低应力氧化硅膜层制备工艺研究

1

作者 李浩 陈明 +3 位作者 王一丁 顾玥 王越飞 崔凯 《电子机械工程》 2025年第4期55-59,共5页

面对新一代电子装备对高密度高可靠硅通孔(Through Silicon Via,TSV)封装基板的迫切需求,现有主流的氧化硅沉积工艺方法无法实现氧化硅膜层的低温低应力沉积。为此,文中基于等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor De... 面对新一代电子装备对高密度高可靠硅通孔(Through Silicon Via,TSV)封装基板的迫切需求,现有主流的氧化硅沉积工艺方法无法实现氧化硅膜层的低温低应力沉积。为此,文中基于等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)工艺方法开展硅通孔基板高均匀性、高沉积速率、低应力氧化硅的沉积工艺研究。通过田口试验分析高频功率、低频功率和腔室压力对氧化硅应力的影响程度,确认了对氧化硅薄膜应力影响程度由高到低分别为低频功率、高频功率和腔室压力,进而得出低应力氧化硅的最佳工艺参数组合为高频功率1500 W、低频功率800 W、腔室压力333.25 Pa。文中实现了最小24.24 MPa的低应力工艺结果,对应的工艺参数条件为低应力、高均匀性氧化硅沉积提供了解决方案。 展开更多

关键词 硅通孔 氧化硅 表面应力 等离子体增强化学气相沉积

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环氧塑封料中的丙酮不溶物及影响研究

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作者 蒋小娟 刘红杰 +5 位作者 刘晔 何爽婷 刘进福 段杨杨 谭伟 崔亮 《电子工业专用设备》 2025年第2期31-33,72,共4页

对环氧塑封料的丙酮不溶物进行了研究,对丙酮不溶物进行了分类及对封装的影响进行了讨论,丙酮不溶物分为固化物、大颗粒无机物、不溶于丙酮的有机物及团聚物。丙酮不溶物为固化物时,多数和环氧塑封料中催化剂的分散性、挤出生产工艺及... 对环氧塑封料的丙酮不溶物进行了研究,对丙酮不溶物进行了分类及对封装的影响进行了讨论,丙酮不溶物分为固化物、大颗粒无机物、不溶于丙酮的有机物及团聚物。丙酮不溶物为固化物时,多数和环氧塑封料中催化剂的分散性、挤出生产工艺及生产装备有关系。丙酮不溶物为大颗粒无机物时,多数为原材料中的无机物添加剂的最大颗粒有关,需要对原材料大颗粒进行管控。丙酮不溶物为不溶于丙酮的有机物时,不溶物为原材料中的有机添加剂,主要靠生产工艺解决,丙酮不溶物为团聚物时,是由于原材料的团聚造成。固化物和大颗粒无机物会造成客户端未填充,大颗粒的有机添加剂及团聚物由于会造成隐形缺陷,尤其需要加强重视。 展开更多

关键词 环氧塑封料 丙酮不溶物 封装不良

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频谱感知接收机宽带自适应射频保护

3

作者 赵志远 丁国如 +3 位作者 朱义勇 周新 章力 朱蕾 《数据采集与处理》 CSCD 北大核心 2024年第6期1384-1398,共15页

射频电调滤波和射频干扰抵消一直是射频干扰抑制领域的研究热点,两项关键技术的结合被认为是一种提高接收机抗已方合作干扰能力的射频保护方案。本文系统梳理现有射频保护电路的优缺点,经过调研对射频电调滤波和射频干扰抵消的前沿技术... 射频电调滤波和射频干扰抵消一直是射频干扰抑制领域的研究热点,两项关键技术的结合被认为是一种提高接收机抗已方合作干扰能力的射频保护方案。本文系统梳理现有射频保护电路的优缺点,经过调研对射频电调滤波和射频干扰抵消的前沿技术进行归纳总结,针对频谱感知接收机抗未知非合作干扰的应用需求,初步提出基于感知主路与抵消辅路的频谱感知接收机宽带自适应射频保护架构,并对重难点问题进行了探讨。 展开更多

