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超低温下TSV热应力分析及其结构优化
1
作者 王晗 行琳 +1 位作者 王冰 王如志 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期102-108,共7页
针对制冷型红外探测器芯片中硅通孔(TSV)在超低温环境下产生的热应力问题,采用传热-结构力学耦合多物理场有限元仿真方法,结合低温边界条件仿真与结构参数扫描,系统探究了不同结构TSV的热力学行为,并对其结构进行了优化。研究结果表明,... 针对制冷型红外探测器芯片中硅通孔(TSV)在超低温环境下产生的热应力问题,采用传热-结构力学耦合多物理场有限元仿真方法,结合低温边界条件仿真与结构参数扫描,系统探究了不同结构TSV的热力学行为,并对其结构进行了优化。研究结果表明,相较于传统实心圆柱形TSV,中空及纺锤形中空TSV可使Si衬底表面最大热应力至少减小300 MPa;采用钨代替铜作为金属芯材料可进一步降低热应力。此外,确定了纺锤形中空TSV的最佳绝缘层厚度(0.2μm)和金属镀层厚度(2μm),并揭示了TSV半径及间距对热应力的影响。优化后的结构可缩小阻止区(KOZ)范围,提高芯片集成度。本研究为制冷型红外探测器TSV设计提供了理论依据,对三维集成技术发展具有参考价值。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 热应力 红外探测器 结构优化 有限元仿真
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基于深度学习的自动光学检测在引线键合中的应用研究 被引量：1
2
作者 孙伟 张沅 +4 位作者 胡永芳 张伟 王越飞 牛牧原 濮宬函 《电子机械工程》 2025年第2期46-51,共6页
在微波组件的微组装过程中,基于标准图像对比、灰阶二值化等传统算法的引线键合自动光学检测技术存在手动引线键合质量检测困难、复杂图像检测编程繁琐、需要大量人工复判等问题。文中基于深度学习算法构建面向机器视觉的引线键合质量... 在微波组件的微组装过程中,基于标准图像对比、灰阶二值化等传统算法的引线键合自动光学检测技术存在手动引线键合质量检测困难、复杂图像检测编程繁琐、需要大量人工复判等问题。文中基于深度学习算法构建面向机器视觉的引线键合质量智能检测模型,通过微小目标智能识别分类和基于注意力机制的旋转目标检测,实现焊点缺陷检测、不定形引线检测和更好的自适应引线键合缺陷识别。相比传统检测算法,在应用基于深度学习的自动光学检测模型后,误报率由4.97%下降至1.92%,人工复判工作量下降62%,同时,随着缺陷数据的积累和模型训练的迭代,基于深度学习的自动光学检测模型引线键合检测质量和检测效率将得到进一步提升。 展开更多
关键词 自动光学检测 深度学习 引线键合
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玻璃基板技术研究进展 被引量：1
3
作者 赵瑾 于大全 秦飞 《电子与封装》 2025年第7期104-112,共9页
随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸... 随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸湿性和卓越的电学特性,成为突破传统封装限制的关键方向。围绕玻璃基板的结构特性与关键制造工艺进行分析,重点探讨了其在可靠性方面存在的主要问题,并总结其所面临的技术机遇与挑战。 展开更多
关键词 先进封装 玻璃基板技术 高密度互连 翘曲
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低应力氧化硅膜层制备工艺研究
4
作者 李浩 陈明 +3 位作者 王一丁 顾玥 王越飞 崔凯 《电子机械工程》 2025年第4期55-59,共5页
