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基于高功率微波脉冲注入的氮化镓低噪声放大器效应研究
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作者 刘敏 蔡宗棋 +4 位作者 卞立安 唐厚鹭 吕安如 陈义强 路国光 《中国舰船研究》 北大核心 2025年第4期32-42,共11页
[目的]针对日益增多的有意电磁干扰,研究高功率微波脉冲作用下雷达、通信用氮化镓(GaN)低噪声放大器(LNA)的损伤效应。[方法]开展不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲注入试验研究,以探究GaN LNA直流及射频参数的变化情况。通过连续波及不... [目的]针对日益增多的有意电磁干扰,研究高功率微波脉冲作用下雷达、通信用氮化镓(GaN)低噪声放大器(LNA)的损伤效应。[方法]开展不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲注入试验研究,以探究GaN LNA直流及射频参数的变化情况。通过连续波及不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲试验,获取器件的阈值功率。同时,为了进一步确定GaNLNA的损伤部位以及损伤机理,对芯片进行开封,并利用显微镜、双束聚焦离子束(FIB)等分析设备对芯片表面及内部进行微观形貌表征。[结果]试验结果表明,当GaNLNA遭受脉冲宽度30ns,上升沿18ns,下降沿18ns,周期为2ms的高功率微波脉冲注入冲击后,其增益从约23.67dB恶化到-8.91dB,噪声系数从1.59dB恶化到18.13dB,输出波形严重压缩。分析表明GaNLNA的核心有源器件高电子迁移率晶体管(HEMT)容易被高功率微波损伤,受损主要源于高功率微波攻击导致栅极形成微电流通道,随后引发漏极过电流,最终永久损坏器件。[结论]研究GaNLNA及其核心有源器件HEMT在高功率微波作用下的损伤效应,为深入了解高功率微波脉冲对GaNLNA的影响以及提升GaNLNA鲁棒性提供了重要的参考价值。 展开更多
关键词 低噪声放大器 氮化镓 高电子迁移率晶体管 高功率微波 电磁防护 损伤效应
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A K/Ka-band series Doherty CMOS power amplifier with distributed multi-step impedance inverting network 被引量:1
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作者 Xinyu Jiang Wei Deng +2 位作者 Junlong Gong Haikun Jia Baoyong Chi 《Journal of Semiconductors》 2025年第6期9-20,共12页
A two-way K/Ka-band series-Doherty PA(SDPA)with a distributed impedance inverting network(IIN)for millimeter wave applications is presented in this article.The proposed distributed IIN contributes to achieve wideband ... A two-way K/Ka-band series-Doherty PA(SDPA)with a distributed impedance inverting network(IIN)for millimeter wave applications is presented in this article.The proposed distributed IIN contributes to achieve wideband linear and power back-off(PBO)efficiency enhancement.Implemented in 65 nm bulk CMOS technology,this work realizes a measured 3 dB band-width of 15.5 GHz with 21.2 dB peak small-signal gain at 34.2 GHz.Under 1-V power supply,it achieves OP1dB over 13.4 dBm and Psat over 16 dBm between 21 to 30 GHz.The measured maximum Psat,OP1dB,peak/OP1dB/6dBPBO PAE results are 17.5,14.7 dBm,and 28.2%/23.2%/13.2%.Without digital pre-distortion(DPD)and equalization,EVMs are lower than-25.2 dB for 200 MHz 64-QAM signals.Besides,this work achieves-33.35,-23.52,and-20 dB EVMs for 100 MHz 256-QAM,600 MHz 64-QAM and 2 GHz 16-QAM signals at 27 GHz without DPD and equalization. 展开更多
关键词 Doherty PA load modulation BROADBAND transformer linear enhancement efficiency enhancement
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基于锁相放大器初始化自校准研究
