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三维集成电路通孔金属化技术研究进展
1
作者 孙鹏 全雪松 +3 位作者 杜韵辉 黎科 钟毅 于大全 《电镀与精饰》 北大核心 2026年第2期1-18,共18页
通孔技术是三维集成电路实现芯片立体堆叠与异质集成的关键互连手段,其性能直接决定了系统级封装在高带宽、低延时及高可靠性方面的表现。硅通孔(TSV)技术成熟,是高性能计算和存储堆叠的主流方案,其核心挑战在于高深宽比下的保形沉积、... 通孔技术是三维集成电路实现芯片立体堆叠与异质集成的关键互连手段,其性能直接决定了系统级封装在高带宽、低延时及高可靠性方面的表现。硅通孔(TSV)技术成熟,是高性能计算和存储堆叠的主流方案,其核心挑战在于高深宽比下的保形沉积、热机械应力管理及工艺成本控制。玻璃通孔(TGV)作为新兴方案,凭借玻璃基板优异的高频特性、低介电损耗和良好的热匹配性,在射频前端、光电集成等领域展现出独特优势,但其金属与玻璃的界面黏附与通孔填充机制是当前难点。随着通孔技术向高深宽比、高互连密度的方向不断发展,金属化工艺作为通孔电气性能的决定性环节,正从传统物理气相沉积向原子层沉积、化学镀等保形性更优的工艺演进,致力于解决高深宽比(AR>10﹕1)通孔结构下的均匀性、缺陷控制及界面可靠性问题。本文系统综述了三维集成电路中硅通孔与玻璃通孔金属化工艺的研究进展,重点分析了主流制备方法,并对其未来技术发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 集成电路 硅通孔 玻璃通孔 电镀填充
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超低温下TSV热应力分析及其结构优化
2
作者 王晗 行琳 +1 位作者 王冰 王如志 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期102-108,共7页
针对制冷型红外探测器芯片中硅通孔(TSV)在超低温环境下产生的热应力问题,采用传热-结构力学耦合多物理场有限元仿真方法,结合低温边界条件仿真与结构参数扫描,系统探究了不同结构TSV的热力学行为,并对其结构进行了优化。研究结果表明,... 针对制冷型红外探测器芯片中硅通孔(TSV)在超低温环境下产生的热应力问题,采用传热-结构力学耦合多物理场有限元仿真方法,结合低温边界条件仿真与结构参数扫描,系统探究了不同结构TSV的热力学行为,并对其结构进行了优化。研究结果表明,相较于传统实心圆柱形TSV,中空及纺锤形中空TSV可使Si衬底表面最大热应力至少减小300 MPa;采用钨代替铜作为金属芯材料可进一步降低热应力。此外,确定了纺锤形中空TSV的最佳绝缘层厚度(0.2μm)和金属镀层厚度(2μm),并揭示了TSV半径及间距对热应力的影响。优化后的结构可缩小阻止区(KOZ)范围,提高芯片集成度。本研究为制冷型红外探测器TSV设计提供了理论依据,对三维集成技术发展具有参考价值。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 热应力 红外探测器 结构优化 有限元仿真
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塑封集成电路中电压漂移对产品的影响浅析
3
作者 郭昌宏 马军维 +2 位作者 张进兵 赵萍 赵永春 《电子工业专用设备》 2026年第1期39-43,共5页
对塑料封装IC产品由于封装应力产生的电压漂移现象进行了论述,通过对封装产品的结构、材料方面进行深入的解析,详细阐述了产品结构的设计、封装材料对电压漂移的影响机理,在此基础上介绍了可改善塑封应力的相关措施。
关键词 封装 应力 电压漂移
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双限制散射角电子束投影光刻技术架构和原理
4
作者 刘辉文 《电子工业专用设备》 2026年第1期12-18,共7页
