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全国产化32阵元前视声纳调理电路设计
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作者 邓胡娟 周洪 张丹 《湖北大学学报(自然科学版)》 2026年第1期61-68,共8页
针对高性能水下探测系统的需求,本文中设计并实现一种全国产化的32阵元前视声纳调理电路。该调理电路主要包括前级放大、程控增益和带通滤波器等3个核心模块。前级放大模块有效提升了微弱声纳信号的接收能力;程控增益模块通过数字控制... 针对高性能水下探测系统的需求,本文中设计并实现一种全国产化的32阵元前视声纳调理电路。该调理电路主要包括前级放大、程控增益和带通滤波器等3个核心模块。前级放大模块有效提升了微弱声纳信号的接收能力;程控增益模块通过数字控制技术实现增益的灵活调节,以适应不同强度的输入信号;带通滤波器模块采用高阶滤波器设计,精确滤除目标频带外的噪声,确保信号的有效提取。该放大电路具有20 dB的固定增益,并支持0~80 dB的宽范围程控增益调节,工作带宽为380~420 kHz,截止频率处的衰减小于1 dB。整个电路基于国产元器件,具有高可靠性、低功耗和强抗干扰能力。实验结果表明,该调理电路在32阵元前视声纳系统中表现出色,能够稳定输出高质量的信号,为水下目标探测和成像提供了可靠的硬件支持。 展开更多
关键词 前视声纳 阵元 调理电路 程控增益 带通滤波器
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基于高功率微波脉冲注入的氮化镓低噪声放大器效应研究
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作者 刘敏 蔡宗棋 +4 位作者 卞立安 唐厚鹭 吕安如 陈义强 路国光 《中国舰船研究》 北大核心 2025年第4期32-42,共11页
[目的]针对日益增多的有意电磁干扰,研究高功率微波脉冲作用下雷达、通信用氮化镓(GaN)低噪声放大器(LNA)的损伤效应。[方法]开展不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲注入试验研究,以探究GaN LNA直流及射频参数的变化情况。通过连续波及不... [目的]针对日益增多的有意电磁干扰,研究高功率微波脉冲作用下雷达、通信用氮化镓(GaN)低噪声放大器(LNA)的损伤效应。[方法]开展不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲注入试验研究,以探究GaN LNA直流及射频参数的变化情况。通过连续波及不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲试验,获取器件的阈值功率。同时,为了进一步确定GaNLNA的损伤部位以及损伤机理,对芯片进行开封,并利用显微镜、双束聚焦离子束(FIB)等分析设备对芯片表面及内部进行微观形貌表征。[结果]试验结果表明,当GaNLNA遭受脉冲宽度30ns,上升沿18ns,下降沿18ns,周期为2ms的高功率微波脉冲注入冲击后,其增益从约23.67dB恶化到-8.91dB,噪声系数从1.59dB恶化到18.13dB,输出波形严重压缩。分析表明GaNLNA的核心有源器件高电子迁移率晶体管(HEMT)容易被高功率微波损伤,受损主要源于高功率微波攻击导致栅极形成微电流通道,随后引发漏极过电流,最终永久损坏器件。[结论]研究GaNLNA及其核心有源器件HEMT在高功率微波作用下的损伤效应,为深入了解高功率微波脉冲对GaNLNA的影响以及提升GaNLNA鲁棒性提供了重要的参考价值。 展开更多
关键词 低噪声放大器 氮化镓 高电子迁移率晶体管 高功率微波 电磁防护 损伤效应
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应用于Wi-Fi 6E/7的两款22 nm CMOS宽带低噪声放大器设计
3
作者 徐睿来 赵康杰 +3 位作者 蒋欣怡 石春琦 黄磊磊 张润曦 《固体电子学研究与进展》 2025年第6期41-47,共7页
为满足Wi-Fi 6E/7协议频率范围扩展至7.125 GHz的需求,基于22 nm CMOS工艺,提出了两款低噪声放大器(Low-noise amplifier,LNA)。第一款可调宽带低噪声放大器(LNA1),采用变压器和开关电容阵列组成可调级间网络,实现带宽的扩展,基于无源... 为满足Wi-Fi 6E/7协议频率范围扩展至7.125 GHz的需求,基于22 nm CMOS工艺,提出了两款低噪声放大器(Low-noise amplifier,LNA)。第一款可调宽带低噪声放大器(LNA1),采用变压器和开关电容阵列组成可调级间网络,实现带宽的扩展,基于无源变压器的噪声抵消技术,优化噪声性能;第二款瞬时宽带低噪声放大器(LNA2)旨在支持载波聚合技术,实现更快的传输速率,通过双路径输入阻抗匹配技术和栅源电感弱耦合结构实现瞬时大带宽和平坦增益。两款芯片流片测试结果表明:LNA1的3 dB带宽达到2.1 GHz(5.3~7.4 GHz),峰值增益为26.5 dB,噪声系数最小值为1.83 dB,功耗为43.05 mW;LNA2的3 dB带宽达到2.9 GHz(4.8~7.7 GHz),峰值增益为18.82 dB,噪声系数最小值为1.72 dB,功耗为38.58 mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 可调宽带 瞬时宽带 CMOS Wi-Fi 6E Wi-Fi 7
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A K/Ka-band series Doherty CMOS power amplifier with distributed multi-step impedance inverting network 被引量:1
