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温度对14nm FinFET SRAM单粒子效应的影响
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作者 谭钧元 郭刚 +4 位作者 张付强 江宜蓓 陈启明 韩金华 秦丰迪 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期87-93,共7页
由于鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM)特有的鳍片电荷共享机制,其对单粒子效应(SEE)呈现出与传统平面器件截然不同的敏感特性。利用TCAD仿真构建14 nm FinFET SRAM模型并结合重离子实验加以验证,研究了温度对14 nm FinFET S... 由于鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM)特有的鳍片电荷共享机制,其对单粒子效应(SEE)呈现出与传统平面器件截然不同的敏感特性。利用TCAD仿真构建14 nm FinFET SRAM模型并结合重离子实验加以验证,研究了温度对14 nm FinFET SRAM电荷收集机制的影响。结果表明,随着温度的升高,高线性能量转移(LET)离子诱导的电荷收集过程逐渐减弱,多节点电荷收集现象也会逐渐减弱,且当环境温度达到125℃临界值时,敏感节点会出现收集电荷的雪崩式累积现象。此外,随着温度的升高,器件的翻转截面从1.27×10^(-3)cm^(2)增大到1.81×10^(-3)cm^(2),增大了约43%,且在高温下翻转截面的增大趋势愈发显著,该结果与仿真结果良好吻合。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM) 单粒子效应(SEE) 电荷收集 TCAD 温度
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基于AFD的MCM互连可靠性有限元分析
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作者 林倩 张博昊 邬海峰 《电子元件与材料》 北大核心 2026年第3期337-346,共10页
为了分析高集成度导致的多芯片模块(Multi-Chip Module,MCM)互连失效的问题,本文采用ANSYS参数化设计语言(ANSYS Parametric Design Language,APDL)构建了由两个Si开关芯片和两个GaAs低噪声放大器组成的MCM三维模型。基于原子通量散度(A... 为了分析高集成度导致的多芯片模块(Multi-Chip Module,MCM)互连失效的问题,本文采用ANSYS参数化设计语言(ANSYS Parametric Design Language,APDL)构建了由两个Si开关芯片和两个GaAs低噪声放大器组成的MCM三维模型。基于原子通量散度(Atomic Flux Divergence,AFD)理论,结合有限元分析(Finite Element Analysis,FEA)对MCM进行点耦合瞬态仿真分析,对MCM在交流工作状态、不同热应力下的互连可靠性进行分析,实现了不同电流、线宽以及温度条件下的互连可靠性预测。实验结果证明各因素对MCM互连可靠性的影响和敏感性。此外,还描绘了结构参数和操作参数的可行域空间,从而为MCM的设计提供了有价值的指导。对MCM芯片在交流工作状态以及不同热应力下的互连可靠性研究有助于指导芯片的布局设计,提高芯片可靠性和寿命。 展开更多
关键词 电迁移 有限元分析(FEA) 多芯片模块(MCM) 互连可靠性 APDL
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智能芯片IP软核的质量评测方法研究
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作者 陈容 陈岚 +5 位作者 李锟 李苗 温孝谦 陆仁杰 秦兆慧 王亚丽 《电子技术应用》 2026年第1期28-32,共5页
