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一种基于浮动反相放大器的低功耗Sigma-Delta ADC
1
作者 张欣朵 辛晓宁 +1 位作者 任建 张家豪 《电子设计工程》 2026年第2期106-110,共5页
为了降低模拟前端系统的功耗,设计了一种基于浮动反相放大器的低功耗离散时间Sigma-Delta ADC,采用二阶前馈单位量化结构。为了实现低功耗,开关电容积分器的放大器采用动态放大器,其具有低功耗、全动态工作、无需共模反馈电路仍能保持... 为了降低模拟前端系统的功耗,设计了一种基于浮动反相放大器的低功耗离散时间Sigma-Delta ADC,采用二阶前馈单位量化结构。为了实现低功耗,开关电容积分器的放大器采用动态放大器,其具有低功耗、全动态工作、无需共模反馈电路仍能保持共模稳定等优点。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺进行电路设计和仿真测试,仿真结果表明,在过采样率为256时,信噪失真比SNDR可达到77.3 dB,无杂散动态范围SFDR可达到84.9 dB,有效位数约为12.6 bits。在1.8 V电源电压、512 kHz采样时钟下,整体功耗为7.1μW。 展开更多
关键词 Sigma-Delta ADC 低功耗 浮动反相放大器 开关电容电路
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温度对14nm FinFET SRAM单粒子效应的影响
2
作者 谭钧元 郭刚 +4 位作者 张付强 江宜蓓 陈启明 韩金华 秦丰迪 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期87-93,共7页
由于鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM)特有的鳍片电荷共享机制,其对单粒子效应(SEE)呈现出与传统平面器件截然不同的敏感特性。利用TCAD仿真构建14 nm FinFET SRAM模型并结合重离子实验加以验证,研究了温度对14 nm FinFET S... 由于鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM)特有的鳍片电荷共享机制,其对单粒子效应(SEE)呈现出与传统平面器件截然不同的敏感特性。利用TCAD仿真构建14 nm FinFET SRAM模型并结合重离子实验加以验证,研究了温度对14 nm FinFET SRAM电荷收集机制的影响。结果表明,随着温度的升高,高线性能量转移(LET)离子诱导的电荷收集过程逐渐减弱,多节点电荷收集现象也会逐渐减弱,且当环境温度达到125℃临界值时,敏感节点会出现收集电荷的雪崩式累积现象。此外,随着温度的升高,器件的翻转截面从1.27×10^(-3)cm^(2)增大到1.81×10^(-3)cm^(2),增大了约43%,且在高温下翻转截面的增大趋势愈发显著,该结果与仿真结果良好吻合。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM) 单粒子效应(SEE) 电荷收集 TCAD 温度
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一种大电流低压差线性稳压器
3
作者 文传瑶 钟琼丽 +1 位作者 马奎 杨发顺 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期45-56,76,共13页
基于40 V双极型工艺设计了一种输出电压可调的大电流、低压差线性稳压器(LDO)。在带隙基准源电路中引入二极管修调技术,有效减小了工艺波动的影响;采用达林顿结构的横向pnp功率晶体管作为输出调整管,确保大电流条件下LDO具有较低的输入... 基于40 V双极型工艺设计了一种输出电压可调的大电流、低压差线性稳压器(LDO)。在带隙基准源电路中引入二极管修调技术,有效减小了工艺波动的影响;采用达林顿结构的横向pnp功率晶体管作为输出调整管,确保大电流条件下LDO具有较低的输入-输出电压差;设计了过温、限流、过压以及防反接4种保护电路,保证电路的稳定运行。基于Cadence Spectre进行电路设计和仿真,后仿结果表明电路可在输入电压为5.4~26 V、温度为-55~125℃下正常运行;实现5~20 V的可调输出电压;当输出电压为5 V、输出电流为1 A时,输入-输出电压差低至375 mV;线性调整率及负载调整率分别为0.375 mV/V和4.02 mV/A。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 大电流 达林顿调整管 二极管修调 输出电压可调
