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应用于全固态薄膜电池的硫薄膜正极
1
作者 邓人铭 谢永辉 王星辉 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第9期795-801,共7页
随着物联网时代的来临,人们对于可与集成电路兼容制造的微型电源的需求日益迫切。全固态薄膜电池(Allsolid-state thin-film batteries,ASSTFBs)采用薄膜制造工艺而成为能与集成电路集成制造的理想片上电源。锂硫电池具有极高的理论能... 随着物联网时代的来临,人们对于可与集成电路兼容制造的微型电源的需求日益迫切。全固态薄膜电池(Allsolid-state thin-film batteries,ASSTFBs)采用薄膜制造工艺而成为能与集成电路集成制造的理想片上电源。锂硫电池具有极高的理论能量密度,若将其应用于ASSTFBs,则有望大幅提升其能量密度。然而,单质硫的低熔点以及固有的迟滞动力学导致了研究人员对硫薄膜的制备经验不足,并阻碍了将其应用于ASSTFBs。为此,文章采用管式炉热蒸发法,将活性物质硫均匀地沉积到垂直石墨烯(Vertical graphene nanosheets,VGs)薄膜层中,制备了VGs-S复合硫薄膜。测试结果表明,采用该方法制备得到的VGs-S复合薄膜正极具有良好的电化学性能,其在12.7μA cm^(−2)的电流密度下首次放电面积比容量达到了55.3μAh cm^(−2),并能够在127.2μA cm^(−2)的电流密度下稳定循环1000次,每次循环平均衰减仅为0.036%。该研究可为高能量密度ASSTFBs硫基薄膜正极的构筑提供一种新思路。 展开更多
关键词 全固态薄膜电池 微型储能器件 垂直石墨烯 硫薄膜 锂硫电池
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基于磁控溅射的Pt/PtRh高温薄膜热电偶传感器集成工艺 被引量：1
2
作者 张文琦 沈统 +2 位作者 王林斌 赵未昀 邓元 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期27-33,共7页
Pt/PtRh为高温薄膜热电偶敏感材料,Al_(2)O_(3)和SiO_(2)为复合绝缘层材料,采用磁控溅射法成功制备Pt/PtRh薄膜热电偶及Al_(2)O_(3)/SiO_(2)复合型上下绝缘层,并通过掩膜-沉积法实现薄膜热电偶图案化制备。结果表明:制备的复合绝缘层Al_... Pt/PtRh为高温薄膜热电偶敏感材料,Al_(2)O_(3)和SiO_(2)为复合绝缘层材料,采用磁控溅射法成功制备Pt/PtRh薄膜热电偶及Al_(2)O_(3)/SiO_(2)复合型上下绝缘层,并通过掩膜-沉积法实现薄膜热电偶图案化制备。结果表明:制备的复合绝缘层Al_(2)O_(3)/SiO_(2)能够有效保证高温薄膜热电偶传感器在1200℃高温下的绝缘性和化学稳定性。Pt/PtRh热电偶阵列精度达到200μm,可在1200℃下稳定工作超过2200 min,经过4000 min升降温循环测试后,热电偶输出热电动势偏差小于1%。热电偶传感器整体厚度小于20μm,集成于合金与热障涂层之间的热电偶在高温服役环境下可稳定工作并测量合金表面温度。多层结构的样件在服役测试中无分层、脱落现象,热电偶稳定输出信号。 展开更多
关键词 高温薄膜热电偶 铂-铂铑热电偶 塞贝克效应 氧化铝绝缘层 氧化硅绝缘层
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HFO_(2)铁电体薄膜移相器设计
3
作者 李江 常明超 +2 位作者 张义 李兴 赵其祥 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第6期743-749,共7页
移相器作为阵列天线的关键部件,用来调整阵列天线中各个天线单元之间的相位差,从而实现波束的扫描。基于传输线周期性加载可变电容理论,设计了一款工作于K波段的HFO_(2)铁电薄膜移相器。为了实现低插损和紧凑型,该移相器采用HFO_(2)铁... 移相器作为阵列天线的关键部件,用来调整阵列天线中各个天线单元之间的相位差,从而实现波束的扫描。基于传输线周期性加载可变电容理论,设计了一款工作于K波段的HFO_(2)铁电薄膜移相器。为了实现低插损和紧凑型,该移相器采用HFO_(2)铁电体薄膜材料,相比传统的BST材料,其有着更大的调谐率、厚度更薄且损耗角正切更低,容易集成,同时结合共面波导叉指电容结构设计,该移相器有非常紧凑的尺寸。通过改变HFO_(2)铁电材料的介电常数从而实现电容的变化,进而实现相位的调控。仿真结果表明,通过加入直流偏置电压改变铁电体薄膜的介电常数,该移相器在22 GHz频点的移相量为80°,最大插损为-2.5 dB,回波损耗优于-10 dB。 展开更多
