期刊文献+
共找到5,605篇文章
< 1 2 250 >
每页显示 20 50 100
一种高性能低压共源共栅电流镜的设计与实现
1
作者 谭传武 《新潮电子》 2026年第4期217-219,共3页
文章采用0.5μm CMOS工艺,提出一种改进型低压共源共栅电流镜。通过改进偏置网络结构、晶体管尺寸,该电流镜在保持高输出阻抗的同时,降低了最小工作电压。理论分析结合HSPICE仿真,发现在5μA~100μA输入电流范围内,该结构可实现相对误差... 文章采用0.5μm CMOS工艺,提出一种改进型低压共源共栅电流镜。通过改进偏置网络结构、晶体管尺寸,该电流镜在保持高输出阻抗的同时,降低了最小工作电压。理论分析结合HSPICE仿真,发现在5μA~100μA输入电流范围内,该结构可实现相对误差≤4%的电流复制,小信号输出阻抗为25.6 MΩ,适用于低功耗模拟集成电路的设计场景。 展开更多
关键词 共源共栅 电流镜 输出阻抗 CMOS电路
在线阅读 下载PDF
盖革模式单光子探测器的低盲时间读出电路设计
2
作者 王之傲 马英杰 +3 位作者 刘俊良 黄松垒 李雪 龚海梅 《半导体光电》 北大核心 2026年第1期124-130,共7页
基于0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一款8×8阵列结构的读出集成电路(ROIC),适用于盖革模式InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列。该读出电路具备帧内自由异步多回波探测的功能。电路像元中心距为100μm,集成了电容式主动淬灭电路和14... 基于0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一款8×8阵列结构的读出集成电路(ROIC),适用于盖革模式InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列。该读出电路具备帧内自由异步多回波探测的功能。电路像元中心距为100μm,集成了电容式主动淬灭电路和14位时间数字转换器(TDC),可实现4μs的帧周期长度和1 ns的时间分辨率。相较于其他多回波探测方案,所设计电路通过引入像素SRAM阵列和双模式触发器阵列,实现在较小像素中心距下的单帧内像素自恢复并连续探测三次光子回波的探测。采用16通道并行输出架构,在125 MHz读出时钟频率下,系统数据读出时间为1.34μs。有效探测时间占比最高达75%,表明该结构在准连续盖革模式探测领域具有一定优势,能够实现全时域范围内较低盲区的光子检测。 展开更多
关键词 激光雷达 盖革模式APD 3D成像 时间数字转换器 多回波探测
原文传递
一种动态精准的Flash型FPGA内核电源控制技术
3
作者 马金龙 潘乐乐 +2 位作者 韦文勋 江少祥 于宗光 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期263-269,共7页
为满足Flash型现场可编程门阵列(FPGA)在多工作模式下内核电源供电的安全性与可靠性需求,设计并实现了一种Flash型FPGA内核电源控制逻辑电路。该电路利用Flash器件的非易失特性集成状态记忆模块,精准识别FPGA的5种工作状态。通过动态控... 为满足Flash型现场可编程门阵列(FPGA)在多工作模式下内核电源供电的安全性与可靠性需求,设计并实现了一种Flash型FPGA内核电源控制逻辑电路。该电路利用Flash器件的非易失特性集成状态记忆模块,精准识别FPGA的5种工作状态。通过动态控制JD7节点电平,实现了内核电源的精准管理与电气隔离:在非用户模式下将JD7置为电源电压V_(CC),以消除信号冲突风险;在用户模式下切换为GND,建立完整的电源回路。电路在一款60万门规模的Flash型FPGA中集成验证,测试结果表明,在55~125℃范围内及±5%电源电压波动条件下,全片擦除后静态电流低至1 mA,用户模式下功能正确。本研究为高可靠Flash型FPGA提供了一种有效的内核电源管理解决方案,显著提升了芯片的鲁棒性。 展开更多