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作者 Xinyu Jiang Wei Deng +2 位作者 Junlong Gong Haikun Jia Baoyong Chi 《Journal of Semiconductors》 2025年第6期9-20,共12页
A two-way K/Ka-band series-Doherty PA(SDPA)with a distributed impedance inverting network(IIN)for millimeter wave applications is presented in this article.The proposed distributed IIN contributes to achieve wideband ... A two-way K/Ka-band series-Doherty PA(SDPA)with a distributed impedance inverting network(IIN)for millimeter wave applications is presented in this article.The proposed distributed IIN contributes to achieve wideband linear and power back-off(PBO)efficiency enhancement.Implemented in 65 nm bulk CMOS technology,this work realizes a measured 3 dB band-width of 15.5 GHz with 21.2 dB peak small-signal gain at 34.2 GHz.Under 1-V power supply,it achieves OP1dB over 13.4 dBm and Psat over 16 dBm between 21 to 30 GHz.The measured maximum Psat,OP1dB,peak/OP1dB/6dBPBO PAE results are 17.5,14.7 dBm,and 28.2%/23.2%/13.2%.Without digital pre-distortion(DPD)and equalization,EVMs are lower than-25.2 dB for 200 MHz 64-QAM signals.Besides,this work achieves-33.35,-23.52,and-20 dB EVMs for 100 MHz 256-QAM,600 MHz 64-QAM and 2 GHz 16-QAM signals at 27 GHz without DPD and equalization. 展开更多
关键词 Doherty PA load modulation BROADBAND transformer linear enhancement efficiency enhancement
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基于锁相放大器初始化自校准研究
5
作者 宋昊东 朱亦鸣 邱亮 《物理化学进展》 2025年第2期407-417,共11页
锁相放大器是一种用于解调近场信号的仪器,由于前端模拟链路本身的硬件特性会对待测信号的结果产生影响。本文提出了一种数字锁相启动上位机时初始化校准的方法,目的在于保证前端模拟链路处于最佳的工作状态。矫正电压偏置;最大限度补... 锁相放大器是一种用于解调近场信号的仪器,由于前端模拟链路本身的硬件特性会对待测信号的结果产生影响。本文提出了一种数字锁相启动上位机时初始化校准的方法,目的在于保证前端模拟链路处于最佳的工作状态。矫正电压偏置;最大限度补偿模拟链路引入的增益误差以及DDS输出信号与ADC采样过程中不同步引入的相位偏移。测试结果表明,该方案可实现对上述误差的补偿,显著提高了锁相放大器解调近场信号时的精确性和稳定性。The lock-in amplifier is an instrument used to demodulate near-field signals. Due to the hardware characteristics of the frontend analog circuitry, it can affect the results of the signal under test. This paper proposes a method for initialization calibration when starting up the digital lock-in amplifier’s host computer, aiming to ensure that the frontend analog circuitry operates in an optimal state. It calibrates the voltage offset, maximizes the compensation for gain errors introduced by the analog circuitry, and phase shifts introduced by the asynchrony between the DDS output signal and the ADC sampling process. Test results show that this scheme can compensate for the aforementioned errors, significantly improving the accuracy and stability of the lock-in amplifier when demodulating near-field signals. 展开更多
关键词 锁相放大器 初始化 电压偏置 放大增益 相位补偿
