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基于谐波调谐的C波段高效率GaN HEMT功率放大器
1
作者 李俊敏 刘英坤 +1 位作者 李通 蔡道民 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期289-295,共7页
为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配,导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题,基于0.25μm GaN HEMT工艺,对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容... 为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配,导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题,基于0.25μm GaN HEMT工艺,对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容形成T型匹配网络来提升输入阻抗,以HEMT输出端键合线和瓷片电容分别作为电感和电容进行串联,使HEMT输出端对二次谐波短路,控制器件的电压和电流波形,提高放大器的漏极效率。管壳外部利用微带线进行阻抗变换,将输入输出阻抗匹配到50Ω。经测试,GaN HEMT功率放大器在5.8 GHz下饱和输出功率、漏极效率和功率增益分别为48.7 dBm、72%和11.3 dB。 展开更多
关键词 谐波阻抗匹配 漏极效率 GAN HEMT 功率放大器
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基于MEMS工艺的高性能小型化开关滤波器组研制
2
作者 侯茂辉 谢书珊 《微波学报》 北大核心 2025年第4期61-66,共6页
为满足日益增长的微波电子系统小型化需求,文中介绍了一种小型化四通道高性能X波段硅基开关滤波器的工程实现。根据开关滤波器的工作原理和研制要求,优先选择使用FET集成开关,通过软件仿真实现了4组MEMS滤波器版图设计。利用MEMS三维异... 为满足日益增长的微波电子系统小型化需求,文中介绍了一种小型化四通道高性能X波段硅基开关滤波器的工程实现。根据开关滤波器的工作原理和研制要求,优先选择使用FET集成开关,通过软件仿真实现了4组MEMS滤波器版图设计。利用MEMS三维异构集成工艺技术,突破了传统开关滤波器平面设计技术,将开关滤波器的4组MEMS滤波器分别放置于上下多层堆叠的晶圆中,通过多层晶圆中的TSV孔实现射频信号的传输和处理,充分利用产品的三维空间实现了双层MEMS滤波器的叠加设计,大大减少了开关滤波器的面积,同时滤波器、开关芯片电路及传输线的屏蔽腔设计也极大改善了通道间隔离度,同时体积、重量均缩小至传统开关滤波器模块的百分之一量级。 展开更多
关键词 开关滤波器 硅基MEMS 三维异构集成 高性能小型化
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一种兼顾修复成品率和效率的微波模块修复方法
3
作者 白志宁 夏维娟 +1 位作者 胡媛 王平 《空间电子技术》 2025年第2期121-126,共6页
航天科技不断发展,使得宇航微波模块产品不断向小型化、轻量化发展。硅铝结构管壳因结构复杂、质地硬脆等特点组装过程存在较大风险,组装或调测中器件修复极易造成管壳或周边器件的损伤。文章分析了星载微波模块产品的修复工况和修复难... 航天科技不断发展,使得宇航微波模块产品不断向小型化、轻量化发展。硅铝结构管壳因结构复杂、质地硬脆等特点组装过程存在较大风险,组装或调测中器件修复极易造成管壳或周边器件的损伤。文章分析了星载微波模块产品的修复工况和修复难点,设计专用修复工装,改进修复工具的适用性以及修复垫片的应用,总结出一种兼顾修复成品率和效率的修复技术,在实际的修复过程中得以实施验证,从而降低修复风险,有效地提高了修复效率和质量。 展开更多
关键词 微波模块 修复成品率 效率 硅铝 修复工装
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MEMS电容式加速度计抗冲击研究进展
4
作者 吴健 谢国芬 熊壮 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第10期1089-1106,共18页