关键词 共面波导 铁电薄膜 移相器 介电常数 叉指电容
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一种高导电性、高分辨率和高耐用性织物电路制备工艺
4
作者 陈瑶 陈远汾 许珂 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第7期796-803,共8页
可穿戴设备已成为一种用于长期、连续监测生理电信号的重要手段,然而开发具备良好舒适性、高效导电性及长期稳定性的柔性电路仍面临显著挑战。为了促进可穿戴设备的发展,该研究提出一种织物电路制备工艺,该工艺通过磁控溅射将铜沉积在... 可穿戴设备已成为一种用于长期、连续监测生理电信号的重要手段,然而开发具备良好舒适性、高效导电性及长期稳定性的柔性电路仍面临显著挑战。为了促进可穿戴设备的发展,该研究提出一种织物电路制备工艺,该工艺通过磁控溅射将铜沉积在图案化的聚酰亚胺(PI)/织物基底上,然后在铜的表面蒸镀派瑞林薄膜作为保护。图案化的PI薄膜不仅有利于铜的沉积,而且保持织物的透气性。该工艺可以制备最小线宽为0.4 mm的导线,织物导线的电阻率为8.25×10^(-7)Ω·m;经过1000次弯曲实验,织物导线的电阻增长率约55.72%;经过10次洗涤后,电阻增加47.04%。该研究可以在织物上制备高导电性、抗疲劳、可洗涤和高分辨率的柔性电路,使生理电信号采集电路可以集成到衣服表面。 展开更多
关键词 可穿戴设备 图案化 磁控溅射 织物电路 抗疲劳 可洗涤 高分辨率
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UNet3+深度神经网络在FPC开孔检查中的应用
5
作者 冯立志 陈广枢 +1 位作者 陈翊文 陈立河 《机电工程技术》 2024年第9期253-256,共4页
开孔工艺是柔性电路板(FPC)制造过程中的一项重要工艺流程;当前工艺流程的加工过程中,会形成毛刺以及偏位、破孔、堵孔及变形等缺陷。针对当前FPC生产过程中的开孔质量问题,提出了一套检测方法及实践,通过研究开孔毛边、毛刺、孔破、堵... 开孔工艺是柔性电路板(FPC)制造过程中的一项重要工艺流程;当前工艺流程的加工过程中,会形成毛刺以及偏位、破孔、堵孔及变形等缺陷。针对当前FPC生产过程中的开孔质量问题,提出了一套检测方法及实践,通过研究开孔毛边、毛刺、孔破、堵孔和孔变形等缺陷的形成机理和成像特征,基于UNet3+深度神经网络实现了通孔区域和毛边与毛刺区域的逐像素精确分割。提取出了毛边宽度、毛刺长度、孔圆度、孔偏和孔破等参数。给出了具体的实现方法和过程,整个FPC检查流程包含训练过程及检查过程,其中训练过程包含样本标注、学习训练、模型转换;检查过程包含开孔区域分割、缺陷区域判定、缺陷参数提取以及缺陷判别。实际生产数据验证结果表明:所提方法孔缺陷检查漏检率小于0.01%,误检率低于5%,满足FPC的自动化工业生产中质量检查需要。 展开更多
关键词 FPC UNet3+ 深度学习 缺陷检测 自动化
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玻璃粉对铜导体浆料烧结膜性能的影响 被引量：7
6
作者 马小强 朱晓云 +1 位作者 龙晋明 曹梅 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期472-480,共9页
