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基于Patches-CNN的模拟电路故障诊断
1
作者 吴玉虹 王建 《计算机工程与科学》 北大核心 2025年第1期35-44,共10页
深度学习在故障诊断中应用广泛,但目前基于深度学习的模拟电路故障诊断模型复杂度较高,难以在边缘设备上部署。针对该问题,为了进一步提高故障诊断精度,提出了一种简单且轻量化的Patches-CNN模拟电路故障诊断深度学习模型。首先,将输入... 深度学习在故障诊断中应用广泛,但目前基于深度学习的模拟电路故障诊断模型复杂度较高,难以在边缘设备上部署。针对该问题,为了进一步提高故障诊断精度,提出了一种简单且轻量化的Patches-CNN模拟电路故障诊断深度学习模型。首先,将输入的图像分割成patches,并通过Patches Embedding算子转换为词向量(tokens),作为ViT风格的同质结构的输入,利用轻量化算子GSConv进行特征提取和获取token之间的信息,可以有效地提高模型的故障诊断精度。其次,添加层归一化可以防止模型梯度爆炸和加快模型收敛,为了提升模型的非线性,采用GELU激活函数。最后,将Sallen-Key带通滤波电路和Four-Opamp双二阶高通滤波电路作为实验对象。实验结果表明,该模型可以实现故障的准确分类与定位。 展开更多
关键词 模拟电路 故障诊断 深度学习 同质结构 层归一化
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改进遗传算法优化神经网络的医院编码员预测模型设计
2
作者 叶炼 黄容 +3 位作者 邓单 曹云帆 冯欢 邱立志 《电子设计工程》 2025年第20期191-196,共6页
基于医院编码员合理配置与平衡调整的目的,该文采用改进遗传算法优化神经网络的方法,构建了医院编码员预测模型。通过收集编码员历史及当前数据,分析了编码业务工作量、编码员工作效率等关键影响因素的作用机制。经过神经网络构建、遗... 基于医院编码员合理配置与平衡调整的目的,该文采用改进遗传算法优化神经网络的方法,构建了医院编码员预测模型。通过收集编码员历史及当前数据,分析了编码业务工作量、编码员工作效率等关键影响因素的作用机制。经过神经网络构建、遗传算法改进及优化等步骤,模型成功推导出编码员数量变化规律。测试显示,新模型预测误差从±10人降至±6人,误差减少约4人,精度显著提升,为医院决策提供支持。该研究成功构建并验证基于改进遗传算法优化神经网络的预测模型,克服了传统方法的局限,提升了预测精度,为编码员合理配置提供了科学依据。 展开更多
关键词 改进遗传算法 神经网络构建 医院编码员 预测模型
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塑封SiC功率器件在高温损耗功率下的热应力和断裂分析 被引量：2
3
作者 傅朝 王珺 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期393-398,共6页
塑封SiC功率器件是新能源汽车电力电子技术的核心,其在高温环境、高功率下工作的可靠性是关键问题。对具有顶部散热结构的塑封SiC功率器件,考虑高温环境下芯片的损耗功率,利用有限元分析(FEA)研究了热应力分布,并采用虚拟裂纹闭合技术(V... 塑封SiC功率器件是新能源汽车电力电子技术的核心,其在高温环境、高功率下工作的可靠性是关键问题。对具有顶部散热结构的塑封SiC功率器件,考虑高温环境下芯片的损耗功率,利用有限元分析(FEA)研究了热应力分布,并采用虚拟裂纹闭合技术(VCCT)分析了塑封器件的界面断裂问题。结果表明,塑封器件热应力集中在芯片和焊料层界面,较薄的芯片和适当增厚的焊料层可有效降低界面的断裂风险;当预裂纹长度超过100μm时,芯片和焊料层界面裂纹可能扩展;裂纹前缘更易形成弧形;裂纹扩展与张开、剪切和撕裂三种断裂模式相关,对面外相位角分析发现撕裂模式在裂纹边角处占比更高,而裂纹中间区域以剪切模式为主。 展开更多
