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RF CMOS、BiCMOS的新进展(六)——RF ASIC和微系统集成
1
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期205-214,共10页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(五)——移相器、RF开关、集成无源元件和相控阵
2
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期1-12,共12页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成`
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(五)——移相器、RF开关、集成无源元件和相控阵(续)
3
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期109-118,共10页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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一种动态精准的Flash型FPGA内核电源控制技术
4
作者 马金龙 潘乐乐 +2 位作者 韦文勋 江少祥 于宗光 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期263-269,共7页
为满足Flash型现场可编程门阵列(FPGA)在多工作模式下内核电源供电的安全性与可靠性需求,设计并实现了一种Flash型FPGA内核电源控制逻辑电路。该电路利用Flash器件的非易失特性集成状态记忆模块,精准识别FPGA的5种工作状态。通过动态控... 为满足Flash型现场可编程门阵列(FPGA)在多工作模式下内核电源供电的安全性与可靠性需求,设计并实现了一种Flash型FPGA内核电源控制逻辑电路。该电路利用Flash器件的非易失特性集成状态记忆模块,精准识别FPGA的5种工作状态。通过动态控制JD7节点电平,实现了内核电源的精准管理与电气隔离:在非用户模式下将JD7置为电源电压V_(CC),以消除信号冲突风险;在用户模式下切换为GND,建立完整的电源回路。电路在一款60万门规模的Flash型FPGA中集成验证,测试结果表明,在55~125℃范围内及±5%电源电压波动条件下,全片擦除后静态电流低至1 mA,用户模式下功能正确。本研究为高可靠Flash型FPGA提供了一种有效的内核电源管理解决方案,显著提升了芯片的鲁棒性。 展开更多
关键词 Flash型现场可编程门阵列(FPGA) 内核电源供电 电源控制电路 非易失存储 高可靠性
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一种DC~40GHz低插入损耗GeTe相变开关
5
作者 朱乃乾 廖龙忠 +2 位作者 侯钧杰 陈卓 张力江 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期157-166,共10页
基于二极管等传统技术的射频(RF)开关在射频性能与可重构方面逐渐受到制约,基于GeTe薄膜材料设计并制备了一种四端口间接加热的低插入损耗GeTe相变开关。通过实验优化制备参数与退火参数,得到了方阻较低且组分稳定的高质量GeTe薄膜,其... 基于二极管等传统技术的射频(RF)开关在射频性能与可重构方面逐渐受到制约,基于GeTe薄膜材料设计并制备了一种四端口间接加热的低插入损耗GeTe相变开关。通过实验优化制备参数与退火参数,得到了方阻较低且组分稳定的高质量GeTe薄膜,其片内方阻在16Ω/□以下,有利于以此薄膜为基础制备低插入损耗的器件。针对GeTe薄膜易被传统剥离液腐蚀,导致薄膜质量大幅下降,进而影响相变开关直流与射频性能的问题,开发了一种适配GeTe材料的光刻胶剥离工艺,可确保薄膜不受影响。基于此进行工艺优化,制备了相变开关。测试结果显示,最小直流开态电阻约为2.5Ω,关断/开启电压典型值为6.5 V/3.8 V,插入损耗在DC~40 GHz范围内小于0.65 dB。 展开更多