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基于器件结构与工艺优化的高可靠性eFuse设计
4
作者 孙豪赛 赖振安 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期63-67,共5页
电编程熔丝(eFuse)广泛应用于手机片上系统(SoC)、汽车微控制器(MCU)、人工智能(AI)芯片中,其编程后存在电迁移不完全、阴极镍残留等问题,且高温使导电层NiSi形貌退化产生空洞,初始电阻增大,从而导致eFuse烧写不充分,可靠性降低。基于... 电编程熔丝(eFuse)广泛应用于手机片上系统(SoC)、汽车微控制器(MCU)、人工智能(AI)芯片中,其编程后存在电迁移不完全、阴极镍残留等问题,且高温使导电层NiSi形貌退化产生空洞,初始电阻增大,从而导致eFuse烧写不充分,可靠性降低。基于器件结构和工艺提出了优化方案,器件阴极采用面积更小的细长条结构,降低镍含量以缩短迁移时间;沉积NiSi时采用Pt原子数分数为10%的金属靶材,以更有效地抑制高阻态NiSi_(2);同时在钨化学机械抛光后省略退火步骤,降低高温造成的导电层不稳定。测试结果显示,改进方案下eFuse初始电阻标准差较传统方案降低40%,在标准电压-20%~-10%下,烧写后电阻标准差降低85%,电阻中位数可达600 kΩ,具有较高的一致性与可靠性。 展开更多
关键词 电编程熔丝(eFuse) NISI Ni残留 NiSi空洞 电迁移 可靠性
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多核微处理器EDAC与位交织加固存储系统单粒子翻转特性分析 被引量：1
5
作者 池雅庆 胡春媚 +2 位作者 陈建军 梁斌 陈小文 《微电子学与计算机》 2025年第1期110-116,共7页
纠检错结合位交织作为主流的大容量片上存储器抗单粒子翻转加固方法,广泛应用于面向恶劣环境的先进微处理器中。基于高LET重离子辐照试验,探究某多核微处理器中EDAC与位交织加固存储系统的单粒子翻转特性,首次发现其SEU来源于加速器重... 纠检错结合位交织作为主流的大容量片上存储器抗单粒子翻转加固方法,广泛应用于面向恶劣环境的先进微处理器中。基于高LET重离子辐照试验,探究某多核微处理器中EDAC与位交织加固存储系统的单粒子翻转特性,首次发现其SEU来源于加速器重离子试验时多个离子轰击造成的多位翻转影响到了同一个逻辑地址。建立了纠一检二与位交织存储系统SEU截面解析模型,符合测试结果。模型分析表明缩短SRAM刷新周期和减少EDAC数据位宽都能增强EDAC和位交织加固方法的抗MBU能力。 展开更多
关键词 EDAC SEC-DED 位交织 单粒子翻转 SRAM
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一种新型的高性能CPU时钟树自适应优化策略
6
作者 樊凌雁 张哲 +2 位作者 黄灿坤 骆建平 刘海銮 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第4期1192-1201,共10页
该文基于精简指令集系统(RISC-V)架构提出了一种新型的自适应全流程(ADFF)时钟树优化方法,高效利用有用偏差(useful skew)来优化高性能CPU时钟树,以满足市场对芯片高性能和低功耗的双重需求。针对时钟树,通过选择关键路径并结合理论延... 该文基于精简指令集系统(RISC-V)架构提出了一种新型的自适应全流程(ADFF)时钟树优化方法,高效利用有用偏差(useful skew)来优化高性能CPU时钟树,以满足市场对芯片高性能和低功耗的双重需求。针对时钟树,通过选择关键路径并结合理论延迟和缓冲器制造有用偏差,采用循环迭代的方式,在不同流程自适应修复常规流程无法解决的建立时间违例(setup violation)和保持时间违例(hold violation)。为了在提升性能的同时,最大限度降低功耗,该文对加入的延迟单元进行合并(merge)处理,实现功耗与时序的联合优化。最后采用RISC_V CPU核进行验证,研究结果表明,在确保合理功耗的基础上,所提方法显著改善了时序情况,总时序裕量违例几乎完全消除。 展开更多