关键词 SIC 断裂 热应力 极端工况 有限元分析(FEA) 虚拟裂纹闭合技术(VCCT)
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基于0.18μm BCD工艺的抗辐射ESD防护器件GGNMOS优化设计 被引量：1
4
作者 陆素先 程淩 +3 位作者 朱琪 李现坤 李娟 严正君 《电子与封装》 2025年第6期100-105,共6页
栅极接地N型金属氧化物半导体(GGNMOS)器件具有结构简单、响应迅速、泄放高效等多方面的优势,逐渐成为静电放电(ESD)防护结构中最常用的器件。但辐照试验时NMOS器件会受到多种辐射效应的影响,导致器件性能和可靠性下降。因此抗辐射电路... 栅极接地N型金属氧化物半导体(GGNMOS)器件具有结构简单、响应迅速、泄放高效等多方面的优势,逐渐成为静电放电(ESD)防护结构中最常用的器件。但辐照试验时NMOS器件会受到多种辐射效应的影响,导致器件性能和可靠性下降。因此抗辐射电路中GGNMOS器件的保护结构设计尤为困难。基于0.18μm BCD工艺,设计了一款有抗辐射需求的线性稳压器电路。根据各端口电压和工作特点设计该电路全芯片的ESD防护结构,通过试验分析得出GGNMOS保护结构的薄弱点并提出改进方案。实测结果显示,所设计的电路不仅满足100 krad(Si)的总剂量指标,还通过了2.5 kV的人体模型ESD测试。该研究为后续抗辐射电路中ESD器件设计提供了实验依据和理论指导。 展开更多
关键词 ESD防护 栅接地NMOS 抗辐射 寄生三极管
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基于Transformer模型的3D NAND闪存剩余寿命预测方法
5
作者 石颖 杨少华 +2 位作者 周斌 吴福根 胡湘洪 《微电子学》 北大核心 2025年第2期327-334,共8页
为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAN... 为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAND闪存的剩余使用寿命进行预测。与LSTM、GRU相比,所建立模型在高温擦写实验数据集中的均方根误差分别下降了20.5%、21.0%;在温度循环擦写实验数据集中则分别下降2.5%和7.8%。实验结果表明,该模型可以准确预测3D NAND闪存的剩余寿命,优化闪存寿命管理策略。 展开更多
关键词 3D NAND闪存 剩余使用寿命 Transformer模型 寿命预测
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基于深度学习的芯片封装缺陷检测系统设计 被引量：1
6
作者 郑明杰 潘桥 许海燕 《计算机测量与控制》 2025年第8期45-53,共9页
针对集成电路芯片封装过程中普遍存在的缺陷问题,设计基于深度学习的芯片封装缺陷检测系统;通过构建高效的图像采集系统,开发了基于YOLOv7算法的缺陷检测软件,并创新性地设计了一套适用于多种封装类型的小型封装芯片高速转塔式测试分选... 针对集成电路芯片封装过程中普遍存在的缺陷问题,设计基于深度学习的芯片封装缺陷检测系统;通过构建高效的图像采集系统,开发了基于YOLOv7算法的缺陷检测软件,并创新性地设计了一套适用于多种封装类型的小型封装芯片高速转塔式测试分选装置及基于PC上位机的控制系统;该系统实现了对芯片封装缺陷的高速、高精度在线检测与识别,同时完成了缺陷芯片的自动剔除,有效提高了产品质量信息反馈的准确性与时效性;实验结果表明,该检测系统识别准确率超过90%,检测速度达到22.5 FPS以上,并在实际生产环境中稳定运行,满足了集成电路芯片封装工程上对于高效缺陷检测与剔除的需求。 展开更多
关键词 芯片封装 缺陷检测 深度学习 YOLOv7算法 图像识别 在线监测
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基于核密度估计的键合系统高温贮存寿命预测
