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无电容器嵌入的忆阻神经元电路的动力学与能耗分析
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作者 郭群 徐莹 《物理学报》 北大核心 2026年第1期172-183,共12页
神经形态计算的硬件实现,正从传统架构转向对生物神经元内在物理机制的更精细模拟.聚焦于电场-磁场能量交换这一核心过程,本文提出一种基于荷控忆阻器的无电容嵌入式神经元电路设计方法.通过构建无量纲动力学方程并采用雅可比矩阵特征... 神经形态计算的硬件实现,正从传统架构转向对生物神经元内在物理机制的更精细模拟.聚焦于电场-磁场能量交换这一核心过程,本文提出一种基于荷控忆阻器的无电容嵌入式神经元电路设计方法.通过构建无量纲动力学方程并采用雅可比矩阵特征值分析,验证了该模型的稳定性特征.研究结果表明,该模型不仅可通过外界刺激、反转电位及离子通道导通性等参数灵活调控神经元放电模式,还展现出良好的噪声鲁棒性与能量效率.进一步通过电阻参数优化策略,使电路能耗得到显著控制.本文可为发展高集成度、低能耗的下一代神经形态计算电路提供理论支撑与设计参考. 展开更多
关键词 忆阻神经元电路 稳定性分析 相干共振 能耗控制
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氧空位浓度梯度分布的非晶WO_(3)模拟忆阻器在神经形态计算中的应用
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作者 王红军 张苗 +3 位作者 张云飞 王鑫 周静 朱媛媛 《物理学报》 北大核心 2026年第4期312-324,共13页
非晶三氧化钨(a-WO_(3))材料因其高浓度氧空位、适中的带隙以及与互补金属氧化物半导体技术的兼容性,成为非易失性电阻开关忆阻器的理想候选材料.然而,a-WO_(3)忆阻器在模拟开关行为上的低效表现,阻碍了其在高效神经计算领域的应用,而... 非晶三氧化钨(a-WO_(3))材料因其高浓度氧空位、适中的带隙以及与互补金属氧化物半导体技术的兼容性,成为非易失性电阻开关忆阻器的理想候选材料.然而,a-WO_(3)忆阻器在模拟开关行为上的低效表现,阻碍了其在高效神经计算领域的应用,而神经计算方式能够满足人工智能等数据密集型应用日益增长的需求.本研究通过在介质层中设计氧空位(V_(O))梯度分布结构,成功实现了a-WO_(3)忆阻器的模拟开关功能.采用V_O梯度分布结构的器件展现出高度可靠的模拟开关特性,其特点包括:低周期间波动性、较高的线性增强/抑制过程、超长数据保持时间(>10^(4)s)以及自限流特性.基于该结构忆阻器的人工神经网络实现了97.64%的手写数字识别准确率.此外,我们提出了一种导电细丝演化方案,通过形成非锥形导电细丝防止其突然形成和断裂,实现了可控的渐进式多级电导调制.这些研究成果确定了V_(O)梯度分布的a-WO_(3)忆阻器作为高密度神经计算平台的潜力,为设计优化实验方案提供了宝贵思路和实用策略. 展开更多
关键词 忆阻器 模拟电阻开关 非晶 WO_(3) 氧空位 神经形态计算
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基于局部纳米点调控的类突触非晶态MoS_(2)/TiO_(2)忆阻器
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作者 朱媛媛 张云飞 +2 位作者 王鑫 张苗 王红军 《物理学报》 北大核心 2026年第4期334-343,共10页
忆阻器作为新一代非易失性存储器,可应用于神经形态计算等新型计算范式.TiO_(2)材料因其高介电常数与热稳定性被广泛应用于忆阻器的功能层,然而TiO_(2)基忆阻器仍存在稳定性较差及模拟性能欠优等瓶颈.本文引入非晶态的二维材料MoS_(2)(a... 忆阻器作为新一代非易失性存储器,可应用于神经形态计算等新型计算范式.TiO_(2)材料因其高介电常数与热稳定性被广泛应用于忆阻器的功能层,然而TiO_(2)基忆阻器仍存在稳定性较差及模拟性能欠优等瓶颈.本文引入非晶态的二维材料MoS_(2)(a-MoS_(2))与非晶态TiO_(2)(a-TiO_(2))构建了异质结结构,获得了超200次循环、高数据保持时间(>10^(4)s)的模拟忆阻器.此外,W/a-MoS_(2)/a-TiO_(2)/Pt器件可通过控制扫描电压实现多级电导调制功能,通过导电机制拟合分析构建了一种基于局部纳米点诱导的导电细丝形成及断裂的物理开关模型,分析了器件实现多级电导调制的物理机制.最后,在W/a-MoS_(2)/a-TiO_(2)/Pt器件上实现了长时程增强与抑制功能.本文设计构建了W/a-MoS_(2)/a-TiO_(2)/Pt异质结结构,为过渡金属氧化物基忆阻器性能改进与应用提供了有效方案. 展开更多
关键词 忆阻器 异质结结构 非晶态 MoS_(2) 神经形态计算
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宽带多频射频理论与技术