使用不同组成和含量的玻璃粉配制铜浆,将其印在Al_2O_3基片表面并在850℃烧结后得到铜膜,研究玻璃粉对铜膜的导电性和附着力等性能的影响。用四探针法测定铜膜方阻,使用拉力试验机测定铜膜附着力。用金相显微镜、X射线衍射仪(XRD)、扫... 使用不同组成和含量的玻璃粉配制铜浆,将其印在Al_2O_3基片表面并在850℃烧结后得到铜膜,研究玻璃粉对铜膜的导电性和附着力等性能的影响。用四探针法测定铜膜方阻,使用拉力试验机测定铜膜附着力。用金相显微镜、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及热重分析仪(TGA)等手段对铜膜的显微组织、物相、形貌以及玻璃粉物理化学性质进行了表征。结果表明,组成为SiO_2-B_2O_3-ZnO的G3玻璃粉的玻璃性能良好且其转变温度合适,制备出的铜膜试样表面平整,微观组织致密,导电性好。当G3玻璃粉含量(质量分数)为4.8%时铜膜的方阻为9.5 mΩ/,与Al_2O_3基体间的附着力为24 N/mm^2。为了验证铜膜在使用过程中的可靠性,测试了G3-3铜膜的抗氧化和老化性能。结果表明,G3-3铜膜在室温氧化28 d后平均增重率为3.5%,电阻变化率的平均值为0.79%;在20℃~160℃高温老化后铜膜的电阻变化率平均值为12.63%、平均增重率为4.63%,具有良好的抗氧化性和抗老化性能。 展开更多
关键词 复合材料 玻璃粉 铜膜 方阻 附着力 可靠性
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8,10-二炔廿五碳酸LB膜的周期结构 被引量：4
7
作者 何平笙 陈昕 +3 位作者 田清平 汪永忠 李春娥 陈世华 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1990年第1期87-92,共6页
合成了8,10-二炔廿五碳酸,在玻璃片、石英片和镀金片上沉积了它的LB膜,X-射线衍射研究了LB膜的周期结构和聚合对它的影响。在2θ=1°—15°范围内观察到了多达7个布拉格衍射峰。由此计算了等同周期和分子在基片上的倾斜角。用... 合成了8,10-二炔廿五碳酸,在玻璃片、石英片和镀金片上沉积了它的LB膜,X-射线衍射研究了LB膜的周期结构和聚合对它的影响。在2θ=1°—15°范围内观察到了多达7个布拉格衍射峰。由此计算了等同周期和分子在基片上的倾斜角。用分子模型计算了衍射峰强度,得到了与实验结果相符合的衍射峰强度奇偶起伏现象。 展开更多
关键词 二炔廿五碳酸 LB膜 周期结构
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玻璃体系对铜浆性能的影响 被引量：7
8
作者 马国超 朱晓云 +1 位作者 裴占玲 施昌快 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1013-1016,共4页
本文采用熔融-水淬法制备了SiO2-B2O3-Bi2O3、SiO2-B2O3-ZnO和SiO2-B2O3-CaO 3种体系的无铅玻璃粉,根据玻璃粉的XRD和差热分析结果,分析并讨论了玻璃析晶、成玻化程度及玻璃转化温度Tg对铜浆性能的影响,并通过SEM观察了铜膜的表面形貌,... 本文采用熔融-水淬法制备了SiO2-B2O3-Bi2O3、SiO2-B2O3-ZnO和SiO2-B2O3-CaO 3种体系的无铅玻璃粉,根据玻璃粉的XRD和差热分析结果,分析并讨论了玻璃析晶、成玻化程度及玻璃转化温度Tg对铜浆性能的影响,并通过SEM观察了铜膜的表面形貌,验证了以上分析。结果表明:SiO2-B2O3-CaO体系的无铅玻璃粉具有良好的成玻性和合适的玻璃转化温度,采用该体系作为铜浆的玻璃相,铜浆性能较好。 展开更多
关键词 厚膜 铜浆 玻璃粉 熔融-水淬
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沉积温度对化学气相沉积法制备铜薄膜性质的影响 被引量：4
9
作者 刘莎 徐源来 +2 位作者 赵培 李紫琪 陈志杰 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期640-647,共8页
以双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铜(Cu(DPM)2)为前驱体,使用智能化学气相沉积设备在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制备Cu薄膜。研究了不同沉积温度对Cu薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构、元素组成及电导的影响。在873 K... 以双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铜(Cu(DPM)2)为前驱体,使用智能化学气相沉积设备在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制备Cu薄膜。研究了不同沉积温度对Cu薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构、元素组成及电导的影响。在873 K至1173 K时制备了具有(111)择优取向的紫铜色铜薄膜,同时存在(200)和(220)取向,且铜晶粒呈岛状生长模式。随着沉积温度的升高,薄膜的导电性先增强后减弱。在1073 K时,制得了导电性最好且高度(111)择优取向的最纯紫铜色Cu薄膜,即1073 K为制备Cu薄膜的最佳沉积温度。 展开更多