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作者 宋昊东 朱亦鸣 邱亮 《物理化学进展》 2025年第2期407-417,共11页
锁相放大器是一种用于解调近场信号的仪器,由于前端模拟链路本身的硬件特性会对待测信号的结果产生影响。本文提出了一种数字锁相启动上位机时初始化校准的方法,目的在于保证前端模拟链路处于最佳的工作状态。矫正电压偏置;最大限度补... 锁相放大器是一种用于解调近场信号的仪器,由于前端模拟链路本身的硬件特性会对待测信号的结果产生影响。本文提出了一种数字锁相启动上位机时初始化校准的方法,目的在于保证前端模拟链路处于最佳的工作状态。矫正电压偏置;最大限度补偿模拟链路引入的增益误差以及DDS输出信号与ADC采样过程中不同步引入的相位偏移。测试结果表明,该方案可实现对上述误差的补偿,显著提高了锁相放大器解调近场信号时的精确性和稳定性。The lock-in amplifier is an instrument used to demodulate near-field signals. Due to the hardware characteristics of the frontend analog circuitry, it can affect the results of the signal under test. This paper proposes a method for initialization calibration when starting up the digital lock-in amplifier’s host computer, aiming to ensure that the frontend analog circuitry operates in an optimal state. It calibrates the voltage offset, maximizes the compensation for gain errors introduced by the analog circuitry, and phase shifts introduced by the asynchrony between the DDS output signal and the ADC sampling process. Test results show that this scheme can compensate for the aforementioned errors, significantly improving the accuracy and stability of the lock-in amplifier when demodulating near-field signals. 展开更多
关键词 锁相放大器 初始化 电压偏置 放大增益 相位补偿
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适用于气象雷达的S波段低噪声放大器设计
4
作者 於立伟 王奕 +3 位作者 刘鲁伟 王锴 姚奋进 林信南 《物联网技术》 2025年第18期53-57,共5页
为满足S波段气象雷达接收机系统高灵敏度、强抗干扰能力等需求,设计了一款工作在接收机系统前端的低噪声放大器(LNA)。本设计采用两级共源放大结构,第一级晶体管采用Skyworks公司出品的SKY65050-372LF低噪声管,输入匹配采用最小噪声匹... 为满足S波段气象雷达接收机系统高灵敏度、强抗干扰能力等需求,设计了一款工作在接收机系统前端的低噪声放大器(LNA)。本设计采用两级共源放大结构,第一级晶体管采用Skyworks公司出品的SKY65050-372LF低噪声管,输入匹配采用最小噪声匹配来优化噪声性能。第二级晶体管采用Avago公司出品的ATF54143高增益管,输出端采用最大增益输出匹配来提高增益。晶体管源级引入微带线负反馈提高稳定性,以获得良好的输入阻抗匹配和噪声系数,对称合理的版图布局减少了信号的串扰等。仿真结果表明,该低噪声放大器在工作频点2.45 GHz处实现了高达30.0 dB的增益以及0.5 dB的噪声系数,S_(11)和S_(22)分别为-14.7 dB和-14.5 dB,OP_(1dB)大于19 dBm。 展开更多
关键词 低噪声放大器 S波段 气象雷达 源极负反馈 最小噪声输入匹配 噪声系数
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A 0.1-5.1 GHz high-gain LNA with inductorless composite resistor-capacitor feedback structure based on a 0.25μm SiGe BiCMOS process
5
作者 Zhouhao Zhao Qian Chen +1 位作者 Yixing Lu Haigang Feng 《Journal of Semiconductors》 2025年第8期37-44,共8页
In this paper,a high-gain inductorless LNA(low-noise amplifier)compatible with multiple communication protocols from 0.1 to 5.1 GHz is proposed.A composite resistor-capacitor feedback structure is employed to achieve ... In this paper,a high-gain inductorless LNA(low-noise amplifier)compatible with multiple communication protocols from 0.1 to 5.1 GHz is proposed.A composite resistor-capacitor feedback structure is employed to achieve a wide bandwidth