微机电系统(MEMS)惯性加速度计是微电子惯性导航器件中一类重要的器件,在当前无控弹药制导化升级的过程中具有较为广泛的应用前景,但对弹载加速度计等器件的抗高过载技术研究成为制约其快速发展的主要技术瓶颈之一。MEMS电容式加速度计... 微机电系统(MEMS)惯性加速度计是微电子惯性导航器件中一类重要的器件,在当前无控弹药制导化升级的过程中具有较为广泛的应用前景,但对弹载加速度计等器件的抗高过载技术研究成为制约其快速发展的主要技术瓶颈之一。MEMS电容式加速度计属于结构型的传感器,在弹药发射的高过载动态环境测量中表现良好。本文回顾了从火炮发射环境的研究到MEMS传感器失效机理的相关模型与实验探究的发展历程,并对国内外目前MEMS电容式加速度计的抗高过载的研究现状、先进研究单位与产品进行简介,并提出了基于气体压膜阻尼效应的抗高过载封装设计方法,最后总结了当前适用于MEMS电容式加速度计抗高过载设计的方法,以期对提高MEMS电容式加速度计的抗高过载特性的研究现状有全面认识。 展开更多
关键词 微机电系统 电容式加速度计 抗冲击 结构设计
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基于玻璃通孔互连技术的集成无源器件发展
5
作者 刘晓贤 廖立航 朱樟明 《电子与封装》 2025年第7期35-43,共9页
基于硅通孔的三维集成技术虽然能够提高数据传输带宽与集成度,并且在尺寸、兼容性、性能等方面具有突出优点,但也面临着高频损耗大、工艺成本高等重大挑战,因此非常有必要探索基于新的基板材料的毫米波电路与系统集成技术。玻璃或石英... 基于硅通孔的三维集成技术虽然能够提高数据传输带宽与集成度,并且在尺寸、兼容性、性能等方面具有突出优点,但也面临着高频损耗大、工艺成本高等重大挑战,因此非常有必要探索基于新的基板材料的毫米波电路与系统集成技术。玻璃或石英材料能克服硅基板的高频损耗等缺陷,是当前较理想的基板材料。与硅基板相比,玻璃基板作为低介绝缘体,可直接与金属导体接触而不需要绝缘的隔离介质层,其工艺复杂度与成本显著降低,高频电学特性更加稳定,热膨胀系数与硅基板相似,在与硅基芯片键合时产生的热应力较小,进而降低了翘曲、焊点失效等问题,提高了三维封装的可靠性,因此基于玻璃转接板的毫米波集成无源器件(IPD)在保持低成本的同时还能够实现良好的电学特性。介绍了国内基于玻璃通孔技术的三维集成无源器件发展情况,以及随着玻璃通孔技术的发展和孔径尺寸的减小,寄生参数对信号传输的影响。 展开更多
关键词 玻璃通孔 三维集成 集成无源器件 射频前端
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X波段50 W GaAs限幅低噪声放大器MMIC的一体化设计
6
作者 朱宝石 张翔 +1 位作者 周鑫 崔璐 《通讯世界》 2025年第9期30-32,共3页
针对高耐功率、低噪声的工程需求,基于4英寸(1英寸=2.54 cm)亚微米栅砷化镓(GaAs)二极管(positive-intrinsic-negative, PIN)与赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,p HEMT)工艺,研制了一款X波段... 针对高耐功率、低噪声的工程需求,基于4英寸(1英寸=2.54 cm)亚微米栅砷化镓(GaAs)二极管(positive-intrinsic-negative, PIN)与赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,p HEMT)工艺,研制了一款X波段限幅低噪声放大器单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)。通过限幅器与低噪声放大器的一体化设计实现MMIC的低噪声、高耐功率。测试结果显示,在8 GHz~12 GHz,线性增益大于29 dB,噪声系数小于1.2 dB。 展开更多
关键词 X波段 GaAs PIN+pHEMT 限幅低噪声放大器 一体化设计 低噪声
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Ku频段四波束收发SiP模块研制
7
作者 杜明 何海卓 +4 位作者 赵亮 周太富 李颖凡 罗鑫 熊文毅 《固体电子学研究与进展》 2025年第4期26-33,共8页
提出了一种高集成度的4通道四波束收发系统级封装(System-in-package,SiP)模块。该SiP模块工作频率为14.5~16.5 GHz,半双工工作,内部集成发射功率放大、接收低噪声信号放大、幅相控制、四波束无源网络等功能。使用AlN陶瓷基板配合金属... 提出了一种高集成度的4通道四波束收发系统级封装(System-in-package,SiP)模块。该SiP模块工作频率为14.5~16.5 GHz,半双工工作,内部集成发射功率放大、接收低噪声信号放大、幅相控制、四波束无源网络等功能。使用AlN陶瓷基板配合金属围框、盖板实现良好气密,并采用双面开腔方式,实现高密三维集成。为了验证研究结果,对该SiP模块进行了加工、测试,测试结果表明,在工作频带内,接收增益(含四波束网络的理论分配损耗)≥25 dB,噪声系数≤3.2 dB,发射输出功率≥25.5 dBm,质量约4 g,可以广泛应用于多波束收发组件前端。 展开更多
