基于0.15μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺,设计了一款小型化、超宽带六位数控移相器。数控移相器芯片工作频率为0.3 GHz~3.0 GHz,尺寸为4.95 mm×2.15 mm。其中...基于0.15μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺,设计了一款小型化、超宽带六位数控移相器。数控移相器芯片工作频率为0.3 GHz~3.0 GHz,尺寸为4.95 mm×2.15 mm。其中5.625°、11.25°和22.5°移相单元均采用单阶磁耦合全通网络内嵌可变电容的结构,45°移相单元采用单刀双掷开关切换不同磁耦合全通网络实现;90°和180°移相单元采用全通网络级联高通滤波结构实现,通过这种混合结构,有效地减小了数控移相器芯片面积。测试结果表明,在工作频率内,数控移相器的插入损耗小于15 dB,移相精度小于4°,移相幅度波动小于±1 dB。展开更多