关键词 频谱感知接收机 射频保护需求 宽带自适应射频保护 射频电调滤波 射频干扰抵消

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基于动态特性的印制板结构改进 被引量：13

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作者 王红芳 赵玫 +1 位作者 徐晓 施兆昌 《振动与冲击》 EI CSCD 2000年第1期49-51,共3页

印制板的动态特性对电子设备的可靠性有较大的影响。本文结合计算方法和实验方法对印制板的动态特性进行研究 ,对二种方法所得结果进行比较 ,证实了本文所采用的印制板有限元模型成型技术的有效性。一般地 ,船舶运行时外界环境所引起的... 印制板的动态特性对电子设备的可靠性有较大的影响。本文结合计算方法和实验方法对印制板的动态特性进行研究 ,对二种方法所得结果进行比较 ,证实了本文所采用的印制板有限元模型成型技术的有效性。一般地 ,船舶运行时外界环境所引起的激励频率范围为几Hz至几百Hz ,为了避免印制板共振引起的产品失效 ,希望印刷板的基频越高越好。通过计算 。 展开更多

关键词 印制板 动态特性 结构改进设计 电子设备

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微型线圈-铁芯结构传感器中聚酰亚胺的低成本刻蚀和平坦化方法 被引量：2

5

作者 郭博 刘诗斌 +2 位作者 段红亮 杨尚林 侯晓伟 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1328-1333,共6页

研究了预亚胺化温度、时间以及刻蚀时间对聚酰亚胺湿法刻蚀结果的影响。预亚胺化后2.5μm厚的PI-5型聚酰亚胺采用EPG 533型光刻胶作为掩膜时,预亚胺化采用90℃/5 min^140℃/10 min方案,采用1%KOH溶液,15 s的显影/刻蚀时间会得到较好的... 研究了预亚胺化温度、时间以及刻蚀时间对聚酰亚胺湿法刻蚀结果的影响。预亚胺化后2.5μm厚的PI-5型聚酰亚胺采用EPG 533型光刻胶作为掩膜时,预亚胺化采用90℃/5 min^140℃/10 min方案,采用1%KOH溶液,15 s的显影/刻蚀时间会得到较好的刻蚀结果。在此基础上,通过实验研究了一种低成本的填充式平坦化技术。通过在底层线圈上旋涂第1层聚酰亚胺,湿法刻蚀去除铜线上的聚酰亚胺保留间隙中聚酰亚胺,然后再旋涂第2层聚酰亚胺的方式,完成了第2层聚酰亚胺的平坦化。与直接在底层线圈上旋涂聚酰亚胺而不做平坦化处理比较,起伏高度差从1.8μm降低到150 nm,且起伏缓慢、无明显台阶。应用这种技术制备了一种采用线圈铁芯结构的微型磁通门传感器并进行了测试,传感器工作正常,性能优良。 展开更多

关键词 平坦化 湿法刻蚀 聚酰亚胺 微型磁通门传感器

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CaAlSi系LTCC生带的流延制备及其烧结基板 被引量：2

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作者 陈国华 唐林江 +2 位作者 职利 成钧 刘心宇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期18-21,共4页

以自制的CAS(CaO-Al2O3-SiO2)系玻璃作为功能相,通过分析不同的有机组分对流延浆料流变性能及分散稳定性的影响,优选:甲基乙基酮-乙醇为二元共沸溶剂;磷酸三丁酯为分散剂。浆料的黏度随粘结剂加入量增大而增大。随着增塑剂含量的增加,... 以自制的CAS(CaO-Al2O3-SiO2)系玻璃作为功能相,通过分析不同的有机组分对流延浆料流变性能及分散稳定性的影响,优选:甲基乙基酮-乙醇为二元共沸溶剂;磷酸三丁酯为分散剂。浆料的黏度随粘结剂加入量增大而增大。随着增塑剂含量的增加,浆料黏度先减小后增大,当ζ(增塑剂:粘结剂)=0.6时,浆料黏度最低。流延浆料的最佳配方为:玻璃粉100.0g,粘结剂18.0g,磷酸三丁酯3.0g,增塑剂10.8g,溶剂为150.0～170.0g。流延生带样品于950℃烧结后获得相对密度达到96%,相对介电常数为6.97,介电损耗低于0.3%(1MHz)的玻璃陶瓷基板材料。 展开更多