针对IP(Intellectual Property)软核的广泛复用带来的质量管控挑战,从现有的IP核交付项质量评测出发,面向智能芯片特殊需求,构建了一套细致全面的主客观结合的IP软核综合质量评价体系。选取了主流的神经网络处理器单元软核对所提出的评... 针对IP(Intellectual Property)软核的广泛复用带来的质量管控挑战,从现有的IP核交付项质量评测出发,面向智能芯片特殊需求,构建了一套细致全面的主客观结合的IP软核综合质量评价体系。选取了主流的神经网络处理器单元软核对所提出的评价策略进行实证分析与验证,结果表明该评价体系能有效识别IP软核的优势与不足,为智能芯片IP软核的设计、优化、交付与选型提供了重要参考依据。 展开更多
关键词 智能芯片 IP软核 质量评测 集成电路
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芯片胶黏剂粘接工艺及粘接强度试验研究
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作者 张静 舒礼邦 +1 位作者 陈东东 曾子健 《电子产品可靠性与环境试验》 2026年第1期47-54,共8页
芯片粘接强度试验是评价芯片胶黏剂粘接工艺质量的重要方法。分析了芯片胶黏剂粘接工艺原理及影响粘接强度的主要因素,选取5种典型速凝胶,分别设计相同固化条件、不同固化条件及不同固化次数3组对比试验。结果表明,以工艺线上典型芯片... 芯片粘接强度试验是评价芯片胶黏剂粘接工艺质量的重要方法。分析了芯片胶黏剂粘接工艺原理及影响粘接强度的主要因素,选取5种典型速凝胶,分别设计相同固化条件、不同固化条件及不同固化次数3组对比试验。结果表明,以工艺线上典型芯片胶黏剂150℃/1 h的固化工艺为基线,速凝胶中MD130绝缘胶的粘接强度最大,平均达4.82 MPa;乐泰480在50℃/2 h与常温固化24 h条件下的粘接强度值相近,最大达2.52 MPa。在150℃/1 h固化工艺基线基础上再固化1 h,MD140与H20E的粘接强度退化不明显,而MD130的粘接强度反而增加29%。试验数据可为新版GJB 548C—2021芯片粘接强度试验方法中速凝胶的选型提供参考,有助于提高试验的准确性与成功率。 展开更多
关键词 芯片胶黏剂 速凝胶 粘接强度试验
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基于RISC-V的抗单粒子加固研究
5
作者 徐文龙 李凯旋 +2 位作者 许峥 姚进 周昕杰 《电子与封装》 2026年第2期60-65,共6页
在现代电子器件和集成电路设计中,单粒子效应已成为一个不可忽视的问题。基于RISC-V精简指令集架构,采用三模冗余(TMR)和检错纠错(EDAC)技术进行多层次的抗辐射加固。对加固后的电路流片并开展辐照实验。实验结果表明该电路在地球静止轨... 在现代电子器件和集成电路设计中,单粒子效应已成为一个不可忽视的问题。基于RISC-V精简指令集架构,采用三模冗余(TMR)和检错纠错(EDAC)技术进行多层次的抗辐射加固。对加固后的电路流片并开展辐照实验。实验结果表明该电路在地球静止轨道(GEO)的单粒子翻转率<1×10^(-4)error/(device·d),单粒子闩锁阈值>75MeV·cm^(2)/mg,验证了抗单粒子翻转和单粒子闩锁加固措施的有效性。 展开更多
关键词 单粒子翻转 单粒子闩锁 抗辐射加固
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基于红外分析的倒装芯片互连可靠性研究
6
作者 李振远 万永康 +1 位作者 虞勇坚 孟智超 《计算机与数字工程》 2026年第1期299-304,共6页
