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温度对14nm FinFET SRAM单粒子效应的影响
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作者 谭钧元 郭刚 +4 位作者 张付强 江宜蓓 陈启明 韩金华 秦丰迪 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期87-93,共7页
由于鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM)特有的鳍片电荷共享机制,其对单粒子效应(SEE)呈现出与传统平面器件截然不同的敏感特性。利用TCAD仿真构建14 nm FinFET SRAM模型并结合重离子实验加以验证,研究了温度对14 nm FinFET S... 由于鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM)特有的鳍片电荷共享机制,其对单粒子效应(SEE)呈现出与传统平面器件截然不同的敏感特性。利用TCAD仿真构建14 nm FinFET SRAM模型并结合重离子实验加以验证,研究了温度对14 nm FinFET SRAM电荷收集机制的影响。结果表明,随着温度的升高,高线性能量转移(LET)离子诱导的电荷收集过程逐渐减弱,多节点电荷收集现象也会逐渐减弱,且当环境温度达到125℃临界值时,敏感节点会出现收集电荷的雪崩式累积现象。此外,随着温度的升高,器件的翻转截面从1.27×10^(-3)cm^(2)增大到1.81×10^(-3)cm^(2),增大了约43%,且在高温下翻转截面的增大趋势愈发显著,该结果与仿真结果良好吻合。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM) 单粒子效应(SEE) 电荷收集 TCAD 温度
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智能芯片IP软核的质量评测方法研究
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作者 陈容 陈岚 +5 位作者 李锟 李苗 温孝谦 陆仁杰 秦兆慧 王亚丽 《电子技术应用》 2026年第1期28-32,共5页
针对IP(Intellectual Property)软核的广泛复用带来的质量管控挑战,从现有的IP核交付项质量评测出发,面向智能芯片特殊需求,构建了一套细致全面的主客观结合的IP软核综合质量评价体系。选取了主流的神经网络处理器单元软核对所提出的评... 针对IP(Intellectual Property)软核的广泛复用带来的质量管控挑战,从现有的IP核交付项质量评测出发,面向智能芯片特殊需求,构建了一套细致全面的主客观结合的IP软核综合质量评价体系。选取了主流的神经网络处理器单元软核对所提出的评价策略进行实证分析与验证,结果表明该评价体系能有效识别IP软核的优势与不足,为智能芯片IP软核的设计、优化、交付与选型提供了重要参考依据。 展开更多
关键词 智能芯片 IP软核 质量评测 集成电路
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基于RISC-V的抗单粒子加固研究
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作者 徐文龙 李凯旋 +2 位作者 许峥 姚进 周昕杰 《电子与封装》 2026年第2期60-65,共6页
在现代电子器件和集成电路设计中,单粒子效应已成为一个不可忽视的问题。基于RISC-V精简指令集架构,采用三模冗余(TMR)和检错纠错(EDAC)技术进行多层次的抗辐射加固。对加固后的电路流片并开展辐照实验。实验结果表明该电路在地球静止轨... 在现代电子器件和集成电路设计中,单粒子效应已成为一个不可忽视的问题。基于RISC-V精简指令集架构,采用三模冗余(TMR)和检错纠错(EDAC)技术进行多层次的抗辐射加固。对加固后的电路流片并开展辐照实验。实验结果表明该电路在地球静止轨道(GEO)的单粒子翻转率<1×10^(-4)error/(device·d),单粒子闩锁阈值>75MeV·cm^(2)/mg,验证了抗单粒子翻转和单粒子闩锁加固措施的有效性。 展开更多
关键词 单粒子翻转 单粒子闩锁 抗辐射加固
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基于Patches-CNN的模拟电路故障诊断
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作者 吴玉虹 王建 《计算机工程与科学》 北大核心 2025年第1期35-44,共10页