关键词 时钟树 有用偏差 自适应 时间违例 联合优化
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一种高精度低噪声集成运算放大器
7
作者 潘婷 付玉 +1 位作者 马奎 杨发顺 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1020-1032,共13页
采用国内40 V双极型工艺设计了一种高精度、低噪声运算放大器。电路采用三级运算放大器结构,偏置电路采用正温度系数(PTAT)电流源,使输入级的跨导恒定;输入级采用双对管结构,在增大输入阻抗的同时降低了噪声,采用基极电流补偿电路来减... 采用国内40 V双极型工艺设计了一种高精度、低噪声运算放大器。电路采用三级运算放大器结构,偏置电路采用正温度系数(PTAT)电流源,使输入级的跨导恒定;输入级采用双对管结构,在增大输入阻抗的同时降低了噪声,采用基极电流补偿电路来减小运算放大器的输入偏置电流;增益级选用结型场效应晶体管(JFET)放大电路,减小了输入级的负载效应,提高了电路精度。此外,在电路中加入了大量的修调电阻,对电路的失调电压、输入偏置电流和各级尾电流进行修调。选取修调后的3000颗芯片进行测试,结果表明:输入失调电压均值为34.01μV,输入失调电流均值为0.982 nA,输入偏置电流均值为0.681 nA,开环电压增益均值为130.817 dB,共模抑制比均值为154.239 dB,电源电流均值为0.723 mA。 展开更多
关键词 高精度 低噪声 偏置电路 失调电压 双极型工艺
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一种高速且输出摆幅可调的SubLVDS发送端电路
8
作者 王巍 穆春霖 +2 位作者 金蔚然 王书星 杨龙 《微电子学与计算机》 2025年第6期146-154,共9页
超低压差分信号是实现芯片内外数据高速串行传输的有效方式。传统电路无法在同一电压下调整差分输出摆幅来满足不同的应用情况。为了解决传统技术差分输出信号摆幅无法改变的问题,设计了一种输出摆幅可调的低压差分信号发送端电路。该... 超低压差分信号是实现芯片内外数据高速串行传输的有效方式。传统电路无法在同一电压下调整差分输出摆幅来满足不同的应用情况。为了解决传统技术差分输出信号摆幅无法改变的问题,设计了一种输出摆幅可调的低压差分信号发送端电路。该电路采用双电流源结构,通过改变流过驱动器电路电流的大小,进而调整输出差分摆幅,可以在同一电源电压和共模电压下输出两种不同幅值的差分摆幅信号。仿真结果表明:在输入信号数据速率为2 Gbps时,该电路可以在两种摆幅模式下平稳切换,分别输出约±152 mV和±351 mV的差分信号摆幅,功耗约为9.1 mW,共模电压均约为0.955 V。 展开更多
关键词 超低压差分信号 串行传输 共模电压 差分摆幅
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一种基于GABP神经网络的流水线ADC校准算法
9
作者 王巍 王书星 +2 位作者 杨龙 穆春霖 金蔚然 《微电子学与计算机》 2025年第5期123-129,共7页
流水线模数转换器(Pipeline ADC)的精度受到了多种非理想因素的显著影响,主要包括运放有限增益误差、比较器失调电压以及电容失配等。为了解决非理想因素造成的流水线模数转换器性能降低,以及单反向传播神经网络存在校准效率低、校准性... 流水线模数转换器(Pipeline ADC)的精度受到了多种非理想因素的显著影响,主要包括运放有限增益误差、比较器失调电压以及电容失配等。为了解决非理想因素造成的流水线模数转换器性能降低,以及单反向传播神经网络存在校准效率低、校准性能不佳等问题,提出了一种遗传算法优化反向传播神经网络的校准算法。该算法使用反向传播神经网络结合遗传算法的复合结构学习并提取流水线模数转换器数字输出中包含的误差特征,对流水线模数转换器进行校准。使用该算法对一个12 bit 160 MS/s流水线模数转换器进行了校准,仿真结果表明,校准后流水线模数转换器的有效位数由7.01 bit提升到10.97 dB,无动态杂散范围由38.22 dB提升到82.65 dB。 展开更多
关键词 流水线模数转换器 数字校准 神经网络 遗传算法
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一种适用于锁相环的低失配电荷泵
