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超宽带大均衡量幅度均衡器的设计与实现
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作者 杨亮 孙从科 +2 位作者 张崇典 张学凯 聂轶 《通讯世界》 2025年第8期41-43,共3页
探究基于氮化铝衬底工艺的超宽带大均衡量幅度均衡器设计方案。通过均衡电路设计、电路优化与电磁仿真、工艺实现等,设计了基于氮化铝衬底工艺的超宽带大均衡量幅度均衡器,其在0~20 GHz频段可实现30 dB负斜率均衡量,并进行了产品测试,... 探究基于氮化铝衬底工艺的超宽带大均衡量幅度均衡器设计方案。通过均衡电路设计、电路优化与电磁仿真、工艺实现等,设计了基于氮化铝衬底工艺的超宽带大均衡量幅度均衡器,其在0~20 GHz频段可实现30 dB负斜率均衡量,并进行了产品测试,测试结果基本满足指标要求。 展开更多
关键词 幅度均衡器 氮化铝 超宽带 电感 电容
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水声单载波通信中的块稀疏均衡器 被引量:1
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作者 佟文涛 葛威 +2 位作者 殷敬伟 韩笑 林雨佳 《声学学报》 北大核心 2025年第2期511-524,共14页
水声通信中基于块处理的均衡器复杂度低但性能受限,为此提出了一种应用于水声单载波通信的块稀疏均衡器,进一步考虑了均衡器抽头的稀疏特性,在时不变假设下利用变分贝叶斯推断对稀疏均衡向量完成迭代估计。之后,为提高系统的稳健性,将... 水声通信中基于块处理的均衡器复杂度低但性能受限,为此提出了一种应用于水声单载波通信的块稀疏均衡器,进一步考虑了均衡器抽头的稀疏特性,在时不变假设下利用变分贝叶斯推断对稀疏均衡向量完成迭代估计。之后,为提高系统的稳健性,将模型推广至水声时变场景,推导了基于基扩展模型的块稀疏均衡器,将时变均衡矩阵的估计问题转化成时不变稀疏基系数向量的恢复问题,降低了求解难度。与经典的块均衡器相比,所提方法针对信道估计的逆问题,直接估计均衡系数向量,且进一步考虑了均衡器抽头的稀疏性。仿真与试验结果证明了该方法在稀疏信道下的有效性,以及在时变信道下的鲁棒性。 展开更多
关键词 水声通信 块稀疏均衡器 变分贝叶斯推断 基扩展模型
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数字电路设计中低功耗技术的应用与优化探讨 被引量:2
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作者 李鑫 《鞋类工艺与设计》 2025年第10期132-134,共3页
社会日益进步的过程中,各种先进技术层出不穷,数字电路设计创新问题备受关注。但从以往的数字电路设计实况来看,功耗问题仍然较为凸显,如何降低数字电路功耗是需要重点关注的事宜。低功耗技术的应用可为改善数字电路设计问题提供有效助... 社会日益进步的过程中,各种先进技术层出不穷,数字电路设计创新问题备受关注。但从以往的数字电路设计实况来看,功耗问题仍然较为凸显,如何降低数字电路功耗是需要重点关注的事宜。低功耗技术的应用可为改善数字电路设计问题提供有效助力,相关设计工作者必须充分了解低功耗技术,将其巧妙地应用于数字电路设计中,才可确保设计结构得以优化,符合预期的低功耗设计要求。本文通过对数字电路设计中低功耗技术的应用意义进行探究,提出数字电路设计中低功耗技术应用的优化策略,以供参考。 展开更多
关键词 数字电路设计 低功耗技术 优化
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里德堡原子接收机的性能瓶颈与效能评估
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作者 陈加锐 鲍鲁威 +2 位作者 陈顺阳 张琦 赵丹华 《中国电子科学研究院学报》 2025年第3期258-269,共12页
里德堡原子电磁传感作为一种新兴的量子精密测量技术,以其突破传统热噪声极限的高灵敏度以及兆赫兹至太赫兹级的超宽频带响应而备受关注。然而,从实验室验证到工程应用,该技术仍面临灵敏度、带宽与鲁棒性间的内在矛盾以及系统级瓶颈等... 里德堡原子电磁传感作为一种新兴的量子精密测量技术,以其突破传统热噪声极限的高灵敏度以及兆赫兹至太赫兹级的超宽频带响应而备受关注。然而,从实验室验证到工程应用,该技术仍面临灵敏度、带宽与鲁棒性间的内在矛盾以及系统级瓶颈等多重挑战。当前研究多侧重于单一性能指标的优化,而对系统综合效能及其在实际场景中的应用分析不足。为此,本文系统回顾了里德堡原子电磁传感技术,并与传统接收机技术进行对比,提出了一种基于“经典-量子”复合效能评价框架(CQEI)的综合性能评估方法。在统一定义关键术语的基础上,利用CQEI框架量化了里德堡接收机在计量校准、量子传感等领域的应用优势与在深空探测、电子对抗等复杂环境下存在的不足。研究结果表明,该技术在部分应用中已实现突破性表现,但要实现从原理验证向工程化应用的转变,还需在环境适应性和功耗管控等方面进行针对性攻关。 展开更多
