构简单,易于毫米波频段的加工实现。为验证该结构良好的电路特性,设计加工了一款Ka频段二路功分器,测试结果与仿真结果十分吻合。测试结果表明,在25 GHz~40 GHz频率范围内,输入回波损耗小于-20 dB,插入损耗小于3.22 dB,对应合成效率大于95.0%。该结构为全波导结构,具有很高的功率容量,可广泛应用于大功率高效功率合成。 展开更多
关键词 宽带 紧凑型 高效率 功分器 容性感性加载
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低压Si基GaN功率放大器在移动终端的首次产业化应用
5
作者 韩程浩 吴少兵 +6 位作者 张健 章军云 李晓鹏 汪流 仲张峰 陈堂胜 陶洪琪 《固体电子学研究与进展》 2025年第5期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所聚焦6英寸(150 mm)0.25μm Si-GaN HEMT工艺开发,突破大失配异质外延引起的大翘曲和高位错密度、低压工作制约Si基GaN器件输出功率密度、宽带高回退效率电路设计和量产一致性等难题,构建了高均匀一致的6英寸Si基GaN... 南京电子器件研究所聚焦6英寸(150 mm)0.25μm Si-GaN HEMT工艺开发,突破大失配异质外延引起的大翘曲和高位错密度、低压工作制约Si基GaN器件输出功率密度、宽带高回退效率电路设计和量产一致性等难题,构建了高均匀一致的6英寸Si基GaN工艺平台,成功研制了首款终端用高效率Si基GaN射频芯片(如图1所示)。图2测试结果显示,在n77频段额定输出功率下,附加效率40~42%,增益31.8~34 dB,ACPR经过数字预失真技术(Digital pre-distortion,DPD)后小于-38 dBc(如图3所示),满足通信要求。 展开更多
关键词 移动终端 低压功率放大器 Si基GaN
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基于模拟预失真的双频功率放大器设计
6
作者 江嘉伟 林福民 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第12期1450-1458,共9页
为了满足5G通信系统对多频段、低功耗和高线性度功率放大器的应用需求,提出了一种融合模拟预失真技术与双频功率放大器的设计方法。通过构建非线性发生器生成非线性信号以实现线性化预处理,另一支路采用移相器和衰减器优化预失真特性,... 为了满足5G通信系统对多频段、低功耗和高线性度功率放大器的应用需求,提出了一种融合模拟预失真技术与双频功率放大器的设计方法。通过构建非线性发生器生成非线性信号以实现线性化预处理,另一支路采用移相器和衰减器优化预失真特性,两路信号经合路器合成预失真信号后,通过驱动功放进行功率放大。针对n78/n79双频段设计输出匹配网络,并采用谐波抑制来提高功放的效率。实测结果表明,在双频段内功放输出40 dBm时,功率附加效率达到55%~61%,增益压缩小于1 dB,三阶互调(IMD3)改善7 dBc以上。本研究为改善双频功放的线性度和效率提供了一种有效的解决方案,具有重要的工程应用价值。 展开更多
关键词 模拟预失真 双频功放 线性化 阻抗匹配 增益平坦度
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基于新型带宽拓展技术的Doherty功率放大器MMIC设计
7
作者 杨琳 付星源 +5 位作者 刘世华 郭彦辰 高瑞龙 王保柱 张明 侯卫民 《微电子学与计算机》 2025年第2期77-85,共9页
为突破传统Doherty功率放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)带宽的限制,提出了一种新型带宽拓展技术,包括对主辅两路有源负载调制网络和相位补偿网络的创新性设计,使得DPA单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MM... 为突破传统Doherty功率放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)带宽的限制,提出了一种新型带宽拓展技术,包括对主辅两路有源负载调制网络和相位补偿网络的创新性设计,使得DPA单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)在保持高效率输出的同时,实现宽频带内充分的负载调制。为了验证所提出的设计方法,设计了一款应用于5G大规模MIMO(Multiple Input Multiple Output,多输入多输出)应用的新型高效率宽带非对称氮化镓DPA MMIC。测试结果表明,所设计的DPA芯片在4.5~5.5 GHz范围内可达到39.2~40.6 dBm的饱和输出功率(Saturation Output Power,记为P_(sat))。饱和时的功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE,记为P_(AE))为45.2%~51.1%,在输出功率回退6 dB时可实现40.1%~45.0%的P_(AE),小信号增益为12.7~13.9 dB。所提出的DPA在已发表的C波段宽带氮化镓DPA中展示了较高的饱和及6 dB回退P_(AE)。 展开更多