针对传统电子束投影光刻SCALPEL技术存在的曝光面积小、拼接效率低等问题,提出了双限制散射角电子束投影曝光DSA-PEBL技术的解决方案。通过创新架构,优化散射体结构(50 nm钨)与双限制孔系统(孔径100μm,间距10 mm),实现无拼接大面积曝... 针对传统电子束投影光刻SCALPEL技术存在的曝光面积小、拼接效率低等问题,提出了双限制散射角电子束投影曝光DSA-PEBL技术的解决方案。通过创新架构,优化散射体结构(50 nm钨)与双限制孔系统(孔径100μm,间距10 mm),实现无拼接大面积曝光。通过理论计算表明:该技术散射电子抑制率>99%,图形对比度达98%,能够提供比SCALPEL技术更好的电子束投影光刻品质。双限制散射角电子束投影光刻技术采用直接投影的方法,解决了电子束投影光刻快速连续曝光的问题,能大幅提升电子束投影光刻的产率。采用双限制散射角电子束投影光刻DSA-PEBL技术为我国制造高端芯片提供了一个更加便捷可行且成本更低的途径。 展开更多
关键词 电子束投影 双限制孔 散射角 对比度 散射电子
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智能锁线路板虚焊缺陷的成因分析及工艺控制对策
5
作者 费建明 沈梦婕 +1 位作者 姚耀 毛文来 《五金科技》 2026年第1期75-78,共4页
智能锁作为人们生活必备的安防类产品,在守护家庭安全方面具有重要作用。本文从智能锁线路板虚焊缺陷的成因出发,从材料、工艺、环境等方面进一步探讨了焊接过程中出现的虚焊等缺陷问题,并针对具体问题提出了物料质量控制、焊接工艺优... 智能锁作为人们生活必备的安防类产品,在守护家庭安全方面具有重要作用。本文从智能锁线路板虚焊缺陷的成因出发,从材料、工艺、环境等方面进一步探讨了焊接过程中出现的虚焊等缺陷问题,并针对具体问题提出了物料质量控制、焊接工艺优化、检测质量体系构建等具体措施,以期通过本文相关数据研究,为相关工作提供参考依据。 展开更多
关键词 智能锁线路板 虚焊缺陷 成因分析 工艺控制策略
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应用MI确定BGA封装焊点失焊和应变场
6
作者 杨霞 刘文宇 +1 位作者 刘玮博 王蕾 《电子工业专用设备》 2026年第1期33-38,70,共7页
微电子器件的界面断裂现象,对封装可靠性是至关重要的。已证明波纹干涉测量法(MI)是测定电子封装可靠性非常有用的工具之一。长期以来,波纹干涉测量法,除了用于疲劳测试之外,还一直用于单调热机荷载或诱发应变测定的稳态状况。另外,扫... 微电子器件的界面断裂现象,对封装可靠性是至关重要的。已证明波纹干涉测量法(MI)是测定电子封装可靠性非常有用的工具之一。长期以来,波纹干涉测量法,除了用于疲劳测试之外,还一直用于单调热机荷载或诱发应变测定的稳态状况。另外,扫描电子显微镜分析技术,广泛用于支持和证明波纹干涉测量法的观察结果。在实际使用中,封装界面断裂会造成器件失效。通过波纹干涉测量法,用实验方法观察焊点疲劳机理。从而证明,这两种技术的结合以及波纹干涉测量法的耐久性,对确定电子封装界面失效机理是有效的。 展开更多
关键词 疲劳测试 界面可靠性 微电子封装 波纹干涉测量法
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光随机源安全芯片封装键合参数优化方法研究
7
作者 王祥 李建强 +4 位作者 王晓晨 马玉松 薛兵兵 周斌 于政强 《电子与封装》 2026年第2期34-40,共7页
为保证光随机源安全芯片封装内部可供光线传播,采用透明覆晶胶替代传统塑封料。然而,在工作条件下,覆晶胶的热膨胀系数远高于传统塑封料,封装内材料的热不匹配会在键合线上产生较大应力,导致键合线剥离或断裂,最终引发器件失效。为确保... 为保证光随机源安全芯片封装内部可供光线传播,采用透明覆晶胶替代传统塑封料。然而,在工作条件下,覆晶胶的热膨胀系数远高于传统塑封料,封装内材料的热不匹配会在键合线上产生较大应力,导致键合线剥离或断裂,最终引发器件失效。为确保光随机源安全芯片在工作状态下的稳定性和可靠性,以键合线高度、直径和弧度为研究变量,以键合线最小应力为优化目标,基于有限元模拟设计了三因素三水平正交试验。通过极差分析对影响键合线应力的主要因素进行排序。结果表明,键合线弧度、高度和直径均对键合线应力有显著影响。 展开更多
关键词 光随机源安全芯片 键合线 正交试验 结构优化
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面向超低弧的引线键合工艺研究
8