关键词 里德堡原子 灵敏度 量子传感 精密测量
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基于近零折射率角度选择结构的可变量程折射率传感的理论研究
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作者 武永 《电子学报》 北大核心 2025年第1期105-111,共7页
本文研究了InSb材料的近零折射率特性在实现角度选择窗口方面的潜力.角度选择结构由主结构和抗反射结构组成,其中主结构用于产生角度选择特性,而抗反射结构用于抑制电磁波泄漏.结果表明,对于太赫兹TE波入射,在2.65 THz附近产生显著的角... 本文研究了InSb材料的近零折射率特性在实现角度选择窗口方面的潜力.角度选择结构由主结构和抗反射结构组成,其中主结构用于产生角度选择特性,而抗反射结构用于抑制电磁波泄漏.结果表明,对于太赫兹TE波入射,在2.65 THz附近产生显著的角度选择窗口,而对于太赫兹TM波入射,在10.5 THz附近产生角度选择窗口.对于不同的极化形式,控制温度都能够显著地调节角度窗口的角度范围.此外,临界角特性对于背景介质的折射率变化非常敏感,可以通过调控温度实现拓展测量范围的目的.当温度分别为300 K、298 K、296 K时,测量范围分别为1.1~1.3 RIU、1.3~1.5 RIU、1.5~1.7 RIU.相比于恒温测量,折射率量程拓展了200%.所提出的结构采用了新颖的临界角原理用于折射率传感,并且通过温控的方式拓宽了检测范围,为可变量程折射率传感器的发展提供了新的思路. 展开更多
关键词 近零折射率 角度选择结构 温控 太赫兹 可变量程 折射率传感器
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一种采用查找表FFE的高速SerDes发送端设计
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作者 任一凡 张春茗 +1 位作者 宋依迪 杜萌诚 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第6期714-720,727,共8页
基于UMC 28 nm CMOS工艺,采用数字信号处理(Digital Signal Processing,DSP)和数模转换(Digital-to-Analog Converter,DAC)架构,设计了一种支持非归零码(Non-Return-to-Zero,NRZ)信号调制、最大速率为56 Gb·s^(-1)的查找表FFE高速S... 基于UMC 28 nm CMOS工艺,采用数字信号处理(Digital Signal Processing,DSP)和数模转换(Digital-to-Analog Converter,DAC)架构,设计了一种支持非归零码(Non-Return-to-Zero,NRZ)信号调制、最大速率为56 Gb·s^(-1)的查找表FFE高速SerDes发送端。查找表FFE通过32路并行输入数据对已存储的6 bit数据进行选择,再由2种不同结构的多路复用器(Multiplexer,MUX)实现并串转换,最终经电流模式逻辑(Current Mode Logic,CML)结构改进的H桥驱动器,将信号送至信道中,整体发送端电路版图面积为0.073 mm^(2)。仿真结果表明:信道衰减分别为14.68 dB@20 GHz和19.21 dB@28 GHz;典型情况(tt,1.05 V,27℃)下,输出40 Gb·s^(-1)/56 Gb·s^(-1) NRZ信号的眼高为151.62 mV/56.61 mV,眼宽为18.24 ps/10.53 ps(0.73 UI/0.59 UI),发送端电路整体功耗为50.81 mW/85.68 mW(对应能效比为1.27 pJ·bit^(-1)/1.53 pJ·bit^(-1))。 展开更多
关键词 NRZ信号 DSP DAC 查找表 H桥驱动器
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基于氮化镓二极管的异构集成宽带小型化限幅器电路
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作者 霍树栋 相梦娇 +6 位作者 张正兴 翁铭远 高云云 党魁 周弘 张进成 郝跃 《微波学报》 北大核心 2025年第5期34-39,53,共7页