关键词 无机非金属材料 LTCC生带 流延浆料 CAS玻璃基板

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基于PECVD的TSV深孔绝缘层沉积工艺优化 被引量：3

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作者 唐伟 王文杰 +3 位作者 吴道伟 李宝霞 杜亚飞 赵鸿 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第6期492-497,共6页

研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的硅通孔(TSV)中(孔径5μm,深宽比10∶1)二氧化硅(SiO2)薄膜的生长技术。分析了低频功率、腔室压力和分步沉积次数对TSV深孔SiO2膜层覆盖率的影响。实验结果表明,深孔内底部的膜层覆盖率最... 研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的硅通孔(TSV)中(孔径5μm,深宽比10∶1)二氧化硅(SiO2)薄膜的生长技术。分析了低频功率、腔室压力和分步沉积次数对TSV深孔SiO2膜层覆盖率的影响。实验结果表明,深孔内底部的膜层覆盖率最高,孔内拐角处的膜层覆盖率最低。在低频功率为300 W、腔室压力为1.6 Torr (1 Torr=133.3 Pa)、分步沉积8次时,孔内最薄处的拐角覆盖率由2.23%提高到了4.88%,有效提高了膜层的覆盖率。最后,对膜层的击穿电压、漏电流、表面应力和沉积速率进行了检测,结果表明在保证膜层电性能基础上,将深孔SiO2薄膜的沉积速率提高到了480.075 nm/min。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 硅通孔(TSV) 二氧化硅(SiO2) 覆盖率 沉积速率

原文传递

混合电源隔离工艺控制研究 被引量：1

8

作者 肖玲 刘欣 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期908-911,共4页

介绍了混合电源隔离工艺控制方法;重点分析了气体及固体隔离失效的机理、安全间隙距离、常用绝缘介质材料隔离特性;结合隔离失效实例,以500 V直流电压隔离要求为例,从电路结构、版图设计、操作等方面进行改进,从工艺上满足隔离要求,取... 介绍了混合电源隔离工艺控制方法;重点分析了气体及固体隔离失效的机理、安全间隙距离、常用绝缘介质材料隔离特性;结合隔离失效实例,以500 V直流电压隔离要求为例,从电路结构、版图设计、操作等方面进行改进,从工艺上满足隔离要求,取得了明显效果。 展开更多

关键词 DC/DC转换器 失效 安全间隙 绝缘介质 气体介质 固体介质

原文传递

基于Moldex3D的IC封装模CAE建模方法 被引量：2

9

作者 唐佳 曹阳根 《上海工程技术大学学报》 CAS 2010年第3期253-256,共4页

以SSOP-20L集成电路塑封为例,运用Moldex3D软件建立CAE模型.用此方法建立的CAE模型与物理模型具有较好的相似性,可作为IC塑封模拟金线变形和芯片偏移的基础模型,并可预见塑封过程中可能发生的问题,为模具浇注系统的设计提供可靠依据.

关键词 MOLDEX3D IC封装 塑料封装模具

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LOC11X系列光耦合器的特性及应用 被引量：8

10

作者 李树靖 林凌 李刚 《国外电子元器件》 2003年第6期42-44,共3页

隔离放大电路在通信、工业、医疗器械、电源及测试装置等仪器中是十分关键的部件 ,它对整个系统的正常工作起着非常重要的作用。LOC11X系列线性光耦合器是美国CLARE公司生产的新型光耦合器 ,文中介绍该器件的工作原理同时给出了其在隔... 隔离放大电路在通信、工业、医疗器械、电源及测试装置等仪器中是十分关键的部件 ,它对整个系统的正常工作起着非常重要的作用。LOC11X系列线性光耦合器是美国CLARE公司生产的新型光耦合器 ,文中介绍该器件的工作原理同时给出了其在隔离放大电路中的应用方法。 展开更多

关键词 隔离放大器 LOC11X系列 线性光耦合器 应用 伺服反馈

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基于HFSS的平行耦合微带线电磁串扰研究(英文) 被引量：1