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作者 陈锡炼 刘元安 +2 位作者 周润华 于翠屏 苏明 《电子科技大学学报》 北大核心 2026年第1期49-64,共16页
无线移动通信系统的多业务并行趋势导致频率碎片化和射频电路通道数指数级上升,射频电路多频技术已经成为关键难点。该文报告了课题组在宽带多频带理论与方法方面的研究进展,以及相应射频器件的发展路线。首先回顾了多频阻抗匹配理论方... 无线移动通信系统的多业务并行趋势导致频率碎片化和射频电路通道数指数级上升,射频电路多频技术已经成为关键难点。该文报告了课题组在宽带多频带理论与方法方面的研究进展,以及相应射频器件的发展路线。首先回顾了多频阻抗匹配理论方法,总结了双频实阻抗、恒定复阻抗以及频变复阻抗这3种情形的匹配方法;在此基础上,进一步介绍了多频无源器件,包括滤波器、功分器、耦合器、天线的设计与电路实现,以及多频有源放大电路设计及其精简线性化方法。目前,双频电路设计和电路构建覆盖了全部有源无源电路,频率间隔在2~3个倍频程以上,双频累计带宽已达1.1 GHz,三频电路设计和电路构建进展明显,实现了多种典型三频有源无源电路。最后,对未来多频带射频技术的发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 宽带多频 射频电路 阻抗匹配 无源器件 有源器件
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分数阶忆阻桥式串扰耦合HR-FN神经元的动力学研究
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作者 宋润 陈玲 +1 位作者 李传东 曾晓洋 《物理学报》 北大核心 2026年第3期84-101,共18页
近年来,基于忆阻器的突触串扰模拟研究虽取得显著进展,但现有模型仍多采用单一忆阻器结构,难以同时有效表征兴奋性与抑制性突触连接,也无法充分捕捉生物神经元的记忆效应与非局部特征.为此,本文提出一种分数阶忆阻桥突触串扰耦合模型,... 近年来,基于忆阻器的突触串扰模拟研究虽取得显著进展,但现有模型仍多采用单一忆阻器结构,难以同时有效表征兴奋性与抑制性突触连接,也无法充分捕捉生物神经元的记忆效应与非局部特征.为此,本文提出一种分数阶忆阻桥突触串扰耦合模型,通过融合Hindmarsh-Rose(HR)与FitzHugh-Nagumo(FN)神经元,构建新型基于分数阶微积分的8维异质耦合神经网络模型—分数阶忆阻桥式串扰耦合神经网络(FMBCCNN).该模型的核心创新在于引入分数阶忆阻桥结构,兼具历史记忆特性与突触权重的双向调控能力,突破了传统耦合形式的约束.本文系统分析了传统与非均匀分数阶条件下,突触强度与串扰强度对放电活动的影响,借助时间序列、相图、分岔图与李雅普诺夫指数等多种方法,揭示了系统丰富的动力学行为,包括吸引子共存、倍周期分岔和混沌危机等现象.同时模拟了分数阶导数变化的影响,为神经元放电现象提供了更广义的表征.最终,将该系统生成的混沌序列应用于基于位平面分解与DNA编码的图像加密算法中.安全性分析表明,图像加密后水平、垂直和对角三个方向上的像素相关性皆远小于0.01,信息熵达到7.999以上,密钥空间为22080,因此所提方法与序列具备良好的加密性能与可靠性. 展开更多
关键词 忆阻桥 突触串扰 分数阶异质神经网络 非线性动力学
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SPI阈值智能优化算法
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作者 韩玉信 陈金锤 +2 位作者 罗海波 任磊 孙磊 《电子工艺技术》 2026年第1期54-58,共5页
随着电子产品微型化、高密度集成化的发展趋势,印制电路板(PCB)设计复杂度持续提升,对SMT锡膏印刷的工艺要求也日趋严苛。当前产线普遍依赖焊膏检测设备(Solder Paste Inspection,SPI)来拦截和管控印刷缺陷,然而,SPI阈值参数的确定主要... 随着电子产品微型化、高密度集成化的发展趋势,印制电路板(PCB)设计复杂度持续提升,对SMT锡膏印刷的工艺要求也日趋严苛。当前产线普遍依赖焊膏检测设备(Solder Paste Inspection,SPI)来拦截和管控印刷缺陷,然而,SPI阈值参数的确定主要依赖于工程经验,缺乏基于数据的科学分析,导致相对于最终加工结果的“漏检”或“误报”。鉴于此,提出一种基于工业大数据分析的SPI阈值智能设定方法,旨在优化锡膏印刷质量管控体系。 展开更多
关键词 印刷质量控制 SPI阈值 高斯核密度估计 遗传算法
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基于传感器偏差校正的风道式电加热器高温预警系统设计
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作者 荆波 《电子设计工程》 2026年第4期73-78,共6页