硅二极管器件耐功率高、击穿电压大,基于硅二极管的大功率射频限幅器,因需依托其该特性,一般采用半有源结构。本文在半有源硅二极管限幅器设计的基础上,结合氮化镓二极管的特性,设计了自检波半有源限幅器。以此为基础进一步采用异构集... 硅二极管器件耐功率高、击穿电压大,基于硅二极管的大功率射频限幅器,因需依托其该特性,一般采用半有源结构。本文在半有源硅二极管限幅器设计的基础上,结合氮化镓二极管的特性,设计了自检波半有源限幅器。以此为基础进一步采用异构集成方案,将硅二极管与氮化镓单片微波集成电路方案相结合,实现了基于氮化镓二极管的异构集成宽带小型化限幅电路。实测限幅电路在2 GHz~14 GHz频率范围内插损小于2.4 dB,在2 GHz频点实测连续波耐功率达100 W,电路尺寸3.15 mm×3.00 mm×0.40 mm。相比于半有源微组装形式的限幅架构,本文设计的限幅器在尺寸上明显减小,同时可以实现较高的耐功率指标。 展开更多
关键词 氮化镓二极管 限幅器 异构集成 小型化
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基于测量接收机法的高精度衰减器性能评估
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作者 李自双 田梅 谢宗甫 《品牌与标准化》 2025年第4期274-276,共3页
高精度衰减器是射频和微波电路及系统的基本组件,其主要作用是减弱信号强度。在接收器、发射器以及测试和测量系统中,经常需要将输入信号的强度降低到所需的输出强度,以满足不同系统或设备的需求。因此,高精度衰减器的性能对系统整体表... 高精度衰减器是射频和微波电路及系统的基本组件,其主要作用是减弱信号强度。在接收器、发射器以及测试和测量系统中,经常需要将输入信号的强度降低到所需的输出强度,以满足不同系统或设备的需求。因此,高精度衰减器的性能对系统整体表现至关重要。衰减器的工作原理主要是通过增加电阻、电容、电感等元件来消耗信号的能量,使信号的功率降低。其中,固定衰减器是最常见的一种衰减器。固定衰减器通常由电阻组成,通过选择合适的电阻值来达到所需的衰减量。可调衰减器则可以通过调节电阻或其他元件的数值实现不同的衰减量。目前,Agilent、R/S、思仪、Keysight等主流微波厂商出品的衰减器频率范围可达40 GHz,量程已达到110 dB,甚至更高。本文结合实际工作,分析高精度衰减器的测量方法,以便选择最优的测试方案,从而提高高精度衰减器测量的准确度。 展开更多
关键词 高精度衰减器 测量接收机法 性能评估 不确定度 微波测量
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一种基于优化参考阻抗的宽带紧凑四路功分器设计
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作者 孙启梦 祝大龙 宋大为 《遥测遥控》 2025年第4期90-95,共6页
本文通过优化T型结功分器的参考阻抗、减少阻抗突变,实现了大幅度展宽工作带宽的效果,设计了一款中心频率为15 GHz的一分四T型结宽带功分器。该功分器结构主要由T型结和微带传输线组成,尺寸为25 mm×3.8 mm。仿真结果表明:在不增加... 本文通过优化T型结功分器的参考阻抗、减少阻抗突变,实现了大幅度展宽工作带宽的效果,设计了一款中心频率为15 GHz的一分四T型结宽带功分器。该功分器结构主要由T型结和微带传输线组成,尺寸为25 mm×3.8 mm。仿真结果表明:在不增加网络尺寸和复杂度的前提下,相比传统四路功分器,该设计将基于20 dB回波损耗的工作带宽展宽至3.44个倍频程(6.5~24 GHz)。在工作频带内,插入损耗小于6.7 dB(含理论一分四6 dB损耗)。加工样机并进行测试后,实测结果与仿真结果吻合良好。该功分器具有“窄长”的结构特征,适合在移动通信基站、雷达等宽带一维阵列天线中使用,具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 T型结功分器 馈电网络 优化参考阻抗 宽带阵列天线
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柔性支承的立式转子主动电磁阻尼减振研究
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作者 何少东 唐长亮 +2 位作者 徐静雯 宋锦华 木孟良 《电子测量技术》 北大核心 2025年第5期22-29,共8页
