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KD（T）－4型点（凸）焊机单片微机控制器的研制
1
作者 张勇 谭义明 杨思乾 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 1995年第4期116-119,共4页
重点阐述了ＫＤ（Ｔ）－４型电阻交流点（凸）焊机单片微机控制器的控制原理及其软件结构。工艺试验及生产考核表明，文中提出的恒百分数和恒流控制模型是正确可行的，软件设计是合理的。
关键词 点焊 微机控制器 软件 集成电路
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微电子表面组装焊点二维形态预测研究 被引量：1
2
作者 王国忠 王春青 钱乙余 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期96-101,共6页
微电子表面组装（ＳｕｒｆａｃｅＭｏｕｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，简称ＳＭＴ）焊点形态的预测和控制研究对提高ＳＭＴ工艺设计水平和决策效率，保证焊点和组件的可靠性有重要意义。本文基于焊点二维形态预测的Ｈｅｉｎｒｉｃｈ模型，... 微电子表面组装（ＳｕｒｆａｃｅＭｏｕｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，简称ＳＭＴ）焊点形态的预测和控制研究对提高ＳＭＴ工艺设计水平和决策效率，保证焊点和组件的可靠性有重要意义。本文基于焊点二维形态预测的Ｈｅｉｎｒｉｃｈ模型，考虑元件与基板的高度间隙对焊点形态的影响，建立了进一步完善的ＳＭＴ片式元件焊点形态预测模型，考察了熔融钎料性质、钎料量对焊点形态的影响。结果表明，焊点钎料量对焊点上、下圆角形态有不同程度的影响，元件与基板的高度间隙对焊点形态有显著影响。 展开更多
关键词 SMT 片式元件 焊点形态 预测 钎焊
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两步退火形成钛硅化物和氮化物的研究
3
作者 何杰 刘仲春 +2 位作者 栾洪发 刘理天 钱佩信 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第3期193-197,共5页
模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射线衍射（XRD）分析样品的组分及晶相。发现高温退火后，薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物... 模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射线衍射（XRD）分析样品的组分及晶相。发现高温退火后，薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物，这对发展MOS器件工艺中自对准硅、氮化物技术很有意义。另外，还利用扫描电镜（SEM）观察了薄膜形貌，用VandePauw法测量了薄膜电阻。 展开更多
关键词 钛 硅化物 氮化物 两步退火 薄膜反应 集成电路
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环氧芯片粘片:大芯片的挑战 被引量：1
4
作者 ReneJ.Ulrich 郭大琪 《微电子技术》 1996年第5期128-132,共5页
芯片尺寸增大，就需要改进自动芯片粘片系统的分配技术。当采用编程环氧图形精确控制环氧分配方法时，可在芯片和载体之间获得绝无空洞的粘结层。最新开发了一种具有专利权的软件控制分配器。由于填料压力、分布方法不变，且应用原来的... 芯片尺寸增大，就需要改进自动芯片粘片系统的分配技术。当采用编程环氧图形精确控制环氧分配方法时，可在芯片和载体之间获得绝无空洞的粘结层。最新开发了一种具有专利权的软件控制分配器。由于填料压力、分布方法不变，且应用原来的工艺规范，导电胶就可均匀地分布在引线框架和芯片之间，不会出现银分离。 展开更多
关键词 环氧芯片粘片 芯片 导电胶 粘结剂
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