为精准掌握风道式电加热器的运行状态,避免加热器因长时间高温运行而损坏,设计基于传感器偏差校正的风道式电加热器高温预警系统。该系统通过分析风道式电加热器温度场变化特性,判断高温影响因素;采集风道式电加热器温度数据,校正传感... 为精准掌握风道式电加热器的运行状态,避免加热器因长时间高温运行而损坏,设计基于传感器偏差校正的风道式电加热器高温预警系统。该系统通过分析风道式电加热器温度场变化特性,判断高温影响因素;采集风道式电加热器温度数据,校正传感器误差;通过网络层将数据传送至应用层,判断温度结果是否超过允许的温度上限值,进行不同等级的预警。测试结果显示,传感器偏差校正后温度数据采集偏差在0~2℃之间,不同工况下的温度平均绝对误差均低于1.25℃,能够有效预测加热器的温度变化趋势。 展开更多
关键词 传感器 偏差校正 风道式 电加热器 高温预警 周期校正
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Electrosynthesis and Memristive Properties of Metallopolymers with Distinct D-π Hybridizations
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作者 Jing Li Yong-Fang Li +1 位作者 Ling-Yun Shen Xuan Pang 《Chinese Journal of Polymer Science》 2026年第2期381-388,I0010,共9页
D-π hybridization is a key structural feature that may significantly affect the intrinsic electronic properties of metallopolymers.Herein,we present the electrosynthesis and memristive properties of metallopolymers u... D-π hybridization is a key structural feature that may significantly affect the intrinsic electronic properties of metallopolymers.Herein,we present the electrosynthesis and memristive properties of metallopolymers using the distinct d-π hybridization monomers R_(1) and R_(2).R_(1)(Ru^(Ⅱ)-(tpz)Cl_(2))features tetradentate ligands(tpz,6,6'-di(1H-pyrazol-1-yl)-2,2'-bipyridine)enforcing quasi-octahedral geometry;R_(2)(Ru^(Ⅱ)-(bpp)_(2))incorporates tridentate ligands(bpp,2,6-di(1H-pyrazol-1-yl)pyridine)inducing pronounced geometric distortion.The planar ligand(tpz)in R_(1) facilitates ordered molecular assembly through high conformational rigidity and extensive π-π stacking,resulting in increased molecular densities and enhanced morphological uniformity compared to R_(2) metallopolymers.Due to pyrazole’s weaker π-acceptance and strongerσ-donation compared to pyridine,R_(1) exhibits a 119 nm red-shift in metal-to-ligand charge transfer(MLCT)band and a 30 mV anodic shift in Ru^(+2/+3)redox potential relative to R_(2).Coupled with a reduced HOMO-LUMO gap,the uniform and ordered structure leads to a lower conductance decay constant in R_(1).Additionally,R_(2) metallopolymers exhibit superior memristive performance(characterized by lower switching voltage and higher switching ratio)via redox-induced aromatic transitions in axial ligands enhancing electronic delocalization.This work compares two metallopolymers with different ligand geometries,revealing how this difference leads to distinct charge transport and memristive behaviors. 展开更多
