热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响 被引量：3

1

作者 赵策洲 董建荣 +1 位作者 张德胜 史保华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期142-146,共5页

讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔ... 讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。 展开更多

关键词 载流子注入 集成电路 结构 MOS

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多值开关级代数在MOS电路形式验证中的应用 被引量：3

2

作者 胡谋 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 1994年第3期223-226,共4页

本文讨论了ＭＯＳ电路多值开关级代数表达式的三种标准结构．给出了将多值开关级表达式转换成布尔表达式的定理．基于这些理论，提出了ＭＯＳ电路开关级形式验证的一种方法．

关键词 形式验证 MOS电路 逻辑设计 代数

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小功率不间断电源 被引量：1

3

作者 王晓君 唱春来 +1 位作者 杨文红 王磊明 《河北科技大学学报》 CAS 2000年第3期81-83,共3页

介绍由单片 CMOS备用电源集成电路和单片 AC/

关键词 不间断电源 镍镉电池 AC DC 电源变换器 CMOS

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0.35/0.5 μm CMOS光接收电路设计研究

4

作者 刘三清 梅婷 应建华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期106-110,114,共6页

对一种结构简单的互阻ＣＭＯＳ放大器的工作原理进行了分析，着重对其灵敏度、频率特性和动态范围等参数与电路结构参数之间的关系进行了模拟分析和设计研究。接收电路按０．３５／０．５μｍ规则设计，在采用０．８μｍ沟道长度的条件... 对一种结构简单的互阻ＣＭＯＳ放大器的工作原理进行了分析，着重对其灵敏度、频率特性和动态范围等参数与电路结构参数之间的关系进行了模拟分析和设计研究。接收电路按０．３５／０．５μｍ规则设计，在采用０．８μｍ沟道长度的条件下，电路工作频率可达６００Ｍｂ／ｓ，允许最小输入光电流约为５μＡ，光电流噪声抑制能力可通过前两级放大器的宽长比来调节。 展开更多

关键词 光接收器 CMOS 集成电路 互阻放大器 结构

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亚微米CMOS结构光学交叉互连电路芯片的设计

5

作者 刘三清 温金桃 应建华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期200-203,共4页

同单路光接收／发送电路系统相比，采用单片集成的多路交叉互连接收／发送系统可实现大容量信息交换和高度复杂的信息处理。给出了与１０×１０阵列多量子阱（ＭＱＷ）器件芯片倒扣连接的接收／发送交叉互连电路的设计，芯片电路采... 同单路光接收／发送电路系统相比，采用单片集成的多路交叉互连接收／发送系统可实现大容量信息交换和高度复杂的信息处理。给出了与１０×１０阵列多量子阱（ＭＱＷ）器件芯片倒扣连接的接收／发送交叉互连电路的设计，芯片电路采用０．３５／０．５μｍ设计规则、三层金属布线ＣＭＯＳ结构，在２ｍｍ×２ｍｍ芯片上，可完成１６路接收／发送及１６×１６信号交叉互连的功能。 展开更多

关键词 亚微米器件 CMOS 交叉互连 结构

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横向高压器件LDMOS与LIGBT的特性分析 被引量：2

6

作者 张国海 高勇 周宝霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期27-30,45,共5页

给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统的分析与对比。

关键词 LDMOS LIGBT 阳极短路结构 功率集成电路

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基于CMOS工艺的IC卡芯片ESD保护电路 被引量：5

7

作者 朱朝晖 任俊彦 徐鼎 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期130-132,共3页

介绍了 ESD保护结构的基本原理 ,并提出一个基于 CMOS工艺用于 IC卡芯片的保护电路。讨论了一些重要的设计参数对 ESD保护电路性能的影响并进行了物理上的解释。

