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基于忆阻电磁辐射的极简环形HNN动力学行为增强研究 被引量:6
1
作者 赖强 秦铭宏 《贵州师范大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期1-11,共11页
忆阻器独特的非线性能够使人工神经网络产生复杂的类脑动力学行为。使用忆阻器描述神经元的外部电磁辐射,在仅含单向突触连接的三节点周期态Hopfield神经网络的基础上构造了一系列含丰富动力学行为的忆阻神经网络(MHNN)。数值分析表明,... 忆阻器独特的非线性能够使人工神经网络产生复杂的类脑动力学行为。使用忆阻器描述神经元的外部电磁辐射,在仅含单向突触连接的三节点周期态Hopfield神经网络的基础上构造了一系列含丰富动力学行为的忆阻神经网络(MHNN)。数值分析表明,当单个或多个忆阻器参数发生改变时,MHNN将产生多样分岔行为和动力学演化过程。在不同初值的作用下,丰富的同构多稳态现象被吸引盆和相图刻画,如周期与周期吸引子、混沌与混沌吸引子。通过调整忆阻耦合强度,在MHNN中还发现了调幅控制行为。此外,借助电子电路实验对MHNN的物理存在性进行了检验。最后,基于MHNN设计了一种新型伪随机数发生器(PRNG),并通过NIST测试验证其优良伪随机性。 展开更多
关键词 忆阻神经网络 多稳态 调幅控制 电路实现
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极简环形忆阻混沌神经网络的动力学分析与同步控制 被引量:4
2
作者 赖强 秦铭宏 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第9期3262-3273,共12页
忆阻器可作为突触引入人工神经网络,提升神经元间连接的合理性,并丰富网络的类脑化动力学行为。该文基于忆阻器提出了一种仅含单向突触连接的极简环形神经网络的混沌化方法,以三节点神经网络为例构造了一类动力学行为丰富且结构简单的... 忆阻器可作为突触引入人工神经网络,提升神经元间连接的合理性,并丰富网络的类脑化动力学行为。该文基于忆阻器提出了一种仅含单向突触连接的极简环形神经网络的混沌化方法,以三节点神经网络为例构造了一类动力学行为丰富且结构简单的忆阻环形神经网络。基于单参数和双参数分岔图以及Lyapunov指数谱,研究了这类网络关于忆阻器耦合强度与内部参数的丰富动力学演化过程,如倍周期分岔与反倍周期分岔。借助相平面图和吸引盆刻画了网络的丰富多稳态行为,如点吸引子与点吸引子、点吸引子与周期吸引子、点吸引子与混沌吸引子。依赖于忆阻器耦合强度的多变量调幅控制行为也被发现和研究。通过电子电路实验检验了所提出网络的物理存在性。此外,针对所提出网络潜在的应用需求,设计了一种新型多幂次趋近律,用于在固定时间内实现混沌同步。数值仿真结果表明了同步策略的可行性与有效性。 展开更多
关键词 忆阻神经网络 多稳态 动力学分析 固定时间同步
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新工科背景下物联网专业电类基础课程与实验内容融合
3
作者 白英良 姜运芳 施艳 《物联网技术》 2025年第14期159-162,共4页
文章旨在研究物联网专业电类课程与实验仿真内容的融合策略,以提升教学质量,培养学生实践能力和创新思维。通过分析“电路原理”“模拟电子技术”及“数字电子技术”三门电类基础课程的教学内容及实验内容,设计了相关课程仿真实验和课... 文章旨在研究物联网专业电类课程与实验仿真内容的融合策略,以提升教学质量,培养学生实践能力和创新思维。通过分析“电路原理”“模拟电子技术”及“数字电子技术”三门电类基础课程的教学内容及实验内容,设计了相关课程仿真实验和课程衔接实验。利用仿真技术,学生可以进行电路设计和仿真实验,不受时间和空间的限制。设计的仿真实验和衔接实验提高了学生的学习兴趣和实践能力,使他们更好地理解了电路的工作原理和特性。同时,这些实验也有助于学生将理论知识与实际应用相结合,提高学以致用的能力。设计的电类课程与实验仿真内容的融合策略具有创新性和实用性以及系统性特征,能够有效提升学生的实践能力和创新思维,为培养新时代工程技术人才提供有力支持。 展开更多
关键词 新工科 仿真实验 课程衔接 工程性实验 电类课程 实践能力
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面向有源配电台区电力设备的太赫兹指纹识别学习方法