关键词 METALLOPOLYMERS D-πhybridization Charge transport ELECTROSYNTHESIS Resistive switching
原文传递
片式钽电容器浪涌电压失效机理分析
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作者 田超 王凤华 +2 位作者 王鹏飞 胡鹏 邓俊涛 《电子工艺技术》 2026年第1期33-36,共4页
通过试验测试与理论分析相结合,研究了片式钽电容器在浪涌电压作用下的失效行为。结果表明,片式钽电容器Ta2O5介质层在焊装等温度变化过程引起的热胀冷缩机械应力作用下缺陷部位生长扩大,耐压降低,瞬态浪涌电压作用时缺陷部位由于耐压... 通过试验测试与理论分析相结合,研究了片式钽电容器在浪涌电压作用下的失效行为。结果表明,片式钽电容器Ta2O5介质层在焊装等温度变化过程引起的热胀冷缩机械应力作用下缺陷部位生长扩大,耐压降低,瞬态浪涌电压作用时缺陷部位由于耐压和绝缘强度低而闪火击穿,在回路大电流持续作用下电容器介质层雪崩击穿而短路失效。因此,片式钽电容器使用时应严格控制焊装工艺,防止过高应力损伤电容器;制造时应提高电容器结构稳定性,增强抗应力能力。 展开更多
关键词 片式钽电容器 浪涌电压 失效机理 机械应力 闪火击穿
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Mechanical Properties Analysis of Flexible Memristors for Neuromorphic Computing
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作者 Zhenqian Zhu Jiheng Shui +1 位作者 Tianyu Wang Jialin Meng 《Nano-Micro Letters》 2026年第1期53-79,共27页
The advancement of flexible memristors has significantly promoted the development of wearable electronic for emerging neuromorphic computing applications.Inspired by in-memory computing architecture of human brain,fle... The advancement of flexible memristors has significantly promoted the development of wearable electronic for emerging neuromorphic computing applications.Inspired by in-memory computing architecture of human brain,flexible memristors exhibit great application potential in emulating artificial synapses for highefficiency and low power consumption neuromorphic computing.This paper provides comprehensive overview of flexible memristors from perspectives of development history,material system,device structure,mechanical deformation method,device performance analysis,stress simulation during deformation,and neuromorphic computing applications.The recent advances in flexible electronics are summarized,including single device,device array and integration.The challenges and future perspectives of flexible memristor for neuromorphic computing are discussed deeply,paving the way for constructing wearable smart electronics and applications in large-scale neuromorphic computing and high-order intelligent robotics. 展开更多