作者 戚再玉 王继忠 +1 位作者 施福勇 王贵 《电子与封装》 2026年第2期9-13,共5页
由于上下层芯片间高度不足会压缩引线键合的线弧高度空间,容易引发线弧与芯片接触或颈部断裂风险。解决此问题最直接的方法就是采用超低弧键合技术,利用高精度键合机精确控制送线、起弧与落点的每一个轨迹点,形成低高度且稳定的线弧,配... 由于上下层芯片间高度不足会压缩引线键合的线弧高度空间,容易引发线弧与芯片接触或颈部断裂风险。解决此问题最直接的方法就是采用超低弧键合技术,利用高精度键合机精确控制送线、起弧与落点的每一个轨迹点,形成低高度且稳定的线弧,配合工艺参数将键合丝水平压扁于芯片上方,形成接近零高度的扁平连接。在此过程中,为防止线弧颈部断裂,选用直径为20μm且延展性较好的金丝作为验证材料;劈刀采用力的模式下压,确保线弧受力均匀,成功解决验证过程中出现的困难点。 展开更多
关键词 引线键合 超低弧 颈部断裂
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基于深度学习的自动光学检测在引线键合中的应用研究 被引量：1
9
作者 孙伟 张沅 +4 位作者 胡永芳 张伟 王越飞 牛牧原 濮宬函 《电子机械工程》 2025年第2期46-51,共6页
在微波组件的微组装过程中,基于标准图像对比、灰阶二值化等传统算法的引线键合自动光学检测技术存在手动引线键合质量检测困难、复杂图像检测编程繁琐、需要大量人工复判等问题。文中基于深度学习算法构建面向机器视觉的引线键合质量... 在微波组件的微组装过程中,基于标准图像对比、灰阶二值化等传统算法的引线键合自动光学检测技术存在手动引线键合质量检测困难、复杂图像检测编程繁琐、需要大量人工复判等问题。文中基于深度学习算法构建面向机器视觉的引线键合质量智能检测模型,通过微小目标智能识别分类和基于注意力机制的旋转目标检测,实现焊点缺陷检测、不定形引线检测和更好的自适应引线键合缺陷识别。相比传统检测算法,在应用基于深度学习的自动光学检测模型后,误报率由4.97%下降至1.92%,人工复判工作量下降62%,同时,随着缺陷数据的积累和模型训练的迭代,基于深度学习的自动光学检测模型引线键合检测质量和检测效率将得到进一步提升。 展开更多
关键词 自动光学检测 深度学习 引线键合
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玻璃基板技术研究进展 被引量：1
10
作者 赵瑾 于大全 秦飞 《电子与封装》 2025年第7期104-112,共9页
随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸... 随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸湿性和卓越的电学特性,成为突破传统封装限制的关键方向。围绕玻璃基板的结构特性与关键制造工艺进行分析,重点探讨了其在可靠性方面存在的主要问题,并总结其所面临的技术机遇与挑战。 展开更多
关键词 先进封装 玻璃基板技术 高密度互连 翘曲
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低应力氧化硅膜层制备工艺研究
11
作者 李浩 陈明 +3 位作者 王一丁 顾玥 王越飞 崔凯 《电子机械工程》 2025年第4期55-59,共5页
面对新一代电子装备对高密度高可靠硅通孔(Through Silicon Via,TSV)封装基板的迫切需求,现有主流的氧化硅沉积工艺方法无法实现氧化硅膜层的低温低应力沉积。为此,文中基于等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor De... 面对新一代电子装备对高密度高可靠硅通孔(Through Silicon Via,TSV)封装基板的迫切需求,现有主流的氧化硅沉积工艺方法无法实现氧化硅膜层的低温低应力沉积。为此,文中基于等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)工艺方法开展硅通孔基板高均匀性、高沉积速率、低应力氧化硅的沉积工艺研究。通过田口试验分析高频功率、低频功率和腔室压力对氧化硅应力的影响程度,确认了对氧化硅薄膜应力影响程度由高到低分别为低频功率、高频功率和腔室压力,进而得出低应力氧化硅的最佳工艺参数组合为高频功率1500 W、低频功率800 W、腔室压力333.25 Pa。文中实现了最小24.24 MPa的低应力工艺结果,对应的工艺参数条件为低应力、高均匀性氧化硅沉积提供了解决方案。 展开更多
