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OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀 被引量：1
1
作者 敖金平 曾庆明 +4 位作者 赵永林 李献杰 蔡克理 梁春广 刘式墉 《半导体情报》 1999年第1期47-49,共3页
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的光响应度可达到０．５Ａ／Ｗ，... 试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的光响应度可达到０．５Ａ／Ｗ，ＨＥＭＴ器件最大跨导为３０５ｍＳ／ｍｍ，最大饱和电流密度为３５０ｍＡ／ｍｍ。完成了实现ＯＥＩＣ光接收机的关键一步。 展开更多
关键词 MSM OEIC 选择腐蚀 光接收机 光电子集成电路
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量子光电子集成电路（OEIC）用材料工艺技术
2
作者 片山良史 江涛 《红外》 CAS 1992年第3期22-26,共5页
关键词 光电子 集成电路 半导体 单晶 工艺
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