4
作者 岳洋 张磐 +1 位作者 吴磊 庞超 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第7期655-662,共8页
为提升对有源台区内海量分布式电力设备的安全管理能力,提出一种面向有源台区的电力设备太赫兹指纹识别防篡改与分簇联邦学习协同方法。首先通过特殊的工艺制作电力设备太赫兹标签,提供物理防伪基础;进而提出一种双分支多模态卷积神经... 为提升对有源台区内海量分布式电力设备的安全管理能力,提出一种面向有源台区的电力设备太赫兹指纹识别防篡改与分簇联邦学习协同方法。首先通过特殊的工艺制作电力设备太赫兹标签,提供物理防伪基础;进而提出一种双分支多模态卷积神经网络识别设备指纹是否存在异常篡改;最后设计了一种分簇联邦学习(FL)训练方法,避免因隐私问题导致的防篡改识别模型的数据难以共享共用,并实现有源台区内多设备太赫兹指纹数据的分布式联合建模与高效协同训练。实验结果表明,本文所提方法的指纹识别精确度达到90%以上,比传统直方图相似度算法识别精确度提升了212%。本文所提方法在提高设备指纹识别精确度、增加训练效率和数据可用不可见等方面均具有显著优势,为电力设备的安全监测及预防攻击提供了新的技术路径。 展开更多
关键词 有源配电台区 太赫兹设备指纹 联邦学习(FL) 设备识别
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推进信息技术领域电子元器件产业高级化的对策建议
5
作者 张驰 黄志华 +1 位作者 余昭杰 吴琴 《电子产品可靠性与环境试验》 2025年第1期109-113,共5页
电子元器件是5G、人工智能、工业互联网、物联网等新型基础设施中信息技术产品必不可少的基础组成单元,是信息技术产业的重要支撑,推动电子元器件产业高级化是打好信息技术产业链现代化攻坚战的必备条件和前提。在界定信息技术领域电子... 电子元器件是5G、人工智能、工业互联网、物联网等新型基础设施中信息技术产品必不可少的基础组成单元,是信息技术产业的重要支撑,推动电子元器件产业高级化是打好信息技术产业链现代化攻坚战的必备条件和前提。在界定信息技术领域电子元器件产业高级化的内涵和主要特征的基础上,初步分析了我国信息技术领域电子元器件产业高级化的已有基础与面临的挑战,并借鉴了部分世界发达国家提升工业基础能力的经验,给出了推进我国信息技术领域电子元器件产业高级化的对策建议。 展开更多
关键词 新型基础设施 信息技术 电子元器件 产业基础高级化
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国内外电子元器件数据资源建设研究
6
作者 纪婧如 温玉琴 +2 位作者 林长苓 毕锦栋 迟宸 《电子质量》 2025年第6期113-117,共5页
在当前装备信息化、数字化的背景下,电子元器件数据资源发挥着日益重要的作用。加快电子元器件数据资源建设,充分挖掘数据潜在价值,实现数据资源的交互共享和高效利用,将是大势所趋。在分析国内外不同数据资源平台在运营模式、数据构成... 在当前装备信息化、数字化的背景下,电子元器件数据资源发挥着日益重要的作用。加快电子元器件数据资源建设,充分挖掘数据潜在价值,实现数据资源的交互共享和高效利用,将是大势所趋。在分析国内外不同数据资源平台在运营模式、数据构成和应用效果等方面的建设情况的基础上,对国内外数据资源建设现状与差距进行了研究探讨,并从数据管理、数据规范和数据应用3个方面初步提出了建设举措,为国内电子元器件数据资源建设提供了借鉴。 展开更多
关键词 电子元器件 数据资源平台 装备信息化 数据信息
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一类新型混沌系统的动力学分析及电路设计
7
作者 代文鹏 何娜 +2 位作者 栾泰珍 田辉辉 陈恒 《河南科技》 2025年第8期4-9,共6页
【目的】为探究平方项及余弦项对Liu混沌系统的动力学影响,对Liu混沌系统进行了非线性项重构。【方法】利用Matlab软件对所构造的新混沌系统进行系统耗散性及平衡点稳定性分析。为研究参数对系统的影响,利用相图、分岔图及Lyapunov指数... 【目的】为探究平方项及余弦项对Liu混沌系统的动力学影响,对Liu混沌系统进行了非线性项重构。【方法】利用Matlab软件对所构造的新混沌系统进行系统耗散性及平衡点稳定性分析。为研究参数对系统的影响,利用相图、分岔图及Lyapunov指数图对系统参数进行动态过程分析。为实现数学模型转换为物理实际应用模型,通过加法器、乘法器、线性电阻及电容构成系统混沌电路,利用电容一阶状态特性进行微分方程的模拟。【结果】该系统为耗散系统,平衡点为不稳定点,并且具有周期、混沌变化的复杂特性,能够在特定区间内的特定参数下实现系统混沌复杂度的递增。同时,Multisim软件的运行结果表明,所设计的混沌电路与理论结果一致,验证了混沌电路的可实现性。【结论】该系统在特定高复杂度区间更有利于图像混沌加密。 展开更多