关键词 DOHERTY功率放大器 氮化镓 单片微波集成电路 宽带
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基于中波广播发射机的功率放大器研究 被引量:2
8
作者 周明金 潘锐 +3 位作者 王茜 马淑莲 彭涛 左江红 《电声技术》 2025年第2期166-168,共3页
为研究功率放大器在中波广播发射机中的应用,概述其定义、特点及工作原理,并分析其在应用中存在的谐波干扰、过热、失真及效率低等问题,提出了优化电路设计、加强散热措施、完善保护措施及定期检测维护等提升功率放大器工作质量的意见... 为研究功率放大器在中波广播发射机中的应用,概述其定义、特点及工作原理,并分析其在应用中存在的谐波干扰、过热、失真及效率低等问题,提出了优化电路设计、加强散热措施、完善保护措施及定期检测维护等提升功率放大器工作质量的意见建议。 展开更多
关键词 中波广播发射机 功率放大器 工作原理 质量提升
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基于GaN HEMTs的射频功放芯片电热耦合仿真方法研究 被引量:3
9
作者 娄旭烽 王健 夏银水 《微波学报》 北大核心 2025年第1期39-45,共7页
射频功率放大器芯片中采用的氮化镓高电子迁移率晶体管具有高功耗特性,该特性将导致芯片出现严重的自热效应,从而导致其性能下降。为更加精确地分析器件自热效应产生的影响,文中提出了一种有效的器件芯片电热耦合协同仿真方法。该方法... 射频功率放大器芯片中采用的氮化镓高电子迁移率晶体管具有高功耗特性,该特性将导致芯片出现严重的自热效应,从而导致其性能下降。为更加精确地分析器件自热效应产生的影响,文中提出了一种有效的器件芯片电热耦合协同仿真方法。该方法将器件电分析模型与温度分析模型进行物理耦合,建立相应的电、热耦合方程,通过观察器件的温度变化及相应的电流性能变化,进一步根据器件电流、电压特性计算热源,将功率器件作为热源并使用有限元方法计算热传导方程以获取芯片整体温度分布。文中通过实验仿真分析观察到自热效应导致氮化镓器件沟道电流下降并进行了详细讨论,得出温度的升高导致迁移率下降是电流减小的主要原因。最后,文中方法与商业软件做了仿真结果对比实验,对比结果进一步验证了芯片电热协同模拟的可行性和有效性。 展开更多
关键词 射频功率放大器 氮化镓高电子迁移率晶体管 自热效应 有限元方法
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大动态高线性度射频功率控制方法研究 被引量:1
10
作者 曾辉 杨瑜 +1 位作者 张小娅 李小华 《电子信息对抗技术》 2025年第2期85-89,共5页
在电子对抗系统中,随着对抗领域的拓展和系统功能的提高,对发射机功率输出精准性的提高已得到越来越多的重视。在不同的功率控制方案中,数字闭环功率控制具有大动态、高精度、脉冲适应能力强、功率自动校准、不需要外部控制信号、具有... 在电子对抗系统中,随着对抗领域的拓展和系统功能的提高,对发射机功率输出精准性的提高已得到越来越多的重视。在不同的功率控制方案中,数字闭环功率控制具有大动态、高精度、脉冲适应能力强、功率自动校准、不需要外部控制信号、具有自适应功能等优点。设计了一种数字闭环功率方案,通过实验验证,对0.35~2 GHz频段功放的输出功率控制精度可达到0.3 dB(r.m.s.),动态范围可达45 dB。 展开更多
关键词 功率控制 线性化 大动态 PID 定向耦合器
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运算放大器失调电压消除技术的发展研究 被引量:1
11
作者 马满乐 王钰中 王燕平 《中国集成电路》 2025年第7期17-23,共7页
作为运算放大器中特别重要的高精度运算放大器,其主要表征参数为失调电压。应该看到,失调电压主要是由于输入差分对的随机失配引起,它的存在会导致运算放大器在处理微小信号时产生严重的误差,使信号失真、性能变差。本文主要阐述了在高... 作为运算放大器中特别重要的高精度运算放大器,其主要表征参数为失调电压。应该看到,失调电压主要是由于输入差分对的随机失配引起,它的存在会导致运算放大器在处理微小信号时产生严重的误差,使信号失真、性能变差。本文主要阐述了在高精度运算放大器芯片设计过程中用来消除、降低失调电压的各种方式。其中,动态调零技术是通过线路结构实现失调电压的动态补偿,是一种非线性修调,而补偿微调技术和封装级数字修调技术是基于熔丝控制内部电阻或电流源网络实现的静态补偿,是一种线性修调。本文对这三大类失调电压消除的技术的实现方式以及优缺点进行了逐一探讨分析。 展开更多
关键词 运算放大器 失调电压 修调 高精度
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基于GaN的可重构宽带Doherty功放设计 被引量:1