关键词 GETE 射频(RF)开关 相变材料 薄膜制备 剥离工艺
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基于忆阻器的视杆细胞光感模型与电路设计
6
作者 孙晶茹 马文静 +1 位作者 王春华 薛晓勇 《电子与信息学报》 北大核心 2026年第1期404-416,共13页
人类视觉系统通过多层神经元相互配合,实现了具备自适应性、灵敏度高、响应速度快的光感知功能。该文通过研究人类视觉系统中感光细胞的工作原理,提出了一种基于忆阻器的视杆细胞光感电路,并应用于脉冲相机。首先,通过总结视杆细胞感光... 人类视觉系统通过多层神经元相互配合,实现了具备自适应性、灵敏度高、响应速度快的光感知功能。该文通过研究人类视觉系统中感光细胞的工作原理,提出了一种基于忆阻器的视杆细胞光感电路,并应用于脉冲相机。首先,通过总结视杆细胞感光过程中离子变化机制提出了视杆细胞数学模型。其次,提出两种忆阻器模型以模拟感光细胞中钠离子和钙离子通道的特性。之后,构建了视杆细胞光感电路,实现光电转换,电路具备自适应性,同时具有速度高、功耗低、动态范围广等优势。最后将视杆细胞光感电路应用于脉冲相机,电路仿真结果表明,与采用简化神经元光感电路和传统CMOS方案的脉冲相机相比,基于视杆细胞光感电路的脉冲相机转换速度提升了20%和150%,系统功耗相比于传统CMOS电路降低了30%。 展开更多
关键词 光感知电路 生物视觉 忆阻器 脉冲相机
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自然对流换热条件下梯形翅片与其倾角对电子芯片散热性能影响的仿真研究
7
作者 陈占国 李新德 +2 位作者 胡清 丁凯 韩崇安 《商丘职业技术学院学报》 2026年第1期74-80,共7页
将用于芯片散热的梯形截面翅片与矩形截面翅的性能进行对比研究.结果表明,芯片产生的热量与芯片内部最高温度之间成近乎线性的关系.矩形翅片展现出更优的冷却性能,热阻为1.37 K·W-1,梯形翅片为1.39 K·W-1.梯形翅片单位质量的... 将用于芯片散热的梯形截面翅片与矩形截面翅的性能进行对比研究.结果表明,芯片产生的热量与芯片内部最高温度之间成近乎线性的关系.矩形翅片展现出更优的冷却性能,热阻为1.37 K·W-1,梯形翅片为1.39 K·W-1.梯形翅片单位质量的散热能力提升约25%,这使其在轻量化应用中展现出应用潜力.当倾角为55°时,梯形翅片热阻最小. 展开更多
关键词 自然对流换热 电子芯片 梯形翅片 散热器 倾角
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基于多单元融合设计的18~40 GHz GaAs小型化数控移相器
8
作者 潘瑞坤 印政 +4 位作者 马明明 郭润楠 庄园 韩群飞 陶洪琪 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期71-77,共7页
超宽带移相器输入输出驻波是影响相控阵系统波束精度的关键指标之一。本文提出了大相位基准输入输出拓扑,基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,在18~40 GHz实现了一款六位精度数控移相器芯片。针对超宽带小相位基准精度低的问题,提出了改进型串... 超宽带移相器输入输出驻波是影响相控阵系统波束精度的关键指标之一。本文提出了大相位基准输入输出拓扑,基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,在18~40 GHz实现了一款六位精度数控移相器芯片。针对超宽带小相位基准精度低的问题,提出了改进型串并联电容移相结构,提升了5.625°和11.25°小位移相单元的移相精度;同时,提出了引入多模可变负载的开关电抗反射型结构,优化了45°~180°四个大位移相单元的移相器驻波,改善电路寄生调幅。研制的移相器芯片实物加工面积2.2 mm×2.3 mm。芯片测试结果表明,在18~40 GHz工作频带范围内,输入、输出驻波分别小于1.85和1.60,寄生调幅均方根误差0.4~1.2 dB,移相均方根误差2.7°~5.0°,全态损耗7.8~12.0 dB。 展开更多
关键词 移相器 超宽带 毫米波 砷化镓