为研究主动红外热成像在倒装芯片互连结构可靠性评价中的应用,先对倒装器件Bump采用温度循环试验,分析倒装芯片Bump与镀层界面IMC微观组织结构;然后对BGA进行缺陷注入;最后探究红外热成像对倒装器件两种互连结构的缺陷检测情况。结果显... 为研究主动红外热成像在倒装芯片互连结构可靠性评价中的应用,先对倒装器件Bump采用温度循环试验,分析倒装芯片Bump与镀层界面IMC微观组织结构;然后对BGA进行缺陷注入;最后探究红外热成像对倒装器件两种互连结构的缺陷检测情况。结果显示,Bump与镀层界面化合物IMC会进行扩散和长大,成分由Ni_(6)Sn_(5)向Ni_(3)Sn_(2)再向Ni_(3)Sn的逐渐转变;Bump与UBM镀层界面相比Bump与焊盘镀层界面处应力更加集中,更容易出现裂纹的萌生扩展,导致可靠性降低。红外热成像可以利用缺陷处的温度传递受阻定位BGA缺陷;对于Bump,由于底填充料降低材料CTE失配效应而导致缺陷不明显。 展开更多
关键词 倒装芯片 互连结构 金属间化合物 可靠性 主动红外热成像
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基于改进Ghost的半监督光刻热点检测方法
7
作者 肖鑫忠 马瑞君 +2 位作者 徐辉 黄文馨 袁野 《重庆工商大学学报(自然科学版)》 2026年第2期108-115,共8页
目的鉴于传统的半监督光刻热点检测方法逐渐无法满足集成电路制造对检测精度的要求,且难以解决因数据集不平衡引起的精度损失问题,提出一种新的半监督光刻热点检测模型GSSL。方法在该模型中,将卷积注意力模块(Convolutional Block Atten... 目的鉴于传统的半监督光刻热点检测方法逐渐无法满足集成电路制造对检测精度的要求,且难以解决因数据集不平衡引起的精度损失问题,提出一种新的半监督光刻热点检测模型GSSL。方法在该模型中,将卷积注意力模块(Convolutional Block Attention Module,CBAM)引入到Ghost模块的线性变化中,设计了Ghost_CBAM模块;将该模块与压缩激励网络(Squeeze-and-Excitation,SE)结合设计了GhostNeck模块,实现特征图先降维再升维,建立各个通道之间的关联性;再通过GhostNeck构建整个光刻热点检测模型GSSL,实现逐步引入无标记数据进入训练的半监督学习方式;通过集成数据增强方法对数据集中的热点版图进行数据增强,缓解数据不平衡问题;并应用加权交叉熵损失函数,进一步提升模型对于热点类别的关注度。结果在ICCAD(The International Conference on Computer-Aided Design)2012竞赛基准数据集上进行评估,在标记数据占比为10%~50%的情况下预测热点的平均准确率为91.73%,平均误报为680。结论与其他传统方法相比,GSSL可以有效应对数据集不平衡的问题,提升光刻热点检测精度的同时,显著降低了误报率,在光刻热点检测上具有一定的应用价值。 展开更多
关键词 光刻热点检测 集成电路 半监督学习 改进Ghost模块
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雷电电磁脉冲对集成电路的影响及抑制研究
8
作者 周文祥 《计算机应用文摘》 2026年第6期202-204,共3页
雷电电磁脉冲是雷电天气中瞬时产生的电磁脉冲。随着集成电路(Integrated Circuit,IC)技术的发展,雷电电磁脉冲对集成电路的影响已成为电子设计领域的重要问题。文章论述了雷电电磁脉冲的基本特性、集成电路对雷电电磁脉冲的脆弱性、可... 雷电电磁脉冲是雷电天气中瞬时产生的电磁脉冲。随着集成电路(Integrated Circuit,IC)技术的发展,雷电电磁脉冲对集成电路的影响已成为电子设计领域的重要问题。文章论述了雷电电磁脉冲的基本特性、集成电路对雷电电磁脉冲的脆弱性、可能造成危害及抑制方法。 展开更多
关键词 雷电电磁脉冲 集成电路 电磁干扰 抑制技术 屏蔽设计
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基于可靠性提升的抗翘曲倒装芯片封装用底部填充胶工艺优化
9
作者 张晓亮 刘文斌 吴俊珺 《信息记录材料》 2026年第8期14-16,共3页
