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题名高压DDDMOS的设计及优化
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作者
游淑民
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机构
集美大学信息工程学院
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出处
《三明学院学报》
2018年第4期39-46,共8页
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基金
福建省教育厅科技项目(JAT170322)
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文摘
通过Silvaco TCAD软件,对DDDMOS进行工艺仿真,形成漂移区长度为2μm的DDDMOS器件结构;在这个基本结构上,通过减小gate尺寸来缩小整个DDDMOS器件面积,同时改变结深和漂移区的浓度来提高DDDMOS的击穿电压。最终的分析和仿真结果得到gate尺寸为2μm,结深为2.3μm,漂移区浓度为3e15cm-3的DDDMOS器件结构,并且其击穿电压达到26.3V,阈值电压为1.2V。其耐压达到了22V以上。本文中所研究的参数具有对原有工艺的兼容性,因此成果可应用于实际工艺中。
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关键词
高压DDDMOS
resurf技术
击穿电压
优化
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Keywords
high voltage DDDMOS
resurf technology
breakdown voltage
optimization
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分类号
TN586.1
[电子电信]
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