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一种基于FPGA进位链的时间数字转换器 被引量:8
6
作者 王巍 周浩 +4 位作者 熊拼搏 李双巧 杨皓 杨正琳 袁军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期777-780,787,共5页
提出了一种基于Xilinx Virtex-5FPGA的时间数字转换器。利用Virtex-5中专用进位链CARRY4构造的延迟链,对时钟周期进行内插以得到更高精度的测量。此外,运用布局布线约束来减少延迟链的不一致性,降低了微分非线性(DNL)以及积分非线性(... 提出了一种基于Xilinx Virtex-5FPGA的时间数字转换器。利用Virtex-5中专用进位链CARRY4构造的延迟链,对时钟周期进行内插以得到更高精度的测量。此外,运用布局布线约束来减少延迟链的不一致性,降低了微分非线性(DNL)以及积分非线性(INL)。仿真结果表明,最低有效位(LSB)为52.22ps,精度(RMS)约为25ps,INL为0~0.9LSB,DNL为-0.03~0.1LSB。 展开更多
关键词 时间数字转换器 进位链 CARRY4 布局布线 可编程逻辑器件
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利用ADS软件设计X频段低噪声放大器 被引量:20
7
作者 唐海啸 张玉兴 +1 位作者 杨陈庆 杨玉梅 《电讯技术》 2006年第1期119-122,共4页
首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法,然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明,此放大器达到了预定的技术指标,性能良好。其... 首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法,然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明,此放大器达到了预定的技术指标,性能良好。其工作频段为8.6—9.5GHz,噪声系数≤1.8dB,增益为23dB,带内平坦度≤±0.5dB。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 增益 SMITH圆图 ADS仿真软件 优化
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20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器 被引量:7
8
作者 焦世龙 陈堂胜 +4 位作者 蒋幼泉 钱峰 李拂晓 邵凯 叶玉堂 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期955-958,共4页
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.... 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/Hz;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压. 展开更多
关键词 GaAsPHEMT 分布放大器 带宽 噪声系数 眼图
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掺铒光纤放大器的理论模拟与全局分析 被引量:7
9
作者 张徐亮 强则煊 +2 位作者 沈林放 张泉 何赛灵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1256-1260,共5页
基于Giles模型并考虑了ASE噪音 ,对各种泵浦方式下的掺铒光纤放大器 (EDFA)进行了数值模拟 提出了一种新的分析方法 (增益 噪音指数全局分析法 ) ,直观有效地分析了EDFA的增益和噪音指数与掺铒光纤长度和泵浦功率的依赖关系 。
关键词 理论模拟 全局分析 掺铒光纤放大器 增益 噪音指数
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用基波平衡原理分析非线性振荡与混沌 被引量:17
10
作者 黄炳华 黄新民 韦善革 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第1期65-70,共6页
用"基波平衡原理"求得注入网络的基波电流Is1。它的流向代表网络在脱离激励源以后,为维持自激振荡关于实功与虚功的盈亏情况,是判断网络稳定性和振荡性状的有力依据。当实功与虚功同时取得平衡时,能求得基波解的振荡频率ωs... 用"基波平衡原理"求得注入网络的基波电流Is1。它的流向代表网络在脱离激励源以后,为维持自激振荡关于实功与虚功的盈亏情况,是判断网络稳定性和振荡性状的有力依据。当实功与虚功同时取得平衡时,能求得基波解的振荡频率ωs和幅值Um,网络必然存在有对应的周期解。结论的普遍性可推广到三阶非线性微分方程。并阐明微分方程存在有多个周期解是产生混沌振荡的重要原因。其正确性可以用SIMULINK仿真验证。 展开更多
关键词 非线性 稳定性 虚功功率 极限环 混沌
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高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器 被引量:10
11
作者 王闯 钱蓉 +1 位作者 孙晓玮 顾建忠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期786-789,共4页
