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基于深度学习的自动光学检测在引线键合中的应用研究 被引量：1
1
作者 孙伟 张沅 +4 位作者 胡永芳 张伟 王越飞 牛牧原 濮宬函 《电子机械工程》 2025年第2期46-51,共6页
在微波组件的微组装过程中,基于标准图像对比、灰阶二值化等传统算法的引线键合自动光学检测技术存在手动引线键合质量检测困难、复杂图像检测编程繁琐、需要大量人工复判等问题。文中基于深度学习算法构建面向机器视觉的引线键合质量... 在微波组件的微组装过程中,基于标准图像对比、灰阶二值化等传统算法的引线键合自动光学检测技术存在手动引线键合质量检测困难、复杂图像检测编程繁琐、需要大量人工复判等问题。文中基于深度学习算法构建面向机器视觉的引线键合质量智能检测模型,通过微小目标智能识别分类和基于注意力机制的旋转目标检测,实现焊点缺陷检测、不定形引线检测和更好的自适应引线键合缺陷识别。相比传统检测算法,在应用基于深度学习的自动光学检测模型后,误报率由4.97%下降至1.92%,人工复判工作量下降62%,同时,随着缺陷数据的积累和模型训练的迭代,基于深度学习的自动光学检测模型引线键合检测质量和检测效率将得到进一步提升。 展开更多
关键词 自动光学检测 深度学习 引线键合
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基于单弯引线互连的CQFP射频传输性能
2
作者 杨振涛 余希猛 +2 位作者 于斐 任昊迪 刘林杰 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期948-954,共7页
为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求,提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接,相较于传统的翼型引线互连结构,其可将引线焊盘长度由1.00 m... 为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求,提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接,相较于传统的翼型引线互连结构,其可将引线焊盘长度由1.00 mm缩短至0.50 mm,有效改善了焊盘的阻抗匹配效果。通过仿真分析了信号线中心距、焊盘尺寸、垂直通孔直径和焊料量对射频传输性能的影响,确定最优参数分别为:信号线中心距0.65 mm、焊盘尺寸0.28 mm×0.50 mm、垂直通孔直径为0.05 mm、焊料量为0.35 mm×0.20 mm×0.10 mm。仿真分析与样品测试结果表明,采用单弯引线互连结构可以将射频传输带宽由35 GHz提高至50 GHz,有效拓宽了CQFP在高频领域中的应用范围,为高性能陶瓷封装结构的优化设计提供了参考。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 陶瓷四边扁平封装(CQFP) 单弯引线 阻抗匹配 射频(RF)性能
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集成电路互连引线电迁移的研究进展 被引量：13
3
作者 吴丰顺 张金松 +3 位作者 吴懿平 郑宗林 王磊 谯锴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期15-21,38,共8页
随着大规模集成电路的不断发展,电迁移引起的集成电路可靠性问题日益凸现。本文介绍了电迁移的基本理论,综述了集成电路互连引线电迁移的研究进展。研究表明,互连引线的尺寸、形状和微观组织结构对电迁移有重要影响;温度、电流密度、应... 随着大规模集成电路的不断发展,电迁移引起的集成电路可靠性问题日益凸现。本文介绍了电迁移的基本理论,综述了集成电路互连引线电迁移的研究进展。研究表明,互连引线的尺寸、形状和微观组织结构对电迁移有重要影响;温度、电流密度、应力梯度、合金元素及工作电流模式等也对电迁移寿命有重要影响。同时指出了电迁移研究亟待解决的问题。 展开更多
关键词 大规模集成电路 互连引线 电迁移 可靠性 电流密度 应力梯度
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引线键合工艺参数对封装质量的影响因素分析 被引量：20
4
作者 刘长宏 高健 +1 位作者 陈新 郑德涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期828-832,共5页
分析讨论了封装过程中质量的影响因素与机理,参数间的相互耦合、干扰问题,指出了其对合理设定工艺参数、提高质量和合格率的重要作用。对目前国内外引线键合研究进行较为深入地分析,为进一步研究封装过程多因素影响规律、动态建模和实... 分析讨论了封装过程中质量的影响因素与机理,参数间的相互耦合、干扰问题,指出了其对合理设定工艺参数、提高质量和合格率的重要作用。对目前国内外引线键合研究进行较为深入地分析,为进一步研究封装过程多因素影响规律、动态建模和实时监控奠定了基础。 展开更多
关键词 引线键合 工艺参数 键合质量 参数耦合
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用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术 被引量：5
5
作者 刘兵武 张兆华 +2 位作者 谭智敏 林惠旺 刘理天 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期896-899,共4页