关键词 硅通孔 氧化硅 表面应力 等离子体增强化学气相沉积
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玻璃通孔化学镀金属化研究进展
12
作者 孙鹏 钟毅 于大全 《电子与封装》 2025年第7期75-84,共10页
随着摩尔定律逐渐达到物理极限,电子器件向“小、巧、精”发展的同时也对先进封装技术提出了更高的要求。玻璃基板由于具有优秀的高频应用能力、热膨胀系数灵活可调、成本低廉以及大尺寸超薄玻璃基板易于获取等优点,目前已受到国内外企... 随着摩尔定律逐渐达到物理极限,电子器件向“小、巧、精”发展的同时也对先进封装技术提出了更高的要求。玻璃基板由于具有优秀的高频应用能力、热膨胀系数灵活可调、成本低廉以及大尺寸超薄玻璃基板易于获取等优点,目前已受到国内外企业及科研院所的青睐。金属化工艺作为玻璃通孔(TGV)中的关键环节,决定了集成芯片电气连接的性能。当前,TGV金属化主要通过物理气相沉积(PVD)技术实现。但PVD工艺的成本高昂,沉积速度慢且处理高深宽比盲、通孔的效果差,使得通过湿法工艺对TGV进行金属化受到了广泛关注。针对此,阐述了TGV化学镀沉积机理并综述了近年来的研究现状及提升镀层与玻璃基板黏附性的关键技术,同时对未来发展方向提出见解。 展开更多
关键词 化学镀 玻璃通孔 黏附强度 自组装 金属氧化物
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高温下W金属互连线电迁移失效驱动机制
13
作者 李金航 纪旭明 +4 位作者 李佳隆 顾祥 张庆东 谢儒彬 徐大为 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期965-971,共7页
在航空航天、油气勘探等领域,对集成电路的高温耐受能力提出了日益增长的需求。基于原子密度积分算法建立了W金属互连线多物理场金属电迁移仿真模型,研究高温下W互连线电迁移失效的主要驱动机制(电流密度、温度梯度、应力梯度)及其变化... 在航空航天、油气勘探等领域,对集成电路的高温耐受能力提出了日益增长的需求。基于原子密度积分算法建立了W金属互连线多物理场金属电迁移仿真模型,研究高温下W互连线电迁移失效的主要驱动机制(电流密度、温度梯度、应力梯度)及其变化。采用0.15μm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺进行W互连线加工,结合实际W迁移测试结果对模型边界条件进行修正。研究发现低温(<200℃)下W互连线电迁移失效的主要驱动机制为应力梯度,随着温度升高(>200℃),电流密度成为主要驱动机制。针对不同温度下主要驱动机制的不同,可通过调整金属互连线加工温度及尺寸来提升金属互连线的可靠性。 展开更多
关键词 电迁移 高温 W互连线 驱动机制 原子密度积分算法
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用阴极极化的方法衡量FeNi42合金在三氯化铁蚀刻液中的蚀刻速度 被引量：4
14
作者 李陵川 马莒生 唐祥云 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期112-116,共5页
用电位线扫描对玻美度为３０°Ｂé的三氯化铁溶液中的ＦｅＮｉ４２和Ｐｔ工作电极进行阴极极化。ＦｅＮｉ４２的蚀刻过程由溶液中Ｆｅ３＋向合金界面的扩散传质控制，其蚀刻电流与还原步骤的极限扩散电流相等。应用Ｐｔ工作电... 用电位线扫描对玻美度为３０°Ｂé的三氯化铁溶液中的ＦｅＮｉ４２和Ｐｔ工作电极进行阴极极化。ＦｅＮｉ４２的蚀刻过程由溶液中Ｆｅ３＋向合金界面的扩散传质控制，其蚀刻电流与还原步骤的极限扩散电流相等。应用Ｐｔ工作电极的动电位阴极极化可以对合金的蚀刻电流密度进行衡量。快速电位扫描获得的Ｐｔ电极极化曲线上有波峰出现，相应于溶液中Ｆｅ３＋还原为Ｆｅ２＋。波峰缩短了极限电流平台区，成为利用快扫描获得合金蚀刻电流密度的限制性因素。ＦｅＮｉ４２自身的阴极极化曲线上也有波峰和曲线转折，相应于合金表面的金属再沉积。不能利用ＦｅＮｉ４２电极通过快速电位扫描获得其蚀刻电流密度值。 展开更多
