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Si-Ge异质结基区BMHMT三端特性的器件模拟
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作者 毛陆虹 郭维廉 +2 位作者 陈培毅 牛萍娟 沙亚男 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期141-143,共3页
在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入的势垒提高 ,这样 ,一方面减小了空穴电流 IB,提高... 在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入的势垒提高 ,这样 ,一方面减小了空穴电流 IB,提高了注入效率 ;同时又增大了迁移率 ,从而提高特征频率。因此 ,这种器件具有 β高、基区电阻低。 展开更多
关键词 混合模式晶体管 Si-Ge异质结 三端特性 BMHMT
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