12
作者 赵国华 陈振中 +1 位作者 陈益 刘太君 《微波学报》 北大核心 2025年第1期1-5,共5页
传统Doherty功率放大器的带宽受限于λ/4传输线在不同频率处产生的相位偏移。本文设计了一种基于氮化镓的可重构宽带Doherty功率放大器(DPA),利用PIN开关实现峰值功率放大器支路的切换,相对减小了λ/4相位补偿线产生的相移范围,从而有... 传统Doherty功率放大器的带宽受限于λ/4传输线在不同频率处产生的相位偏移。本文设计了一种基于氮化镓的可重构宽带Doherty功率放大器(DPA),利用PIN开关实现峰值功率放大器支路的切换,相对减小了λ/4相位补偿线产生的相移范围,从而有效地提高了DPA的带宽。此外,在峰值功率放大器支路的输出匹配网络里还引入了谐波抑制网络来提高DPA的效率。为了验证设计有效性,使用氮化镓高电子迁移率晶体管CGH40010F设计并加工完成了一款宽带高效率DPA。测试结果表明,在2.8 GHz~3.6 GHz频段内,饱和输出功率为42 dBm~44.7 dBm,饱和漏极效率为59.4%~69%,功率回退6 dB时漏极效率在41.3%~48.8%。 展开更多
关键词 DOHERTY功率放大器 可重构 PIN开关 宽带 高效率
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基于Sallen-Key滤波器的核脉冲成形电路研究 被引量:29
13
作者 李东仓 杨磊 +1 位作者 田勇 袁树林 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期563-566,共4页
将Sallen-Key滤波器应用于核脉冲信号的成形中,采用较少的级数就可以达到准高斯波形的输出,文中仿真了基于Sallen-Key滤波器的滤波成形电路的特性,并给出了最佳的滤波器参数,采用宽带高速运算放大器设计和实现了该电路,通过实验测量证... 将Sallen-Key滤波器应用于核脉冲信号的成形中,采用较少的级数就可以达到准高斯波形的输出,文中仿真了基于Sallen-Key滤波器的滤波成形电路的特性,并给出了最佳的滤波器参数,采用宽带高速运算放大器设计和实现了该电路,通过实验测量证明了该电路的优越性。 展开更多
关键词 Sallen-Key滤波器 核脉冲 高斯波形 成形
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一种改进的基于采样-保持策略磁轴承用电流三态调制开关功放 被引量:20
14
作者 臧晓敏 王晓琳 +1 位作者 仇志坚 邓智泉 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第10期85-90,共6页
提出一种改进的基于采样-保持策略的电流三态调制开关功放。它保留了基本采样-保持开关功放控制简单、动态响应快、频带宽、受负载影响小等优点,同时降低了开关功放的电流纹波和损耗,提高了功放的效率。此外还可以在不影响系统其他性能... 提出一种改进的基于采样-保持策略的电流三态调制开关功放。它保留了基本采样-保持开关功放控制简单、动态响应快、频带宽、受负载影响小等优点,同时降低了开关功放的电流纹波和损耗,提高了功放的效率。此外还可以在不影响系统其他性能的情况下,通过提高输入电压来进一步提高系统的动态特性。同时还阐述了该改进型开关功放的工作原理及电路实现,对改进前后的开关功放进行了仿真比较,并通过对两种开关功放原理样机的实验测试,验证了改进型开关功放的优越特性。 展开更多
关键词 开关功放 磁轴承 采样-保持 电流三态调制
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记忆效应非线性功放扩展Volterra模型分析与构建 被引量:10
15
作者 南敬昌 刘元安 +1 位作者 李新春 高锦春 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第8期2021-2024,共4页
通用Volterra级数行为模型由于较高计算复杂性使它受限用于弱非线性放大器。为了减少Volterra级数计算复杂性和级数核系数的数量,本文提出了两种方案:基于正交多项式函数Chebyshev和基于正交多项式函数Laguerre的Volterra级数,推导了Vol... 通用Volterra级数行为模型由于较高计算复杂性使它受限用于弱非线性放大器。为了减少Volterra级数计算复杂性和级数核系数的数量,本文提出了两种方案:基于正交多项式函数Chebyshev和基于正交多项式函数Laguerre的Volterra级数,推导了Volterra-Chebyshev和Volterra-Laguerre的行为模型数学表达式,并对Volterra-Laguerre模型进行了仿真。数学理论分析和仿真结果表明,与普通Volterra级数模型相比,Volterra-Chebyshev和Volterra-Laguerre行为模型具有简化的结构和减少的系数。 展开更多
关键词 宽带功率放大器 行为模型 VOLTERRA级数 LAGUERRE Chebyshev 记忆效应