关键词 Flexible memristor Neuromorphic computing Mechanical property Wearable electronics
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永磁同步电机自适应无差拍预测电流控制
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作者 郭盛坤 侯波 《电子测量技术》 北大核心 2026年第1期133-145,共13页
永磁同步电机无差拍预测电流控制具有动态响应快、稳态性能好和易于数字实现的特点。但是,当电机参数不匹配时,传统无差拍预测电流控制存在电流稳态误差大的问题。为此,本文提出了一种永磁同步电机自适应无差拍预测电流控制方法,降低了... 永磁同步电机无差拍预测电流控制具有动态响应快、稳态性能好和易于数字实现的特点。但是,当电机参数不匹配时,传统无差拍预测电流控制存在电流稳态误差大的问题。为此,本文提出了一种永磁同步电机自适应无差拍预测电流控制方法,降低了不匹配参数对电流控制性能的影响。首先,所提方法将电阻、电感和磁链的参数摄动统一视为扰动,并结合自适应控制设计了一种dq轴扰动自适应律。在此基础上,通过扰动自适应律对扰动进行在线估计并在传统无差拍预测电流控制器中进行扰动补偿,有效降低了不匹配参数对传统无差拍预测电流控制的不利影响。其次,通过离散李雅普诺夫稳定性理论对所提控制方法进行了稳定性证明,并采用经典控制理论确定了扰动自适应增益的取值。最后,仿真与实验结果表明,所设计的扰动自适应律能够快速、准确的估计扰动;与传统无差拍预测电流控制相比,所提控制方法有效抑制了不匹配参数对电流动态性能和稳态误差的影响,降低了电流的总谐波失真。 展开更多
关键词 永磁同步电机 无差拍预测电流控制 扰动自适应 参数不匹配
原文传递
基于离散忆阻器的复值混沌系统动力学分析及其在双图像加密中的应用
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作者 邓全利 王春华 杨港 《物理学报》 北大核心 2026年第1期195-209,共15页
设计新型混沌系统能够丰富加密系统的候选资源,是基于混沌加密安全性的重要途径.离散忆阻器因其固有的非线性特性与电路友好特性,为构建新型混沌系统提供了有效途径.然而,其在复值离散混沌系统中的应用仍有待探索.为此,本文构建了一种... 设计新型混沌系统能够丰富加密系统的候选资源,是基于混沌加密安全性的重要途径.离散忆阻器因其固有的非线性特性与电路友好特性,为构建新型混沌系统提供了有效途径.然而,其在复值离散混沌系统中的应用仍有待探索.为此,本文构建了一种基于离散忆阻器的复高斯混沌模型,其中忆阻器由复数模长驱动.通过李雅普诺夫指数、分岔图和相图等数值仿真分析,验证了该系统具有增强的混沌特性.同时,在FPGA数字平台上实现了该模型的硬件部署,证明其硬件可行性.基于该模型生成的复值混沌序列,本文进一步设计了一种双图像加密方案,将两幅图像视为复数矩阵的实部和虚部,通过混沌序列进行置乱和扩散操作.仿真结果表明,该加密方案具有高安全性,能够抵抗多种攻击. 展开更多
关键词 离散忆阻器 复值混沌 FPGA 双图像加密
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倒角参数对InSb晶片倒角边缘质量的影响
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作者 郝舒琪 董涛 +2 位作者 赵超 折伟林 王小龙 《电子工艺技术》 2026年第1期17-19,24,共4页
InSb材料性质软脆,InSb晶片边缘质量对后续加工成品率影响显著,倒角工艺参数是影响晶片边缘质量的关键因素。对比了内圆、多线两种切割工艺切割的InSb晶片在倒角后的边缘质量差异,并对不同参数下多线切晶片的倒角边缘进行了显微观察,分... InSb材料性质软脆,InSb晶片边缘质量对后续加工成品率影响显著,倒角工艺参数是影响晶片边缘质量的关键因素。对比了内圆、多线两种切割工艺切割的InSb晶片在倒角后的边缘质量差异,并对不同参数下多线切晶片的倒角边缘进行了显微观察,分析了倒角进给量、吸盘转速、吸盘直线速度、砂轮转速等倒角参数对倒角边缘质量的影响机制,确定了适用于2英寸InSb晶片倒角工艺的最佳参数组合,为提高后续加工成品率及实现晶片加工工程化奠定基础。 展开更多
关键词 锑化铟晶片 倒角参数 倒角质量 砂轮转速
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基于双阶时空交叉卷积Transformer的三维人体姿态估计方法 被引量:1
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作者 邹宇 周先春 +1 位作者 潘志庚 蔡创新 《电子测量与仪器学报》 北大核心 2025年第9期159-171,共13页