关键词 Flash型现场可编程门阵列(FPGA) 内核电源供电 电源控制电路 非易失存储 高可靠性
原文传递
UHF RFID无源音频采集标签芯片
4
作者 孟令辉 张长春 +1 位作者 张翼 王静 《传感器与微系统》 北大核心 2026年第1期101-105,共5页
采用180 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一种基于超高频射频识别(UHF RFID)技术的无源音频采集标签。标签通过采集射频能量运行,而无需外部电源供电,同时采用低功耗电路架构,尽可能降低系统功耗。利用反向散射发送采集到的音... 采用180 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一种基于超高频射频识别(UHF RFID)技术的无源音频采集标签。标签通过采集射频能量运行,而无需外部电源供电,同时采用低功耗电路架构,尽可能降低系统功耗。利用反向散射发送采集到的音频信号,相较于WiFi和蓝牙等传统无线技术,简化了发送步骤并降低了所需的功耗。仿真结果表明:整流器最高整流效率为37%,稳压模块产生1.2 V电压,为标签中其他模块提供工作电压。音频处理电路将音频信号转换为数字信号,通过反向散射将信号以750 kbps的速度发送到基站,标签的整体功耗为1.1 mW。 展开更多
关键词 超高频射频识别 反向散射 整流器 传感器 带隙基准
在线阅读 下载PDF
一种用于移动IoT的0.79~2.70μW高SNDR电平交叉噪声整形SAR ADC
5
作者 牟峻萱 徐卫林 +2 位作者 莫培思 曾志伟 韦保林 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期256-262,288,共8页
为解决传统电平交叉模数转换器(LC ADC)精度较低和噪声整形逐次逼近寄存器(NS SAR)ADC功耗较大的问题,提出了一种应用于移动物联网(IoT)随机稀疏信号采集的LC-NS SAR ADC。在NS SAR ADC前端插入8 bit的LC ADC作为输入信号活跃度的预检... 为解决传统电平交叉模数转换器(LC ADC)精度较低和噪声整形逐次逼近寄存器(NS SAR)ADC功耗较大的问题,提出了一种应用于移动物联网(IoT)随机稀疏信号采集的LC-NS SAR ADC。在NS SAR ADC前端插入8 bit的LC ADC作为输入信号活跃度的预检测电路,在电平交叉发生后开启NS SAR ADC的转换。二阶无源噪声整形电路积分过程只在事件触发后发生,从而能够根据输入信号的活跃度动态调节整体功耗。在1.8 V 180 nm CMOS工艺、采样率为40 kS/s、过采样率(OSR)为20、带宽为1 kHz下对该ADC进行仿真验证,结果表明信噪失真比(SNDR)达到87 dB,电路功耗为2.70μW,心电图信号输入时功耗仅为0.79μW,相较于传统等间隔奈奎斯特采样ADC,采样点减少了73%,在处理生物医学信号时实现了约5∶1的数据压缩比,Schreier品质因数(FoMs)和Walden品质因数(FoMw)分别为172.6 dB和67.0 fJ/conv.step。 展开更多
关键词 低功耗 电平交叉模数转换器(LC ADC) 事件驱动 物联网(IoT)应用 噪声整形
原文传递
应用于移动物联网的低功耗高NTF衰减全无源二阶NS-SAR ADC
6
作者 曾志伟 徐卫林 +2 位作者 莫培思 李力锋 李海鸥 《微电子学与计算机》 2026年第2期183-191,共9页