深度学习在故障诊断中应用广泛,但目前基于深度学习的模拟电路故障诊断模型复杂度较高,难以在边缘设备上部署。针对该问题,为了进一步提高故障诊断精度,提出了一种简单且轻量化的Patches-CNN模拟电路故障诊断深度学习模型。首先,将输入... 深度学习在故障诊断中应用广泛,但目前基于深度学习的模拟电路故障诊断模型复杂度较高,难以在边缘设备上部署。针对该问题,为了进一步提高故障诊断精度,提出了一种简单且轻量化的Patches-CNN模拟电路故障诊断深度学习模型。首先,将输入的图像分割成patches,并通过Patches Embedding算子转换为词向量(tokens),作为ViT风格的同质结构的输入,利用轻量化算子GSConv进行特征提取和获取token之间的信息,可以有效地提高模型的故障诊断精度。其次,添加层归一化可以防止模型梯度爆炸和加快模型收敛,为了提升模型的非线性,采用GELU激活函数。最后,将Sallen-Key带通滤波电路和Four-Opamp双二阶高通滤波电路作为实验对象。实验结果表明,该模型可以实现故障的准确分类与定位。 展开更多
关键词 模拟电路 故障诊断 深度学习 同质结构 层归一化
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改进遗传算法优化神经网络的医院编码员预测模型设计
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作者 叶炼 黄容 +3 位作者 邓单 曹云帆 冯欢 邱立志 《电子设计工程》 2025年第20期191-196,共6页
基于医院编码员合理配置与平衡调整的目的,该文采用改进遗传算法优化神经网络的方法,构建了医院编码员预测模型。通过收集编码员历史及当前数据,分析了编码业务工作量、编码员工作效率等关键影响因素的作用机制。经过神经网络构建、遗... 基于医院编码员合理配置与平衡调整的目的,该文采用改进遗传算法优化神经网络的方法,构建了医院编码员预测模型。通过收集编码员历史及当前数据,分析了编码业务工作量、编码员工作效率等关键影响因素的作用机制。经过神经网络构建、遗传算法改进及优化等步骤,模型成功推导出编码员数量变化规律。测试显示,新模型预测误差从±10人降至±6人,误差减少约4人,精度显著提升,为医院决策提供支持。该研究成功构建并验证基于改进遗传算法优化神经网络的预测模型,克服了传统方法的局限,提升了预测精度,为编码员合理配置提供了科学依据。 展开更多
关键词 改进遗传算法 神经网络构建 医院编码员 预测模型
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塑封SiC功率器件在高温损耗功率下的热应力和断裂分析 被引量:2
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作者 傅朝 王珺 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期393-398,共6页
塑封SiC功率器件是新能源汽车电力电子技术的核心,其在高温环境、高功率下工作的可靠性是关键问题。对具有顶部散热结构的塑封SiC功率器件,考虑高温环境下芯片的损耗功率,利用有限元分析(FEA)研究了热应力分布,并采用虚拟裂纹闭合技术(V... 塑封SiC功率器件是新能源汽车电力电子技术的核心,其在高温环境、高功率下工作的可靠性是关键问题。对具有顶部散热结构的塑封SiC功率器件,考虑高温环境下芯片的损耗功率,利用有限元分析(FEA)研究了热应力分布,并采用虚拟裂纹闭合技术(VCCT)分析了塑封器件的界面断裂问题。结果表明,塑封器件热应力集中在芯片和焊料层界面,较薄的芯片和适当增厚的焊料层可有效降低界面的断裂风险;当预裂纹长度超过100μm时,芯片和焊料层界面裂纹可能扩展;裂纹前缘更易形成弧形;裂纹扩展与张开、剪切和撕裂三种断裂模式相关,对面外相位角分析发现撕裂模式在裂纹边角处占比更高,而裂纹中间区域以剪切模式为主。 展开更多
关键词 SIC 断裂 热应力 极端工况 有限元分析(FEA) 虚拟裂纹闭合技术(VCCT)
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基于0.18μm BCD工艺的抗辐射ESD防护器件GGNMOS优化设计 被引量:1
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作者 陆素先 程淩 +3 位作者 朱琪 李现坤 李娟 严正君 《电子与封装》 2025年第6期100-105,共6页
栅极接地N型金属氧化物半导体(GGNMOS)器件具有结构简单、响应迅速、泄放高效等多方面的优势,逐渐成为静电放电(ESD)防护结构中最常用的器件。但辐照试验时NMOS器件会受到多种辐射效应的影响,导致器件性能和可靠性下降。因此抗辐射电路... 栅极接地N型金属氧化物半导体(GGNMOS)器件具有结构简单、响应迅速、泄放高效等多方面的优势,逐渐成为静电放电(ESD)防护结构中最常用的器件。但辐照试验时NMOS器件会受到多种辐射效应的影响,导致器件性能和可靠性下降。因此抗辐射电路中GGNMOS器件的保护结构设计尤为困难。基于0.18μm BCD工艺,设计了一款有抗辐射需求的线性稳压器电路。根据各端口电压和工作特点设计该电路全芯片的ESD防护结构,通过试验分析得出GGNMOS保护结构的薄弱点并提出改进方案。实测结果显示,所设计的电路不仅满足100 krad(Si)的总剂量指标,还通过了2.5 kV的人体模型ESD测试。该研究为后续抗辐射电路中ESD器件设计提供了实验依据和理论指导。 展开更多