分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果。这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低,特别适合于已经做过结构的器件键合... 分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果。这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低,特别适合于已经做过结构的器件键合封接工艺。 展开更多
关键词 压力传感器 键合 金硅共晶 微电子机械系统
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ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景 被引量：4
6
作者 阮刚 陈智涛 +2 位作者 肖夏 朱兆旻 段晓明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期349-354,共6页
综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 。
关键词 ULSI 纳米多孔二氧化硅 干燥凝胶 低介电常数介质 特大规模集成电路互连
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含ZrFeNi42合金再结晶及蚀刻性能的研究 被引量：4
7
作者 李志勇 陶志刚 +1 位作者 穆道彬 马莒生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期364-365,384,共3页
作为电子封装工业用引线框架主要材料之一的ＦｅＮｉ４２合金应当具有良好的应用性能。本工作研究了微量添加元素Ｚｒ对ＦｅＮｉ４２合金再结晶及晶粒长大的影响。结果表明，Ｚｒ元素可以明显地提高合金的再结晶温度，并能有效地抑制合... 作为电子封装工业用引线框架主要材料之一的ＦｅＮｉ４２合金应当具有良好的应用性能。本工作研究了微量添加元素Ｚｒ对ＦｅＮｉ４２合金再结晶及晶粒长大的影响。结果表明，Ｚｒ元素可以明显地提高合金的再结晶温度，并能有效地抑制合金再结晶后的晶粒长大。此外，腐蚀实验的结果表明，Ｚｒ元素的加入可以改善合金腐蚀后的表面粗糙度，这将有利于蚀刻法生产所获得的ＦｅＮｉ４２合金引线框架的质量。 展开更多
关键词 FeNi42合金 再结晶 蚀刻性能 引线框架
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用阴极极化的方法衡量FeNi42合金在三氯化铁蚀刻液中的蚀刻速度 被引量：4
8
作者 李陵川 马莒生 唐祥云 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期112-116,共5页
用电位线扫描对玻美度为３０°Ｂé的三氯化铁溶液中的ＦｅＮｉ４２和Ｐｔ工作电极进行阴极极化。ＦｅＮｉ４２的蚀刻过程由溶液中Ｆｅ３＋向合金界面的扩散传质控制，其蚀刻电流与还原步骤的极限扩散电流相等。应用Ｐｔ工作电... 用电位线扫描对玻美度为３０°Ｂé的三氯化铁溶液中的ＦｅＮｉ４２和Ｐｔ工作电极进行阴极极化。ＦｅＮｉ４２的蚀刻过程由溶液中Ｆｅ３＋向合金界面的扩散传质控制，其蚀刻电流与还原步骤的极限扩散电流相等。应用Ｐｔ工作电极的动电位阴极极化可以对合金的蚀刻电流密度进行衡量。快速电位扫描获得的Ｐｔ电极极化曲线上有波峰出现，相应于溶液中Ｆｅ３＋还原为Ｆｅ２＋。波峰缩短了极限电流平台区，成为利用快扫描获得合金蚀刻电流密度的限制性因素。ＦｅＮｉ４２自身的阴极极化曲线上也有波峰和曲线转折，相应于合金表面的金属再沉积。不能利用ＦｅＮｉ４２电极通过快速电位扫描获得其蚀刻电流密度值。 展开更多
关键词 蚀刻 阴极极化 引线框架 集成电路 蚀刻速度
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KFC引线框架铜合金带材的生产工艺研究 被引量：2
9
作者 黄国杰 谢水生 +2 位作者 闫晓东 涂思京 李兴刚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2207-2210,共4页
引线框架用铜带是集成电路的重要基础材料.KFC合金是具有代表性的高导电引线框架材料之一.本文在分析和比较国内厂家生产的KFC引线框架铜带与韩国优质KFC样品的性能和指标的基础上,进一步分析研究了不同熔铸工艺、水平连铸工艺、轧制工... 引线框架用铜带是集成电路的重要基础材料.KFC合金是具有代表性的高导电引线框架材料之一.本文在分析和比较国内厂家生产的KFC引线框架铜带与韩国优质KFC样品的性能和指标的基础上,进一步分析研究了不同熔铸工艺、水平连铸工艺、轧制工艺及热处理工艺对KFC引线框架材料组织和性能的影响.分析结果将对优化KFC引线框架带材的生产工艺提供依据. 展开更多
关键词 引线框架材料 铜合金 KFC 组织性能 生产工艺
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毫米波微带键合金丝互连模型的研究 被引量：5
10
作者 徐鸿飞 殷晓星 孙忠良 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期2015-2017,共3页
本文应用神经网络方法、采用FDTD全波分析结果作为训练样本得到了毫米波微带键合金丝互连的参数模型 .这个神经网络模型可以指导毫米波集成电路的设计 ,利用该模型可以得到不同拱高、微带间隙和频率时的电路散射参数 .