报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μmPHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯... 报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μmPHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯片测试指标如下:在1.9~4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB.芯片尺寸:1mm×2mm×0.1mm.这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器. 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声 高增益放大器 微波单片集成电路
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2.9GHz0.35μm CMOS低噪声放大器 被引量:13
12
作者 陶蕤 王志功 +1 位作者 谢婷婷 陈海涛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1530-1532,共3页
随着特征尺寸的不断减小 ,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到 5 0GHz以上 ,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能 .越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路 ,本文给出了一个利用 0 3... 随着特征尺寸的不断减小 ,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到 5 0GHz以上 ,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能 .越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路 ,本文给出了一个利用 0 3 5 μmCMOS工艺实现的 2 9GHz单片低噪声放大器 .放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成 .在 3伏电源下 ,工作电流为 8mA ,功率增益大于 10dB ,输入反射小于 - 12dB . 展开更多
关键词 CMOS工艺 低噪声放大器 螺旋电感
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0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器 被引量:11
13
作者 吴健 郑远 +5 位作者 艾宣 顾晓瑀 朱彦青 陈新宇 杨磊 钱峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期211-215,共5页
设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想... 设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。 展开更多
关键词 低噪声放大器 高线性 有源偏置 高增益
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宽带单片低噪声放大器 被引量:11
14
作者 彭龙新 林金庭 魏同立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1933-1936,F003,共5页
由电路和噪声基本定义出发 ,导出了二端口网络的噪声相关矩阵的转移表示式和导纳表示式 .并推导了两个二端口网络的级联和并联后的噪声相关矩阵 .然后在此基础上得出了并联反馈放大器的噪声参数 (Rn,NFmin和Yopt)和其S参数表达式 .由此... 由电路和噪声基本定义出发 ,导出了二端口网络的噪声相关矩阵的转移表示式和导纳表示式 .并推导了两个二端口网络的级联和并联后的噪声相关矩阵 .然后在此基础上得出了并联反馈放大器的噪声参数 (Rn,NFmin和Yopt)和其S参数表达式 .由此设计和制造了 1~ 7GHz两级单片低噪声放大器 .在工作频率 1~ 7GHz内 ,测得增益G >2 0dB ,带内增益波动ΔG≤± 0 75dB ,噪声系数NF≤ 2 5dB ,输入输出驻波VSWR≤ 2 0 ,1分贝压缩点输出功率P1dB≥15dBm . 展开更多
关键词 噪声相关矩阵 噪声参数 反馈放大器 微波单片集成电路 宽带
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3~5GHz超宽带并联负反馈低噪声放大器的设计 被引量:6
15
作者 王巍 彭能 +4 位作者 王颖 韩冰 唐政维 阮巍 周前能 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期10-14,共5页
设计了一种用于3~5 GHz MB-OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器(LNA)。分析了RC电阻反馈式低噪声放大器的结构,针对其存在的噪声大、增益低等问题,提出一种改进电路结构;增加了一个源极电感,以克服上述电路的不足。采用TSMC 0... 设计了一种用于3~5 GHz MB-OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器(LNA)。分析了RC电阻反馈式低噪声放大器的结构,针对其存在的噪声大、增益低等问题,提出一种改进电路结构;增加了一个源极电感,以克服上述电路的不足。采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,进行设计和仿真。仿真结果表明:改进结构在保证良好的输入输出匹配和较好线性度的前提下,提高了电路的噪声性能,在整个频带范围内,噪声系数小于1.9 dB;同时,增益也达到11 dB左右。 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 CMOS 并联反馈