提出了一种适用于移动物联网(Internet of Things,IoT)的低功耗二阶无源噪声整形SAR ADC。采用一种通过电荷共享配合电容堆叠技术获取无源增益的方法,在2阶积分阶段结束之后,通过一个小电容与电容阵列进行电荷共享,实现了额外的正向增益... 提出了一种适用于移动物联网(Internet of Things,IoT)的低功耗二阶无源噪声整形SAR ADC。采用一种通过电荷共享配合电容堆叠技术获取无源增益的方法,在2阶积分阶段结束之后,通过一个小电容与电容阵列进行电荷共享,实现了额外的正向增益,在总电容面积仅仅增加8%的情况下无源增益提高了60%,NTF低频衰减性能提高了35%,通过获取的无源增益优化了NTF零极点的性能,使得2阶积分的极点更加尖锐,保证了NTF的衰减性能,达到了24 dB的低频衰减。并且使用电容堆叠技术完成残差电压的求和,减少了比较器的功耗与噪声。180 nm CMOS工艺验证表明,电路在40 KS/s采样率,过采样率为20情况下,实现了91 dB的SNDR,101 dBc的SFDR,输入动态范围DR=85.6 dB,功耗仅为1.52μW,取得了178.5 dB的FoMs。电路具有低功耗高精度的特点,适用于移动IoT低功耗信号采集的场景。 展开更多
关键词 移动物联网应用 低功耗设计 无源噪声整形 逐次逼近模数转换器
在线阅读 下载PDF
K波段线性化器的研究
7
作者 李宇杰 秦海潮 周彪 《微纳电子技术》 2026年第3期74-81,共8页
为满足通信高频、宽带、高线性度的要求,采用模拟预失真技术设计并实现了一款内置线性化器的K波段功率放大器。该功率放大器基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计,采用三级放大的拓扑结构,其中第一级采用自偏置结构来... 为满足通信高频、宽带、高线性度的要求,采用模拟预失真技术设计并实现了一款内置线性化器的K波段功率放大器。该功率放大器基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计,采用三级放大的拓扑结构,其中第一级采用自偏置结构来降低电流,同时每一级漏极都使用二级滤波来滤除杂波信号。线性化器的核心器件未使用传统的肖特基二极管,而是由一对并联的冷模PHEMT、一个电阻和一个旁路电容组成。通过设计、仿真和流片,最终得到一款工作在17~21 GHz的高线性功率放大器,在饱和输出功率回退3 dBm时,三阶交调失真(IMD3)最大可改善10 dBc。 展开更多
关键词 GAAS K波段 冷模赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 内置线性化器 三阶交调失真(IMD3)
原文传递
2 MHz高稳定性片上张弛振荡器研究
8
作者 王宗龙 李萌 《微处理机》 2026年第1期15-20,共6页
为满足现代通信系统对高频信号和高精度的需求,基于TSMC 180 nm工艺,在传统RC振荡器的基础上,设计了一个高稳定性片上RC张弛振荡器,为芯片内部提供稳定时钟信号。采用电压平均反馈技术减轻比较器延迟的影响,通过参考电路在宽电源电压和... 为满足现代通信系统对高频信号和高精度的需求,基于TSMC 180 nm工艺,在传统RC振荡器的基础上,设计了一个高稳定性片上RC张弛振荡器,为芯片内部提供稳定时钟信号。采用电压平均反馈技术减轻比较器延迟的影响,通过参考电路在宽电源电压和温度范围内实现高稳定频率,并利用数字微调电路提高精度。结果表明,在4 V电源电压、25℃温度、TT工艺角下,输出频率为2.004 MHz,占空比为50%,精度可达+0.2%。在TT、FF、SS工艺角下,对不同温度和电源电压进行仿真,最大频率偏差分别为0.416%和0.315%。 展开更多
关键词 RC振荡器 高稳定频率 宽电源电压 电压平均反馈
在线阅读 下载PDF
一种具有高阶补偿结构的低温漂带隙基准
9
作者 杨雨欣 李海松 王斌 《微电子学与计算机》 2026年第1期133-139,共7页
针对传统带隙基准温漂系数较高的问题,设计一种具有高阶补偿结构的低温漂带隙基准电压源。在一阶带隙基准的基础上,利用偏置在PTAT电流下的亚阈值区MOS管栅源电压中温度的高阶补偿项来抵消三极管发射结电压中温度的高阶项,从而得到一个... 针对传统带隙基准温漂系数较高的问题,设计一种具有高阶补偿结构的低温漂带隙基准电压源。在一阶带隙基准的基础上,利用偏置在PTAT电流下的亚阈值区MOS管栅源电压中温度的高阶补偿项来抵消三极管发射结电压中温度的高阶项,从而得到一个温漂系数极低的带隙基准源。该基准采用0.35μm BCD工艺进行电路设计,版图面积为345μm×140μm。仿真结果表明:基准在电源电压为5 V,温度范围为-55~125℃时的温漂系数仅为1.9 ppm/℃,常温下的功耗为22.3μW,PSRR在1 kHz可以达到-70.68 dB。 展开更多