关键词 微带互连 神经网络 时域有限差分
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温度因素对热超声键合强度的影响实验研究 被引量：3
11
作者 隆志力 韩雷 +1 位作者 吴运新 周宏权 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期41-44,共4页
主要研究了热超声键合过程中环境温度对键合强度的影响规律。分析了键合强度与键合温度之间的关系。实验研究发现,最佳键合“窗口”出现在200～240℃,此时键合强度可达20g左右。对推荐使用的大于5.4g的键合强度标准,本实验条件下可键合... 主要研究了热超声键合过程中环境温度对键合强度的影响规律。分析了键合强度与键合温度之间的关系。实验研究发现,最佳键合“窗口”出现在200～240℃,此时键合强度可达20g左右。对推荐使用的大于5.4g的键合强度标准,本实验条件下可键合“窗口”为120～360℃。这些实验现象和分析结果为后期的键合参数匹配规律和系统动态特性研究打下基础。 展开更多
关键词 热超声键合 键合环境温度 键合强度
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氢同位素分离装置信号调理系统的优化 被引量：3
12
作者 谢波 侯建平 +1 位作者 官锐 杨东良 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期377-380,共4页
通过采取不同的接线方式和测量方法对氢同位素分离装置信号调理系统(SRS)进行对比实验。实验结果表明,差动输入运放补偿三线方式是改善信号测量的最佳方法,其精度最高,现场布线较少,无特殊要求,有能力实现信号调理系统的优化。
关键词 信号调理 接线方式 对比 电阻
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倒装贴片精度分析
13
作者 庄园 《电子工业专用设备》 2025年第2期18-20,52,共4页
倒装贴片技术作为高密度集成电路封装的核心工艺,其贴装精度直接影响器件可靠性与性能表现。从键合头、运动平台、视觉结构等关键结构以及热与振动分析了对倒装贴片精度的影响。研究结果为5G通信模块等高频器件的精度封装提供了理论依... 倒装贴片技术作为高密度集成电路封装的核心工艺,其贴装精度直接影响器件可靠性与性能表现。从键合头、运动平台、视觉结构等关键结构以及热与振动分析了对倒装贴片精度的影响。研究结果为5G通信模块等高频器件的精度封装提供了理论依据和工程解决方案。 展开更多
关键词 倒装 贴片 精度
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IC引线框级进模工步设计CAD系统的开发与应用 被引量：2
14
作者 辛勇 王鹭 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 1997年第5期473-478,共6页
介绍了ＩＣ（集成电路）引线框多工位冲裁级进模工步设计ＣＡＤ系统及其应用实例。
关键词 CAD 工步设计 级进模 集成电路 引线
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超声键合过程中键合压力特性的实验研究 被引量：3
15
作者 广明安 韩雷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期607-611,共5页
建立了超声键合压力的测量工作台,对工作台进行静态线性度标定和动态重复性测量,利用动态压电测力传感器对超声键合系统键合压力大小进行测量,得出不同压力作用下传感器力响应曲线图,分析其频谱图,发现保持某一固定功率(4.5格2.25W),可... 建立了超声键合压力的测量工作台,对工作台进行静态线性度标定和动态重复性测量,利用动态压电测力传感器对超声键合系统键合压力大小进行测量,得出不同压力作用下传感器力响应曲线图,分析其频谱图,发现保持某一固定功率(4.5格2.25W),可以找到合适的键合压力(5格0.719N)与其匹配。这些实验现象和结果可作为超声键合过程参数匹配及优化的依据。 展开更多
关键词 超声键合 键合压力 动态压电测力传感器
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焊接时间对碳纳米管-Ti焊接效果的影响 被引量：3
16
作者 赵波 齐红霞 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 北大核心 2012年第2期48-51,共4页