7
作者 程捷 黄姣英 +1 位作者 游文超 高成 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第7期852-859,共8页
绝缘体上硅(SOI)器件在200~300℃高温下性能优异,但长期高温会导致引线键合可靠性下降。为研究长期高温对高可靠SOI器件键合系统的影响,以XX256HT型SOI静态存储器(SRAM)为研究对象,针对其中金-铝与铝-铝两种键合界面,开展了250,275,300... 绝缘体上硅(SOI)器件在200~300℃高温下性能优异,但长期高温会导致引线键合可靠性下降。为研究长期高温对高可靠SOI器件键合系统的影响,以XX256HT型SOI静态存储器(SRAM)为研究对象,针对其中金-铝与铝-铝两种键合界面,开展了250,275,300℃高温贮存加速退化试验,对比研究两种键合点的键合拉力强度退化规律。通过核密度估计建立退化量分布模型,拟合可靠度函数,结合阿伦尼乌斯(Arrhenius)模型预测寿命。结果表明:金-铝键合较铝-铝键合退化更快;键合拉力强度随温度升高、贮存时间增加而下降;225℃下,以金-铝键合为制约因素的XX256HT型SRAM键合寿命为3.9931×10^(3)h。该研究揭示了高温下金-铝/铝-铝键合界面的可靠性差异,为SOI器件高温键合寿命预测提供了理论依据。 展开更多
关键词 键合拉力强度 高温贮存 加速退化试验 核密度估计
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PoP叠层BGA产品热可靠性仿真分析及验证
8
作者 冉红雷 李英青 +3 位作者 席善斌 赵海龙 张魁 彭浩 《环境技术》 2025年第5期6-12,19,共8页
针对PoP(Package-On-Package)叠层BGA(Ball Grid Array package)产品服役过程中的热可靠性问题,本文采用有限元仿真和试验验证相结合的方式进行研究。通过有限元仿真的方式研究温度冲击试验中高温、低温以及产品焊点位置、安装PCB(Print... 针对PoP(Package-On-Package)叠层BGA(Ball Grid Array package)产品服役过程中的热可靠性问题,本文采用有限元仿真和试验验证相结合的方式进行研究。通过有限元仿真的方式研究温度冲击试验中高温、低温以及产品焊点位置、安装PCB(Printed Circuit Board)厚度对焊盘应力的影响,获得产品试验过程中的各个焊点的应力和应变分布情况,确定产品的薄弱敏感焊点。根据仿真结果,针对薄弱敏感焊点分布情况设计可监测PoP叠层BGA产品不同层器件焊点热可靠性的菊花链,并通过高速数据采集系统搭建焊点温度循环试验热可靠性在线监测试验系统。对装配不同PCB厚度的PoP叠层BGA产品进行温度冲击试验,并将仿真结果进行对比验证。研究结果为PoP叠层BGA产品的可靠性研究与应用提供了有益参考。 展开更多
关键词 叠层封装(PoP) 球栅阵列封装(BGA) 温度冲击 菊花链 焊接可靠性 应力和应变 动态监测
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基于深度学习的半导体器件寿命预测研究进展
9
作者 刘倩 谭骁洪 +1 位作者 李真 罗俊 《环境技术》 2025年第1期37-42,共6页
半导体器件的可靠性对于电子设备的可靠使用有重要影响,迅速、准确地进行半导体器件的寿命预测是预防系统故障、保障系统可靠性的基础。基于物理模型的寿命预测方法依赖于器件结构和失效机理的认知程度,难度较高,传统的基于数据驱动的... 半导体器件的可靠性对于电子设备的可靠使用有重要影响,迅速、准确地进行半导体器件的寿命预测是预防系统故障、保障系统可靠性的基础。基于物理模型的寿命预测方法依赖于器件结构和失效机理的认知程度,难度较高,传统的基于数据驱动的寿命预测方法对数据有较高要求,但无法对器件的性能退化做出解释。深度学习方法因其强大的自主学习能力逐渐被应用于寿命预测领域。本文首先介绍了半导体器件的寿命预测研究现状,其次介绍分析了几种基于深度学习的方法,最后对基于深度学习的寿命预测方法未来研究方向进行展望。 展开更多