matching range and good gain flatness.A second stage with a Darlington pair is used to increase the overall gain of the amplifier,while the gain of the first stage is reduced to reduce the overall noise.The amplifier is based on a 0.25μm SiGe BiCMOS process,and thanks to the inductorless circuit structure,the core circuit area is only 0.03 mm^(2).Test results show that the lowest noise figure(NF)in the operating band is 1.99 dB,the power gain reaches 29.7 dB,the S_(11)and S_(22)are less than-10 dB,the S_(12)is less than-30 dB,the IIP3 is 0.81dBm,and the OP_(1dB)is 10.27 dBm.The operating current is 31.18 mA at 3.8 V supply. 展开更多
关键词 SiGe BiCMOS low noise amplifier wideband inductorless integrated circuits
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一种宽带有源前馈噪声消除CMOS低噪声放大器
6
作者 樊润伍 郭本青 《成都信息工程大学学报》 2025年第2期132-136,共5页
提出一种单端结构的宽带低噪声放大器。基于传统的共栅和共源噪声消除结构,引入有源前馈电路提升共栅级输入跨导,并降低直流电流,从而负载电阻可以适当增加以降低其噪声输出,保证电路整体更低的噪声指数;同时,提出改进的n/pMOS互补结构... 提出一种单端结构的宽带低噪声放大器。基于传统的共栅和共源噪声消除结构,引入有源前馈电路提升共栅级输入跨导,并降低直流电流,从而负载电阻可以适当增加以降低其噪声输出,保证电路整体更低的噪声指数;同时,提出改进的n/pMOS互补结构方案,有效提高线性度并降低了功耗。为把电路设计成宽带,在输入级和输出级均采用π型匹配网络。使用Cadence Spectre-RF基于TSMC 65 nm CMOS工艺进行仿真。结果显示:在1~12 GHz带宽内,增益为14~17 dB,噪声系数为2.45~3.45 dB;在5 GHz时,IIP3和IIP2的线性度分别为-2.4 dBm和23 dBm;电路仅消耗7.8 mW,芯片面积0.21 mm2。 展开更多
关键词 宽带 互补配置 低噪声放大器 线性度 噪声消除
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窄带基站接收前端低噪声电路设计研究
7
作者 谢天明 《中华手工》 2025年第10期50-52,共3页
针对专用窄带通信领域基站接收系统对高灵敏度和强抗干扰能力的迫切需求,深入探讨了接收前端低噪声电路的设计方法与优化策略。采用源极负反馈型共源共栅拓扑实现了噪声系数1.2dB、增益18dB的低噪声放大器设计,结合切比雪夫响应的三阶... 针对专用窄带通信领域基站接收系统对高灵敏度和强抗干扰能力的迫切需求,深入探讨了接收前端低噪声电路的设计方法与优化策略。采用源极负反馈型共源共栅拓扑实现了噪声系数1.2dB、增益18dB的低噪声放大器设计,结合切比雪夫响应的三阶带通滤波器和吉尔伯特单元混频器,将整体接收前端噪声系数控制在2.8dB以内。基于ADS与HFSS联合仿真平台完成了电路性能验证,实测结果与仿真数据偏差小于8%,验证了设计方案的有效性。 展开更多
关键词 窄带基站 接收前端 低噪声放大器 噪声系数 线性度
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微弱肌电信号提取中AD8429性能评估
8
作者 刘问天 《计算机时代》 2025年第5期55-58,共4页
为探究微弱肌电信号提取用放大器性能,文章研究分析了AD8429放大器在提取肌电信号的应用情况。在AD8429外围电路中定值并测试信号,对信号数据进行前处理和算法处理,对AD8429的各项参数进行性能评估,实验结果显示,AD8429能够稳定有效地... 为探究微弱肌电信号提取用放大器性能,文章研究分析了AD8429放大器在提取肌电信号的应用情况。在AD8429外围电路中定值并测试信号,对信号数据进行前处理和算法处理,对AD8429的各项参数进行性能评估,实验结果显示,AD8429能够稳定有效地实现微弱肌电信号的低噪声提取,有着良好的噪声抑制特性,为肌电信号测试与分析工作提供重要技术参考。 展开更多
关键词 AD8429放大器 肌电信号 信号提取 噪声特性 性能评估
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多信号模型在射频电路故障诊断中的应用
9
作者 吴少慈 张德超 《消费电子》 2025年第20期239-241,共3页
针对射频电路故障诊断的难题,文章提出了一种基于多信号模型的故障诊断方法。该方法以低噪声射频放大器(Low Noise Amplifier,LNA)电路为例,通过ADS(Advanced Design System)软件进行电路仿真,获取正常和故障状态下的多种信号特征,构建... 针对射频电路故障诊断的难题,文章提出了一种基于多信号模型的故障诊断方法。该方法以低噪声射频放大器(Low Noise Amplifier,LNA)电路为例,通过ADS(Advanced Design System)软件进行电路仿真,获取正常和故障状态下的多种信号特征,构建LNA电路的多信号模型,推导出故障依赖矩阵,并通过实验验证了该方法的有效性和准确性。研究表明,多信号模型能够有效提取射频电路的故障特征,提高故障诊断的效率和可靠性,可为射频电路的维护和保障提供参考。 展开更多