针对大尺寸倒装芯片在封装过程中因热膨胀系数失配导致的严重翘曲问题及底部填充胶固化后分层开裂问题,本研究提出了一种多级应力松弛固化工艺与流变前沿速度匹配的优化技术。基于Kamal-Sourour自催化固化动力学模型与Einstein-Roscoe... 针对大尺寸倒装芯片在封装过程中因热膨胀系数失配导致的严重翘曲问题及底部填充胶固化后分层开裂问题,本研究提出了一种多级应力松弛固化工艺与流变前沿速度匹配的优化技术。基于Kamal-Sourour自催化固化动力学模型与Einstein-Roscoe流变方程,通过正交试验设计系统优化了点胶预热温度、固化升温速率及非对称L型填充路径等关键工艺参数。结果表明:优化后的工艺使芯片在回流温区下的最大翘曲量显著降低,空洞率控制在极低水平。经吸湿敏感性测试及温度循环测试后,扫描声学显微镜检测显示无分层现象,焊点疲劳寿命大幅提升,从而验证了该方案在量产中的可靠性与工程价值。 展开更多
关键词 倒装芯片 底部填充胶 翘曲控制 固化动力学 可靠性
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低温环境对复位监控电路影响及失效防护分析
10
作者 杨洪泰 姚铁峰 +2 位作者 戴思莹 沈留阳 周海洋 《宇航计测技术》 2026年第1期57-61,共5页
针对国内某复位监控电路在低温环境使用时出现的异常复位问题,开展了故障机理分析与防护设计研究。通过故障复现、波形监测及对比试验分析,定位失效原因为工艺升级导致铝线宽度和晶体管沟长缩减,造成与国外同类型器件相比电源寄生电容减... 针对国内某复位监控电路在低温环境使用时出现的异常复位问题,开展了故障机理分析与防护设计研究。通过故障复现、波形监测及对比试验分析,定位失效原因为工艺升级导致铝线宽度和晶体管沟长缩减,造成与国外同类型器件相比电源寄生电容减小,从而导致抗电磁干扰能力下降。同时在电路设计中存在有源晶振与监控电路布局不合理,在低温时由于复位监控电路阈值电压的升高,晶振产生的电磁干扰效应更加明显,最终触发了误复位。为避免此类问题的发生,提出了多种防护措施,包括优化电路布局、滤波电容设计、加强电源稳定性设计以及完善环境与干扰测试流程。本研究揭示了工艺升级对复位监控电路低温可靠性的影响机制,为复位监控电路的设计与验证提供了参考。 展开更多
关键词 复位电路 低温工作 电磁干扰 工艺改进
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集成电路三维封装力学仿真方法综述
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作者 王凤娟 马丁 +5 位作者 孙传鸿 尹湘坤 杨媛 余宁梅 余明斌 李言 《电子与封装》 2026年第3期88-95,共8页
随着芯片集成度的不断提升与封装尺寸的持续缩小,摩尔定律逐渐逼近物理极限。为延续摩尔定律的发展,传统的二维平面封装已逐步向三维立体封装演进。然而,由于三维(3D)封装的复杂性和异构性,且封装结构内部不同材料的热膨胀系数(CTE)存... 随着芯片集成度的不断提升与封装尺寸的持续缩小,摩尔定律逐渐逼近物理极限。为延续摩尔定律的发展,传统的二维平面封装已逐步向三维立体封装演进。然而,由于三维(3D)封装的复杂性和异构性,且封装结构内部不同材料的热膨胀系数(CTE)存在差异,在温度循环、工作高温及环境应力的共同作用下,界面处易产生热应力集中,进而引发焊点疲劳断裂、硅通孔(TSV)侧壁开裂及层间剥离等力学失效问题。在此背景下,3D封装力学仿真技术已成为解决此类问题的重要手段,开展相关研究的必要性与紧迫性日益突出。系统梳理集成电路3D封装力学仿真技术的现有研究方法与最新进展,明确3D封装典型力学失效问题及对应的力学本构与失效准则,分类阐述有限元法(FEM)、边界元法(BEM) 2类核心仿真方法的基本原理、适用场景及技术局限,进而分析基于FEM和BEM的多物理场耦合仿真方法的技术演进逻辑及其在复杂失效场景中的应用价值,总结当前技术体系的核心瓶颈,并展望其未来发展前景。 展开更多
关键词 三维集成电路封装 有限元法 边界元法 多物理场耦合仿真
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改进遗传算法优化神经网络的医院编码员预测模型设计 被引量:1
12
作者 叶炼 黄容 +3 位作者 邓单 曹云帆 冯欢 邱立志 《电子设计工程》 2025年第20期191-196,共6页