在三维人体姿态估计领域,尽管基于Transformer的方法已取得显著进展,但在处理大规模关节亲和力矩阵,尤其是动态视频序列分析时,依然面临显著的计算挑战。为此,提出一种双阶时空交叉卷积Transformer模型(dual-stage spatio-temporal conv... 在三维人体姿态估计领域,尽管基于Transformer的方法已取得显著进展,但在处理大规模关节亲和力矩阵,尤其是动态视频序列分析时,依然面临显著的计算挑战。为此,提出一种双阶时空交叉卷积Transformer模型(dual-stage spatio-temporal convolutional transformer, DSTCFormer),旨在高效融合时空信息并提升三维姿态估计的精度与鲁棒性。通过并行时空路径设计、卷积强化注意力机制及结构驱动的位置编码技术,解决现有方法在处理长时序视频时计算效率低、时空特征建模不足的问题。在空间路径中,提出卷积位置嵌入模块,通过局部邻域卷积显式建模人体骨骼拓扑结构;在时间路径中,设计轴向特异性自注意力机制,捕捉跨帧关节运动轨迹。引入卷积多尺度注意力(convolutional multi-scale attention, CMSA)模块,结合深度可分离卷积与特征变换层,实现多尺度时空特征的交叉融合。此外,通过逐步细化关节间时空依赖关系,降低计算开销。实验表明,在Human3.6M数据集上,DSTCFormer以243帧输入取得P1协议下40.1 mm的平均关节位置误差,较PoseFormer、MixSTE和STCFormer分别降低4.1、0.8和0.4 mm;在MPI-INF-3DHP数据集上,PCK@150 mm和曲线下面积(AUC)分别达到99.1%和85.2%,较基准模型提升0.8 mm误差优势。提出的方法为三维人体姿态估计提供了高效的理论框架,并为虚拟现实、人机交互等应用奠定了技术基础。 展开更多
关键词 人体姿态估计 TRANSFORMER 时空信息关联 关节点间运动
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基于5G技术的农田环境参数采集系统设计
15
作者 周维广 李薇 +1 位作者 燕振刚 薛淏 《电子设计工程》 2026年第1期175-180,共6页
为解决传统农田环境参数采集系统在数据传输、实时性以及无线通信信道抗干扰等方面存在的诸多挑战,设计了一套基于5G技术的农田环境参数采集系统。该系统以香橙派3B为计算核心,搭载多种农业传感器,实现了对农田温湿度、光照、二氧化碳... 为解决传统农田环境参数采集系统在数据传输、实时性以及无线通信信道抗干扰等方面存在的诸多挑战,设计了一套基于5G技术的农田环境参数采集系统。该系统以香橙派3B为计算核心,搭载多种农业传感器,实现了对农田温湿度、光照、二氧化碳浓度、土壤状况(温湿度、电导率、pH)等关键参数的实时采集和预处理。得益于5G网络的高速传输和低延迟特性,数据被高效同步至服务器。此外,系统引入光伏供电方案,实现了能源的自给自足,降低了长期运行成本。系统测试表明,其能够有效提升数据采集的实时性和准确性,可以为农业生产提供更加精准的数据支持,进而提高农业生产效率。 展开更多
关键词 5G技术 物联网 环境参数采集 香橙派3B 农业信息化
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某星载处理单机热设计及优化
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作者 王恒远 张先锋 冯明扬 《机电信息》 2026年第1期36-39,共4页
随着科学技术的飞速发展,电子元器件的尺寸越来越小,但功耗却越来越大。在太空环境中,电子设备的散热只有导热和辐射两种途径,因此大功耗的发热器件如何有效散热成为制约航天载荷性能发挥的瓶颈。某星载处理单机作为卫星载荷的重要单机... 随着科学技术的飞速发展,电子元器件的尺寸越来越小,但功耗却越来越大。在太空环境中,电子设备的散热只有导热和辐射两种途径,因此大功耗的发热器件如何有效散热成为制约航天载荷性能发挥的瓶颈。某星载处理单机作为卫星载荷的重要单机之一,其作用是对卫星载荷数据进行有效处理并下传至地面,其性能的好坏影响着卫星载荷工作性能的发挥。鉴于此,针对该星载处理单机发热量较大、散热需求强烈等问题,在对该单机进行散热分析的理论基础上,通过结构设计改进和传热路径优化来保证热量的高效传输,并给出了热设计方案和优化措施,同时对比了采用均温板技术对单机温度的影响情况。仿真结果表明,通过结构优化或采用均温板技术均可有效控制器件温度。所提设计方案对于同类型单机的热设计具有一定的参考和借鉴意义。 展开更多
关键词 热设计 电子设备 均温板
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IC卡载带基材的IEC标准及其解读
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作者 冯椿婷 刘申兴 《印制电路信息》 2026年第1期42-46,共5页
