基于0.15μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺,设计了一款小型化、超宽带六位数控移相器。数控移相器芯片工作频率为0.3 GHz~3.0 GHz,尺寸为4.95 mm×2.15 mm。其中...基于0.15μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺,设计了一款小型化、超宽带六位数控移相器。数控移相器芯片工作频率为0.3 GHz~3.0 GHz,尺寸为4.95 mm×2.15 mm。其中5.625°、11.25°和22.5°移相单元均采用单阶磁耦合全通网络内嵌可变电容的结构,45°移相单元采用单刀双掷开关切换不同磁耦合全通网络实现;90°和180°移相单元采用全通网络级联高通滤波结构实现,通过这种混合结构,有效地减小了数控移相器芯片面积。测试结果表明,在工作频率内,数控移相器的插入损耗小于15 dB,移相精度小于4°,移相幅度波动小于±1 dB。展开更多
文摘针对移相器和功分器的功能融合设计,提出了一种基于慢波基片集成波导(Slow-Wave Substrate Integrated Waveguide,SW-SIW)的小型化移相功分器,两个输出分支等长带宽,可实现30°相移量.其中一个输出分支通过基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)实现,而另一个输出分支将互补开口谐振环(Complementary SplitRing Resonator,CSRR)加载在上层金属表面,代替传统SIW连续的金属表面,该CSRR由经典CSRR结构演变而来,同时为了降低由CSRR加载所造成的相位上的不稳定,在CSRR内部添加金属化通孔,实现SW-SIW,使得截止频率和相速度降低.测试结果表明,移相功分器在9.0~11.8 GHz频带范围内反射系数|S11|小于-10 d B,相对工作带宽为26.9%,插入损耗小于1.3 d B.两个输出端口的相位差稳定在30°±3°,幅度差小于1.4 d B,实现了等功率分配.所设计的移相功分器具有较小的尺寸和低制造成本,适合应用在相控阵天线中.