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一种采用隔离型参考采样鉴相器的低噪声正交过采样锁相环
9
作者 李怡贤 石春琦 张润曦 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期100-105,共6页
为解决传统过采样机制中在一个参考时钟周期内多次采样造成的鉴相器增益变化和带内噪声恶化问题,提出了一种采用隔离型参考采样鉴相器、无需鉴相增益校准的低噪声正交过采样锁相环。该锁相环采用恒定增益正交过采样机制将鉴相器增益保... 为解决传统过采样机制中在一个参考时钟周期内多次采样造成的鉴相器增益变化和带内噪声恶化问题,提出了一种采用隔离型参考采样鉴相器、无需鉴相增益校准的低噪声正交过采样锁相环。该锁相环采用恒定增益正交过采样机制将鉴相器增益保持为恒定的最大值。提出的隔离型参考采样鉴相器使用放大器结构将鉴相器增益提高了8倍,提供了约18 dB的带内相位噪声优化。为验证所提出的技术,基于40 nm CMOS工艺完成了一款5.76~6.48 GHz低噪声正交过采样锁相环芯片,测试结果表明,该锁相环积分均方根抖动低至103 fs(积分带宽10 kHz~100 MHz),参考杂散-71.26 dBc,功耗15 mW。 展开更多
关键词 过采样锁相环 鉴相器增益 低噪声
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一种高性能低压共源共栅电流镜的设计与实现
10
作者 谭传武 《新潮电子》 2026年第4期217-219,共3页
文章采用0.5μm CMOS工艺,提出一种改进型低压共源共栅电流镜。通过改进偏置网络结构、晶体管尺寸,该电流镜在保持高输出阻抗的同时,降低了最小工作电压。理论分析结合HSPICE仿真,发现在5μA~100μA输入电流范围内,该结构可实现相对误差... 文章采用0.5μm CMOS工艺,提出一种改进型低压共源共栅电流镜。通过改进偏置网络结构、晶体管尺寸,该电流镜在保持高输出阻抗的同时,降低了最小工作电压。理论分析结合HSPICE仿真,发现在5μA~100μA输入电流范围内,该结构可实现相对误差≤4%的电流复制,小信号输出阻抗为25.6 MΩ,适用于低功耗模拟集成电路的设计场景。 展开更多
关键词 共源共栅 电流镜 输出阻抗 CMOS电路
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半导体集成电路高稳定性BPSG薄膜标准样片制备技术
11
作者 秦凯亮 饶张飞 +1 位作者 金红霞 薛栋 《微电子学与计算机》 2026年第3期183-190,共8页
针对半导体集成电路掺杂元素测量设备校准用硼磷硅玻璃(Boron-Phosphorus-Silicon-Glass,BPSG)介电薄膜标准样片对杂质浓度高稳定性的需求,提出了一种在BPSG层上表面沉积不同厚度保护层并退火的工艺方案,系统研究了保护层厚度对样片稳... 针对半导体集成电路掺杂元素测量设备校准用硼磷硅玻璃(Boron-Phosphorus-Silicon-Glass,BPSG)介电薄膜标准样片对杂质浓度高稳定性的需求,提出了一种在BPSG层上表面沉积不同厚度保护层并退火的工艺方案,系统研究了保护层厚度对样片稳定性、定值准确性及测量模型的影响,解决了硼磷元素杂质浓度不稳定的问题。XPS分析表明,退火导致硼、磷元素向保护层扩散及析出,保护层厚度应大于50Å。ICP/MS分析显示,保护层厚度与标准样片杂质浓度稳定性无关,但与测量结果呈线性相关,据此提出了基于线性补偿的标准样片内BPSG介电薄膜硼磷元素杂质浓度准确定值方法。进一步结合FT-IR测量结果,考察保护层厚度对测量准确性的影响,确定了标准样片最佳保护层厚度为100Å。该研究为高稳定性BPSG标准样片的研制与定值提供了可行方案。 展开更多
关键词 标准样片 硼磷硅玻璃 制备方法 稳定性保证 定值方法
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卫星互联网地面终端毫米波射频核心器件与集成技术综述
12
作者 李园春 吴迪斯 黄衡 《遥测遥控》 2026年第1期18-30,共13页