11

作者 冯新宇 栾兵 《科学技术与工程》 北大核心 2012年第17期4304-4307,共4页

目的是提出一种减少平行耦合微带线串扰的方法来指导印刷电路板产品的电磁兼容性设计,通过使用Ansoft公司开发的高频结构仿真软件(HFSS)对平行耦合微带线进行建模,对其空间电场分布进行仿真。最后讨论影响场分布的各个因素,得到减少微... 目的是提出一种减少平行耦合微带线串扰的方法来指导印刷电路板产品的电磁兼容性设计,通过使用Ansoft公司开发的高频结构仿真软件(HFSS)对平行耦合微带线进行建模,对其空间电场分布进行仿真。最后讨论影响场分布的各个因素,得到减少微带线间串扰的有效方法。 展开更多

关键词 平行耦合微带线 HFSS 串扰

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电子设备的屏蔽效能分析及设计方法 被引量：5

12

作者 顾金良 王松岩 李安源 《情报指挥控制系统与仿真技术》 2004年第4期76-80,共5页

本文分析并计算了电子设备常用的钣金和铸铝两种金属壳体的屏蔽效能,并给出了电子设备屏蔽设计的一般方法,特别介绍了电子设备缝隙和孔洞的屏蔽设计。

关键词 电子设备 屏蔽 效能分析 电磁兼容

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SOI电路窄沟槽隔离技术研究

13

作者 张正元 徐学良 +2 位作者 税国华 曾莉 刘玉奎 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期364-366,共3页

文章利用SOI材料片做衬底,开展了SOI电路窄沟槽隔离技术的研究,解决了窄槽刻蚀、多晶硅回填、平整化等技术难题,获得了优化的SOI电路窄沟槽隔离工艺技术条件;岛与岛之间的隔离击穿达到300V,为下一步研制生产SOI电路打下了坚实的基础。

关键词 SOI 窄沟槽刻蚀 多晶硅回填 平整化

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一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离工艺

14

作者 刘勇 邹昭伟 +1 位作者 王胜强 叶兴耀 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期586-588,共3页

　介绍了一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离(DTI)工艺。该工艺采用BOSCH刻蚀、兆声清洗、多晶硅回填、刻蚀平坦化等技术,制作流程简单。其介质隔离击穿电压可以根据电路的需要进行调整,并可根据氧化层厚度进行预测。其介质隔离漏电流极低。

关键词 深槽 介质隔离 SOI BOSCH工艺 平坦化工艺 兆声清洗

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用于电流测量的柔性基底磁通门传感器 被引量：3

15

作者 郭博 杨尚林 +1 位作者 刘诗斌 王天鑫 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第12期1822-1828,共7页

得益于可折叠弯曲的特性,在柔性基底上制备的磁通门传感器近年来得到人们的关注。在用于电流测量时,柔性结构可以在不断开电流导体的情况下,通过打开-闭合方式将导体包裹在铁芯中间,提高测量效率。然而,磁通门中的核心部件——铁芯,在... 得益于可折叠弯曲的特性,在柔性基底上制备的磁通门传感器近年来得到人们的关注。在用于电流测量时,柔性结构可以在不断开电流导体的情况下,通过打开-闭合方式将导体包裹在铁芯中间,提高测量效率。然而,磁通门中的核心部件——铁芯,在弯曲之后会展现出不同的磁特性,进而影响磁通门性能。本文采用钴基非晶带材作为磁通门铁芯,研究了一种可用于电流测量的柔性磁通门制备方法,通过仿真和实物测量两种方式研究了铁芯弯曲与否对柔性磁通门性能的影响。结果表明,这种采用钴基非晶带材作为铁芯的柔性磁通门传感器展现出了非常优异的性能。其弯曲成环形之后,退磁效应下降带来的积极影响远大于铁芯磁性能下降带来的消极影响,其灵敏度不但未下降反而有大幅提高。将传感器多次弯曲后,其灵敏度和线性范围没有大的变化。因此,这种可弯曲的柔性基底磁通门适用于电流测量。 展开更多