为更好地抑制立式转子系统的振动,提出了一种基于主动电磁力的电磁阻尼器,以替代传统油膜阻尼器中依赖黏性阻尼力的减振方式,并利用有限元分析法对磁路结构进行仿真验证,根据阻尼体在电磁力作用下的动力学模型,设计相应PD控制系统。搭... 为更好地抑制立式转子系统的振动,提出了一种基于主动电磁力的电磁阻尼器,以替代传统油膜阻尼器中依赖黏性阻尼力的减振方式,并利用有限元分析法对磁路结构进行仿真验证,根据阻尼体在电磁力作用下的动力学模型,设计相应PD控制系统。搭建立式转子升速试验台,将电磁阻尼器和油膜阻尼器分别作为系统下支承结构,进行减振试验分析。试验结果表明,电磁阻尼器的支承特性动态可调,在合理的控制参数下具有良好的减振效果,相较于油膜阻尼器,振幅下降46.49%;此外,电磁阻尼器在PD控制器上加入相位超前校正环节后,转子在临界区域的振幅进一步下降15.78%,低频振动能量下降86%。研究结果证明了电磁阻尼器在立式转子系统减振应用中的可行性和适用性,并指出未来需要优化的方向。 展开更多
关键词 立式转子系统 电磁阻尼器 PD控制器 减振试验
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基于电子信息技术的电器电磁机构设计
11
作者 张雪敏 谷力 《自动化与仪器仪表》 2024年第4期211-215,共5页
电器电磁机构作为电磁技术的重要组成部分,其设计和应用对于提高电气设备的性能和功能至关重要。为进一步提升电器电磁机构的可靠性,研究使用了电子信息技术,提出了相应的电磁机构设计方案,并通过三相短路模型的构建,利用电弧能量模型... 电器电磁机构作为电磁技术的重要组成部分,其设计和应用对于提高电气设备的性能和功能至关重要。为进一步提升电器电磁机构的可靠性,研究使用了电子信息技术,提出了相应的电磁机构设计方案,并通过三相短路模型的构建,利用电弧能量模型等完成了动态开距结构优化。结果表明,在0.02~0.04 s之间,短路电弧功率变化十分显著且集中。短路分断实验中,所提出的动态开距技术对应短路电流峰值最大为26.34 kA,燃弧时间中,最小值仅为5.38 s,均在标准要求20 ms以下。以上结果验证了所设计的电器电磁机构具有较强的开断性能,实现了设备的高效保护,为电子信息技术和电磁学领域的研究和应用提供了参考。 展开更多
关键词 电子信息 电器 电磁机构 动态开距 结构优化
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网孔式衰减器误差分析
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作者 张勇喜 杨文华 +4 位作者 胡雯雯 李明华 金秀 黎冰 袁泉 《光源与照明》 2024年第2期44-47,共4页
网孔式衰减器是中性度优良且耐辐照能力强的光衰减器,其通光小孔的密度决定了制造成本和使用时的衰减偏差,但成本和偏差是一对矛盾,设计衰减器时必须优选孔密度。为了选择最佳的网孔设计,文章提出了随机函数模拟光源穿过衰减器的误差分... 网孔式衰减器是中性度优良且耐辐照能力强的光衰减器,其通光小孔的密度决定了制造成本和使用时的衰减偏差,但成本和偏差是一对矛盾,设计衰减器时必须优选孔密度。为了选择最佳的网孔设计,文章提出了随机函数模拟光源穿过衰减器的误差分析方法,通过大量模拟计算,得出等效孔数与最大偏差的近似关系,解决了网孔式衰减器的优化设计问题。 展开更多
关键词 光衰减器 误差分析 模拟计算 网孔式衰减器
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基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片 被引量:4
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作者 徐伟 赵子润 +1 位作者 刘会东 李远鹏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期575-579,588,共6页
基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、... 基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。 展开更多
关键词 双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT) 单刀双掷(SPDT)开关 数控移相器 数控衰减器
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基于石英薄膜工艺的D波段固定衰减器设计及实现
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作者 宗原 杨笔帆 +2 位作者 成海峰 赵亮 郭健 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期295-301,共7页