关键词 蚀刻 阴极极化 引线框架 集成电路 蚀刻速度
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电-热-力耦合下扇出型晶圆级封装RDL导电层热-力可靠性分析
15
作者 武瑞康 臧柯 +2 位作者 范超 王蒙军 吴建飞 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期955-964,共10页
为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-... 为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-力分布中,导电层起主导作用。与材料和厚度相比,导电层结构的过渡角度对RDL可靠性的影响相对较小。过渡角度在130°~160°范围内时,温度与应力极值波动小于1%;0.8~15 GHz频段内,RDL的温度与应力极值会随频率升高而递增且上升速率逐渐减缓。正交试验结果表明,导电层材料对温度和应力极值的影响最为显著。经优化后,导电层最佳参数为:银材料,厚度10μm,过渡角度140°。该研究成果可为先进封装领域中RDL的结构设计与优化提供参考。 展开更多
关键词 扇出型晶圆级封装(FOWLP) 导电层 重分布层(RDL) 多物理场 正交试验
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高频下器件引脚布局对柔性PCB热应力的影响
16
作者 薛宜春 王蒙军 +1 位作者 范超 吴建飞 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期860-868,共9页
为了优化高频微波下柔性电子器件的引脚布局设计,提出了一种高频微波作用下的柔性印制电路板(PCB)多物理场有限元仿真方法。在全波电磁分析体系中考虑电磁-热-应力多物理场耦合对柔性电子可靠性的影响。对柔性PCB互连结构的两种缺陷形... 为了优化高频微波下柔性电子器件的引脚布局设计,提出了一种高频微波作用下的柔性印制电路板(PCB)多物理场有限元仿真方法。在全波电磁分析体系中考虑电磁-热-应力多物理场耦合对柔性电子可靠性的影响。对柔性PCB互连结构的两种缺陷形式建模仿真,仿真与实验结果相吻合,验证了仿真方法的有效性。采用该方法模拟柔性PCB表面贴装器件,结果表明,在0.45~15 GHz频率范围内,减小导通引脚间距会使柔性PCB的温度升高、von Mises应力分布改变;随着工作频率的提高,导通引脚靠近芯片中心的柔性PCB温度上升速度变慢,其所受von Mises应力降低,展现出更高的可靠性。该研究结果为优化柔性电子热管理和提高其结构可靠性提供了新思路。 展开更多
关键词 柔性印制电路板(PCB) 互连结构 高频微波 多物理场 有限元仿真
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x光纳米光刻掩模的离子束制备法 被引量：1
17
作者 韩勇 彭良强 +3 位作者 巨新 伊福廷 张菊芳 吴自玉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期44-45,共2页
重离子束轰击聚碳酸酯后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的铜纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的掩模。
关键词 纳米光刻 纳米线 x光掩模 离子束制备法
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基于单弯引线互连的CQFP射频传输性能
18
作者 杨振涛 余希猛 +2 位作者 于斐 任昊迪 刘林杰 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期948-954,共7页