毫米波技术是低轨卫星互联网的核心。面向卫星互联网的地面终端射频前端规模化商用面临着高功率、高效率、低噪声、高线性度与宽带宽等多重性能指标相互制约的严峻挑战。本文聚焦于卫星互联网地面终端的毫米波射频核心器件,系统性地综... 毫米波技术是低轨卫星互联网的核心。面向卫星互联网的地面终端射频前端规模化商用面临着高功率、高效率、低噪声、高线性度与宽带宽等多重性能指标相互制约的严峻挑战。本文聚焦于卫星互联网地面终端的毫米波射频核心器件,系统性地综述了其三大核心器件:功率放大器、低噪声放大器和压控振荡器的最新研究进展与关键技术路线。最后,本文总结了毫米波射频前端从电路级设计迈向系统级集成的发展趋势,并展望了未来地面终端在全频段覆盖、高线性度与低功耗协同设计下面临的挑战。 展开更多
关键词 卫星互联网 毫米波功率放大器 毫米波低噪声放大器 毫米波压控放大器 毫米波前端集成技术
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基于扩频技术的Buck变换器设计
13
作者 王佳文 宗杨 任建 《微电子学与计算机》 2026年第1期158-164,共7页
为降低电源管理单元对芯片其他模块的电磁干扰影响,提出了一种基于扩频技术的Buck变换器。该变换器采用分段线性控制方法,实现可调的开关频率范围,从而有效降低噪声谱峰值。此外,设计了一种对工艺、电源电压及温度变化不敏感的振荡器,... 为降低电源管理单元对芯片其他模块的电磁干扰影响,提出了一种基于扩频技术的Buck变换器。该变换器采用分段线性控制方法,实现可调的开关频率范围,从而有效降低噪声谱峰值。此外,设计了一种对工艺、电源电压及温度变化不敏感的振荡器,以保证开关频率范围的稳定性,减小输出电压纹波。为增强系统稳定性,还设计了III型补偿器和功率级驱动电路。Buck变换器采用0.18μm BCD工艺完成设计,输入电压为3.5~5.0 V,输出电压为1.2 V。仿真结果表明:电磁干扰噪声谱峰值降低了12.13 dB,在0~500 mA的负载范围内,输出电压纹波小于10 mV,系统效率最高可达84.15%。 展开更多
关键词 BUCK变换器 电磁干扰 扩频 振荡器
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一种单电感三输出RBAOT BUCK DC-DC设计
14
作者 徐金彪 陈群超 《微电子学与计算机》 2026年第1期147-157,共11页
设计了一款适用于多电源电压应用场景的高效、低交叉调整影响的单电感三输出(Single Inductor Three Output, SITO)BUCK转换器。该转换器采用基于纹波控制的自适应关断时间(Ripple Based Adaptive Off-Time,RBAOT)环路控制方案,利用比... 设计了一款适用于多电源电压应用场景的高效、低交叉调整影响的单电感三输出(Single Inductor Three Output, SITO)BUCK转换器。该转换器采用基于纹波控制的自适应关断时间(Ripple Based Adaptive Off-Time,RBAOT)环路控制方案,利用比较器的快速响应特点以提升系统性能。并引入了类锁相环电路来产生自适应关断时间,通过负反馈环路锁定转换器的开关频率,从而消除纹波控制带来的频率不固定缺点。为进一步优化负载响应速度并保护后级电路的供电范围,在能量依序分配策略的基础上引入了下冲阈值电压检测技术,从而可跳序分配能量,有效减小输出电压下冲量。设计的SITO BUCK转换器采用旺宏WH 180 nm工艺进行验证,在5 V的输入电压下,同时降压输出3个电压(1.5 V、1.8 V、3.3 V),每路通道电流范围为100~650 mA,总负载电流范围300mA~1 A。后仿真结果表示:在各种负载电流跳变情况下,转换器的开关频率均稳定在2 MHz,各输出电压的纹波系数均在1.7%以内;最大450 mA负载电流跳变下,测得的负载调整率为0.071 5 mV/mA,交叉调整为0.172 8mV/mA;当总负载电流为450 mA时,电路峰值效率为84.69%。 展开更多
关键词 单电感三输出 纹波控制 自适应关断时间 下冲电压检测
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人工智能大语言模型、具身智能和AI芯片的新进展
15
作者 赵正平 《微纳电子技术》 2026年第2期1-40,共40页