关键词 ESD防护 栅接地NMOS 抗辐射 寄生三极管
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基于深度学习的芯片封装缺陷检测系统设计 被引量:3
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作者 郑明杰 潘桥 许海燕 《计算机测量与控制》 2025年第8期45-53,共9页
针对集成电路芯片封装过程中普遍存在的缺陷问题,设计基于深度学习的芯片封装缺陷检测系统;通过构建高效的图像采集系统,开发了基于YOLOv7算法的缺陷检测软件,并创新性地设计了一套适用于多种封装类型的小型封装芯片高速转塔式测试分选... 针对集成电路芯片封装过程中普遍存在的缺陷问题,设计基于深度学习的芯片封装缺陷检测系统;通过构建高效的图像采集系统,开发了基于YOLOv7算法的缺陷检测软件,并创新性地设计了一套适用于多种封装类型的小型封装芯片高速转塔式测试分选装置及基于PC上位机的控制系统;该系统实现了对芯片封装缺陷的高速、高精度在线检测与识别,同时完成了缺陷芯片的自动剔除,有效提高了产品质量信息反馈的准确性与时效性;实验结果表明,该检测系统识别准确率超过90%,检测速度达到22.5 FPS以上,并在实际生产环境中稳定运行,满足了集成电路芯片封装工程上对于高效缺陷检测与剔除的需求。 展开更多
关键词 芯片封装 缺陷检测 深度学习 YOLOv7算法 图像识别 在线监测
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基于Transformer模型的3D NAND闪存剩余寿命预测方法
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作者 石颖 杨少华 +2 位作者 周斌 吴福根 胡湘洪 《微电子学》 北大核心 2025年第2期327-334,共8页
为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAN... 为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAND闪存的剩余使用寿命进行预测。与LSTM、GRU相比,所建立模型在高温擦写实验数据集中的均方根误差分别下降了20.5%、21.0%;在温度循环擦写实验数据集中则分别下降2.5%和7.8%。实验结果表明,该模型可以准确预测3D NAND闪存的剩余寿命,优化闪存寿命管理策略。 展开更多
关键词 3D NAND闪存 剩余使用寿命 Transformer模型 寿命预测
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基于核密度估计的键合系统高温贮存寿命预测
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作者 程捷 黄姣英 +1 位作者 游文超 高成 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第7期852-859,共8页
绝缘体上硅(SOI)器件在200~300℃高温下性能优异,但长期高温会导致引线键合可靠性下降。为研究长期高温对高可靠SOI器件键合系统的影响,以XX256HT型SOI静态存储器(SRAM)为研究对象,针对其中金-铝与铝-铝两种键合界面,开展了250,275,300... 绝缘体上硅(SOI)器件在200~300℃高温下性能优异,但长期高温会导致引线键合可靠性下降。为研究长期高温对高可靠SOI器件键合系统的影响,以XX256HT型SOI静态存储器(SRAM)为研究对象,针对其中金-铝与铝-铝两种键合界面,开展了250,275,300℃高温贮存加速退化试验,对比研究两种键合点的键合拉力强度退化规律。通过核密度估计建立退化量分布模型,拟合可靠度函数,结合阿伦尼乌斯(Arrhenius)模型预测寿命。结果表明:金-铝键合较铝-铝键合退化更快;键合拉力强度随温度升高、贮存时间增加而下降;225℃下,以金-铝键合为制约因素的XX256HT型SRAM键合寿命为3.9931×10^(3)h。该研究揭示了高温下金-铝/铝-铝键合界面的可靠性差异,为SOI器件高温键合寿命预测提供了理论依据。 展开更多
关键词 键合拉力强度 高温贮存 加速退化试验 核密度估计
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PoP叠层BGA产品热可靠性仿真分析及验证
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作者 冉红雷 李英青 +3 位作者 席善斌 赵海龙 张魁 彭浩 《环境技术》 2025年第5期6-12,19,共8页