关键词 深度学习 寿命预测 数据驱动 神经网络
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微凸点在温度循环荷载下的多尺度变形研究
10
作者 马顾彧 李洋 +1 位作者 成毓杰 刘璐 《固体电子学研究与进展》 2025年第5期90-96,共7页
随着电子设备向小型化、高集成化方向发展,电子封装中微凸点通常需在温度荷载下服役,且微凸点的尺寸不断减小,其中仅可能包含几个晶粒,因此研究封装结构中的微凸点在温度荷载作用下的多尺度变形行为具有重要意义。本文基于晶体塑性有限... 随着电子设备向小型化、高集成化方向发展,电子封装中微凸点通常需在温度荷载下服役,且微凸点的尺寸不断减小,其中仅可能包含几个晶粒,因此研究封装结构中的微凸点在温度荷载作用下的多尺度变形行为具有重要意义。本文基于晶体塑性有限元理论,研究了CASTIN焊料在温度循环荷载作用下的变形行为,通过与试验数据比较,标定相关参数。在此基础上,研究了3D封装结构在温度循环荷载作用下的变形行为,其中,针对封装结构中的微凸点结构,建立了包含10个晶粒的有限元模型,分析了其在不同温度循环荷载下的变形行为。仿真试验表明下层边角处微凸点更易失效,且温度变化速率的增大会加速凸点失效过程。 展开更多
关键词 微凸点 温度循环 3D封装 晶体塑性有限元理论
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合金化对低银SAC107焊点组织及性能的影响
11
作者 万永康 严嘉祺 +3 位作者 王小京 王钦 李振远 孟智超 《集成技术》 2025年第5期97-106,共10页
为应对高可靠性电子封装的需求,需开发新型焊料合金。本研究以SAC107焊料为基体,添加Ni、Bi、In、Sb,通过相图计算方法设计一组合金体系。通过调控Bi与Sb的添加质量分数之比,系统研究170℃等温前后,焊点的力学性能及界面金属间化合物的... 为应对高可靠性电子封装的需求,需开发新型焊料合金。本研究以SAC107焊料为基体,添加Ni、Bi、In、Sb,通过相图计算方法设计一组合金体系。通过调控Bi与Sb的添加质量分数之比,系统研究170℃等温前后,焊点的力学性能及界面金属间化合物的生长行为,并确定最优添加比例。结果表明:适量添加Bi和Sb可有效抑制(Cu,Ni)_(6)(Sn,In,Sb)_(5)和(Cu,Ni)_(3)(Sn,In,Sb)相的过度生长;当Bi和Sb的质量分数之比为3∶3时,可实现焊点界面及内部颗粒析出的可控性,并可平衡焊点强度与塑性性能,为最优比例。 展开更多
关键词 合金化 相图计算 无铅焊点 SAC107 金属间化合物
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基于CNNs技术的MCM互连可靠性研究
12
作者 张博昊 林倩 邬海峰 《固体电子学研究与进展》 2025年第4期80-86,共7页
鉴于有限元分析(Finite element analysis,FEA)耗时和耗资源的缺点和日益复杂的电路规模,为了加速电路的互连可靠性分析,以多芯片模块(Multi-chip module,MCM)为例,结合FEA和卷积神经网络(Convolutional neural network,CNN)技术对其互... 鉴于有限元分析(Finite element analysis,FEA)耗时和耗资源的缺点和日益复杂的电路规模,为了加速电路的互连可靠性分析,以多芯片模块(Multi-chip module,MCM)为例,结合FEA和卷积神经网络(Convolutional neural network,CNN)技术对其互连可靠性进行研究。通过训练FEA所得预测数据,CNN技术可以快速构建该模型的输入输出非线性关系。再通过对建模得到的互连可靠性数据进行统计分析,可以得到该MCM模型的最佳的工作条件。这为MCM的互连可靠性设计和分析提供了重要指导。 展开更多