关键词 带隙基准 高阶温度补偿 温度系数 CMOS
在线阅读 下载PDF
氮化镓射频开关研究进展
10
作者 李昶运 武宸羽 +1 位作者 贾永昊 徐跃杭 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期34-65,共32页
氮化镓射频开关作为未来移动通信的关键电路元件之一,其性能直接影响通信效率与质量。首先系统梳理了射频开关的基本电路拓扑结构,包括串并联、谐振、行波、非对称型及多端口等架构,然后分析了氮化镓作为射频开关的优势与挑战,接着围绕... 氮化镓射频开关作为未来移动通信的关键电路元件之一,其性能直接影响通信效率与质量。首先系统梳理了射频开关的基本电路拓扑结构,包括串并联、谐振、行波、非对称型及多端口等架构,然后分析了氮化镓作为射频开关的优势与挑战,接着围绕损耗优化,总结了通过异质结工程、低阻欧姆接触与热管理等技术降低导通电阻的技术路径,最后针对提升线性度,综述了缓变沟道、双异质结、鳍式栅结构及阈值耦合等有效改善跨导平坦度的器件方案,并探讨电路级优化策略。通过对现有文献的分析,旨在为高性能氮化镓射频开关的设计提供技术参考。 展开更多
关键词 高线性 低损耗 氮化镓 射频开关
原文传递
一种高电源抑制比低功耗LDO设计
11
作者 师全涛 吴巍 王俊峰 《电子元件与材料》 北大核心 2026年第1期27-34,共8页
为满足射频电路对中高频段高电源抑制特性(PSR)和较低功耗的需求,本文提出了一种高电源抑制比、低功耗的LDO设计。通过在误差放大器输出端与功率管栅端之间引入低输出阻抗的缓冲器和自适应动态零点补偿电路,有效保证系统稳定性,同时扩展... 为满足射频电路对中高频段高电源抑制特性(PSR)和较低功耗的需求,本文提出了一种高电源抑制比、低功耗的LDO设计。通过在误差放大器输出端与功率管栅端之间引入低输出阻抗的缓冲器和自适应动态零点补偿电路,有效保证系统稳定性,同时扩展了PSR带宽,实现了中高频段的高电源抑制特性。采用固定偏置和自适应偏置相结合的缓冲器以及静态电流更低的亚阈值CMOS基准,降低了整体功耗。电路设计采用SMIC 55 nm CMOS工艺,电路整体实现了1.7~3 V的电源电压输入范围,以及1.2 V的输出电压值和500μA~50 mA负载电流。结果表明,在50 mA负载电流下,LDO的PSR在100 kHz时为-61.2 dB,在1 MHz时为-63 dB,最小静态电流仅为40.4μA。该LDO适用于对电源纹波敏感的设备。 展开更多
关键词 电源抑制比 稳定性 零点补偿 低静态电流 自适应偏置 CMOS基准
在线阅读 下载PDF
应用于DC-DC的一种高精度过流保护电路
12
作者 张曦 程心 庞斯尹 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2026年第1期56-61,共6页
文章基于电流模同步降压DC-DC转换器,提出一种高精度可编程阈值的过流保护电路。基于SENSEFET电流采样技术设计一种全周期电流采样电路,克服了传统方案只能采样1/2周期的局限;通过外接电阻编程与修调电路,不仅扩展了电流保护范围,还降... 文章基于电流模同步降压DC-DC转换器,提出一种高精度可编程阈值的过流保护电路。基于SENSEFET电流采样技术设计一种全周期电流采样电路,克服了传统方案只能采样1/2周期的局限;通过外接电阻编程与修调电路,不仅扩展了电流保护范围,还降低了温度等因素对电流阈值的影响;采用三级运放构建的比较器进一步提升了电路的比较速度。该过流保护电路采用0.18μm BCD工艺设计实现,仿真结果表明,其能够在10ns内快速响应,实现精度达96%的电流保护,并适用于多种DC-DC芯片类型。 展开更多