针对PoP(Package-On-Package)叠层BGA(Ball Grid Array package)产品服役过程中的热可靠性问题,本文采用有限元仿真和试验验证相结合的方式进行研究。通过有限元仿真的方式研究温度冲击试验中高温、低温以及产品焊点位置、安装PCB(Print... 针对PoP(Package-On-Package)叠层BGA(Ball Grid Array package)产品服役过程中的热可靠性问题,本文采用有限元仿真和试验验证相结合的方式进行研究。通过有限元仿真的方式研究温度冲击试验中高温、低温以及产品焊点位置、安装PCB(Printed Circuit Board)厚度对焊盘应力的影响,获得产品试验过程中的各个焊点的应力和应变分布情况,确定产品的薄弱敏感焊点。根据仿真结果,针对薄弱敏感焊点分布情况设计可监测PoP叠层BGA产品不同层器件焊点热可靠性的菊花链,并通过高速数据采集系统搭建焊点温度循环试验热可靠性在线监测试验系统。对装配不同PCB厚度的PoP叠层BGA产品进行温度冲击试验,并将仿真结果进行对比验证。研究结果为PoP叠层BGA产品的可靠性研究与应用提供了有益参考。 展开更多
关键词 叠层封装(PoP) 球栅阵列封装(BGA) 温度冲击 菊花链 焊接可靠性 应力和应变 动态监测
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基于深度学习的半导体器件寿命预测研究进展
12
作者 刘倩 谭骁洪 +1 位作者 李真 罗俊 《环境技术》 2025年第1期37-42,共6页
半导体器件的可靠性对于电子设备的可靠使用有重要影响,迅速、准确地进行半导体器件的寿命预测是预防系统故障、保障系统可靠性的基础。基于物理模型的寿命预测方法依赖于器件结构和失效机理的认知程度,难度较高,传统的基于数据驱动的... 半导体器件的可靠性对于电子设备的可靠使用有重要影响,迅速、准确地进行半导体器件的寿命预测是预防系统故障、保障系统可靠性的基础。基于物理模型的寿命预测方法依赖于器件结构和失效机理的认知程度,难度较高,传统的基于数据驱动的寿命预测方法对数据有较高要求,但无法对器件的性能退化做出解释。深度学习方法因其强大的自主学习能力逐渐被应用于寿命预测领域。本文首先介绍了半导体器件的寿命预测研究现状,其次介绍分析了几种基于深度学习的方法,最后对基于深度学习的寿命预测方法未来研究方向进行展望。 展开更多
关键词 深度学习 寿命预测 数据驱动 神经网络
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微凸点在温度循环荷载下的多尺度变形研究
13
作者 马顾彧 李洋 +1 位作者 成毓杰 刘璐 《固体电子学研究与进展》 2025年第5期90-96,共7页
随着电子设备向小型化、高集成化方向发展,电子封装中微凸点通常需在温度荷载下服役,且微凸点的尺寸不断减小,其中仅可能包含几个晶粒,因此研究封装结构中的微凸点在温度荷载作用下的多尺度变形行为具有重要意义。本文基于晶体塑性有限... 随着电子设备向小型化、高集成化方向发展,电子封装中微凸点通常需在温度荷载下服役,且微凸点的尺寸不断减小,其中仅可能包含几个晶粒,因此研究封装结构中的微凸点在温度荷载作用下的多尺度变形行为具有重要意义。本文基于晶体塑性有限元理论,研究了CASTIN焊料在温度循环荷载作用下的变形行为,通过与试验数据比较,标定相关参数。在此基础上,研究了3D封装结构在温度循环荷载作用下的变形行为,其中,针对封装结构中的微凸点结构,建立了包含10个晶粒的有限元模型,分析了其在不同温度循环荷载下的变形行为。仿真试验表明下层边角处微凸点更易失效,且温度变化速率的增大会加速凸点失效过程。 展开更多
关键词 微凸点 温度循环 3D封装 晶体塑性有限元理论
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基于改进ShuffleNetV2和度量学习的光刻热点检测模型
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作者 李子豪 徐辉 《湖北民族大学学报(自然科学版)》 2025年第4期523-528,共6页
针对轻量级模型在光刻热点检测中特征提取能力不足的问题,提出以改进重排网络第2版(shuffle net version 2,ShuffleNetV2)为主干网络,引入多尺度双重注意力(multi-scale dual attention,MSDA)模块,同时融合梯度协调机制(gradient harmon... 针对轻量级模型在光刻热点检测中特征提取能力不足的问题,提出以改进重排网络第2版(shuffle net version 2,ShuffleNetV2)为主干网络,引入多尺度双重注意力(multi-scale dual attention,MSDA)模块,同时融合梯度协调机制(gradient harmonizing mechanism,GHM)和基于度量学习思想的加性角度边距(additive angular margin,AAM)的光刻热点检测模型——ShuffleNetV2-MSDA-GHM-AAM(SMGA)。该模型提升了对不同尺度上下文信息的建模与感知能力,优化了特征嵌入空间的类间判别性,缓解了数据集的不平衡。在2012年国际计算机辅助设计会议(2012 international conference on computer-aided design,ICCAD 2012)数据集上进行实验,结果显示,SMGA模型在保持98.22%的较高检测召回率的同时,平均误报数量降低到484个。该模型为实现集成电路设计阶段的高效、低成本光刻热点检测提供了可行方案,具有重要的工程应用价值和推广前景。 展开更多