关键词 有限元分析(FEA) 卷积神经网络(CNN) 电迁移 多芯片模块(MCM) 互连可靠性
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表面贴装大功率器件热匹配问题可靠性仿真 被引量：1
13
作者 胡运涛 苏昱太 +1 位作者 刘灿宇 刘长清 《电子与封装》 2025年第3期95-99,共5页
针对表面贴装大功率器件中不同材料间热膨胀系数差异所引起的热力学不匹配问题,在不同升温速率下对关键互连结构的寿命与可靠性进行分析。探讨了材料热膨胀不匹配对器件性能和长期可靠性所带来的潜在影响。利用Anand本构模型详细描述了S... 针对表面贴装大功率器件中不同材料间热膨胀系数差异所引起的热力学不匹配问题,在不同升温速率下对关键互连结构的寿命与可靠性进行分析。探讨了材料热膨胀不匹配对器件性能和长期可靠性所带来的潜在影响。利用Anand本构模型详细描述了SAC305焊料的力学特性,重点分析了其应力应变与温度特性。基于Coffin-Manson模型进行了寿命评估,系统分析了焊料的疲劳失效与塑性应变的关系。仿真结果表明,温度变化速率越大,热力不匹配越明显,导致元器件内部产生较大的热应力和热疲劳效应,使得元器件寿命及可靠性降低。 展开更多
关键词 表面贴装器件 Anand本构模型 Coffin-Manson模型 可靠性分析
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基于Arrhenius模型的混合集成DC/DC高压电源储存寿命评估
14
作者 黄吉 魏久富 程铭 《电子与封装》 2025年第4期13-17,共5页
储存寿命研究是评估电子设备可靠性及其使用寿命的重要方法之一。以某混合集成DC/DC高压电源为研究对象,在不同温度下进行高温加速储存寿命试验,记录包括输出电压、电压调整度和输入电流等在内的有关参数随储存时间的变化情况,引入评价... 储存寿命研究是评估电子设备可靠性及其使用寿命的重要方法之一。以某混合集成DC/DC高压电源为研究对象,在不同温度下进行高温加速储存寿命试验,记录包括输出电压、电压调整度和输入电流等在内的有关参数随储存时间的变化情况,引入评价参量,分析得到敏感参数;针对高温加速试验特点,选用Arrhenius模型对该电源开展常温下储存寿命评估。给出了该电源的加速寿命试验及储存寿命评估,为同类产品的储存寿命评估提供了相关参考,具有较强的理论及工程运用价值。 展开更多
关键词 DC/DC电源 高温加速试验 储存寿命 Arrhenius模型
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GaN功率放大器输出功率下降失效分析 被引量：1
15
作者 张茗川 戈硕 +3 位作者 袁雪泉 钱婷 章勇佳 季子路 《电子与封装》 2025年第2期68-73,共6页
GaN管芯是微波功率放大器的核心器件,其热性能很大程度上决定了功率放大器的电性能。针对某一型号功率放大器在直流老化后出现输出功率下降的现象,利用红外热像、声学扫描、能谱分析等分析方法对失效功率放大器开展了分析研究。结果表明... GaN管芯是微波功率放大器的核心器件,其热性能很大程度上决定了功率放大器的电性能。针对某一型号功率放大器在直流老化后出现输出功率下降的现象,利用红外热像、声学扫描、能谱分析等分析方法对失效功率放大器开展了分析研究。结果表明,放大器管芯背金金属层之间发生明显分层,导致器件热阻增大,老炼时管芯结温超过安全工作区,从而使得放大器输出功率下降。 展开更多
关键词 功率下降 背金 热阻
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MEMS传感器异质材料键合界面的可靠性分析
16
作者 袁婷 许高斌 +2 位作者 关存贺 马渊明 冯建国 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期469-474,共6页