关键词 DC-DC转换器 电流采样 可编程阈值 高精度 高速
在线阅读 下载PDF
一种低功耗瞬态响应增强的无片外电容LDO
13
作者 于子靖 陈元平 +1 位作者 朱承同 谢月娥 《电子元件与材料》 北大核心 2026年第1期18-26,共9页
针对当前低功耗下低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,设计了一种兼具低功耗和瞬态响应增强的无片外电容LDO。该设计提出了一种带交叉耦合对管的电流型跨导误差放大器,在维持超低静态电流的同时提高了误差放大器跨导,从而提升了LDO... 针对当前低功耗下低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,设计了一种兼具低功耗和瞬态响应增强的无片外电容LDO。该设计提出了一种带交叉耦合对管的电流型跨导误差放大器,在维持超低静态电流的同时提高了误差放大器跨导,从而提升了LDO环路增益和单位增益带宽,改善了LDO的瞬态响应性能和线性调整率;设计了体端调制电路和瞬态响应增强电路,进一步提高了LDO的瞬态响应性能。整体电路设计基于TSMC 180 nm CMOS工艺,实现了1.15~1.8 V电压输入下,输出电压1 V,最大输出电流100 mA。后仿真结果表明,全负载范围内LDO的最大静态电流为804 nA,当负载从0.1到100 mA以500 ns切换时,欠冲和过冲电压分别为126和135 mV,稳定恢复时间分别为1.5和1.8μs。 展开更多
关键词 低功耗 瞬态响应增强 无片外电容LDO 体端调制技术
在线阅读 下载PDF
一种高精度片上电阻型CMOS温度传感器设计
14
作者 黄东 赵胜伟 张家梁 《西安邮电大学学报》 2026年第1期59-69,共11页
针对多相滤波器(Poly-Phase Filter,PPF)加锁频环(Frequency-Locked Loop,FLL)架构的温度传感器需要多点校准以实现低于±1℃温度误差的问题,设计一种高精度片上电阻型CMOS温度传感器,以减小比较器失调电压对精度的影响。该传感器... 针对多相滤波器(Poly-Phase Filter,PPF)加锁频环(Frequency-Locked Loop,FLL)架构的温度传感器需要多点校准以实现低于±1℃温度误差的问题,设计一种高精度片上电阻型CMOS温度传感器,以减小比较器失调电压对精度的影响。该传感器的感温前端由两个温敏电阻和两个基准电容构成的RC多相滤波器组成,通过锁频环读出与温度相关的频率。通过引入失调校准放大器和双边沿检测频率相位检测器,实现了带预放大电路的双过零检测方案。这两项技术的结合显著降低了失调电压对系统精度的影响。基于TSMC 65nm CMOS工艺,设计并仿真实现了一款温度传感器。该传感器在0.9V电源电压下的功耗为88.6μW,在0.85V至1.3V电源电压范围内表现出0.33℃/V的电源灵敏度。在250μs和1ms的转换时间里,传感器的温度分辨率分别达到0.013℃和0.0023℃。经过单点修调后,在-40℃至125℃的宽温度范围内,传感器的前仿真测量精度为±0.9℃,后仿真测量精度为±1.03℃。仿真结果表明,采用带预放大电路的双过零检测方案能够显著提高PPF+FLL架构温度传感器的精度。 展开更多
关键词 电阻型温度传感器 单点修调 双过零检测方案 失调校准放大器 锁频环
在线阅读 下载PDF
用于生物信号测量的Sigma-Delta调制器设计
15
作者 蔡裕斌 冯忱晖 《仪表技术》 2026年第1期42-45,54,共5页