薄膜电阻具有较为精确的电阻值,可用于微波固定衰减器设计。然而随着工作频率的升高,薄膜电阻的寄生参数随之增大,影响固定衰减器的衰减精度及回波性能。本文基于传统微波频段薄膜电阻等效电路模型,提出了一种十四元件等效电路模型。采... 薄膜电阻具有较为精确的电阻值,可用于微波固定衰减器设计。然而随着工作频率的升高,薄膜电阻的寄生参数随之增大,影响固定衰减器的衰减精度及回波性能。本文基于传统微波频段薄膜电阻等效电路模型,提出了一种十四元件等效电路模型。采用Ansys HFSS软件对薄膜电阻进行三维电磁场仿真并提取其S参数,通过S参数曲线拟合,最终确定各元件参数值。仿真结果表明,该等效电路模型在0.1~180.0 GHz可有效表征薄膜电阻的电气特性。在此基础上,采用石英薄膜工艺研制了三款不同衰减值的D波段(110~170 GHz)固定衰减器,并通过在片匹配电路补偿键合金丝和薄膜电阻寄生参量的影响。此外,还设计了波导-微带转换电路,将微带模式转换为标准波导模式进行衰减器性能的测量。测试结果表明,在110~170 GHz频带内,3 dB衰减器的衰减典型值为4 dB,回波损耗大于13.3 dB;6 dB衰减器的衰减典型值为5.5 dB,回波损耗大于11.4 dB;9 dB衰减器的衰减典型值为8 dB,回波损耗大于11.4 dB。研制的固定衰减器可将现有固定衰减器的工作频率拓宽至110 GHz以上,用于信号功率调节及改善器件级间回波的影响。 展开更多
关键词 太赫兹 固定衰减器 石英薄膜工艺 薄膜电阻 等效电路模型
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可配置分段式FFE高速SerDes发送端设计 被引量:2
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作者 张春茗 张得胜 陶保明 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第4期640-645,共6页
基于28 nm CMOS工艺实现56 Gb/s NRZ和112 Gb/s PAM-4双模发送端设计,均衡采用一个数据多路复用架构,支持完全可配置的分段式前向反馈均衡(FFE),终端输出网络采用带有上拉电流源的电流模式逻辑(CML)驱动拓扑结构。关键的电路结构和技术... 基于28 nm CMOS工艺实现56 Gb/s NRZ和112 Gb/s PAM-4双模发送端设计,均衡采用一个数据多路复用架构,支持完全可配置的分段式前向反馈均衡(FFE),终端输出网络采用带有上拉电流源的电流模式逻辑(CML)驱动拓扑结构。关键的电路结构和技术包括:依靠段落分配模块对FFE的段落进行分配,实现抽头权重的粗调;采用预充型1-UI脉冲发生器+4∶1 MUX架构改善带宽;驱动器采用负载端并接电流源提升共模电压和插入T形线圈的方法来扩展输出带宽和提高输出摆幅。仿真结果表明在输出112 Gb/sPAM4情况下眼高为40 mV,56 Gb/s NRZ情况下为130 mV。 展开更多
关键词 分段式FFE 双模发射机 CML驱动 4∶1 MUX
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一种高速SerDes接收端自适应判决反馈均衡器设计 被引量:2
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作者 张帆 朱莹莹 《现代导航》 2024年第5期340-345,共6页
针对高速通信中背板信道非理想特性引入的码间串扰问题,提出了一种增益自适应判决反馈均衡器(DFE)设计方法。该方法采用半速率结构,可在提高码间抗串扰的同时适应高速传输要求。通过引入自适应反馈环路实现最小均方算法(S-SLMS),并根据... 针对高速通信中背板信道非理想特性引入的码间串扰问题,提出了一种增益自适应判决反馈均衡器(DFE)设计方法。该方法采用半速率结构,可在提高码间抗串扰的同时适应高速传输要求。通过引入自适应反馈环路实现最小均方算法(S-SLMS),并根据码间串扰大小自动调整抽头系数以达到最佳均衡效果;采用动态比较器对数据进行采样,在完成正确采样的同时引入尽可能小的延迟。采用5.4 Gbps输入信号进行仿真,结果表明,该均衡器可对加扰的输入信号正确恢复数据,恢复出的眼图宽度为0.91UI,成功消除了2个后标分量,有效消除了码间串扰,DFE整体电路功耗仅17.8 mW。 展开更多
关键词 SERDES 接收端均衡器 高速串行接口 模拟集成电路
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10~18 GHz高精度单片数控移相器设计
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作者 周宏健 蒋乐 +1 位作者 李光超 周睿涛 《电子设计工程》 2024年第9期61-65,共5页
