1.序言超大规模集成电路的开发日趋激烈,最小图形为1μm的1Mbit DRAM(动态随机存取存储器)才投入批量生产,0.8μm的4MbitDRAM 样品又已上市,现正处在争先恐后研制0.5～0.6μm的16Mbit DRAM 的鼎盛时期。这样稳固的发展,只有在光缩小曝...1.序言超大规模集成电路的开发日趋激烈,最小图形为1μm的1Mbit DRAM(动态随机存取存储器)才投入批量生产,0.8μm的4MbitDRAM 样品又已上市,现正处在争先恐后研制0.5～0.6μm的16Mbit DRAM 的鼎盛时期。这样稳固的发展,只有在光缩小曝光技术最近几年有了显著进展之后才成为可能。光刻术中,首先制作标线板,板上有用电子束以5倍大小刻划的超大规模集成电路图形。然后,采用大孔径投影透镜把电路图形缩成1/5,无畸变地把15mm展开更多
文摘1.序言超大规模集成电路的开发日趋激烈,最小图形为1μm的1Mbit DRAM(动态随机存取存储器)才投入批量生产,0.8μm的4MbitDRAM 样品又已上市,现正处在争先恐后研制0.5～0.6μm的16Mbit DRAM 的鼎盛时期。这样稳固的发展,只有在光缩小曝光技术最近几年有了显著进展之后才成为可能。光刻术中,首先制作标线板,板上有用电子束以5倍大小刻划的超大规模集成电路图形。然后,采用大孔径投影透镜把电路图形缩成1/5,无畸变地把15mm