利用高频超声波的软化效应焊接金属Ti上的碳纳米管,研究焊接时间对碳纳米管焊接效果的影响.结果表明,焊接时间太短,碳纳米管松散分布在Ti金属表面,不能与金属形成紧密接触;焊接时间过长,金属基体被破坏,同样达不到焊接要求.只有选择合... 利用高频超声波的软化效应焊接金属Ti上的碳纳米管,研究焊接时间对碳纳米管焊接效果的影响.结果表明,焊接时间太短,碳纳米管松散分布在Ti金属表面,不能与金属形成紧密接触;焊接时间过长,金属基体被破坏,同样达不到焊接要求.只有选择合适的焊接时间(0.1～10 s),才能使碳纳米管与Ti有效焊接,呈现较小的两端电阻. 展开更多
关键词 碳纳米管 金属 焊接
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接触界面压力对高次谐波和键合强度的影响 被引量：1
17
作者 李战慧 吴运新 隆志力 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期368-372,共5页
为减少超声键合换能器劈刀在振动过程中的非线性振动,改善劈刀振动的稳定性,提高芯片键合的强度,建立超声波在接触界面传播的模型。在超声引线键合机上,通过改变劈刀和变幅杆接触界面的接触压力,分别测量变幅杆和劈刀的振动和芯片键合强... 为减少超声键合换能器劈刀在振动过程中的非线性振动,改善劈刀振动的稳定性,提高芯片键合的强度,建立超声波在接触界面传播的模型。在超声引线键合机上,通过改变劈刀和变幅杆接触界面的接触压力,分别测量变幅杆和劈刀的振动和芯片键合强度,并对劈刀振动位移进行频谱分析。研究结果表明:超声波通过接触界面时,由于接触界面层的非线性特性会产生高次谐波和波形畸变;劈刀振动中的高次谐波成分对芯片键合强度造成负面影响。只有当接触界面压力适中时,劈刀振动的波形畸变最小,高次谐波成分最少,超声波的非线性系数最小,芯片键合强度最大。测量劈刀振动的高次谐波可以作为预测芯片键合程度的一种方法。 展开更多
关键词 接触界面 谐波 换能系统 非线性
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TAB器件的电特性分析 被引量：2
18
作者 孙青林 赵刚 赵英 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1996年第1期30-32,共3页
本文介绍了自动带焊（ＴＡＢ）器件的载带结构及其电参数，构造了集中参数的等效电路．用ＰＳＰＩＣＥ程序对ＴＡＢ器件和引线键合器件的高频特性进行分析和对比后，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性方面优于传统封装形式的器件。通过长线模... 本文介绍了自动带焊（ＴＡＢ）器件的载带结构及其电参数，构造了集中参数的等效电路．用ＰＳＰＩＣＥ程序对ＴＡＢ器件和引线键合器件的高频特性进行分析和对比后，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性方面优于传统封装形式的器件。通过长线模型，模拟了ＴＡＢ器件的延时特性；并分析了ＴＡＢ器件的热特性。 展开更多
关键词 TAB器件 电特性 引线键合 集成电路
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LTCC多层互连基板布线布局电磁兼容性研究 被引量：1
19
作者 安宁 潘辉 赵书敏 《科学技术与工程》 北大核心 2012年第20期4906-4911,4920,共7页
低温共烧陶瓷(LTCC)多层互连基板电磁兼容性问题直接影响多层板布线及芯片布局。采用商用三维电磁场仿真软件和电路仿真软件对多种互连结构分别进行电磁耦合特性及信号完整性分析和仿真,并根据仿真结果提出了抑制干扰的方法,得到了多层... 低温共烧陶瓷(LTCC)多层互连基板电磁兼容性问题直接影响多层板布线及芯片布局。采用商用三维电磁场仿真软件和电路仿真软件对多种互连结构分别进行电磁耦合特性及信号完整性分析和仿真,并根据仿真结果提出了抑制干扰的方法,得到了多层板布线布局的规律。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 多层互连结构 电磁耦合 信号完整性
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半导体器件键合失效模式及机理分析 被引量：8
20
作者 范士海 《环境技术》 2018年第3期54-61,65,共9页
本文通过对典型案例的介绍,分析了键合工艺不当,以及器件封装因素对器件键合失效造成的影响。通过对键合工艺参数以及封装环境因素影响的分析,以及对各种失效模式总结,阐述了键合工艺不当及封装不良,造成键合本质失效的机理;并提出了控... 本文通过对典型案例的介绍,分析了键合工艺不当,以及器件封装因素对器件键合失效造成的影响。通过对键合工艺参数以及封装环境因素影响的分析,以及对各种失效模式总结,阐述了键合工艺不当及封装不良,造成键合本质失效的机理;并提出了控制有缺陷器件装机使用的措施。 展开更多
关键词 键合工艺 半导体器件 键合失效 本质失效
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