关键词 双(2 2 6 6-四甲基-3 5-庚二酮)化铜 Cu薄膜 化学气相沉积 沉积温度 (111)择优取向
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低压化学气相沉积氮化硅薄膜工艺研究
10
作者 刘宗芳 尤益辉 LEE Choonghyun 《智能物联技术》 2024年第1期81-84,共4页
低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉... 低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉积氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))的制备工艺,以及不同工艺参数的调试对氮化硅薄膜均匀性和沉积速率的影响。 展开更多
关键词 低压化学气相沉积(LPCVD) 氮化硅薄膜 均匀性 沉积速率
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基于a-IGZO TFTs的低功耗D触发器设计 被引量：4
11
作者 姚若河 林少龙 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期42-47,共6页
设计了一个基于Pseudo-CMOS逻辑门的低功耗异步复位D触发器电路.该D触发器全部由n型a-IGZO TFTs(薄膜晶体管)构成,采用动态负载替代Pseudo-CMOS拓扑中的二极管连接负载,通过减少电路导通的概率来降低静态功耗.电路的输出级为锁存器,通... 设计了一个基于Pseudo-CMOS逻辑门的低功耗异步复位D触发器电路.该D触发器全部由n型a-IGZO TFTs(薄膜晶体管)构成,采用动态负载替代Pseudo-CMOS拓扑中的二极管连接负载,通过减少电路导通的概率来降低静态功耗.电路的输出级为锁存器,通过反馈通路减少由动态负载造成的输出摆幅降低对延迟的影响.将该D触发器应用于环行移位寄存器的设计中,结果表明,该触发器电路可有效降低或非门逻辑电路中的静态功耗. 展开更多
关键词 薄膜晶体管 D触发器 动态负载 移位寄存器
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MEMS器件中多层金属薄膜溅射工艺研究 被引量：2
12
作者 张旭 罗昕颉 +2 位作者 侯占强 肖定邦 吴学忠 《传感器与微系统》 CSCD 2018年第1期11-14,共4页
溅射工艺是制作微机电系统(MEMS)器件金属薄膜的主要方式,金属薄膜作为MEMS器件中的掩模层和功能层,要求薄膜应力小,粘附性、均匀性和可焊性好。通过对常用金属薄膜材料特性、多层金属薄膜溅射工艺和质量评价方法的研究得出了优化工艺... 溅射工艺是制作微机电系统(MEMS)器件金属薄膜的主要方式,金属薄膜作为MEMS器件中的掩模层和功能层,要求薄膜应力小,粘附性、均匀性和可焊性好。通过对常用金属薄膜材料特性、多层金属薄膜溅射工艺和质量评价方法的研究得出了优化工艺的的方法,提高了多层金属薄膜的质量。 展开更多
关键词 多层金属薄膜 溅射 评价方法
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浅析分层递进式集成电路制造课程群的构建 被引量：2
13
作者 黄玮 张海磊 戴志强 《新型工业化》 2021年第8期170-171,共2页
当今社会集成电路产业发展迅速,集成电路产业链各环节岗位对于专业人才的需求量也在不断增大,如何培养满足集成电路产业供给侧改革需求的产业人才是当前集成电路产业发展的重中之重。文章结合国家集成电路产业发展以及微电子技术专业的... 当今社会集成电路产业发展迅速,集成电路产业链各环节岗位对于专业人才的需求量也在不断增大,如何培养满足集成电路产业供给侧改革需求的产业人才是当前集成电路产业发展的重中之重。文章结合国家集成电路产业发展以及微电子技术专业的建设,在进行充分调研的基础上,分析集成电路制造岗位对于技能人才培养的需求;探讨了如何通过构建集成电路制造课程群创新课程教学改革,并以能力培养为导向,明确相关课程定位和课程间的联系,提升集成电路制造技能人才培养质量。 展开更多