关键词 射频电路 故障诊断 多信号模型 低噪声放大器 故障依赖矩阵
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基于Simulink的跨阻放大器自动相位补偿方法
10
作者 黄华梓 张少轩 +2 位作者 肖丽君 涂晋东 陈华 《中国集成电路》 2025年第4期44-48,共5页
量子计算机的工作频率高,在超低温环境下工作要求功耗低。MEMS振荡器具有高频率、低功耗的优点。MEMS谐振器的超高动态电阻需要高增益、大带宽的放大器实现驱动。在MEMS谐振器与放大器实际联调电路中,跨阻放大器的150 MHz带宽会因外部... 量子计算机的工作频率高,在超低温环境下工作要求功耗低。MEMS振荡器具有高频率、低功耗的优点。MEMS谐振器的超高动态电阻需要高增益、大带宽的放大器实现驱动。在MEMS谐振器与放大器实际联调电路中,跨阻放大器的150 MHz带宽会因外部因素而产生变化,导致输入信号的相移产生不同程度的偏移。为了验证电容式MEMS圆盘谐振器驱动电路的自适应相位调节功能的可靠性和可行性,提出了基于Simulink的自适应相位调节电路的建模仿真方法。Simulink仿真结果显示,150 MHz跨阻放大器的极值点不变时相位会滞后45°,经过系统的相位补偿后信号相位差可精确为0。发生偏差的极点值在100M-200M范围,内相位滞后的范围为-36.8°~-58.3°,自适应相位补偿电路仿真模型的误差值约为2°~4°,这展现了该架构具有良好的相位自动补偿能力。该方法为设计实际可应用的可调谐有源相移器及自适应控制集成电路提供了有力的理论支持。 展开更多
关键词 驱动电路 SIMULINK仿真 自适应移相电路 MEMS振荡器
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SiGe BiCMOS低噪声放大器激光单粒子效应研究 被引量:4
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作者 李培 董志勇 +4 位作者 郭红霞 张凤祁 郭亚鑫 彭治钢 贺朝会 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期200-208,共9页
随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高,SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块.SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然... 随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高,SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块.SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然而,其瞬态电荷收集引起的空间单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题.本文基于SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器开展了单粒子效应激光微束实验,并定位了激光单粒子效应敏感区域.实验结果表明,SiGe HBT瞬态电荷收集是引起SiGe BiCMOS LNA单粒子效应的主要原因.TCAD模拟表明,离子在CMOS区域入射时,电离径迹会越过深沟槽隔离结构,进入SiGe HBT区域产生电子空穴对并引起瞬态电荷收集.ADS电路模拟分析表明,单粒子脉冲瞬态电压在越过第1级与第2级之间的电容时,瞬态电压峰值骤降,这表明电容在传递单粒子效应产生的瞬态脉冲过程中起着重要作用.本文实验和模拟工作为SiGe BiCMOS LNA单粒子效应抗辐射设计加固提供了技术支持. 展开更多
关键词 SiGe BiCMOS工艺 低噪声放大器 单粒子效应 激光模拟实验 TCAD数值模拟 ADS电路模拟
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一种Ka频段超宽带低噪温放大器的研制
12
作者 毕娜娜 邢成浩 +2 位作者 刘德喜 祝大龙 马同礼 《遥测遥控》 2025年第4期84-89,共6页
随着测控技术的发展,Ka频段已成为新一代卫星通信和毫米波雷达领域的重要频段。低噪声放大器作为接收机前端的核心部件,其噪声性能直接影响到系统的接收灵敏度和作用距离等关键系统指标。本文介绍了一种工作在Ka频段的超宽带低噪温放大... 随着测控技术的发展,Ka频段已成为新一代卫星通信和毫米波雷达领域的重要频段。低噪声放大器作为接收机前端的核心部件,其噪声性能直接影响到系统的接收灵敏度和作用距离等关键系统指标。本文介绍了一种工作在Ka频段的超宽带低噪温放大器,实现了超宽带、超低噪温、小型化和通用化。实测结果显示,在26.5~40 GHz频率范围内,增益≥35 dB,噪声系数≤215 K,驻波比≤2.38,尺寸32 mm×19 mm×8 mm。 展开更多
关键词 KA频段 超宽带低噪温放大器 接收灵敏度
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A two-stage injection locking amplifier based on a cavity magnonic oscillator
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作者 Mun Kim Chunlei Zhang +2 位作者 Chenyang Lu Jacob Burgess Can-Ming Hu 《Chinese Physics B》 2025年第6期154-159,共6页
