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带GaAs TTL电平驱动器的SPDT开关的模拟和性能
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作者 赵静 《半导体情报》 1999年第1期44-46,共3页
介绍了一种带ＧａＡｓＴＴＬ电平驱动器及单刀双掷（ＳＰＤＴ）开关的设计、模拟和测试结果。驱动器的设计采用了开关输入稳压负载，建立了所用器件的大信号模型，对电路进行了模拟分析和优化，模拟和测试结果吻合较好，开关时间达到５... 介绍了一种带ＧａＡｓＴＴＬ电平驱动器及单刀双掷（ＳＰＤＴ）开关的设计、模拟和测试结果。驱动器的设计采用了开关输入稳压负载，建立了所用器件的大信号模型，对电路进行了模拟分析和优化，模拟和测试结果吻合较好，开关时间达到５ｎｓ，插入损耗小于１．０ｄＢ，隔离度大于６０ｄＢ。 展开更多
关键词 开关 驱动器 砷化镓 MMIC
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