10
作者 王巍 金蔚然 +2 位作者 穆春霖 杨龙 王书星 《微电子学与计算机》 2025年第7期149-155,共7页
电荷泵在锁相环环路中有着重要作用。较大的电流失配会对电路的参考杂散与噪声性能方面有着较大影响,从而导致锁相环整体性能恶化。提出了一种改进的适用于锁相环的低失配电荷泵电路。通过采用带跨导放大器补偿的高精度高输出电阻电流镜... 电荷泵在锁相环环路中有着重要作用。较大的电流失配会对电路的参考杂散与噪声性能方面有着较大影响,从而导致锁相环整体性能恶化。提出了一种改进的适用于锁相环的低失配电荷泵电路。通过采用带跨导放大器补偿的高精度高输出电阻电流镜,形成低压高输出阻抗的结构,能精确匹配充放电电流和扩大输出电压摆幅,有效减小电荷失配。使用带缓冲器的差分输出级,降低电荷注入和电荷共享所导致的抖动。仿真结果表明:在工作电压为1.8V、电荷泵电流为100μA、输出电压在0.3~1.4V的范围内时,电荷泵的电流失配小于0.058%。 展开更多
关键词 电荷泵 电流失配 锁相环
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一种高压摆率运算放大器
11
作者 张东 肖永惠 +2 位作者 曲美月 宫政 杨邦勋 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第12期1459-1463,共5页
为解决信号处理延迟时间长、带容性负载能力差的问题,基于双极型工艺设计了一款高性能运算放大器。电路整体为二级运放,采用密勒电容来进行频率补偿。为保证运放工作在不同温度下的稳定性,采用一阶与温度无关的偏置电流。运放输入级采... 为解决信号处理延迟时间长、带容性负载能力差的问题,基于双极型工艺设计了一款高性能运算放大器。电路整体为二级运放,采用密勒电容来进行频率补偿。为保证运放工作在不同温度下的稳定性,采用一阶与温度无关的偏置电流。运放输入级采用共集-共射组态的形式,来增大运放的输入阻抗,同时提升对信号接收的灵敏度。电路采用全三极管来实现高增益和高转换速率,以及强带容性负载能力。为更好提升运算放大器的性能,采用spectre工具对电路进行仿真优化。仿真结果表明在±15 V电压工作条件下增益带宽积为4.57 MHz,压摆率为11.5 V/μs(负载电容100 pF),等效输入参考噪声为20 nV/Hz^(1/2),可驱动1000 pF负载电容。该设计具备高速数据采集与信号调理的能力。 展开更多
关键词 双极型晶体管 运算放大器 低噪声 高压摆率
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一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法 被引量：7
12
作者 石华芬 张海英 +3 位作者 刘训春 陈宝钦 刘明 王云翔 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期411-415,共5页
提出了一种新的 PMMA/ PMGI/ PMMA三层胶复合结构 ,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在 In PPHEMT材料上制作出高成品率的 T型纳米栅 .在曝光显影条件变化 2 0 %的情况下 ,In P HEMT成品率达到 80 %以上 ;跨导变化范围在 5 90～ 6 10... 提出了一种新的 PMMA/ PMGI/ PMMA三层胶复合结构 ,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在 In PPHEMT材料上制作出高成品率的 T型纳米栅 .在曝光显影条件变化 2 0 %的情况下 ,In P HEMT成品率达到 80 %以上 ;跨导变化范围在 5 90～ 6 10 m S/ mm,夹断电压为 - 1.0～ - 1.2 V,器件的栅长分布均匀 .这种新的结构工艺步骤少 ,工艺宽容度大 ,重复性好 。 展开更多
关键词 InP 制作方法 三层胶复合结构 PHEMT 电子束曝光 T型纳米栅 磷化铟 电子迁移率晶体管
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FPGA动态可重构理论及其研究进展 被引量：49
13
作者 谷銮 徐贵力 王友仁 《计算机测量与控制》 CSCD 2007年第11期1415-1418,共4页