A cavity magnonic oscillator uses the coupling of a planar transmission line oscillator(cavity) and spin excitations(magnons) in a ferrimagnetic material to achieve superior frequency stability and reduced phase noise... A cavity magnonic oscillator uses the coupling of a planar transmission line oscillator(cavity) and spin excitations(magnons) in a ferrimagnetic material to achieve superior frequency stability and reduced phase noise. Like many low phase noise oscillators, a cavity magnonic oscillator faces the challenge that its narrow resonance profile is not well suited for injection locking amplification. This work presents an improved design for such an oscillator configured as an injection locking amplifier(ILA) with an extended lock range. The proposed design features a two-stage architecture, consisting of a pre-amplification oscillator and a cavity magnonic oscillator, separated by an isolator to prevent backward locking.By optimizing the circuit parameters of each stage, the proposed design achieved an order of magnitude increase in lock range, when compared to its predecessors, all while preserving the phase noise quality of the input, making it well-suited for narrowband, sensitive signal amplification. Furthermore, this work provides a method for using oscillators with high spectral purity as injection locking amplifiers. 展开更多
关键词 cavity magnonic oscillator injection locking amplifier
原文传递
面向Q/V波段卫星通信应用干扰抑制GaAs低噪声放大器 被引量:1
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作者 李博 林峰 孙厚军 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期155-158,共4页
针对卫星通信应用,本文基于Ga As pHEMT工艺设计并仿真了一款覆盖37~52 GHz具有干扰抑制功能的低噪声放大器芯片。所设计低噪声放大器电路包括三级放大器,为实现低噪声和宽带特性,为每一级放大器设计了源电感。为了实现8~23 GHz干扰信... 针对卫星通信应用,本文基于Ga As pHEMT工艺设计并仿真了一款覆盖37~52 GHz具有干扰抑制功能的低噪声放大器芯片。所设计低噪声放大器电路包括三级放大器,为实现低噪声和宽带特性,为每一级放大器设计了源电感。为了实现8~23 GHz干扰信号的抑制,在每一段匹配网络的设计中引入了传输零点,通过多级具有滤波功能的匹配网络实现对干扰信号的强抑制。同时,为了增强电路输入输出回波损耗,在末级放大器中增加了负反馈结构,对电路噪声特性基本不产生影响。最终,对电路进行了电磁仿真,在37~52 GHz范围内实现了16.6~25.2 dB的增益和1.9~2.8 dB的噪声系数,同时在8~23 GHz范围内,实现了50~150 dB的干扰抑制。 展开更多
关键词 低噪声放大器 宽带 干扰抑制 砷化镓 Q/V波段
原文传递
X波段50 W GaAs限幅低噪声放大器MMIC的一体化设计
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作者 朱宝石 张翔 +1 位作者 周鑫 崔璐 《通讯世界》 2025年第9期30-32,共3页
针对高耐功率、低噪声的工程需求,基于4英寸(1英寸=2.54 cm)亚微米栅砷化镓(GaAs)二极管(positive-intrinsic-negative, PIN)与赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,p HEMT)工艺,研制了一款X波段... 针对高耐功率、低噪声的工程需求,基于4英寸(1英寸=2.54 cm)亚微米栅砷化镓(GaAs)二极管(positive-intrinsic-negative, PIN)与赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,p HEMT)工艺,研制了一款X波段限幅低噪声放大器单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)。通过限幅器与低噪声放大器的一体化设计实现MMIC的低噪声、高耐功率。测试结果显示,在8 GHz~12 GHz,线性增益大于29 dB,噪声系数小于1.2 dB。 展开更多