关键词 多波束 高集成度 系统级封装(SiP) 陶瓷封装 收发组件
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一种紧凑型毫米波IPD片上滤波功分器
8
作者 沈光煦 徐鹏涵 +1 位作者 冯文杰 车文荃 《微波学报》 北大核心 2025年第4期51-55,60,共6页
针对毫米波片上滤波电路所面临的大尺寸与高损耗问题,文中提出一种基于外部品质因素以及MIM电容加载的小型化片上滤波功分器。文中提出由两种集总电容和分布式传输线电感构成的片上谐振器,实现结构小型化,并基于输入外部品质因数提出小... 针对毫米波片上滤波电路所面临的大尺寸与高损耗问题,文中提出一种基于外部品质因素以及MIM电容加载的小型化片上滤波功分器。文中提出由两种集总电容和分布式传输线电感构成的片上谐振器,实现结构小型化,并基于输入外部品质因数提出小型化滤波功分器拓扑。为提高滤波功分器的输出隔离,文中提出基于复数阻抗和表面波抑制条带的高隔离电路结构。最后,基于砷化镓衬底的集成无源器件(IPD)工艺设计一款两路等功分28 GHz片上滤波功分器,插入损耗仅为0.9 dB(不考虑功分),尺寸仅为0.7 mm^(2),全频段输出隔离大于17 dB。 展开更多
关键词 集成无源器件 毫米波 片上 滤波器 功分器
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射频电路封装设计与工艺实现方法研究
9
作者 苏德志 王岑 詹兴龙 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第1期34-39,共6页
通信技术与社会发展息息相关,射频电路推动了通信技术的硬件水平,并已成为射频系统研究的热点之一。射频电路与数字电路的区别在封装技术方面也有区别,本文以封装设计和工艺实现方法为研究对象,从射频电路基本原理、封装设计方法和工艺... 通信技术与社会发展息息相关,射频电路推动了通信技术的硬件水平,并已成为射频系统研究的热点之一。射频电路与数字电路的区别在封装技术方面也有区别,本文以封装设计和工艺实现方法为研究对象,从射频电路基本原理、封装设计方法和工艺实现三个方面展开,介绍了射频电路封装的发展现状、技术需求和工艺路线,对射频电路的封装具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 无线通信 射频电路 封装工艺 键合工艺
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基于拓扑推衍的电网调控全局故障检测方法
10
作者 刘阳 李云鹏 +2 位作者 李典 王小旻 葛昭 《电子设计工程》 2025年第7期72-75,80,共5页
电网系统由较多设备、线路和节点组成,存在多种不同类型的故障,受谐波能量影响,无法精准检测故障电流。为此,提出基于拓扑推衍的电网调控全局故障检测方法。建立邻接矩阵用来描述拓扑推衍过程的元件、保护和断路器之间的映射关系,根据... 电网系统由较多设备、线路和节点组成,存在多种不同类型的故障,受谐波能量影响,无法精准检测故障电流。为此,提出基于拓扑推衍的电网调控全局故障检测方法。建立邻接矩阵用来描述拓扑推衍过程的元件、保护和断路器之间的映射关系,根据端口连接特性,构建全局故障检测结构。以电网调控全局电流和谐波能量在故障前后的变化幅值为故障特征,基于拓扑推衍原理,判别电网调控全局故障。通过实验结果可知,该方法检测三种故障类型下的电流值变化范围分别是-0.5~0.5 kA、-3~3 kA和-10~1.5 kA,与实际值仅存在最大为0.5 kA的误差,能够精准检测故障。 展开更多
关键词 拓扑推衍 电网调控 全局故障 全局电流 谐波能量
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宇航用微波高硅铝管壳激光封焊工艺优化研究
11
作者 王毅 刘帅 +3 位作者 雷杰 党作红 赵鹏森 高杨涛 《航天制造技术》 2025年第2期50-57,共8页
本文针对高硅铝微波管壳激光封焊工艺进行优化与机理讨论,通过单因素试验和正交试验对各工艺参数进行优化,并通过SEM、EDS、金相测试和氦质谱检漏仪进行性能表征。结果表明,硅铝激光焊接熔池深度主要受峰值功率影响,而熔池宽度主要受脉... 本文针对高硅铝微波管壳激光封焊工艺进行优化与机理讨论,通过单因素试验和正交试验对各工艺参数进行优化,并通过SEM、EDS、金相测试和氦质谱检漏仪进行性能表征。结果表明,硅铝激光焊接熔池深度主要受峰值功率影响,而熔池宽度主要受脉冲宽度影响,得到最佳工艺参数:峰值功率为2.4 kW、脉冲宽度为5 ms、脉冲频率为20 Hz、焊接速度为100 mm/min;离焦方式为负离焦,离焦量为4 mm;脉冲波形为“预热-保温-缓冷”波形,封焊后管壳漏率为6.49×10^(-10)Pa·m^(3)/s,并对管壳进行温度循环、稳态湿热、稳态振动和温度冲击等环境试验后,漏率仍小于1×10^(-9)Pa·m^(3)/s,满足国军标要求。实现高硅铝合金良好封焊的机理为:最佳封焊工艺控制了熔池中脆性Si相晶粒的长大,分布细小均匀的Si颗粒使得焊缝具有良好的韧性与强度,从而避免焊接裂纹的产生。 展开更多