关键词 课程群 集成电路制造 岗位需求 建设
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多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模 被引量：1
14
作者 胡云峰 李斌 《电子器件》 CAS 2008年第4期1104-1108,共5页
泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题,多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,提出了一个在大的栅压范围和... 泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题,多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,提出了一个在大的栅压范围和温度范围内与实验数据吻合较好的多晶硅薄膜晶体管泄漏电流解析模型。模型适合于电路仿真器。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 泄漏电流 热电子场致发射 解析模型
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基于CMOS功耗特性的隐性脉冲触发器设计研究 被引量：1
15
作者 陈微 孙亚楠 《计算机仿真》 北大核心 2022年第1期234-237,247,共5页
由于集成电路信号频率不断升高,尺寸不断缩小,给电路功耗控制带来严峻挑战,触发器作为主要组件,是控制功耗增加的关键要素,因此,设计了一种低功耗隐性脉冲触发器。为尽可能降低触发器功耗,针对其电路的核心功率器件CMOS进行功耗特性分析... 由于集成电路信号频率不断升高,尺寸不断缩小,给电路功耗控制带来严峻挑战,触发器作为主要组件,是控制功耗增加的关键要素,因此,设计了一种低功耗隐性脉冲触发器。为尽可能降低触发器功耗,针对其电路的核心功率器件CMOS进行功耗特性分析,计算各种工作状态下的功耗影响关系,给触发器设计时的功耗规避提供参考。在考虑功耗指标的同时,受电路尺寸影响,功耗与延迟产生互相博弈,于是引入TGL比较器,避免时钟控制时对MOS比较器逻辑的依赖,改善时钟控制精度,降低时间延迟。触发器工作过程包含脉冲阶段与锁存阶段,时钟控制信号会随着输入信号的变化介入或退出,从而抑制无效时钟信号,降低MOS工作状态的切换次数。通过触发器瞬态波形、功耗指标与延迟指标的仿真,验证了设计的低功耗隐性脉冲触发器逻辑控制精准,有效降低了时钟信号的冗余度,功耗指标和延迟指标均得到了显著提升。 展开更多
关键词 脉冲触发器 功耗特性 时间延迟 信号锁存
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衬底对钛酸铋铁电薄膜生长及性能的影响 被引量：2
16
作者 王华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期25-27,34,共4页
采用溶胶–凝胶工艺在Si和Pt/Ti/SiO2/Si两种衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了衬底对Bi4Ti3O12铁电薄膜生长及性能的影响。研究表明:Pt/Ti/SiO2/Si基Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化较高但易出现焦绿石相,而Si基Bi4Ti3O12薄膜易于沿c轴取... 采用溶胶–凝胶工艺在Si和Pt/Ti/SiO2/Si两种衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了衬底对Bi4Ti3O12铁电薄膜生长及性能的影响。研究表明:Pt/Ti/SiO2/Si基Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化较高但易出现焦绿石相,而Si基Bi4Ti3O12薄膜易于沿c轴取向生长,有利于改善铁电薄膜与硅衬底之间的界面特性,但8mC/cm2的剩余极化却比前者有所降低。 展开更多
