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钽舟真空蒸发制备高纯金属、合金和硅化物薄膜及其在大规模集成电路中的应用
1
作者
张一平
徐元森
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989年第1期47-51,共5页
本文提出以纯钽舟为电阻加热器真空蒸发高纯度Al、Cr、Si、Ti、Al-Si、TiSi等薄膜的方法,测定了这些薄膜的性质.证明钽舟蒸发薄膜具有投资省、操作简单、控制方便、产品沾污少、纯度高等优点,适合于大规模集成电路的研制.
关键词
钽舟
真空蒸发
薄膜
集成电路
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题名
钽舟真空蒸发制备高纯金属、合金和硅化物薄膜及其在大规模集成电路中的应用
1
作者
张一平
徐元森
机构
中国科学院上海冶金研究所
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989年第1期47-51,共5页
文摘
本文提出以纯钽舟为电阻加热器真空蒸发高纯度Al、Cr、Si、Ti、Al-Si、TiSi等薄膜的方法,测定了这些薄膜的性质.证明钽舟蒸发薄膜具有投资省、操作简单、控制方便、产品沾污少、纯度高等优点,适合于大规模集成电路的研制.
关键词
钽舟
真空蒸发
薄膜
集成电路
分类号
TN470.591 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
钽舟真空蒸发制备高纯金属、合金和硅化物薄膜及其在大规模集成电路中的应用
张一平
徐元森
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989
0
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