关键词 CMOS工艺 IC卡 ESD保护电路 集成电路

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一种高压大电流快速CMOS驱动器

8

作者 张家斌 江泽福 胡刚毅 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期381-384,共4页

阐述了高压大电流快速CMOS驱动器的基本原理及电路设计、版图设计、工艺设计和封装等关键技术。

关键词 驱动器 CMOS集成电路 高压集成电路 相控阵雷达

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QMOS与其它数字电路的接口设计

9

作者 曹军 张树林 宋唤明 《电工教学》 1995年第4期70-72,共3页

数字集成电路广泛应用于微型计算机、通信设备及各仲仪器仪表中。以前,大多数设计者在工作频率较高时都首先选用低功耗TTL电路(LSTTL),甚至于采用ECL电路。只有在工作频率低时才采用功耗极低的CD4000系列CMOS电路。近几年来由于工艺水... 数字集成电路广泛应用于微型计算机、通信设备及各仲仪器仪表中。以前,大多数设计者在工作频率较高时都首先选用低功耗TTL电路(LSTTL),甚至于采用ECL电路。只有在工作频率低时才采用功耗极低的CD4000系列CMOS电路。近几年来由于工艺水平的提高CMOS电路采用了3.5μm的硅栅工艺制造,产生了CD74HC/CD54HC和CD74HCT/CD54HCT系列的高速CMOS集成电路(即QMOS集成电路)。它的功耗相当于CD4000系列电路,而工作频率却和低功耗肖特基TTL电路(LSTTL)一样,QMOS除了速度快、功耗低这些特点以外,还有与其它数字电路良好的接口灵活性,即逻辑匹配和负载驱动能力,给电路设计和设备维修带来极大的方便。 展开更多

关键词 QMOS 数字集成电路 电路 接口设计

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估价MOS集成电路工艺和器件设计改进措施的分层结构

10

作者 Charles G. Sodini 肖辉杨 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第3期55-64,68,共11页

本文介绍一种把器件和工艺设计参数与具体的电路应用联系起来的分层结构,定出了这种结构所用的功能电路块的完整的清单,给出了这种结构用于重在设计型电路的例子。这些例子中所给出的实验数据显示出器件设计对特殊的电路应用的影响。另... 本文介绍一种把器件和工艺设计参数与具体的电路应用联系起来的分层结构,定出了这种结构所用的功能电路块的完整的清单,给出了这种结构用于重在设计型电路的例子。这些例子中所给出的实验数据显示出器件设计对特殊的电路应用的影响。另外,还给出了重在工艺型电路的实例,证明了工艺改进措施对具体电路应用的影响。这种分层结构以及器件和工艺的数据将有助于电路设计人员正确评价某些器件和工艺改进措施对特殊的电路和系统要求的影响。 展开更多

关键词 MOS集成电路 工艺 器件设计 结构

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焦平面应用的增强型HgcdTeMISFEF及其电路

11

作者 Schi.,RA 李玲 《红外》 CAS 1989年第6期20-24,共5页

关键词 焦平面 碲镉汞 场效应晶体管

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多功能报警芯片及其应用

12

作者 房静 《电子制作》 1999年第5期15-17,共3页

本文将介绍专用报警电路Y976的应用。一、Y976的特点与性能Y976属CMOS集成电路,特点是工作电压范围宽、微功耗、负载能力强、报警音响种类多。该器件为八脚DIP封装,如图1所示。附表给出其主要电参数。 Y976的⑧、④脚为供电正负端;①脚... 本文将介绍专用报警电路Y976的应用。一、Y976的特点与性能Y976属CMOS集成电路,特点是工作电压范围宽、微功耗、负载能力强、报警音响种类多。该器件为八脚DIP封装,如图1所示。附表给出其主要电参数。 Y976的⑧、④脚为供电正负端;①脚为报警音响输出端,静态时该端输出低电平;⑥、⑦脚为内振荡器的外设电阻端,一般取47-300k,其大小决定了①脚输出音频信号的频率和调制音频信号的间隔长短;⑤脚为报警使能端,该端输入高电平有效,其阀电平约为0.4Vdd;②、③脚为输出信号种类选择端,图2示出报警信号调制包络波形与②、③脚的对应设置关系。 展开更多

关键词 多功能报警 芯片 应用 YP76 CMOS集成电路

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亚微米工艺流程研究

13

作者 肖志强 陶建中 +4 位作者 徐征 刘逵 梁斌 赵文彬 毛志军 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 1999年第6期77-80,共4页

介绍了在中国华晶中央研究所１．０微米工艺线上所开发的亚微米（０．８μｍ）工艺流程，重点介绍了０．８μｍ器件结构、工艺流程图、关键工艺设计以及用此流程制造出的０．８μｍ器件的各项ＰＣＭ参数。

关键词 晶体结构 工艺设计 亚微米技术 CMOS

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三维CMOS集成电路结构的HVEM研究

14

作者 李永洪 袁建明 张京 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第19期1454-1456,共3页

提高VLSI集成度的重要途径之一是研究器件的新结构,发展三维集或电路,即在制成的MOS器件上形成一层SiO_2绝缘层,再在其上的再结晶多晶硅层上制作另一层MOS器件。近年来关于这方面的工艺研究已有一些报道。

关键词 三维集成电路 结构 CMOS 倒相器

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CMOS集成电路简介

15

作者 程国阳 《无线电》 1998年第7期42-3,共1页

关键词 CMOS集成电路 场效应型

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