为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求,提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接,相较于传统的翼型引线互连结构,其可将引线焊盘长度由1.00 m... 为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求,提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接,相较于传统的翼型引线互连结构,其可将引线焊盘长度由1.00 mm缩短至0.50 mm,有效改善了焊盘的阻抗匹配效果。通过仿真分析了信号线中心距、焊盘尺寸、垂直通孔直径和焊料量对射频传输性能的影响,确定最优参数分别为:信号线中心距0.65 mm、焊盘尺寸0.28 mm×0.50 mm、垂直通孔直径为0.05 mm、焊料量为0.35 mm×0.20 mm×0.10 mm。仿真分析与样品测试结果表明,采用单弯引线互连结构可以将射频传输带宽由35 GHz提高至50 GHz,有效拓宽了CQFP在高频领域中的应用范围,为高性能陶瓷封装结构的优化设计提供了参考。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 陶瓷四边扁平封装(CQFP) 单弯引线 阻抗匹配 射频(RF)性能
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一种Ka波段多通道RF集成微系统封装
19
作者 杨振涛 余希猛 +3 位作者 于斐 刘莹玉 段强 刘林杰 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期723-729,共7页
随着各类信息载荷集成系统性能的提升,射频(RF)集成微系统向多通道、高集成、高频率、低噪声、多功能、小型化的方向发展。基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,提出了一种应用于Ka波段的多通道RF集成微系统封装,多通道RF模块通过直径0.60 mm的... 随着各类信息载荷集成系统性能的提升,射频(RF)集成微系统向多通道、高集成、高频率、低噪声、多功能、小型化的方向发展。基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,提出了一种应用于Ka波段的多通道RF集成微系统封装,多通道RF模块通过直径0.60 mm的焊球与数字处理模块连接,以实现三维堆叠。结合理论计算和仿真优化,合理设计屏蔽层和接地层,以实现低损耗、高屏蔽的带状线传输结构。测试结果表明,在DC~40 GHz频段,多通道RF模块的传输路径回波损耗≤-10 dB、插入损耗≥-1.5 dB。理论计算与实测结果的均方根误差为0.0027,二者具有较好的一致性。本研究结果可为RF集成微系统陶瓷封装设计提供参考。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 倒装芯片 射频(RF)集成微系统 三维堆叠 传输损耗
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硅通孔互连结构热-机械可靠性研究进展
20
作者 董子萱 仓冬青 +2 位作者 赵继聪 孙海燕 张凯虹 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期552-567,共16页
高性能计算(HPC)和物联网等新兴领域的高速发展推动了封装技术的进步,对更高集成度和更小型化电子设备的需求日益增长。传统的2D封装技术在满足芯片高性能和功能多样化方面显露出局限性,而2.5D封装作为一项补充技术,已成为提升芯片性能... 高性能计算(HPC)和物联网等新兴领域的高速发展推动了封装技术的进步,对更高集成度和更小型化电子设备的需求日益增长。传统的2D封装技术在满足芯片高性能和功能多样化方面显露出局限性,而2.5D封装作为一项补充技术,已成为提升芯片性能和集成度的重要解决方案之一。硅通孔(TSV)作为2.5D封装中的核心组成部分,其可靠性对2.5D封装的性能和寿命有直接影响。以TSV的制作工艺及其潜在可靠性问题为切入点,系统地总结和探讨了TSV的材料、结构及工艺方面对其热-机械可靠性的影响。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 热-机械可靠性 封装应力 2.5D封装 形变
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