Sigma-Delta模数转换器凭借其过采样与噪声整形技术优势,广泛应用于精密医疗设备中。针对0~1 kHz频段生物信号测量应用,设计了一款采用一位量化、三阶前馈的级联积分器前馈(cascade-of-integrators feedforward,CIFF)结构的离散时间Sigm... Sigma-Delta模数转换器凭借其过采样与噪声整形技术优势,广泛应用于精密医疗设备中。针对0~1 kHz频段生物信号测量应用,设计了一款采用一位量化、三阶前馈的级联积分器前馈(cascade-of-integrators feedforward,CIFF)结构的离散时间Sigma-Delta调制器。借助MATLAB中的SDToolbox确定调制器关键参数,并在Simulink中建立行为级模型,同时纳入运算放大器非理想效应的影响;基于该模型指导,采用SMIC 180 nm CMOS工艺完成电路实现。在采样时钟256 kHz、输入信号频率812.5 Hz、幅值为(0.9±0.7)V正弦信号的测试条件下进行仿真实验,结果表明:在tt、ff和ss工艺角下,系统有效位数分别达到16.03 bit、16.45 bit和17.15 bit,最大功耗不超过1.619 mW,性能满足目标频段生物信号的测量要求。 展开更多
关键词 模数转换器 SIGMA-DELTA调制器 过采样 噪声整形 生物信号测量
原文传递
一款卫星导航用高集成度单输入四输出宽带低噪声放大器
16
作者 周建政 王晗 +4 位作者 李莉 余桂周 张心德 芮金城 曾敏慧 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期78-83,共6页
针对未来卫星导航接收前端对多频段兼容的迫切需求,基于国产0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种新型高集成度单输入四输出宽带低噪声放大器芯片。综合应用共源共栅结构、并联-串联反馈结构、电感峰化技术、共栅管栅极电容技术及电路复... 针对未来卫星导航接收前端对多频段兼容的迫切需求,基于国产0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种新型高集成度单输入四输出宽带低噪声放大器芯片。综合应用共源共栅结构、并联-串联反馈结构、电感峰化技术、共栅管栅极电容技术及电路复用技术等,实现放大器宽频带、低噪声、高增益及良好的端口匹配;通过电路复用技术及少电感的优化电路方案,实现放大器的高集成度,尺寸仅840μm×780μm。测试结果表明,该放大器在通用卫星导航频段内噪声系数≤0.92 dB,增益≥26 dB,端口回波≤-15 dB,输出三阶交调截点≥18 dBm,满足多频段兼容卫星导航接收系统的应用要求。 展开更多
关键词 卫星导航 低噪声放大器 单输入四输出 共源共栅结构 电路复用
原文传递
源底深p阱注入结构的SiC MOSFET设计与优化
17
作者 方绍明 邹明锋 曾伟 《微纳电子技术》 2026年第3期66-73,共8页
碳化硅(SiC)功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其高耐压、高耐温和快速开关等特性,在中高压电力电子领域应用广泛,具有重要的研究价值。在SiC MOS-FET设计中,降低比导通电阻(Ron,sp)并提高击穿电压(BV)始终是核心目标。... 碳化硅(SiC)功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其高耐压、高耐温和快速开关等特性,在中高压电力电子领域应用广泛,具有重要的研究价值。在SiC MOS-FET设计中,降低比导通电阻(Ron,sp)并提高击穿电压(BV)始终是核心目标。自主研制了一款平面型SiCMOSFET,通过元胞区与终端结构的协同优化设计,实现了器件性能最优化。在常温下,其比导通电阻为3.03 mΩ·cm^(2);当漏源电压达到1200 V时,反向漏电流小于1μA。在175℃高温环境下,器件顺利通过了1000 h的高温栅极偏置(HTGB)与高温反向偏置(HTRB)可靠性测试。测试结果表明,阈值电压(V_(th))及BV漂移量均小于5%,漏电流在1000 h前后均保持在1μA以下,证实该器件具有优异的高温稳定性和可靠性。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 比导通电阻 阈值电压 可靠性
原文传递