基于医院编码员合理配置与平衡调整的目的,该文采用改进遗传算法优化神经网络的方法,构建了医院编码员预测模型。通过收集编码员历史及当前数据,分析了编码业务工作量、编码员工作效率等关键影响因素的作用机制。经过神经网络构建、遗... 基于医院编码员合理配置与平衡调整的目的,该文采用改进遗传算法优化神经网络的方法,构建了医院编码员预测模型。通过收集编码员历史及当前数据,分析了编码业务工作量、编码员工作效率等关键影响因素的作用机制。经过神经网络构建、遗传算法改进及优化等步骤,模型成功推导出编码员数量变化规律。测试显示,新模型预测误差从±10人降至±6人,误差减少约4人,精度显著提升,为医院决策提供支持。该研究成功构建并验证基于改进遗传算法优化神经网络的预测模型,克服了传统方法的局限,提升了预测精度,为编码员合理配置提供了科学依据。 展开更多
关键词 改进遗传算法 神经网络构建 医院编码员 预测模型
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基于Patches-CNN的模拟电路故障诊断
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作者 吴玉虹 王建 《计算机工程与科学》 北大核心 2025年第1期35-44,共10页
深度学习在故障诊断中应用广泛,但目前基于深度学习的模拟电路故障诊断模型复杂度较高,难以在边缘设备上部署。针对该问题,为了进一步提高故障诊断精度,提出了一种简单且轻量化的Patches-CNN模拟电路故障诊断深度学习模型。首先,将输入... 深度学习在故障诊断中应用广泛,但目前基于深度学习的模拟电路故障诊断模型复杂度较高,难以在边缘设备上部署。针对该问题,为了进一步提高故障诊断精度,提出了一种简单且轻量化的Patches-CNN模拟电路故障诊断深度学习模型。首先,将输入的图像分割成patches,并通过Patches Embedding算子转换为词向量(tokens),作为ViT风格的同质结构的输入,利用轻量化算子GSConv进行特征提取和获取token之间的信息,可以有效地提高模型的故障诊断精度。其次,添加层归一化可以防止模型梯度爆炸和加快模型收敛,为了提升模型的非线性,采用GELU激活函数。最后,将Sallen-Key带通滤波电路和Four-Opamp双二阶高通滤波电路作为实验对象。实验结果表明,该模型可以实现故障的准确分类与定位。 展开更多
关键词 模拟电路 故障诊断 深度学习 同质结构 层归一化
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破坏性物理分析技术的局限性与对策
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作者 孔艮永 陈亮奇 +3 位作者 雷泽宏 武慧薇 林道谭 李轲 《电子质量》 2026年第2期97-101,共5页
随着电子元器件新型材料、结构及先进封装技术的快速发展,各行业对电子系统可靠性的要求不断提高。新结构和新材料在不同应用环境下的引入带来了新的可靠性问题,传统的破坏性物理分析(DPA)已难以全面评估新型元器件的可靠性。为实现更... 随着电子元器件新型材料、结构及先进封装技术的快速发展,各行业对电子系统可靠性的要求不断提高。新结构和新材料在不同应用环境下的引入带来了新的可靠性问题,传统的破坏性物理分析(DPA)已难以全面评估新型元器件的可靠性。为实现更准确的批次质量评估,本文分析了当前DPA技术存在的不足,并提出具有良好适应性的增强DPA技术。通过阐述增强DPA的必要性和关键技术要点,本文为DPA技术的升级和可靠性工程的持续优化提供了参考。 展开更多
关键词 可靠性 增强破坏性物理分析 先进封装 新型元器件
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塑封SiC功率器件在高温损耗功率下的热应力和断裂分析 被引量:2
15
作者 傅朝 王珺 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期393-398,共6页