近年来,随着微电子技术和计算机技术的发展,尤其是大规模现场可编程门阵列FPGA的出现,实时电路重构技术逐渐成为国际学术界的研究热点;基于FPGA的重构系统具有自适应、自主修复特性,在空间应用中具有非常重要的作用;文章介绍了基于FP-G... 近年来,随着微电子技术和计算机技术的发展,尤其是大规模现场可编程门阵列FPGA的出现,实时电路重构技术逐渐成为国际学术界的研究热点;基于FPGA的重构系统具有自适应、自主修复特性,在空间应用中具有非常重要的作用;文章介绍了基于FP-GA动态可重构技术的原理、分类,重点讨论了动态可重构的实现方法及两种技术,并给出了系统重构设计的流程,同时,介绍了基于FPGA动态可重构技术已取得的成功应用,最后展望了FPGA动态可重构技术的发展前景,并指出了有待解决的问题。 展开更多
关键词 可编程逻辑器件 FPGA 可重构 动态可重构
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第一类m子序列的构造 被引量：8
14
作者 吕虹 段颖妮 +1 位作者 管必聪 刘雨兰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期2029-2032,共4页
伪随机序列在流密码、信道编码、扩频通信等领域有着广泛的应用,m序列是优秀的伪随机序列.基于m序列,本文首次提出通过重构m序列移位寄存器状态图,构造一类称之为m子序列的移位寄存器状态图.根据重构的状态图,提出了第一类m子序列并予... 伪随机序列在流密码、信道编码、扩频通信等领域有着广泛的应用,m序列是优秀的伪随机序列.基于m序列,本文首次提出通过重构m序列移位寄存器状态图,构造一类称之为m子序列的移位寄存器状态图.根据重构的状态图,提出了第一类m子序列并予以证明.本文推导了第一类m子序列移位寄存器反馈函数式,分析了第一类m子序列具有良好的周期特性、游程特性、平衡特性以及较高的线性复杂度.仿真结果表明,m子序列自相关特性也具有很好的δ(t)函数特征.利用文中给出的构造方法,可以构造更多性能优良的m子序列. 展开更多
关键词 m子序列 移位寄存器 重构状态图 伪随机特性 反馈函数
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瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响 被引量：7
15
作者 马强 林东生 +5 位作者 范如玉 陈伟 杨善潮 龚建成 王桂珍 齐超 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期545-549,共5页
对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特... 对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特性。另外,输入信号不同,输出扰动时间随剂量率的变化也会有差异。 展开更多
关键词 BIMOS 集成运算放大器 γ瞬时电离辐射 扰动时间 剂量率
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CMOS工艺微控制器瞬时电离辐射效应实验研究 被引量：6
16
作者 金晓明 范如玉 +4 位作者 陈伟 王桂珍 林东生 杨善潮 白小燕 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1487-1492,共6页
利用CMOS工艺微控制器的实验测试系统,在"强光一号"加速器上进行了瞬时剂量率效应实验。实验研究采用的γ脉冲宽度为20ns,剂量率(以Si原子计)为6.7×106～2.0×108Gy/s。在不同的剂量率水平下观察到了扰动和闭锁效应... 利用CMOS工艺微控制器的实验测试系统,在"强光一号"加速器上进行了瞬时剂量率效应实验。实验研究采用的γ脉冲宽度为20ns,剂量率(以Si原子计)为6.7×106～2.0×108Gy/s。在不同的剂量率水平下观察到了扰动和闭锁效应,获得了微控制器的闭锁阈值,分析了扰动时间、系统功耗电流与剂量率间的关系。瞬时电离辐射在CMOS工艺电路的PN结中产生光电流,导致了电学和功能参数的退化。 展开更多
关键词 瞬时电离辐射 微控制器 扰动 闭锁 闭锁阈值
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模拟乘法器零漂抑制技术 被引量：6
17
