基于TSV(Through Silicon Via)技术,设计了一款采用硅基堆叠的变频微模组,通过PoP(Package on Package)堆叠实现多层硅基板堆叠封装,芯片两层堆叠垂直互连,完成X波段下变频功能。相比于多层硅基晶圆级直接堆叠架构,工艺难度降低,良率提...基于TSV(Through Silicon Via)技术,设计了一款采用硅基堆叠的变频微模组,通过PoP(Package on Package)堆叠实现多层硅基板堆叠封装,芯片两层堆叠垂直互连,完成X波段下变频功能。相比于多层硅基晶圆级直接堆叠架构,工艺难度降低,良率提升。该微模组利用类同轴硅通孔结构解决微波信号在多层硅基板中垂直传输的问题,并进行了实物测试验证。该变频微模组集成度高、射频性能良好,其体积相对于传统混合集成结构减少90%,实现了射频功能的微系统化。展开更多
文摘基于TSV(Through Silicon Via)技术,设计了一款采用硅基堆叠的变频微模组,通过PoP(Package on Package)堆叠实现多层硅基板堆叠封装,芯片两层堆叠垂直互连,完成X波段下变频功能。相比于多层硅基晶圆级直接堆叠架构,工艺难度降低,良率提升。该微模组利用类同轴硅通孔结构解决微波信号在多层硅基板中垂直传输的问题,并进行了实物测试验证。该变频微模组集成度高、射频性能良好,其体积相对于传统混合集成结构减少90%,实现了射频功能的微系统化。