一种增强型分段曲率补偿带隙基准电路
18
作者 尹成毅 《微处理机》 2026年第1期32-39,共8页
为有效降低双极型晶体管发射极-基极电压的非线性温度分量导致的误差,采用65 nm CMOS工艺,设计了一种高精度、低温度系数的电流型带隙基准(BGR)电路,提出了一种增强型分段温度补偿电路。该电路通过不同温度阈值触发,在不同温度范围内输... 为有效降低双极型晶体管发射极-基极电压的非线性温度分量导致的误差,采用65 nm CMOS工艺,设计了一种高精度、低温度系数的电流型带隙基准(BGR)电路,提出了一种增强型分段温度补偿电路。该电路通过不同温度阈值触发,在不同温度范围内输出不同温度系数的补偿电流,大幅度降低了非线性温度分量对基准电压的影响。利用Cadence软件进行仿真验证,在电源电压为1.2 V、室温条件下,电路输出的基准电压为800.5 mV,其相对误差(3σ/μ)低至0.43%。在-40~125℃的温度范围内,输出基准电压的最低温度系数为1.62 ppm/℃。在10 Hz处,电源抑制比(PSR)为62.6 dB。当电源电压在1.1~5.0 V时,基准电路可以稳定工作。 展开更多
关键词 带隙基准 增强补偿 分段补偿 温度系数
在线阅读 下载PDF
无运放带隙基准电路研究综述
19
作者 杨海逸 《消费电子》 2026年第4期47-49,共3页
带隙基准电压源是模拟及数模混合集成电路的核心模块,可以为模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)、数模转换器(Digital-to-Analog Converter,DAC)、低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)等电路提供稳定的参考电压。传... 带隙基准电压源是模拟及数模混合集成电路的核心模块,可以为模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)、数模转换器(Digital-to-Analog Converter,DAC)、低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)等电路提供稳定的参考电压。传统有运放带隙基准受运放失调电压、功耗及复杂度制约,而无运放结构因简化设计、降低功耗成为研究热点,但传统无运放方案存在温度系数大、电源抑制比差等问题。文章针对近年四种典型无运放带隙基准电路展开综述,系统分析各设计的核心架构、工作原理、关键性能参数及创新点,对比不同技术路线的优劣,为高精度无运放带隙基准的设计与优化提供参考。 展开更多
关键词 带隙基准 无运放 温度系数 电源抑制比
在线阅读 下载PDF
一种宽温区低温漂的CMOS基准电压源设计
20
作者 杨运超 李明轩 +1 位作者 曹晓东 张雪莲 《现代电子技术》 北大核心 2026年第4期8-12,共5页
针对智能导钻传感系统在极端温度条件下的应用需求,基于国内0.15μm SOI CMOS工艺,采用正负温度系数电阻平衡、MOS晶体管背栅反馈以及偏置电流温度补偿等技术,设计一款可工作于-50~250℃的宽温区低温漂基准电压源。仿真结果表明,该基准... 针对智能导钻传感系统在极端温度条件下的应用需求,基于国内0.15μm SOI CMOS工艺,采用正负温度系数电阻平衡、MOS晶体管背栅反馈以及偏置电流温度补偿等技术,设计一款可工作于-50~250℃的宽温区低温漂基准电压源。仿真结果表明,该基准电压源在-50~250℃温度范围内能够稳定输出2.537 V的基准电压,温度系数为14.45 ppm/℃时,低频下电源抑制比达到-63.1 dB,在不同电源电压和工艺角下仿真均表现出良好的稳定性。该电路适用于需要在宽温度区域内保持高精度和稳定性的电子系统。 展开更多
关键词 宽温区 低温漂 基准电压源 SOI CMOS 带隙基准 温度补偿
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 250 下一页 到第
使用帮助 返回顶部