关键词 高硅铝管壳 激光焊接 工艺优化 气密性 封焊机理
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X波段60 W高功率高效率功率放大器设计
12
作者 徐舒 豆兴昆 +1 位作者 方志明 谭小媛 《电子技术应用》 2025年第8期93-97,共5页
基于0.25μm栅长的GaN HEMT工艺,设计了一款8~12 GHz 60 W高功率放大器。该芯片的末级输出端功率合成网络在Bus-bar总线型的基础上添加并联LC到地枝节,达到优化各路平衡度的目的,在实现高功率输出的同时使芯片整体结构紧凑且易于匹配。... 基于0.25μm栅长的GaN HEMT工艺,设计了一款8~12 GHz 60 W高功率放大器。该芯片的末级输出端功率合成网络在Bus-bar总线型的基础上添加并联LC到地枝节,达到优化各路平衡度的目的,在实现高功率输出的同时使芯片整体结构紧凑且易于匹配。采用输入端二次谐波阻抗匹配技术,在不影响输出功率的前提下提升高频效率。输出级匹配结构采用两段串电感并电容匹配的方式,将输出级阻抗匹配至目标阻抗的同时实现较低的匹配损耗。在脉宽100μs、占空比10%测试条件下,该放大器饱和输出功率在8~12 GHz范围内大于48 dBm,效率大于35%,功率增益为23 dB。芯片尺寸为3.97 mm×5 mm。 展开更多
关键词 功率放大器 氮化镓 高功率 输入二次谐波匹配 多路合成
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微波组件内盖板环氧胶喷涂工艺研究
13
作者 范晓敬 黄浩远 +1 位作者 王娜 赵涌 《中国科技纵横》 2025年第1期81-83,共3页
微波组件是相控阵雷达等电子设备的核心部件,微波组件的内盖板通过环氧导电胶实现机械支撑和电磁屏蔽作用。环氧胶喷涂工艺是一种将环氧胶均匀喷涂在被涂物表面的技术,喷涂位置和喷涂量可以通过编程灵活控制,适用于复杂结构微波组件的... 微波组件是相控阵雷达等电子设备的核心部件,微波组件的内盖板通过环氧导电胶实现机械支撑和电磁屏蔽作用。环氧胶喷涂工艺是一种将环氧胶均匀喷涂在被涂物表面的技术,喷涂位置和喷涂量可以通过编程灵活控制,适用于复杂结构微波组件的大批量生产。本文分析了常见环氧点胶缺陷的产生原因,通过多次对比实验进行点胶工艺优化,得到了较好的环氧点胶应用效果。 展开更多
关键词 微波组件 电磁屏蔽 环氧喷涂 工艺优化
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基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片 被引量：3
14
作者 徐伟 赵子润 +1 位作者 刘会东 李远鹏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期575-579,588,共6页
基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、... 基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。 展开更多
关键词 双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT) 单刀双掷(SPDT)开关 数控移相器 数控衰减器
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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
15
作者 张斌 蒋颖丹 +4 位作者 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 《现代电子技术》 北大核心 2025年第2期14-20,共7页
为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦... 为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦,同时基于0.18μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。电磁仿真结果显示,在8~16 GHz的频带范围内,放大器的增益>26 dB,输出1 dB功率压缩点≥10 dBm,饱和输出功率≥13 dBm,端口回波损耗≤-10 dB,-40~125℃范围内同频点增益浮动≤1.5 dB。所设计的驱动放大器电路性能稳定,2.8 V电源工作电流为45 mA,尺寸仅为0.50 mm×0.58 mm,实现了SiGe放大器高性能、小型化的设计要求。 展开更多
