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101.6 mm(4英寸)0.7μm InP HBT工艺及其应用 被引量：3
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作者 戴鹏飞 李征 +4 位作者 戴姜平 常龙 姚靖懿 程伟 任春江 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第4期301-305,共5页
报道了采用多层布线的101.6mm(4英寸)0.7μm InP HBT圆片工艺.器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容.研制得到的0.7μm InPHBT器件电流增益截止频率(fT)为330GHz,最大振... 报道了采用多层布线的101.6mm(4英寸)0.7μm InP HBT圆片工艺.器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容.研制得到的0.7μm InPHBT器件电流增益截止频率(fT)为330GHz,最大振荡频率(fmax)为300GHz,可满足100GHz以下各频段的混频、倍频、放大等微波集成电路以及20GHz以下数模混合集成电路的设计需求. 展开更多
关键词 磷化铟异质结双极晶体管 制造工艺 高集成度 多层布线
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