塑封SiC功率器件是新能源汽车电力电子技术的核心,其在高温环境、高功率下工作的可靠性是关键问题。对具有顶部散热结构的塑封SiC功率器件,考虑高温环境下芯片的损耗功率,利用有限元分析(FEA)研究了热应力分布,并采用虚拟裂纹闭合技术(V... 塑封SiC功率器件是新能源汽车电力电子技术的核心,其在高温环境、高功率下工作的可靠性是关键问题。对具有顶部散热结构的塑封SiC功率器件,考虑高温环境下芯片的损耗功率,利用有限元分析(FEA)研究了热应力分布,并采用虚拟裂纹闭合技术(VCCT)分析了塑封器件的界面断裂问题。结果表明,塑封器件热应力集中在芯片和焊料层界面,较薄的芯片和适当增厚的焊料层可有效降低界面的断裂风险;当预裂纹长度超过100μm时,芯片和焊料层界面裂纹可能扩展;裂纹前缘更易形成弧形;裂纹扩展与张开、剪切和撕裂三种断裂模式相关,对面外相位角分析发现撕裂模式在裂纹边角处占比更高,而裂纹中间区域以剪切模式为主。 展开更多
关键词 SIC 断裂 热应力 极端工况 有限元分析(FEA) 虚拟裂纹闭合技术(VCCT)
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基于0.18μm BCD工艺的抗辐射ESD防护器件GGNMOS优化设计 被引量:1
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作者 陆素先 程淩 +3 位作者 朱琪 李现坤 李娟 严正君 《电子与封装》 2025年第6期100-105,共6页
栅极接地N型金属氧化物半导体(GGNMOS)器件具有结构简单、响应迅速、泄放高效等多方面的优势,逐渐成为静电放电(ESD)防护结构中最常用的器件。但辐照试验时NMOS器件会受到多种辐射效应的影响,导致器件性能和可靠性下降。因此抗辐射电路... 栅极接地N型金属氧化物半导体(GGNMOS)器件具有结构简单、响应迅速、泄放高效等多方面的优势,逐渐成为静电放电(ESD)防护结构中最常用的器件。但辐照试验时NMOS器件会受到多种辐射效应的影响,导致器件性能和可靠性下降。因此抗辐射电路中GGNMOS器件的保护结构设计尤为困难。基于0.18μm BCD工艺,设计了一款有抗辐射需求的线性稳压器电路。根据各端口电压和工作特点设计该电路全芯片的ESD防护结构,通过试验分析得出GGNMOS保护结构的薄弱点并提出改进方案。实测结果显示,所设计的电路不仅满足100 krad(Si)的总剂量指标,还通过了2.5 kV的人体模型ESD测试。该研究为后续抗辐射电路中ESD器件设计提供了实验依据和理论指导。 展开更多
关键词 ESD防护 栅接地NMOS 抗辐射 寄生三极管
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基于深度学习的芯片封装缺陷检测系统设计 被引量:3
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作者 郑明杰 潘桥 许海燕 《计算机测量与控制》 2025年第8期45-53,共9页
针对集成电路芯片封装过程中普遍存在的缺陷问题,设计基于深度学习的芯片封装缺陷检测系统;通过构建高效的图像采集系统,开发了基于YOLOv7算法的缺陷检测软件,并创新性地设计了一套适用于多种封装类型的小型封装芯片高速转塔式测试分选... 针对集成电路芯片封装过程中普遍存在的缺陷问题,设计基于深度学习的芯片封装缺陷检测系统;通过构建高效的图像采集系统,开发了基于YOLOv7算法的缺陷检测软件,并创新性地设计了一套适用于多种封装类型的小型封装芯片高速转塔式测试分选装置及基于PC上位机的控制系统;该系统实现了对芯片封装缺陷的高速、高精度在线检测与识别,同时完成了缺陷芯片的自动剔除,有效提高了产品质量信息反馈的准确性与时效性;实验结果表明,该检测系统识别准确率超过90%,检测速度达到22.5 FPS以上,并在实际生产环境中稳定运行,满足了集成电路芯片封装工程上对于高效缺陷检测与剔除的需求。 展开更多
关键词 芯片封装 缺陷检测 深度学习 YOLOv7算法 图像识别 在线监测
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基于Transformer模型的3D NAND闪存剩余寿命预测方法