关键词 耗散系统 动态分析 混沌电路 电容一阶状态
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忆阻神经网络吸引子偏移共存行为在图像加密中的应用
8
作者 代文鹏 宋丽 +2 位作者 栾泰珍 郭明恩 陈恒 《廊坊师范学院学报(自然科学版)》 2025年第3期71-81,共11页
设计峰值电压控制型忆阻器的电路及数学模型,结合Hopfi eld神经网络突触信号传递特点,将忆阻器融合到该神经网络中,并应用DNA图像加密算法,增强图像加密的安全性。为研究该系统的动力学特性,利用混沌分析方法研究系统的基本动力学行为,... 设计峰值电压控制型忆阻器的电路及数学模型,结合Hopfi eld神经网络突触信号传递特点,将忆阻器融合到该神经网络中,并应用DNA图像加密算法,增强图像加密的安全性。为研究该系统的动力学特性,利用混沌分析方法研究系统的基本动力学行为,得出系统受参数及初值影响较大,系统参数不仅影响分岔函数幅值及开口裕度,具有零点吸引偏移能力及吸引子共存行为,还能调控分岔图局部放大,具有同质或异质共存吸引子行为。系统初值能够使系统产生助推偏移,当初值较大时仍具有稳定的共存混沌吸引子区,有效地扩展了密匙空间。为确保加密图像的安全性,在共存混沌吸引子区间与DNA图像加密算法相结合,实现了图像的混合加密。最后,对加密图像进行了仿真与分析,仿真结果与理论结果一致,进一步验证了该系统能够有效地提升图像加密性能。 展开更多
关键词 忆阻器 神经网络 图像加密
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一类含有正弦项的Liu混沌系统的分数阶分析及同步控制
9
作者 代文鹏 陈恒 +2 位作者 沈敏 李勇兴 焦方桐 《温州大学学报(自然科学版)》 2025年第4期25-36,共12页
主要研究了Liu混沌系统的复合正弦项、平方项、分数阶情形、数学模型电路及耦合同步过程.以正弦Liu混沌系统为研究对象,通过Adomian分解法对分数阶系统进行分解,在混沌条件下,采用相平面法得到混沌相图,采用R-H判据、分岔图及Lyapunov... 主要研究了Liu混沌系统的复合正弦项、平方项、分数阶情形、数学模型电路及耦合同步过程.以正弦Liu混沌系统为研究对象,通过Adomian分解法对分数阶系统进行分解,在混沌条件下,采用相平面法得到混沌相图,采用R-H判据、分岔图及Lyapunov指数对系统稳定性及动力学行为进行数学分析,利用链型阻容分抗电路及0.95阶次传递函数近似得出混沌电路并进行Multisim仿真,根据非线性分解及Lyapunov原理设计了耦合同步控制器.结果表明,系统对参数及阶次具有敏感性,混沌电路及同步控制器是可以实现的. 展开更多
关键词 分数阶 ADOMIAN分解法 动力学行为
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电子元器件的贮存可靠性及评价技术 被引量:20
10
作者 杨丹 恩云飞 黄云 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期61-64,共4页
综述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,分析了元器件贮存失效模式及原因,表明减少元器件自身缺陷、改善固有可靠性是提高其贮存可靠性的关键。并从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存... 综述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,分析了元器件贮存失效模式及原因,表明减少元器件自身缺陷、改善固有可靠性是提高其贮存可靠性的关键。并从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析。 展开更多
关键词 电子技术 贮存可靠性 综述 长期贮存试验 极限应力试验 加速贮存寿命试验