介绍国际电工委员会(IEC) 2023年5月发布的IEC 61249-2-51标准《印制电路板及其他互连结构用材料第2-51部分:覆铜箔或不覆铜箔基材集成电路卡(IC卡)载带用非覆铜箔基材》,包括该标准从开始至最终发布的关键工作节点、注意事项,以及内容... 介绍国际电工委员会(IEC) 2023年5月发布的IEC 61249-2-51标准《印制电路板及其他互连结构用材料第2-51部分:覆铜箔或不覆铜箔基材集成电路卡(IC卡)载带用非覆铜箔基材》,包括该标准从开始至最终发布的关键工作节点、注意事项,以及内容的具体解读。以此向电子电路行业技术人员提供有关IEC国际标准化经验,以期助力读者更好地理解回弹力方法,以便更精准地使用该标准。 展开更多
关键词 国际标准化 载带 基材
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“微电子器件辐照效应研究”专题前言
18
作者 韩郑生 韩建伟 陈睿 《微电子学》 北大核心 2025年第1期F0002-F0002,F0003,共2页
电子器件抗辐射加固技术作为守护大国重器的“隐形铠甲”,是确保航天器、核设施等关键装备在极端辐射环境中可靠运行的关键技术。这项融合微电子学、材料科学、核科学与空间物理等多学科交叉技术,自上世纪80年代程开甲院士开创以来,始... 电子器件抗辐射加固技术作为守护大国重器的“隐形铠甲”,是确保航天器、核设施等关键装备在极端辐射环境中可靠运行的关键技术。这项融合微电子学、材料科学、核科学与空间物理等多学科交叉技术,自上世纪80年代程开甲院士开创以来,始终与国防重大战略部署紧密相连。随着深空探测、核能设施建设及智能工业的快速发展,器件和电路系统面临着宇宙射线、核反应堆泄漏粒子、高能加速器等复杂辐射环境的挑战日益严峻。 展开更多
关键词 微电子学 材料科学 抗辐射加固技术
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基于忆阻器的新型混沌系统的动力学、周期轨道及其在图像加密中的应用
19
作者 徐一丹 董成伟 《物理学报》 北大核心 2026年第2期238-254,共17页
由于忆阻器具有独特的非线性特性和记忆效应,基于忆阻器的混沌系统成为目前研究的热点.然而,关于忆阻混沌系统不稳定周期轨道的研究目前较少.本文通过引入三角函数忆阻器改进三维混沌系统,构建了一个新型四维忆阻混沌系统.通过Lyapunov... 由于忆阻器具有独特的非线性特性和记忆效应,基于忆阻器的混沌系统成为目前研究的热点.然而,关于忆阻混沌系统不稳定周期轨道的研究目前较少.本文通过引入三角函数忆阻器改进三维混沌系统,构建了一个新型四维忆阻混沌系统.通过Lyapunov指数、庞加莱截面、相图、时域波动图对系统进行动力学行为分析.针对变分法在寻找可靠圈猜想受限的问题,创新性地提出了一种基于三角函数物理特性的优化策略.通过该优化策略,结合符号动力学对新系统的不稳定周期轨道进行了系统分析,并进一步采用自适应反步法控制已知轨道的稳定性.对新系统混沌序列进行美国国家标准技术研究院测试,发现该序列具有良好的伪随机性,适用于图像加密算法的应用.设计了基于新系统的图像加密算法,忆阻混沌系统的应用显著提高了密钥空间和密钥敏感性,增强了图像加密的安全性.算法首先通过红、绿、蓝三个通道之间的跨平面置乱对彩色图像像素首次置乱,随后进行单平面的二次置乱,充分改变图像像素.算法采用异或运算进行扩散,其像素数变化率和统一平均变化强度的平均值表明其具有强大的差分攻击能力.此外,通过直方图、相关性、抗剪切攻击及运行时间等测试验证其可靠性.最后,通过数字信号处理器验证了实验结果与数值分析结果的一致性. 展开更多
关键词 混沌系统 忆阻器 周期轨道 图像加密
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双层堆叠SIP封装工艺在隔离DC/DC变换器中的应用
20
作者 王玉宝 宋义雄 《电讯技术》 北大核心 2026年第1期148-151,共4页
随着电子设备的小型化和高功率密度的发展,传统板级封装的隔离DC/DC变换器面临体积较大、散热效率低、集成度不足等瓶颈。针对传统封装工艺的局限性,提出了一种双层堆叠的系统级封装方案,利用再布线层技术,通过多次塑封、研磨等方法,将... 随着电子设备的小型化和高功率密度的发展,传统板级封装的隔离DC/DC变换器面临体积较大、散热效率低、集成度不足等瓶颈。针对传统封装工艺的局限性,提出了一种双层堆叠的系统级封装方案,利用再布线层技术,通过多次塑封、研磨等方法,将控制芯片、功率芯片、磁性元件等关键器件集成,形成双层堆叠结构。试验样品测试结果表明,封装尺寸仅为7 mm×7 mm×5.09 mm,功率密度达到328 W/in 3(1 in≈2.54 cm)。相较于传统双层板级封装尺寸(12.7 mm×12.7 mm×10.8 mm),封装面积缩小了69.6%,体积缩小了85.7%,功率密度提高了近6倍,满载效率最高可达82.9%。该方案为实现隔离DC/DC变换器小型化集成提供了一种解决思路。 展开更多
关键词 隔离DC/DC变换器 双层堆叠 SIP封装
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