设计了一款10~18 GHz高精度单片6 bit数控移相器芯片,采用的电路结构融合了全通滤波器(APF)、高通滤波器(HPF)和低通滤波器(LPF)型移相结构。采用多个全通滤波器级联的移相结构可以在宽带内实现精准的相位偏移量,但电路结构比较复杂。... 设计了一款10~18 GHz高精度单片6 bit数控移相器芯片,采用的电路结构融合了全通滤波器(APF)、高通滤波器(HPF)和低通滤波器(LPF)型移相结构。采用多个全通滤波器级联的移相结构可以在宽带内实现精准的相位偏移量,但电路结构比较复杂。该设计通过两种方式改进级联全通滤波器型移相结构,一是采用全通-高通网络替代全通网络,二是采用低通网络替代全通网络,可以在保持高移相精度的同时减少电路元件数量,缩小芯片尺寸。使用0.25μm GaAs PHEMT工艺制造移相器芯片,内部集成六位并行驱动器,芯片尺寸为2.7 mm×1.4 mm,测试得到10~18 GHz频段内移相精度(RMS)为2°。 展开更多
关键词 宽带 高精度 砷化镓 数控移相器 全通滤波器
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基于文桥振荡器的高Q带通滤波器的设计 被引量:1
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作者 李永安 曹剑馨 侯婧嫱 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2024年第5期101-104,共4页
从单电阻调谐的文桥振荡器出发,首先导出该振荡器的振荡条件和振荡频率,然后给出了二阶带通滤波器的两种设计方案.第一种设计方案的优点是可以实现极点频率的单电阻调节,第二种方案的优点是极点频率和品质因数可正交调节.两种方案均可... 从单电阻调谐的文桥振荡器出发,首先导出该振荡器的振荡条件和振荡频率,然后给出了二阶带通滤波器的两种设计方案.第一种设计方案的优点是可以实现极点频率的单电阻调节,第二种方案的优点是极点频率和品质因数可正交调节.两种方案均可实现两个带通输出,均可调节电阻使电路振荡,而且振荡条件和振荡频率均可分别调节.通过计算机仿真证实了所设计的电路正确有效. 展开更多
关键词 高Q 带通滤波器 集成运放 文桥振荡器
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基于二阶积分超前补偿器的设计
19
作者 吴世均 《电力电子技术》 2024年第11期41-43,共3页
在电力电子控制系统中,电流属于瞬变快速检测量,需要准确、快速地检测出每个采样点的幅值与相位。然而硬件电路滤波环节会使信号的幅值与相位产生误差,这样会影响锁相精度,使电流环控制不稳定。针对该问题,此处提出基于二阶积分的超前... 在电力电子控制系统中,电流属于瞬变快速检测量,需要准确、快速地检测出每个采样点的幅值与相位。然而硬件电路滤波环节会使信号的幅值与相位产生误差,这样会影响锁相精度,使电流环控制不稳定。针对该问题,此处提出基于二阶积分的超前补偿算法,根据采样电流值来补偿硬件电路带来的幅值衰减与相位滞后,还原真实的电流信息。仿真结果证明在上限截止频率附近的一定频率段内,可以有效减小硬件电路带来的误差。最后将传递函数离散处理,计算出各项参数的权重值,得到可以在程序中实际使用的补偿算法,并在脉宽调制(PWM)整流程序中验证了该算法的正确性。 展开更多
关键词 补偿器 二阶积分 传递函数
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一种MEMS可调光衰减器性能测试及动态响应分析 被引量:10
20
作者 袁野 曹钟慧 +2 位作者 鲍俊峰 邹勇卓 吴兴坤 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期439-442,共4页
一种基于微细电火花加工 (EDM)技术的非硅基MEMS可调光衰减器 ,以电磁线圈驱动微反射镜 本文介绍该器件特性测试及动态响应分析 ,结果表明 ,驱动电压为 0~ 8V ,工作范围 0~35dB ,动态响应时间为 2ms ,插入损耗小于 0 .8dB ,回波损耗... 一种基于微细电火花加工 (EDM)技术的非硅基MEMS可调光衰减器 ,以电磁线圈驱动微反射镜 本文介绍该器件特性测试及动态响应分析 ,结果表明 ,驱动电压为 0~ 8V ,工作范围 0~35dB ,动态响应时间为 2ms ,插入损耗小于 0 .8dB ,回波损耗小于 - 5 0 . 展开更多
关键词 可调光衰减器 电火花加工 动态响应 插入损耗 光纤通信 回波损耗
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