微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS)传感器的制备会涉及多种材料的键合,键合过程中不同材料之间由于热膨胀系数不同而产生各种内部应力,当应力大于键合强度时,材料分层从而导致器件失效。为了明确异质材料间微观应力对... 微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS)传感器的制备会涉及多种材料的键合,键合过程中不同材料之间由于热膨胀系数不同而产生各种内部应力,当应力大于键合强度时,材料分层从而导致器件失效。为了明确异质材料间微观应力对器件可靠性的影响,文章考虑材料的热膨胀系数和温度影响下的杨氏模量,利用COMSOL仿真获得的应力数据建立异质材料间的键合界面应力在不同温度、热膨胀系数和杨氏模量3种因素共同影响下的理论数学模型;并针对MEMS传感器中的硅-玻璃键合界面,基于相关键合强度数据,结合蒙特卡洛方法和应力强度干涉模型计算得到异质材料键合界面的可靠度。结果显示,异质材料键合界面的可靠度为0.992108,表明在服从韦布尔分布下的温度产生的应力不足以引起材料失效,此时器件的稳定性和可靠性较高,验证了所建模型的正确性和实用性,实现了对MEMS传感器退化行为的建模及预测。 展开更多
关键词 微机电系统(MEMS)传感器 异质材料 键合界面 热应力 可靠性
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高频GaN功率放大器MMIC芯片级热设计
17
作者 崔朝探 仵志达 +2 位作者 芦雪 焦雪龙 杜鹏搏 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1167-1173,共7页
随着GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)向高频、大功率方向发展,器件热耗不断增加,散热问题已成为制约电子器件性能提升的关键因素。采用有限元热仿真方法,将热设计应用于电路层面。通过优化单胞管芯栅宽、栅指数量及管芯排布方式,... 随着GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)向高频、大功率方向发展,器件热耗不断增加,散热问题已成为制约电子器件性能提升的关键因素。采用有限元热仿真方法,将热设计应用于电路层面。通过优化单胞管芯栅宽、栅指数量及管芯排布方式,减小了热耦合效应,显著提升了放大器芯片的散热能力,优化后芯片峰值结温降低了28.05℃。采用红外热成像仪对47~52GHz功率放大器芯片进行结温测试,测试与仿真结果高度吻合,误差在3%以内。相关成果可用于优化和指导芯片散热设计。 展开更多
关键词 GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC) 芯片级散热 有限元热仿真 电路层面 热耦合效应
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清洗工艺及底部填充胶选型对其空洞率的影响
18
作者 方劝程 李岚清 +5 位作者 吴浩羽 曾维 钱程东 孙瑜 黄辰骏 王强 《微电子学》 北大核心 2025年第2期321-326,共6页
在倒装封装技术中,底部填充胶主要起到支撑、固定和缓解焊点热应力的作用,进而提升封装元件的使用寿命。然而,若底部填充胶选型或清洗工艺制程不合理,则将引起底部填充胶空洞率较高,从而导致封装产品失效。因此,以实际工程样品为基础,... 在倒装封装技术中,底部填充胶主要起到支撑、固定和缓解焊点热应力的作用,进而提升封装元件的使用寿命。然而,若底部填充胶选型或清洗工艺制程不合理,则将引起底部填充胶空洞率较高,从而导致封装产品失效。因此,以实际工程样品为基础,采用试验的方法研究对比了3种不同底部填充胶和清洗工艺(4步清洗工序)对底部填充胶空洞率的影响。结果表明,底部填充胶空洞率随底部填充胶黏度的增大而增大,当芯片下方焊点间距小于等于75μm时,底部填充胶在最佳点胶温度下的初始黏度不可超过0.11 Pa·s,可保证底部填充胶空洞率小于1%。清洗工艺中清洗液清洗工序对底部填充胶空洞率影响最大,水精漂循环和氮气风切干燥循环工序无明显影响,水溶性助焊剂对底部填充胶空洞率影响较小。空洞内部残留物为助焊剂和清洗液反应后的物质,其分布规律主要与Bump排列方式和间距有关。 展开更多