关键词 光刻热点检测 ShuffleNetV2 多尺度注意力 度量学习 加性角度边距 梯度协调机制
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合金化对低银SAC107焊点组织及性能的影响
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作者 万永康 严嘉祺 +3 位作者 王小京 王钦 李振远 孟智超 《集成技术》 2025年第5期97-106,共10页
为应对高可靠性电子封装的需求,需开发新型焊料合金。本研究以SAC107焊料为基体,添加Ni、Bi、In、Sb,通过相图计算方法设计一组合金体系。通过调控Bi与Sb的添加质量分数之比,系统研究170℃等温前后,焊点的力学性能及界面金属间化合物的... 为应对高可靠性电子封装的需求,需开发新型焊料合金。本研究以SAC107焊料为基体,添加Ni、Bi、In、Sb,通过相图计算方法设计一组合金体系。通过调控Bi与Sb的添加质量分数之比,系统研究170℃等温前后,焊点的力学性能及界面金属间化合物的生长行为,并确定最优添加比例。结果表明:适量添加Bi和Sb可有效抑制(Cu,Ni)_(6)(Sn,In,Sb)_(5)和(Cu,Ni)_(3)(Sn,In,Sb)相的过度生长;当Bi和Sb的质量分数之比为3∶3时,可实现焊点界面及内部颗粒析出的可控性,并可平衡焊点强度与塑性性能,为最优比例。 展开更多
关键词 合金化 相图计算 无铅焊点 SAC107 金属间化合物
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基于CNNs技术的MCM互连可靠性研究
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作者 张博昊 林倩 邬海峰 《固体电子学研究与进展》 2025年第4期80-86,共7页
鉴于有限元分析(Finite element analysis,FEA)耗时和耗资源的缺点和日益复杂的电路规模,为了加速电路的互连可靠性分析,以多芯片模块(Multi-chip module,MCM)为例,结合FEA和卷积神经网络(Convolutional neural network,CNN)技术对其互... 鉴于有限元分析(Finite element analysis,FEA)耗时和耗资源的缺点和日益复杂的电路规模,为了加速电路的互连可靠性分析,以多芯片模块(Multi-chip module,MCM)为例,结合FEA和卷积神经网络(Convolutional neural network,CNN)技术对其互连可靠性进行研究。通过训练FEA所得预测数据,CNN技术可以快速构建该模型的输入输出非线性关系。再通过对建模得到的互连可靠性数据进行统计分析,可以得到该MCM模型的最佳的工作条件。这为MCM的互连可靠性设计和分析提供了重要指导。 展开更多
关键词 有限元分析(FEA) 卷积神经网络(CNN) 电迁移 多芯片模块(MCM) 互连可靠性
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基于TEM小室法与IC带状线法的集成电路辐射抗扰度试验对比
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作者 张兰菊 桂冰洁 李金龙 《上海计量测试》 2025年第6期60-63,共4页
为验证TEM小室法与IC带状线法在集成电路辐射抗扰度试验中的结果一致性,研制了带PCB板载天线的专用试验板作为DUT,在0.15~1000 MHz范围内以500 V/m连续波场强进行对比实验。实验结果表明:两种方法在0°和90°两种极化角度下的... 为验证TEM小室法与IC带状线法在集成电路辐射抗扰度试验中的结果一致性,研制了带PCB板载天线的专用试验板作为DUT,在0.15~1000 MHz范围内以500 V/m连续波场强进行对比实验。实验结果表明:两种方法在0°和90°两种极化角度下的测量差异均<1 dB,800 MHz以下差异<0.5 dB,900 MHz处最大差值为0.97 dB。因此,实验证实TEM小室法与IC带状线法对小尺寸IC的辐射抗扰度试验具有良好的一致性。 展开更多
关键词 集成电路 电磁兼容 横电磁波室 集成电路带状线 辐射抗扰度
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基于KBNN和GRNN的GaAs pHEMT谐波分量的非线性建模
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作者 张云龙 林倩 《青海师范大学学报(自然科学版)》 2025年第4期62-68,共7页