关键词 铁电薄膜 钛酸铋 生长行为 溶胶-凝胶工艺
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厚膜微调技术及发展趋势 被引量：9
17
作者 李文娟 田兴志 《光机电信息》 2004年第6期29-34,共6页
介绍了厚膜电阻常用的喷砂微调和脉冲电压微调、激光微调三种微调技术及其发展趋势,重点介绍了激光微调机理、调阻方式以及微调图形分类。与喷砂和脉冲电压微调技术相比,激光微调具有精度高、速度快、效率高的特点,因而具有广阔的发展... 介绍了厚膜电阻常用的喷砂微调和脉冲电压微调、激光微调三种微调技术及其发展趋势,重点介绍了激光微调机理、调阻方式以及微调图形分类。与喷砂和脉冲电压微调技术相比,激光微调具有精度高、速度快、效率高的特点,因而具有广阔的发展前景。 展开更多
关键词 厚膜电阻 厚膜微调 喷砂微调 脉冲电压微调 激光微调 集成电路
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应用6σ优化薄膜制造过程能力 被引量：2
18
作者 秦跃利 王春富 项博 《电子工艺技术》 2013年第6期363-366,共4页
电子装备生产的日益规模化对科学性的控制管理方法要求越来越高。提出将统计学应用于生产制造中,并实践应用统计方法,对薄膜制造中的集成电阻精度、图形转移精度和基片外形破碎率等项内容进行了过程能力的分析评价。根据分析结果制定和... 电子装备生产的日益规模化对科学性的控制管理方法要求越来越高。提出将统计学应用于生产制造中,并实践应用统计方法,对薄膜制造中的集成电阻精度、图形转移精度和基片外形破碎率等项内容进行了过程能力的分析评价。根据分析结果制定和实施了优化方案,取得了满意效果。 展开更多
关键词 6σ 薄膜 过程控制 过程能力
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电工电子课程校内实训基地建设的探索与实践 被引量：1
19
作者 郭仿军 《重庆文理学院学报（自然科学版）》 2010年第2期88-90,共3页
紧扣当前教育技能型人才培养主题,对电工、电子课程校内实训基地的建设进行了有益的探索与实践,创建了一种"以课程实验、校内实训基地为核心的实践教学基地"的人才培养模式.校内实训基地的建设推动了专业建设,学生的职业素质... 紧扣当前教育技能型人才培养主题,对电工、电子课程校内实训基地的建设进行了有益的探索与实践,创建了一种"以课程实验、校内实训基地为核心的实践教学基地"的人才培养模式.校内实训基地的建设推动了专业建设,学生的职业素质和专业能力普遍提高. 展开更多
关键词 电工电子 校内实训基地 实践教学 课程体系
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多孔金电极敏感加强型AlN基体声波传感器对重金属Hg^(2+)的检测
20
作者 郑丹 桂丹 汪宝元 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2018年第12期42-45,共4页
该研究制备的多孔金电极敏感加强型AlN基薄膜体声波传感器谐振频率为1. 214 58 GHz,利用Hg^(2+)核酸适配体修饰金电极,形成Hg^(2+)生物敏感层。通过T-Hg^(2+)-T双碱基对结构特异性俘获目标物Hg^(2+)离子,对Hg^(2+)在50～1 000 n Mol/L... 该研究制备的多孔金电极敏感加强型AlN基薄膜体声波传感器谐振频率为1. 214 58 GHz,利用Hg^(2+)核酸适配体修饰金电极,形成Hg^(2+)生物敏感层。通过T-Hg^(2+)-T双碱基对结构特异性俘获目标物Hg^(2+)离子,对Hg^(2+)在50～1 000 n Mol/L浓度范围内器件频率大小进行了实时监测。实验发现,在100～1 000 n Mol/L浓度范围内,器件频率漂移量和Hg^(2+)浓度之间呈线性关系,检测灵敏度约为677. 07 Hz/nMol/L,器件灵敏度高,选择性好。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 适配体 汞离子 谐振频率 灵敏度 生物传感器
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