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Sn晶须的形态机制 被引量:8
11
作者 郝虎 董文兴 +2 位作者 史耀武 夏志东 雷永平 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期308-314,共7页
将稀土相CeSn3与ErSn3暴露于空气中,研究在时效处理过程中稀土相表面Sn晶须的形态机制。结果表明:时效过程中在稀土相表面出现的绝大多数Sn晶须均是具有恒定截面的规则Sn晶须;同时也发现少数特殊形态的不规则Sn晶须,如卷曲状的Sn晶须、... 将稀土相CeSn3与ErSn3暴露于空气中,研究在时效处理过程中稀土相表面Sn晶须的形态机制。结果表明:时效过程中在稀土相表面出现的绝大多数Sn晶须均是具有恒定截面的规则Sn晶须;同时也发现少数特殊形态的不规则Sn晶须,如卷曲状的Sn晶须、变截面的Sn晶须、分枝及搭接的Sn晶须等;由于稀土相的氧化所产生的体积膨胀提供Sn晶须生长的驱动力,而稀土相的氧化极不均匀,因此,认为Sn晶须在生长过程中其根部受力状态的改变是导致特殊形态Sn晶须出现的根本原因。 展开更多
关键词 无铅钎料 稀土 SN晶须 形态
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SnAgCuCe/Er无铅钎料表面锡晶须的形态及特性 被引量:10
12
作者 郝虎 李广东 +1 位作者 史耀武 雷永平 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期25-28,共4页
在Sn-3.8Ag-0.7Cu无铅钎料中添加1%(质量分数)的稀土铈或铒会在其内部形成尺寸较大的稀土相CeSn3和ErSn3.暴露于空气中的CeSn3和ErSn3将发生氧化,同时在其表面会出现锡晶须的快速生长现象.文中研究了稀土相CeSn3与ErSn3表面锡晶须的生... 在Sn-3.8Ag-0.7Cu无铅钎料中添加1%(质量分数)的稀土铈或铒会在其内部形成尺寸较大的稀土相CeSn3和ErSn3.暴露于空气中的CeSn3和ErSn3将发生氧化,同时在其表面会出现锡晶须的快速生长现象.文中研究了稀土相CeSn3与ErSn3表面锡晶须的生长行为.结果表明,在CeSn3与ErSn3表面形成了大量的传统圆柱状锡晶须,同时,在其表面还出现了一些特殊形态的锡晶须,如带纹状的锡晶须、扭曲状的锡晶须、变截面的锡晶须、锡晶须的分枝、合并及搭接现象等. 展开更多
关键词 SnAgCu合金 稀土 锡晶须 形貌特征
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Sn-3.8Ag-0.7Cu-1.0Er无铅钎料中Sn晶须变截面生长现象 被引量:6
13
作者 郝虎 史耀武 +3 位作者 夏志东 雷永平 郭福 李晓延 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期199-203,共5页
在Sn-3.8Ag-0.7Cu无铅钎料中添加质量分数为1%的稀土Er会在其内部形成尺寸较大的稀土相ErSn_3.暴露于空气中ErSn_3将发生氧化,同时在其表面会出现Sn晶须的快速生长现象.室温时效条件下,在氧化的ErSn_3表面会生长出少量的杆状Sn晶须,Sn... 在Sn-3.8Ag-0.7Cu无铅钎料中添加质量分数为1%的稀土Er会在其内部形成尺寸较大的稀土相ErSn_3.暴露于空气中ErSn_3将发生氧化,同时在其表面会出现Sn晶须的快速生长现象.室温时效条件下,在氧化的ErSn_3表面会生长出少量的杆状Sn晶须,Sn晶须的截面尺寸会发生连续变化;高温时效条件下,在氧化的ErSn_3表面会生长出大量的针状Sn晶须,Sn晶须的截面尺寸会发生阶梯式变化.提出了ErSn_3氧化过程中体积应变能是一个变量的模型,可以解释观察到的现象. 展开更多
关键词 无铅钎料 稀土 SN晶须 变截面
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单分子器件电子输运性质的理论研究 被引量:9
14
作者 武晓君 李群祥 +1 位作者 黄静 杨金龙 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第F08期995-1002,共8页