关键词 驱动放大器 宽带射频 SIGE工艺 温度补偿 共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦 异质结双极晶体管
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一种三维集成的Ku波段高功率T/R模块 被引量：1
16
作者 陈兴 张超 +1 位作者 陈东博 赵永志 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期569-574,共6页
基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建... 基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建模,保证低损耗输出,采用导热垫加微流道散热板达到了良好的散热效果,实现模块高功率输出;对模块的微波垂直互连结构和散热进行建模和仿真。测试结果表明,在14~18 GHz内发射通道饱和输出功率大于40 dBm,接收通道增益大于21 dB,噪声系数小于3.5 dB,模块尺寸仅为14.0 mm×14.0 mm×3.3 mm。该模块在兼顾高集成度的同时性能指标得到了进一步提升。 展开更多
关键词 硅基微电子机械系统(MEMS) 收发(T/R)模块 三维集成 高功率 散热设计
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碳纳米管射频晶体管及放大器电路研究
17
作者 赵亮 杨扬 +7 位作者 霍帅 张勇 陆辉 汪珍胜 钟世昌 唐世军 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期22-27,共6页
基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三... 基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三阶交调优于-35 dBc。本文首次报道了X波段碳纳米管射频放大器电路,可为碳纳米管射频电子技术的发展提供技术参考。 展开更多
关键词 碳纳米管 射频 放大器
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低损耗太赫兹波导腔体传输结构与互联接口设计技术 被引量：2
18
作者 张博 张勇 《空间电子技术》 2024年第4期77-85,共9页
文章介绍了降低太赫兹波导传输和互联损耗的方法及实验结果。当前,矩形波导多采用金属分块技术制作,且H面剖分波导损耗明显高于E面剖分波导损耗。为了抑制H面波导的电磁泄漏和辐射损耗,降低整体的传输损耗,在波导剖分表面添加了电磁带... 文章介绍了降低太赫兹波导传输和互联损耗的方法及实验结果。当前,矩形波导多采用金属分块技术制作,且H面剖分波导损耗明显高于E面剖分波导损耗。为了抑制H面波导的电磁泄漏和辐射损耗,降低整体的传输损耗,在波导剖分表面添加了电磁带隙结构或扼流槽结构。采用传统的数控铣削和金属分块技术制备了一些波导样品,包括常规的矩形波导、带隙波导和扼流波导,并在170GHz~260GHz频段进行了测量和损耗对比。实验结果表明,在太赫兹频率下,波导分裂带来的不连续间隙使常规的H面波导损耗高达0.074dB/mm;带隙波导的损耗为0.017dB/mm,但加工耗时且价格昂贵;扼流波导的损耗为0.025dB/mm,成本和性能适中。此外,还设计制备了基于零形扼流槽的波导法兰,用于无接触低损耗太赫兹波导互联应用。相比常规波导法兰,基于文章设计的法兰互联性能稳定,改善效果显著。 展开更多
关键词 低损耗H面波导 矩形波导 太赫兹 波导扼流 波导互联
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GaN功率放大器输出功率下降失效分析 被引量：1
19
作者 张茗川 戈硕 +3 位作者 袁雪泉 钱婷 章勇佳 季子路 《电子与封装》 2025年第2期68-73,共6页
GaN管芯是微波功率放大器的核心器件,其热性能很大程度上决定了功率放大器的电性能。针对某一型号功率放大器在直流老化后出现输出功率下降的现象,利用红外热像、声学扫描、能谱分析等分析方法对失效功率放大器开展了分析研究。结果表明... GaN管芯是微波功率放大器的核心器件,其热性能很大程度上决定了功率放大器的电性能。针对某一型号功率放大器在直流老化后出现输出功率下降的现象,利用红外热像、声学扫描、能谱分析等分析方法对失效功率放大器开展了分析研究。结果表明,放大器管芯背金金属层之间发生明显分层,导致器件热阻增大,老炼时管芯结温超过安全工作区,从而使得放大器输出功率下降。 展开更多
关键词 功率下降 背金 热阻
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