关键词 X波段 GaAs PIN+pHEMT 限幅低噪声放大器 一体化设计 低噪声
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基于全局和局部对比度融合的深海图像增强方法
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作者 丁忠军 刘晨 +2 位作者 王兴宇 马广洋 李德威 《哈尔滨工程大学学报》 北大核心 2025年第9期1728-1736,共9页
针对深海中光线不足,成像依赖于主动光照等原因,导致图像出现对比度低、色偏和曝光等质量退化问题,本文提出一种基于全局和局部对比度融合的深海图像增强方法。设计基于灰度世界的图像颜色校正算法,基于绿色通道对红色通道预补偿,并采... 针对深海中光线不足,成像依赖于主动光照等原因,导致图像出现对比度低、色偏和曝光等质量退化问题,本文提出一种基于全局和局部对比度融合的深海图像增强方法。设计基于灰度世界的图像颜色校正算法,基于绿色通道对红色通道预补偿,并采用灰度世界法完成图像颜色的校正。采用改进的伽马校正算法和限制对比度自适应直方图均衡化算法分别获取全局和局部对比度增强图像。设计基于深度卷积神经网络的多对比度图像融合策略,实现全局和局部图像信息的互补。将所提方法应用于深海图像,实验结果显示,所提方法在多个对比指标中优于现有水下图像增强方法,能够为后续目标检测等高阶视觉任务提供清晰数据。 展开更多
关键词 深海图像 颜色校正 多对比度增强 深度卷积神经网络 图像融合 伽马校正 灰度世界 图像处理
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相干反馈的级联简并光学参量放大器量子特性研究
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作者 黄东海 付佳佳 +4 位作者 卢建刚 梁文娟 亢中苗 韩亚帅 刘云 《量子光学学报》 北大核心 2025年第1期1-8,共8页
简并光学参量放大器是实验制备压缩态光场的理想方案之一,提升其量子特性对于压缩态光场在量子信息领域应用具有重要意义。本论文讨论了一种相干反馈的级联简并光学参量放大器,其利用分束器作为反馈控制器,将级联简并光学参量放大器输... 简并光学参量放大器是实验制备压缩态光场的理想方案之一,提升其量子特性对于压缩态光场在量子信息领域应用具有重要意义。本论文讨论了一种相干反馈的级联简并光学参量放大器,其利用分束器作为反馈控制器,将级联简并光学参量放大器输出的压缩态光场部分反馈回输入端口。基于光学参量放大器理论模型和分束器模型,获得了其输出压缩态光场噪声表达式,基于此研究了其输出光场压缩特性随系统物理参数的依赖关系。研究发现,在整数倍π的反馈相位下和特定的反馈强度范围内,相干反馈可进一步提升级联简并光学参量放大器输出光场的量子压缩特性。本论文研究成果可为短波长压缩态光场压缩度提升提供理论参考,为其在量子通信和量子信息领域应用奠定基础。 展开更多
关键词 压缩态 简并光学参量放大器 相干反馈
原文传递
一种宽带低谐波轻量化固态功放
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作者 吕刚 宋玉清 《舰船电子对抗》 2025年第2期107-111,116,共6页
固态功放在宽带大功率、低谐波及轻量化之间相互制约,故基于波导E面T型功分/合成架构,利用T型波导分支臂180°相位差进行谐波的高效抑制,同时具备波导的低损耗、大功率容量优势,实现了18~26.5 GHz 4路12 W功放芯片合成输出≥40 W,... 固态功放在宽带大功率、低谐波及轻量化之间相互制约,故基于波导E面T型功分/合成架构,利用T型波导分支臂180°相位差进行谐波的高效抑制,同时具备波导的低损耗、大功率容量优势,实现了18~26.5 GHz 4路12 W功放芯片合成输出≥40 W,合成效率≥90%,并以标准波导口BJ220为射频端面,便于系统二次高效合成。结构采用铝嵌铜异质结构,结合铜高导热系数、铝质密轻的材料优势,实现结构轻量化,重量相比于纯铜减轻66.5%。 展开更多
关键词 固态功放 波导合成 宽带 低谐波 轻量化
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一款1.5~4 GHz宽带MMIC多功能芯片设计
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作者 叶坤 许丹 +2 位作者 豆兴昆 蒋乐 张玉婷 《现代信息科技》 2025年第20期21-26,共6页
基于0.25 μm GaAs pHEMT工艺,研制了一款1.5~4 GHz宽带多功能芯片。芯片集成了数字驱动器、开关、滤波器、低噪声放大器以及驱动放大器。数字驱动器采用直接耦合场效应管逻辑结构,实现控制电平的转换与开关状态切换;滤波器基于椭圆函... 基于0.25 μm GaAs pHEMT工艺,研制了一款1.5~4 GHz宽带多功能芯片。芯片集成了数字驱动器、开关、滤波器、低噪声放大器以及驱动放大器。数字驱动器采用直接耦合场效应管逻辑结构,实现控制电平的转换与开关状态切换;滤波器基于椭圆函数低通滤波器原型设计,具有低插损和高抑制特性;放大器采用共源共栅结构,以实现低噪声和高输出功率。测试结果表明:接收通道噪声系数小于2 dB,增益大于14.5 dB,输出P1dB功率为17 dBm,工作电流为35 mA,在5.4 GHz处抑制达到27 dBc;发射通道噪声系数小于2.3 dB,增益大于31.0 dB,输出P1dB功率为19.5 dBm,工作电流为95 mA,在5.4 GHz处抑制为34 dBc。该芯片具有高集成度、低噪声、高抑制和高输出功率等优点。 展开更多
关键词 微波单片集成电路 多功能 GaAs pHEMT 共源共栅
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