对当前单分子器件的理论和实验的研究进展作了简短评述,并简要介绍电子输运理论,最后给出一个基于非平衡态格林函数电子输运理论的全自洽方法,研究单个水分子在Au(111)电极之间的输运性质的计算实例.研究结果表明由于水分子与电极之间... 对当前单分子器件的理论和实验的研究进展作了简短评述,并简要介绍电子输运理论,最后给出一个基于非平衡态格林函数电子输运理论的全自洽方法,研究单个水分子在Au(111)电极之间的输运性质的计算实例.研究结果表明由于水分子与电极之间存在较强的杂化作用,水分子的分立能级间距大,在小偏压范围内,水分子的特征已经被淹没在杂化能级之中.体系的电势变化主要发生在水分子局域区间,其电子输运行为主要是一个单通道过程. 展开更多
关键词 分子器件 电子结构 输运性质
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忆阻突触耦合Hopfield神经网络的初值敏感动力学 被引量:16
15
作者 陈墨 陈成杰 +1 位作者 包伯成 徐权 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第4期870-877,共8页
该文报道了3神经元Hopfield神经网络(HNN)在电磁感应电流作用下的初值敏感动力学。利用非理想忆阻突触,模拟由两个相邻神经元膜电位之差引起的电磁感应电流,构建了一种简单的4维忆阻Hopfield神经网络模型。借助理论分析和数值仿真,分析... 该文报道了3神经元Hopfield神经网络(HNN)在电磁感应电流作用下的初值敏感动力学。利用非理想忆阻突触,模拟由两个相邻神经元膜电位之差引起的电磁感应电流,构建了一种简单的4维忆阻Hopfield神经网络模型。借助理论分析和数值仿真,分析了不同忆阻突触耦合强度下的复杂动力学行为,揭示了与状态初值密切相关的特殊动力学行为。最后,设计了该忆阻HNN的模拟等效实现电路,并由PSIM电路仿真验证了MATLAB数值仿真的正确性。 展开更多
关键词 非理想忆阻突触 HOPFIELD神经网络 状态初值 数值仿真
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Bi含量对Cu/Sn-0.3Ag-0.7Cu/Cu微焊点蠕变性能的影响 被引量:5
16
作者 姚宗湘 罗键 +3 位作者 尹立孟 王刚 蒋德平 夏文堂 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期2545-2551,共7页
采用光学显微镜、电子显微镜和动态力学分析等方法研究Bi含量对直径为400μm、高度为200μm的无铅Cu/Sn-0.3Ag-0.7Cu(SAC0307)/Cu微尺度焊点的显微组织及蠕变性能的影响。结果表明:当焊点中Bi含量较低(1%(质量分数))时,其基体组织细小,C... 采用光学显微镜、电子显微镜和动态力学分析等方法研究Bi含量对直径为400μm、高度为200μm的无铅Cu/Sn-0.3Ag-0.7Cu(SAC0307)/Cu微尺度焊点的显微组织及蠕变性能的影响。结果表明:当焊点中Bi含量较低(1%(质量分数))时,其基体组织细小,Cu_6Sn_5为粗大块状,Ag_3Sn分布不均匀;当焊点中Bi含量较多(3%(质量分数))时,基体组织与Cu_6Sn_5进一步细化,Ag_3Sn在细化的同时分布更均匀,界面扇贝状IMC层更平直。另外,温度为80~125℃、应力为8~15 MPa条件下,拉伸蠕变试验得到SAC0307微焊点的蠕变激活能(Q)和蠕变应力指数(n)分别为82.9 k J/mol和4.35;当钎料中Bi含量由1.0%增加到3.0%时,焊点的Q值从89.2 k J/mol增加到94.6 k J/mol,n值由4.48增加到4.73,钎焊接头的抗蠕变能力明显提高,所有焊点的蠕变变形机制主要受位错攀移控制。 展开更多
关键词 电子封装 低银无铅钎料 微焊点 蠕变 力学性能
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整流器件热分析及其风冷散热器的仿真研究 被引量:16
17
作者 程鹏 兰海 罗耀华 《计算机仿真》 CSCD 北大核心 2011年第11期275-278,共4页
研究整流器优化散热结构设计问题,对电力变换装置小型化和高功率密度要求越来越严格,功率器件散热技术研究和分析变得尤为重要,针对散热器结构散热性差,影响工作的稳定性。为了能够直观和准确地获得散热器温度场的分布特性,根据传热理... 研究整流器优化散热结构设计问题,对电力变换装置小型化和高功率密度要求越来越严格,功率器件散热技术研究和分析变得尤为重要,针对散热器结构散热性差,影响工作的稳定性。为了能够直观和准确地获得散热器温度场的分布特性,根据传热理论建立了整流器件散热的物理模型,采用了热分析方法(有限元法),应用ANSYS软件对风冷散热器温度场进行了数值计算。计算中考虑了整流器件在风冷散热器上的整体布局,着重对两种肋片形状的风冷散热器进行了仿真,结果对比两种风冷散热器的传热效果。给出了风冷散热器优化设计后的实际结构,为散热优化提供了参考。 展开更多