为了提高晶体管建模的精确度,本文采用基于知识的神经网络(Knowledge-Based Neural Networks,KBNN)和广义回归神经网络(General Regression Neural Network,GRNN)技术对砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(Gallium Arsenide Pseudomorphic Hi... 为了提高晶体管建模的精确度,本文采用基于知识的神经网络(Knowledge-Based Neural Networks,KBNN)和广义回归神经网络(General Regression Neural Network,GRNN)技术对砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(Gallium Arsenide Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,GaAs pHEMT)的谐波分量开展非线性建模.模型以GaAs pHEMT的栅极电压(V_(gs))、栅极电流(I_(gs))、漏极电压(V_(ds))、漏极电流(I_(ds))和输入功率电平(Pin)为输入,以谐波分量为输出,分别构建了非线性模型.建模结果表明,GRNN对GaAs pHEMT谐波分量建模的均方误差(Mean Square Error,MSE)分别为0.0009、0.0006和0.0005,而KBNN对其谐波分量建模的MSE分别为0.0001、0.0002和0.0004.由此可见,KBNN相比于GRNN在GaAs pHEMT谐波分量的非线性建模中具有更高的精确度. 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT) 知识神经网络(KBNN) 广义回归神经网络(GRNN) 谐波分量 非线性建模
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集成分布式隔直电容的0.05~13 GHz 0.8 W GaAs功率放大器
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作者 王向东 王祁钰 林倩 《青海师范大学学报(自然科学版)》 2025年第4期74-79,共6页
为克服低起始频率超宽带分布式功率放大器(Distributed Power Amplifier,DPA)单片级联与片上大尺寸隔直电容之间的矛盾,本文提出一种集成分布式隔直电容的改进型非均匀分布式功率放大器(Non-uniform Distributed Power Amplifier,NDPA)... 为克服低起始频率超宽带分布式功率放大器(Distributed Power Amplifier,DPA)单片级联与片上大尺寸隔直电容之间的矛盾,本文提出一种集成分布式隔直电容的改进型非均匀分布式功率放大器(Non-uniform Distributed Power Amplifier,NDPA).在栅极匹配电容和输入人工传输线之间设置小尺寸的分布式隔直电容,并分离栅极直流偏置电路和输入射频电路,可同时实现片内隔直和超宽带射频阻抗匹配.该改进型NDPA基于0.25μm GaAs pHEMT工艺制造.测试结果表明,该设计在不增大芯片面积的情况下,可以实现起始频率低至50 MHz的超宽带放大,并满足单片多级级联. 展开更多
关键词 超宽带 分布式功率放大器 隔直电容 单片微波集成电路
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表面贴装大功率器件热匹配问题可靠性仿真 被引量:1
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作者 胡运涛 苏昱太 +1 位作者 刘灿宇 刘长清 《电子与封装》 2025年第3期95-99,共5页
针对表面贴装大功率器件中不同材料间热膨胀系数差异所引起的热力学不匹配问题,在不同升温速率下对关键互连结构的寿命与可靠性进行分析。探讨了材料热膨胀不匹配对器件性能和长期可靠性所带来的潜在影响。利用Anand本构模型详细描述了S... 针对表面贴装大功率器件中不同材料间热膨胀系数差异所引起的热力学不匹配问题,在不同升温速率下对关键互连结构的寿命与可靠性进行分析。探讨了材料热膨胀不匹配对器件性能和长期可靠性所带来的潜在影响。利用Anand本构模型详细描述了SAC305焊料的力学特性,重点分析了其应力应变与温度特性。基于Coffin-Manson模型进行了寿命评估,系统分析了焊料的疲劳失效与塑性应变的关系。仿真结果表明,温度变化速率越大,热力不匹配越明显,导致元器件内部产生较大的热应力和热疲劳效应,使得元器件寿命及可靠性降低。 展开更多
关键词 表面贴装器件 Anand本构模型 Coffin-Manson模型 可靠性分析
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