以ChatGPT和DeepSeek为代表的大语言模型(LLM)、具身智能和人工智能(AI)芯片的新发展标志人工智能在向“通用人工智能”发展目标又有了新的进步。综述了人工智能大语言模型、具身智能和AI芯片的最新进展和发展趋势。在人工智能大语言模... 以ChatGPT和DeepSeek为代表的大语言模型(LLM)、具身智能和人工智能(AI)芯片的新发展标志人工智能在向“通用人工智能”发展目标又有了新的进步。综述了人工智能大语言模型、具身智能和AI芯片的最新进展和发展趋势。在人工智能大语言模型领域,包含DeepSeek LLM“现象级”崛起与GPT-5的发布、性能改进、安全性提高和深度应用等方面的新进展和发展趋势。在具身智能领域,包含基本概念和发展远景、框架和算法、具身智能加大语言模型、具身智能在人机交互、环境与伦理和具身智能结合LLM的应用创新等方面的新进展和发展趋势。在AI芯片和量子神经网络领域,包含数字AI芯片、原子级环栅(GAA)新架构工艺、模拟AI芯片、光子神经网络与光子AI芯片以及量子神经网络与应用创新等方面的新进展和发展趋势。 展开更多
关键词 ChatGPT DeepSeek 大语言模型 具身智能 人工智能(AI)芯片 数字AI芯片 模拟AI芯片 光子神经网络 量子神经网络
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一种降低开关结温的全集成电感性负载驱动器
16
作者 糜昊 林坤 +4 位作者 张俊凯 袁芳 姚兆林 苏越 张旭 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期246-255,共10页
在电感性负载关断过程中,功率开关器件常因过电压击穿或结温过高而失效。针对该问题,提出一种新型的全集成电感性负载驱动器。通过将缓关断与有源钳位电路集成于驱动器芯片内,克服了传统基于金属氧化物压敏电阻方案集成度低的缺点,并能... 在电感性负载关断过程中,功率开关器件常因过电压击穿或结温过高而失效。针对该问题,提出一种新型的全集成电感性负载驱动器。通过将缓关断与有源钳位电路集成于驱动器芯片内,克服了传统基于金属氧化物压敏电阻方案集成度低的缺点,并能显著降低开关功耗与峰值结温。电路采用0.18μm BCD工艺设计和实现,仿真结果表明,当电源电压为24 V时,由15 mH电感与2.4Ω电阻构成的负载在关断过程中的功率开关峰值功耗为90.42 W,比传统方案降低了274.58 W;实测峰值结温为35℃,相比传统方案降低了27.3℃,验证了该驱动器具有良好的实用性与热可靠性。 展开更多
关键词 功率开关器件 驱动器 电感性负载 过电压 峰值结温
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UHF RFID无源音频采集标签芯片
17
作者 孟令辉 张长春 +1 位作者 张翼 王静 《传感器与微系统》 北大核心 2026年第1期101-105,共5页
采用180 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一种基于超高频射频识别(UHF RFID)技术的无源音频采集标签。标签通过采集射频能量运行,而无需外部电源供电,同时采用低功耗电路架构,尽可能降低系统功耗。利用反向散射发送采集到的音... 采用180 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一种基于超高频射频识别(UHF RFID)技术的无源音频采集标签。标签通过采集射频能量运行,而无需外部电源供电,同时采用低功耗电路架构,尽可能降低系统功耗。利用反向散射发送采集到的音频信号,相较于WiFi和蓝牙等传统无线技术,简化了发送步骤并降低了所需的功耗。仿真结果表明:整流器最高整流效率为37%,稳压模块产生1.2 V电压,为标签中其他模块提供工作电压。音频处理电路将音频信号转换为数字信号,通过反向散射将信号以750 kbps的速度发送到基站,标签的整体功耗为1.1 mW。 展开更多
关键词 超高频射频识别 反向散射 整流器 传感器 带隙基准
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一种高电源抑制比低噪声的LDO设计
18
作者 马炜峰 陈磊 +1 位作者 苏杰 侯瑞阳 《上海电力大学学报》 2026年第1期98-103,共6页