作者 李文禄 赵治华 +3 位作者 唐健 肖欢 李毅 何方敏 《海军工程大学学报》 CAS 北大核心 2013年第4期1-5,102,共6页
为克服现有调零技术的不足,分析了模拟乘法器零漂产生的原因,建立了乘法器的等效模型,提出了一种高精度的模拟乘法器零漂补偿电路;采用传输线变压器技术、低阻调零技术、温度补偿技术和数字调零技术提高零漂抑制效果,对零漂补偿电路参... 为克服现有调零技术的不足,分析了模拟乘法器零漂产生的原因,建立了乘法器的等效模型,提出了一种高精度的模拟乘法器零漂补偿电路;采用传输线变压器技术、低阻调零技术、温度补偿技术和数字调零技术提高零漂抑制效果,对零漂补偿电路参数提取方法进行了研究。实验结果表明:采用综合补偿技术后,可以将模拟乘法器的原始零漂降低3个数量级。 展开更多
关键词 乘法器零漂 传输线变压器 低阻调零 数字调零
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一种高精度带隙电压基准源改进设计 被引量：5
18
作者 徐勇 王志功 +2 位作者 关宇 乔庐峰 赵斐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2209-2213,共5页
在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上，通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压，在减小器件失配影响的同时，进一步减小了沟道长度调制效应的影响，大幅度提高了基准电压源的精度，降低了温度系数．封装后20... 在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上，通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压，在减小器件失配影响的同时，进一步减小了沟道长度调制效应的影响，大幅度提高了基准电压源的精度，降低了温度系数．封装后200片统计测试的结果：输出电压精度为1．23±0．02V，标准偏差d仅为0．007V，-40～85℃范围内的温度系数测试值在16ppm附近，芯片电源电流为100／μA．该改进电路的设计仿真结果和流片测试结果有很高的一致性． 展开更多
关键词 带隙基准 电压基准源 沟道调制 电源抑制比
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基于关键面积的冗余集成电路成品率分析 被引量：5
19
作者 赵天绪 段旭朝 +1 位作者 马佩军 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期544-549,共6页
利用关键面积的思想分析了冗余电路的成品率 ,并给出了其计算模型 .实例模拟表明 ,与传统的成品率分析方法相比 ,该模型预测 IC成品率具有更高的精度 .
关键词 关键面积 冗余集成电路 成品率 故障 缺陷
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高效率同步整流式开关电源脉宽调制芯片的实现 被引量：4
20
作者 陈卢 石秉学 +2 位作者 卢纯 代铁军 栗国星 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期64-68,共5页
本文分析了同步整流式开关电源与普通开关电源相比在转换效率方面的优势 ,提出了一种同步整流式脉宽调制 (PWM)芯片的结构 ,它集成了开关电源的控制、输出调整、输出监控和保护等功能 ,具有高效率、高精度、可编程、瞬态响应快和过冲小... 本文分析了同步整流式开关电源与普通开关电源相比在转换效率方面的优势 ,提出了一种同步整流式脉宽调制 (PWM)芯片的结构 ,它集成了开关电源的控制、输出调整、输出监控和保护等功能 ,具有高效率、高精度、可编程、瞬态响应快和过冲小等特点 对芯片各单元电路和整个电源系统进行了和HSPICE模拟 ,并采用 1 7μmBiCMOS工艺成功制作出该芯片 以它为核心建立了一个适用于PenitumⅡ系列计算机主板的同步整流式开关电源系统 ,测试结果表明各项指标完全符号Intel公司专为PentiumⅡ系列CPU电源制定的VRM8 2标准。 展开更多
关键词 同步整流 脉宽调制 开关电源 VLSI 芯片
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