关键词 底部填充胶 底部填充胶空洞率 清洗工艺 助焊剂
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复杂环境下电站智能电源开关芯片抗电磁干扰能力试验研究
19
作者 黄凌宇 王博天 +2 位作者 张力天 常天旭 刘娅鲁 《国外电子测量技术》 2025年第6期80-85,共6页
为掌握BTS4141N型工业智能开关芯片的抗电磁干扰能力,确保电站相关电子设备运行工作的稳定性,对其开展了不同工作模式、不同引脚和不同温度等复杂工作环境下的抗电磁干扰能力试验研究。结果表明:智能电源开关芯片在脉冲宽度调制(Pulse W... 为掌握BTS4141N型工业智能开关芯片的抗电磁干扰能力,确保电站相关电子设备运行工作的稳定性,对其开展了不同工作模式、不同引脚和不同温度等复杂工作环境下的抗电磁干扰能力试验研究。结果表明:智能电源开关芯片在脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation,PWM)工作模式下,抗干扰能力最差,在Vbb引脚、IN引脚和GND引脚下的最低失效点分别为21 dBm(70 MHz)、13 dBm(70 MHz)和15 dBm(70 MHz);当处于直流导通和PWM工作模式下时,芯片在Vbb引脚下的整体抗干扰能力较强,当处于直流关断工作模式下时,芯片在低频率下的抗干扰能力最强,在高频率时较弱;芯片最低失效点主要集中在1~100 MHz的低频率区域,在低频率区域内MOS管被击穿是导致芯片失效的主要原因,在500~1000 MHz的高频率区域,芯片均能达到37 dBm测试等级而不失效;当智能电源开关芯片功能电路受射频信号影响而导致失效时,电磁敏感度阈值随着温度的升高而升高(抗干扰能力变强),当智能电源开关芯片功能由于射频信号的注入而发生齐纳击穿时,电磁敏感度阈值随着温度的升高而降低(抗干扰能力变差);在1~100 MHz的低频率时,温度对抗干扰能力影响更大,在100~1000 MHz的高频率下,温度对芯片抗干扰能力的影响很小。本次研究测试了该款芯片在电磁与温度联合效应下的失效模式,对于提升电站中使用该款芯片的电子设备抗电磁干扰能力与可靠性具有重要意义。 展开更多
关键词 智能开关芯片 电磁兼容性 抗干扰能力 工作模式 引脚 温度 频率
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芯片背面残胶对塑封电路环境可靠性的影响研究
20
作者 仝奂喆 吴凌祎 +1 位作者 马俊良 李丽圭 《环境技术》 2025年第9期17-22,共6页
芯片背面残胶是塑封生产中常见的来料不良,残胶作为污染物,可能削弱界面结合力,导致分层失效,降低塑封电路可靠性。本文研究了芯片背面残胶对塑封电路环境可靠性的影响,对有残胶芯片及无残胶芯片进行相同的塑封工艺封装,对电路预处理后... 芯片背面残胶是塑封生产中常见的来料不良,残胶作为污染物,可能削弱界面结合力,导致分层失效,降低塑封电路可靠性。本文研究了芯片背面残胶对塑封电路环境可靠性的影响,对有残胶芯片及无残胶芯片进行相同的塑封工艺封装,对电路预处理后分别进行无偏置高加速应力试验(UHAST)、无偏置高压蒸煮试验(PCT)、温度循环试验(TCT)等环境可靠性测试,通过超声检测、切片分析等手段,结合产品应力试验结果,分析得出了导致塑封电路失效的关键原因为有残胶芯片的塑封电路容易在湿、热应力下发生界面分层,其分层趋势与残胶面积呈正相关。本研究可为理解芯片背面残胶对可靠性的影响提供参考。 展开更多
关键词 可靠性 无偏置高加速应力试验 无偏置高压蒸煮试验 温度循环试验 塑封电路 芯片背面残胶
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