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作者 石颖 杨少华 +2 位作者 周斌 吴福根 胡湘洪 《微电子学》 北大核心 2025年第2期327-334,共8页
为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAN... 为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAND闪存的剩余使用寿命进行预测。与LSTM、GRU相比,所建立模型在高温擦写实验数据集中的均方根误差分别下降了20.5%、21.0%;在温度循环擦写实验数据集中则分别下降2.5%和7.8%。实验结果表明,该模型可以准确预测3D NAND闪存的剩余寿命,优化闪存寿命管理策略。 展开更多
关键词 3D NAND闪存 剩余使用寿命 Transformer模型 寿命预测
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基于核密度估计的键合系统高温贮存寿命预测
19
作者 程捷 黄姣英 +1 位作者 游文超 高成 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第7期852-859,共8页
绝缘体上硅(SOI)器件在200~300℃高温下性能优异,但长期高温会导致引线键合可靠性下降。为研究长期高温对高可靠SOI器件键合系统的影响,以XX256HT型SOI静态存储器(SRAM)为研究对象,针对其中金-铝与铝-铝两种键合界面,开展了250,275,300... 绝缘体上硅(SOI)器件在200~300℃高温下性能优异,但长期高温会导致引线键合可靠性下降。为研究长期高温对高可靠SOI器件键合系统的影响,以XX256HT型SOI静态存储器(SRAM)为研究对象,针对其中金-铝与铝-铝两种键合界面,开展了250,275,300℃高温贮存加速退化试验,对比研究两种键合点的键合拉力强度退化规律。通过核密度估计建立退化量分布模型,拟合可靠度函数,结合阿伦尼乌斯(Arrhenius)模型预测寿命。结果表明:金-铝键合较铝-铝键合退化更快;键合拉力强度随温度升高、贮存时间增加而下降;225℃下,以金-铝键合为制约因素的XX256HT型SRAM键合寿命为3.9931×10^(3)h。该研究揭示了高温下金-铝/铝-铝键合界面的可靠性差异,为SOI器件高温键合寿命预测提供了理论依据。 展开更多
关键词 键合拉力强度 高温贮存 加速退化试验 核密度估计
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PoP叠层BGA产品热可靠性仿真分析及验证
20
作者 冉红雷 李英青 +3 位作者 席善斌 赵海龙 张魁 彭浩 《环境技术》 2025年第5期6-12,19,共8页
针对PoP(Package-On-Package)叠层BGA(Ball Grid Array package)产品服役过程中的热可靠性问题,本文采用有限元仿真和试验验证相结合的方式进行研究。通过有限元仿真的方式研究温度冲击试验中高温、低温以及产品焊点位置、安装PCB(Print... 针对PoP(Package-On-Package)叠层BGA(Ball Grid Array package)产品服役过程中的热可靠性问题,本文采用有限元仿真和试验验证相结合的方式进行研究。通过有限元仿真的方式研究温度冲击试验中高温、低温以及产品焊点位置、安装PCB(Printed Circuit Board)厚度对焊盘应力的影响,获得产品试验过程中的各个焊点的应力和应变分布情况,确定产品的薄弱敏感焊点。根据仿真结果,针对薄弱敏感焊点分布情况设计可监测PoP叠层BGA产品不同层器件焊点热可靠性的菊花链,并通过高速数据采集系统搭建焊点温度循环试验热可靠性在线监测试验系统。对装配不同PCB厚度的PoP叠层BGA产品进行温度冲击试验,并将仿真结果进行对比验证。研究结果为PoP叠层BGA产品的可靠性研究与应用提供了有益参考。 展开更多
关键词 叠层封装(PoP) 球栅阵列封装(BGA) 温度冲击 菊花链 焊接可靠性 应力和应变 动态监测
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