为满足新一代WiFi通信协议要求,设计了适用于智能手机和小型便捷设备的低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器的负载通路采用了共源共栅级联结构,从而有效降低了输入电源波动对输出电压的影响。在此基础上,进一步添加了动态偏置缓冲电路作... 为满足新一代WiFi通信协议要求,设计了适用于智能手机和小型便捷设备的低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器的负载通路采用了共源共栅级联结构,从而有效降低了输入电源波动对输出电压的影响。在此基础上,进一步添加了动态偏置缓冲电路作为辅助路径,优化了环路稳定性,并提高了整个系统的电源抑制比(PSRR)。实验结果表明,采用双极结型晶体管(BJT)预放大级有效抑制了输出积分噪声,在1 kHz和1 MHz时,PSRR分别为100 dB和80 dB;在10 Hz至100 kHz频段内,输出积分噪声电压为40μV;最大负载电流达300 mA,且具有优异的负载瞬态响应特性;当负载电流在1μA至100 mA之间以10μs跃变时,输出电压的下冲为17.82 mV、上冲为6.61 mV,静态电流为17μA,实现了预期设计指标。 展开更多
关键词 高电源抑制比 低压差线性稳压器 动态偏置缓冲电路 BJT预放大级
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应用于模拟前端的低噪声LDO设计
19
作者 侯瑞阳 阮颖 +1 位作者 陈磊 马炜峰 《上海电力大学学报》 2026年第1期87-91,97,共6页
为了提升模拟前端中电源系统的稳定性,基于HL 55 nm工艺设计了一种无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。采用3级运算放大器结构,利用源极退化电阻降低电流镜晶体管的噪声,加入阻容低通滤波器抑制电阻产生的1/f噪声,并借助电流模式有源带... 为了提升模拟前端中电源系统的稳定性,基于HL 55 nm工艺设计了一种无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。采用3级运算放大器结构,利用源极退化电阻降低电流镜晶体管的噪声,加入阻容低通滤波器抑制电阻产生的1/f噪声,并借助电流模式有源带通微分器提升LDO的输出瞬态响应能力。仿真结果表明,在20 pF负载电容下,该LDO电路可稳定输出1.1~1.4 V可调节电压,驱动电流范围为0~15 mA;在0.1、1、10、100 kHz频率下的输出噪声分别为130.064 0、40.133 1、24.166 5、22.781 8 nV/Hz1/2;在10 Hz到100 kHz频段内,积分噪声为8.23μV/Hz1/2,该电路在频带范围内具有良好的噪声抑制效果。此外,LDO整体静态电流仅为8μA,达到了预期设计目标。 展开更多
关键词 模拟前端 低噪声 低压差线性稳压器 无片外电容
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高压运算放大器限流保护电路设计及仿真验证
20
作者 邱学炜 《仪表技术》 2026年第1期78-81,共4页
针对在传统限流保护电路中由采样方式、环境温度和工艺变化等引起的限流精度下降问题,设计了一种适用于功率电路的全集成限流保护电路。通过电流感测结合电压比较,将限流比分解为两个独立参数并加以控制,以显著提高限流精度与电流检测... 针对在传统限流保护电路中由采样方式、环境温度和工艺变化等引起的限流精度下降问题,设计了一种适用于功率电路的全集成限流保护电路。通过电流感测结合电压比较,将限流比分解为两个独立参数并加以控制,以显著提高限流精度与电流检测准确性。为验证电路性能,基于NEC 350 nm BCD工艺,将设计好的电路集成于一款高压运算放大器中进行仿真验证。结果表明:该限流保护电路在不同电源电压下均可实现高精度限流保护,表现出良好的鲁棒性与实用性;能在宽电源电压范围内稳定工作,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 限流保护 高压运算放大器 电流感测 高精度
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