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Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响 被引量：2
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作者 张永 李成 +4 位作者 赖虹凯 陈松岩 康俊勇 成步文 王启明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期479-482,共4页
制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0... 制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。 展开更多
关键词 锗硅合金 异质结双极型晶体管 锗组分 直流特性
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