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一种3~5GHz连续增益可调CMOS超宽带LNA的设计 被引量:11
16
作者 杨凯 王春华 戴普兴 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期275-279,共5页
提出了一种具有大范围连续增益变化的3~5GHzCMOS可调增益低噪声放大器。采用两级共源共栅电路结构,二阶切比雪夫滤波器作为输入,源跟随器作为输出,在带内获得了良好的输入输出匹配和噪声性能。通过控制第二级的偏置电流,获得了36d... 提出了一种具有大范围连续增益变化的3~5GHzCMOS可调增益低噪声放大器。采用两级共源共栅电路结构,二阶切比雪夫滤波器作为输入,源跟随器作为输出,在带内获得了良好的输入输出匹配和噪声性能。通过控制第二级的偏置电流,获得了36dB的连续增益可调,同时也不影响输入输出匹配。该电路基于TSMC0.18脚CMOS工艺,在最高增益时,输入和输出反射系数511和52z分别小于-10.1dB和-15dB,最高增益达到23.8dB,最小噪声系数仅为1.5dB,三阶交调截点为-7dBm,在1.2V电压下,功耗为6.8mW;芯片面积0.71mm^2(0.96mm×0.74mm)。 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 共源共栅 增益可调 CMOS 切比雪夫滤波器
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基于ADS的微波带通滤波器的研究与设计 被引量:8
17
作者 张琴 李海华 +1 位作者 程骏 柳秀山 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第1期42-45,共4页
基于ADS2009微波仿真设计系统,设计出一款适合于S波段的微波带通滤波器,本设计使用了宽带匹配技术,结合微带线和集总元件设计出宽带的匹配网络。滤波器适用频率范围:2.3 GHz^2.5 GHz,可用带宽W B=200 MHz,带内纹波小于0.5 dB,带内插损l ... 基于ADS2009微波仿真设计系统,设计出一款适合于S波段的微波带通滤波器,本设计使用了宽带匹配技术,结合微带线和集总元件设计出宽带的匹配网络。滤波器适用频率范围:2.3 GHz^2.5 GHz,可用带宽W B=200 MHz,带内纹波小于0.5 dB,带内插损l I<1 dB。实物测试结果表明,滤波器的性能参数与仿真结果高度接近,说明ADS微波仿真系统具有较高的仿真精度和较好的的实际应用价值。 展开更多
关键词 微波 滤波器 仿真 耦合 ADS系统
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高增益K波段MMIC低噪声放大器 被引量:7
18
作者 王闯 钱蓉 孙晓玮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1285-1289,共5页
基于0.25μm PHEMT工艺,给出了两个高增益K波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通... 基于0.25μm PHEMT工艺,给出了两个高增益K波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器1dB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中. 展开更多
关键词 PHEMT K波段 MMIC 高增益 低噪声放大器 芯片级电磁场仿真
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一种基于FPGA的时钟相移时间数字转换器 被引量:4
19
作者 王巍 李捷 +6 位作者 董永孟 熊拼搏 周浩 袁军 王冠宇 杨正琳 陈丹 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期58-61,共4页
提出了一种基于Xilinx Virtex-5FPGA的时钟相移采样(SCS)时间数字转换器(TDC)。利用Virtex5内部的时钟管理模块(CMT)产生16路固定相移的时钟信号,经过16路D触发器对输入信号同时进行采样量化。与传统的基于抽头延迟链结构相比,所用资源... 提出了一种基于Xilinx Virtex-5FPGA的时钟相移采样(SCS)时间数字转换器(TDC)。利用Virtex5内部的时钟管理模块(CMT)产生16路固定相移的时钟信号,经过16路D触发器对输入信号同时进行采样量化。与传统的基于抽头延迟链结构相比,所用资源更少,性能更加稳定。仿真结果表明,该TDC的精度高于64ps,占用数字时钟管理(DCM)与锁相环(PLL)资源小于20%,积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)都小于0.3LSB。 展开更多
关键词 时间数字转换器 FPGA 固定相移 布线延迟 时间测量
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分立元件设计的低噪声前置放大器实用电路 被引量:17
20
作者 郭玉 鲁永康 陈波 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期795-797,共3页
根据级联网络及噪声理论,本文采用分立元件设计了一种低噪声前置放大器实用电路.测试结果表明该电路比目前市场上低噪声运放具有更低的噪声电压,是一种适于低内阻信号源较理想的低噪声前置放大器电路。
关键词 晶体管 噪声分析 参数指标 设计
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