关键词 传感器 柔性基底磁通门 MEMS 聚酰亚胺 钴基非晶

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不同制备工艺对SIMOX结构应力的影响 被引量：1

16

作者 蒋美萍 李金华 +1 位作者 黄宜平 林成鲁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期54-57,共4页

对不同制备工艺的SIMOX样品，用Raman散射法作了应力测量和比较．结果显示，在1300℃、6小时的退火条件下，整片单次注入／退火与三次注入／退火对样品的应力无明显影响，正面张应力都≤5×103N／cm2．且均匀分布，背面无应力．N2... 对不同制备工艺的SIMOX样品，用Raman散射法作了应力测量和比较．结果显示，在1300℃、6小时的退火条件下，整片单次注入／退火与三次注入／退火对样品的应力无明显影响，正面张应力都≤5×103N／cm2．且均匀分布，背面无应力．N2、N2＋1％O2、Ar＋0．5％O2等不同退火气氛对应力也无明显影响．局部注入会在SIMOX样品的顶层硅中产生较高的应力，且在高温长时间退火后背面衬底中还有应力存在． 展开更多

关键词 注氧隔离SOI 硅 集成电路 制备工艺

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SIMOX的制备及其重要应用

17

作者 颜亨迪 《微细加工技术》 1995年第2期67-71,共5页

本文介绍了注氧隔离（ＳＩＭＯＸ）的主要工艺设备及其在抗核加固、高温、高速等特种器件中的重要应用。

关键词 集成电路 注氧隔 离 微电子器件

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800 V SOI介质隔离技术研究

18

作者 杨春 刘勇 +2 位作者 罗萍 罗晓蓉 王华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期265-268,共4页

高低压隔离是SOI(Silicon-on-Insulator)高压功率集成电路的关键问题之一。文章对SOI介质隔离问题进行了深入研究。通过理论分析和数值仿真,探讨其耐压机理,并对结构参数进行了优化;设计了包含低淀氮化硅、化学机械抛光(CMP)等关键步骤... 高低压隔离是SOI(Silicon-on-Insulator)高压功率集成电路的关键问题之一。文章对SOI介质隔离问题进行了深入研究。通过理论分析和数值仿真,探讨其耐压机理,并对结构参数进行了优化;设计了包含低淀氮化硅、化学机械抛光(CMP)等关键步骤的新的SOI介质隔离工艺流程。实验结果表明,在膜厚为20μm的SOI上,可以实现击穿电压800 V以上的介质隔离结构。 展开更多

关键词 SOI 介质隔离 化学机械抛光 击穿电压

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同步辐射激发直接干化学刻蚀

19

作者 韩正甫 张新夷 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2000年第1期22-34,共13页

同步辐射激发直接光化学刻蚀是近年来发展的一项新技术 ,它不需要常规光刻中的光刻胶工艺 ,用表面光化学反应直接将图形写到半导体材料的表面上。由于所用的同步辐射在真空紫外 (VUV)波段 ,理论上的分辨率可以达到电子学的量子极限 ,且... 同步辐射激发直接光化学刻蚀是近年来发展的一项新技术 ,它不需要常规光刻中的光刻胶工艺 ,用表面光化学反应直接将图形写到半导体材料的表面上。由于所用的同步辐射在真空紫外 (VUV)波段 ,理论上的分辨率可以达到电子学的量子极限 ,且没有常规工艺中的表面损伤和化学污染 ,是一种非常具有应用潜力的技术。本文的最后部份重点讨论了与上述技术密切相关的VUV和软X射线激发的表面光化学反应机理。 展开更多

关键词 光刻 同步辐射 直接刻蚀 光化学反应

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集成电路工艺外延图形漂移剖析 被引量：1

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作者 宋玲玲 李浩 王利斌 《微处理机》 2015年第1期19-21,24,共4页

外延结构的生长特性决定了埋层图形在外延层上漂移的现象,这种现象会给工艺带来危害,导致产品失效。在实际工艺中,通常是通过一定的校正原则来抵消埋层漂移的影响。另外,最后还给出了隔离击穿电压的测试分析方法。

关键词 外延 漂移 校正

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