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VLSIC用AlN封装的金属化及元件设计 被引量:2
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作者 田民波 梁彤翔 《半导体情报》 1997年第3期18-23,共6页
为满足超大规模集成电路的要求,人们对AlN陶瓷封装进行了大量的研究。通过实际考察材料的性能和结构设计。
关键词 氮化铝 陶瓷 封装 引线框架 VLSIC 金属化
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自对准硅化物/硅结构中的杂质扩散
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作者 Marc Wittmer 宋湘云 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第3期59-64,共6页
现代的微电子器件,在重掺杂的硅材料上的自对准结构中采用过渡金属。在硅化物生成期间或生成之后的热处理可能使作基础的硅层中的杂质浓度发生很大的变化。本文讨论了自对准硅化物结构中的各种扩散机理及其对器件性能的影响。
关键词 集成电路 硅化物 硅结构 杂质 扩散
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VLSI的电迁移及其微测试技术
3
作者 张安康 《电子器件》 CAS 1993年第2期67-75,共9页
本文叙述了VLSI的性质,讨论了电迁移的微测试技术,包括噪声测试快速评估电迁移.标准晶片级电迁移加速试验,互连接触孔的电迁移检测以及应用标准测试结构控制金属膜的电迁移.
关键词 电迁移 微测试技术 集成电路 设计 引线 VLSI
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陶瓷外壳封装的高引线数(VLSI的自动铝丝楔焊键合) 被引量:1
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作者 郭大琪 《微电子技术》 1996年第5期17-21,16,共6页
关键词 陶瓷外壳封装 封装 VLSI 引线技术
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