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梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响
1
作者
李宝珠
黄振
+4 位作者
邓高强
董鑫
张源涛
张宝林
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期780-785,共6页
采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(Al_xGa_(1-x)N:x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍射、原子力显微镜...
采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(Al_xGa_(1-x)N:x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和拉曼光谱对氮化镓外延层进行表征。实验结果表明,随着氮化镓外延层中张应力的降低,样品的晶体质量、表面形貌和光学质量都有显著提高。在最优的梯度铝镓氮缓冲层的生长条件下,氮化镓外延层中的应力值最小,氮化镓(0002)和(1012)面的摇摆曲线半峰宽分别为191 arcsec和243 arcsec,薄膜螺位错密度和刃位错密度分别为7×10~7cm^(-2)和3.1×108cm^(-2),样品表面粗糙度为0.381 nm。这说明梯度铝镓氮缓冲层可以改变氮化镓外延层的应力状态,显著提高氮化镓外延层的晶体质量。
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关键词
氮化镓
梯度铝镓氮缓冲层
晶体质量
应力
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职称材料
HfO_2薄膜的光致发光谱与激发谱
被引量:
7
2
作者
王营
赵元安
+2 位作者
贺洪波
邵建达
范正修
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期1104-1107,共4页
利用电子束蒸发和自动晶控技术制备了氧化铪薄膜,并对薄膜进行了退火处理。通过光致发光(PL)光谱、光致发光激发谱(PLE)和X射线衍射(XRD)等测试对HfO_2薄膜进行表征,研究了退火对HfO_2薄膜结构及发光特性的影响。室温下对薄膜进行了光...
利用电子束蒸发和自动晶控技术制备了氧化铪薄膜,并对薄膜进行了退火处理。通过光致发光(PL)光谱、光致发光激发谱(PLE)和X射线衍射(XRD)等测试对HfO_2薄膜进行表征,研究了退火对HfO_2薄膜结构及发光特性的影响。室温下对薄膜进行了光致发光光谱测试发现存在4个发射峰,退火后的样品发光强度明显增强。对薄膜的激发谱测试发现激发谱与发射谱之间存在着斯托克斯位移。在退火处理后,X射线衍射表明薄膜的取向性和结晶度都明显提高,但是薄膜的激光损伤阈值(LIDT)没有变化。
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关键词
薄膜
氧化铪薄膜
光致发光与激发谱
X射线衍射
结构缺陷
激光损伤阈值
原文传递
题名
梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响
1
作者
李宝珠
黄振
邓高强
董鑫
张源涛
张宝林
杜国同
机构
集成光电子国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期780-785,共6页
基金
国家自然科学基金(61274023
61106003
+6 种基金
61376046
61674068)
国家重点研发计划(2016YFB0400103)
吉林省科技发展计划(20130204032GX
20150519004JH
20160101309JC)
教育部新世纪人才计划(NCET13-0254)资助项目~~
文摘
采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(Al_xGa_(1-x)N:x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和拉曼光谱对氮化镓外延层进行表征。实验结果表明,随着氮化镓外延层中张应力的降低,样品的晶体质量、表面形貌和光学质量都有显著提高。在最优的梯度铝镓氮缓冲层的生长条件下,氮化镓外延层中的应力值最小,氮化镓(0002)和(1012)面的摇摆曲线半峰宽分别为191 arcsec和243 arcsec,薄膜螺位错密度和刃位错密度分别为7×10~7cm^(-2)和3.1×108cm^(-2),样品表面粗糙度为0.381 nm。这说明梯度铝镓氮缓冲层可以改变氮化镓外延层的应力状态,显著提高氮化镓外延层的晶体质量。
关键词
氮化镓
梯度铝镓氮缓冲层
晶体质量
应力
Keywords
GaN
step-graded AlGaN buffer
crystallinity
stress
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TN484.4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
HfO_2薄膜的光致发光谱与激发谱
被引量:
7
2
作者
王营
赵元安
贺洪波
邵建达
范正修
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期1104-1107,共4页
文摘
利用电子束蒸发和自动晶控技术制备了氧化铪薄膜,并对薄膜进行了退火处理。通过光致发光(PL)光谱、光致发光激发谱(PLE)和X射线衍射(XRD)等测试对HfO_2薄膜进行表征,研究了退火对HfO_2薄膜结构及发光特性的影响。室温下对薄膜进行了光致发光光谱测试发现存在4个发射峰,退火后的样品发光强度明显增强。对薄膜的激发谱测试发现激发谱与发射谱之间存在着斯托克斯位移。在退火处理后,X射线衍射表明薄膜的取向性和结晶度都明显提高,但是薄膜的激光损伤阈值(LIDT)没有变化。
关键词
薄膜
氧化铪薄膜
光致发光与激发谱
X射线衍射
结构缺陷
激光损伤阈值
Keywords
thin films
hafnia thin films
photoluminescence and photoluminescence excitation
X-ray diffraction
structure defect
laser-induced damage threshold
分类号
TN484.41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响
李宝珠
黄振
邓高强
董鑫
张源涛
张宝林
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
HfO_2薄膜的光致发光谱与激发谱
王营
赵元安
贺洪波
邵建达
范正修
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
7
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