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基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究 被引量:9
16
作者 罗俊 王健安 +4 位作者 郝跃 代天君 晏开华 李金龙 黄姣英 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期523-526,共4页
为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应... 为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据。 展开更多
关键词 半导体器件 加速退化试验 可靠性 寿命评估
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基于低通S-K滤波器的核脉冲成形电路 被引量:8
17
作者 祁中 李东仓 +2 位作者 杨磊 张文慧 刘兆远 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期137-140,共4页
将S-K滤波器应用于核脉冲信号的成形中,采用较少的级数就可以达到准高斯波形的输出.仿真了基于低通S-K滤波器的滤波成形电路的特性,并给出了最佳的滤波器参数.采用宽带高速运算放大器设计和实现了该电路,通过实验证明了该电路的优越性.
关键词 S-K滤波器 核脉冲 高斯波形 成形
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电压型双二次滤波函数的CFA实现 被引量:7
18
作者 彭良玉 何怡刚 +1 位作者 黄满池 吴杰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期187-189,共3页
 提出了一种采用电流反馈放大器(current-feedbackamplifier,CFA)实现的电压模式双二次滤波函数新电路,同时得到了陷波、高通、带通、低通和双二次滤波函数输出,且极点角频率与品质因素独立可调。计算机仿真结果与理论分析相符。
关键词 电压型双二次滤波函数 电流反馈放大器 滤波器 电压模式 信号流图 运算放大器 仿真
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温度传感器校准系统中红外信号检测电路设计 被引量:9
19
作者 王锐 郝晓剑 +1 位作者 周汉昌 王淑娟 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期247-250,共4页
为了提高红外探测器检测红外微弱信号的精度,采用晶体管恒流偏置电路,使用低噪声高速运算放大器构成了前置放大电路。运用电路理论建立放大电路的噪声等效模型,采用叠加法计算1级放大输出端的噪声电压。通过中温黑体炉红外辐射实验,测... 为了提高红外探测器检测红外微弱信号的精度,采用晶体管恒流偏置电路,使用低噪声高速运算放大器构成了前置放大电路。运用电路理论建立放大电路的噪声等效模型,采用叠加法计算1级放大输出端的噪声电压。通过中温黑体炉红外辐射实验,测试电路性能,取得了500℃~700℃时的电压波形,计算得出信噪比为7.25×103。结果表明,红外探测器前置放大电路达到高信噪比、响应速率快、抗干扰强的应用要求,可以对红外微弱信号检测放大。 展开更多
关键词 测量与计量 温度传感器校准系统 红外探测 热电偶 低噪声
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半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型 被引量:6
20
作者 罗俊 向培胜 +3 位作者 赵胜雷 王毅 刘涛 陈光炳 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期558-563,571,共7页
加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一。针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础。介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加... 加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一。针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础。介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加速应力模型,给出了这些模型的适用条件。 展开更多
关键词 半导体器件 长期贮存 失效机理 加速应力模型
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