关键词 整流器件 风冷散热器 热分析 有限元 温度场
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Sn-3Ag-0.5Cu/Ni微焊点多次回流焊后IMC厚度及组织分析 被引量:6
18
作者 刘超 孟工戈 +1 位作者 孙凤莲 谷柏松 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期67-69,共3页
采用Sn-Ag-Cu焊球(直径200,300,400和500μm),镀Ni盘,研究1,3,5次回流焊条件下焊点的IMC厚度及显微组织与焊球尺寸间的关系。结果表明:对于同一尺寸的焊球,随着回流焊次数的增加,IMC的厚度增大,形状由平直状逐渐过渡为体钎料一侧凹凸不... 采用Sn-Ag-Cu焊球(直径200,300,400和500μm),镀Ni盘,研究1,3,5次回流焊条件下焊点的IMC厚度及显微组织与焊球尺寸间的关系。结果表明:对于同一尺寸的焊球,随着回流焊次数的增加,IMC的厚度增大,形状由平直状逐渐过渡为体钎料一侧凹凸不平;在同一回流焊次数下,随着焊球尺寸的增大,IMC厚度减小,形貌相对没有明显差别。IMC的组成成分随着Ni向体钎料方向的不断扩散而从Sn、Ag、Cu合金变成Sn、Ag、Cu、Ni合金,其主要组成部分为(Cu,Ni)6Sn5。 展开更多
关键词 无铅钎料 尺寸效应 金属间化合物 Sn—Ag—Cu 回流焊 焊点
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无铅微焊点的热效应仿真及可靠性分析 被引量:4
19
作者 胡家兴 景博 +2 位作者 汤巍 盛增津 孙超姣 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第3期81-84,共4页
采用Anand模型描述无铅焊点(SAC305)的力学性能,运用有限元法模拟球栅阵列封装在温度循环载荷下的应力应变响应并对其进行分析,着重对关键焊点的应变能进行了讨论。结果表明,关键焊点的关键区域出现在焊点的上表面边缘处,为最容易出现... 采用Anand模型描述无铅焊点(SAC305)的力学性能,运用有限元法模拟球栅阵列封装在温度循环载荷下的应力应变响应并对其进行分析,着重对关键焊点的应变能进行了讨论。结果表明,关键焊点的关键区域出现在焊点的上表面边缘处,为最容易出现损坏的部位,并得到了实验的验证;在温度循环的过程中,升温阶段塑性应变产生速率远高于高温驻留阶段的塑性应变产生速率,极大地影响着焊点使用寿命。 展开更多
关键词 温度循环 无铅微焊点 应力 塑性应变 应变能 可靠性
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无铅焊点在热疲劳和电迁移作用下的组织演变 被引量:4
20
作者 郝虎 何洪文 +2 位作者 马立民 宋永伦 郭福 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期60-62,70,共4页
研究了Cu/Sn-58Bi/Cu焊点接头在室温和55℃下通电过程中阴极和阳极界面处微观组织的演变,电流密度均采用104A/cm2。结果表明,室温条件下通电达到25 d,Bi原子由阴极向阳极发生了扩散迁移,在阳极界面处形成了厚度约22.4μm的均匀Bi层,而... 研究了Cu/Sn-58Bi/Cu焊点接头在室温和55℃下通电过程中阴极和阳极界面处微观组织的演变,电流密度均采用104A/cm2。结果表明,室温条件下通电达到25 d,Bi原子由阴极向阳极发生了扩散迁移,在阳极界面处形成了厚度约22.4μm的均匀Bi层,而阴极出现了Sn的聚集。加载55℃通电2 d后,焊点发生了熔融,阴极界面处形成了厚度为34.3μm的扇贝状IMC,而阳极界面IMC的厚度仅为9.7μm。在IMC层和钎料基体之间形成了厚度约7.5μm的Bi层,它的形成阻碍了Sn原子向阳极界面的扩散迁移,进而阻碍了阳极界面IMC的生长,导致了异常极化效应的出现。 展开更多
关键词 无铅焊点 微观组织 热疲劳 电迁移
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