面对新一代电子装备对高密度高可靠硅通孔(Through Silicon Via,TSV)封装基板的迫切需求,现有主流的氧化硅沉积工艺方法无法实现氧化硅膜层的低温低应力沉积。为此,文中基于等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor De... 面对新一代电子装备对高密度高可靠硅通孔(Through Silicon Via,TSV)封装基板的迫切需求,现有主流的氧化硅沉积工艺方法无法实现氧化硅膜层的低温低应力沉积。为此,文中基于等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)工艺方法开展硅通孔基板高均匀性、高沉积速率、低应力氧化硅的沉积工艺研究。通过田口试验分析高频功率、低频功率和腔室压力对氧化硅应力的影响程度,确认了对氧化硅薄膜应力影响程度由高到低分别为低频功率、高频功率和腔室压力,进而得出低应力氧化硅的最佳工艺参数组合为高频功率1500 W、低频功率800 W、腔室压力333.25 Pa。文中实现了最小24.24 MPa的低应力工艺结果,对应的工艺参数条件为低应力、高均匀性氧化硅沉积提供了解决方案。 展开更多
关键词 硅通孔 氧化硅 表面应力 等离子体增强化学气相沉积
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玻璃通孔化学镀金属化研究进展
5
作者 孙鹏 钟毅 于大全 《电子与封装》 2025年第7期75-84,共10页
随着摩尔定律逐渐达到物理极限,电子器件向“小、巧、精”发展的同时也对先进封装技术提出了更高的要求。玻璃基板由于具有优秀的高频应用能力、热膨胀系数灵活可调、成本低廉以及大尺寸超薄玻璃基板易于获取等优点,目前已受到国内外企... 随着摩尔定律逐渐达到物理极限,电子器件向“小、巧、精”发展的同时也对先进封装技术提出了更高的要求。玻璃基板由于具有优秀的高频应用能力、热膨胀系数灵活可调、成本低廉以及大尺寸超薄玻璃基板易于获取等优点,目前已受到国内外企业及科研院所的青睐。金属化工艺作为玻璃通孔(TGV)中的关键环节,决定了集成芯片电气连接的性能。当前,TGV金属化主要通过物理气相沉积(PVD)技术实现。但PVD工艺的成本高昂,沉积速度慢且处理高深宽比盲、通孔的效果差,使得通过湿法工艺对TGV进行金属化受到了广泛关注。针对此,阐述了TGV化学镀沉积机理并综述了近年来的研究现状及提升镀层与玻璃基板黏附性的关键技术,同时对未来发展方向提出见解。 展开更多
关键词 化学镀 玻璃通孔 黏附强度 自组装 金属氧化物
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高温下W金属互连线电迁移失效驱动机制
6
作者 李金航 纪旭明 +4 位作者 李佳隆 顾祥 张庆东 谢儒彬 徐大为 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期965-971,共7页
在航空航天、油气勘探等领域,对集成电路的高温耐受能力提出了日益增长的需求。基于原子密度积分算法建立了W金属互连线多物理场金属电迁移仿真模型,研究高温下W互连线电迁移失效的主要驱动机制(电流密度、温度梯度、应力梯度)及其变化... 在航空航天、油气勘探等领域,对集成电路的高温耐受能力提出了日益增长的需求。基于原子密度积分算法建立了W金属互连线多物理场金属电迁移仿真模型,研究高温下W互连线电迁移失效的主要驱动机制(电流密度、温度梯度、应力梯度)及其变化。采用0.15μm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺进行W互连线加工,结合实际W迁移测试结果对模型边界条件进行修正。研究发现低温(<200℃)下W互连线电迁移失效的主要驱动机制为应力梯度,随着温度升高(>200℃),电流密度成为主要驱动机制。针对不同温度下主要驱动机制的不同,可通过调整金属互连线加工温度及尺寸来提升金属互连线的可靠性。 展开更多
关键词 电迁移 高温 W互连线 驱动机制 原子密度积分算法
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用阴极极化的方法衡量FeNi42合金在三氯化铁蚀刻液中的蚀刻速度 被引量：4
7
作者 李陵川 马莒生 唐祥云 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期112-116,共5页
用电位线扫描对玻美度为３０°Ｂé的三氯化铁溶液中的ＦｅＮｉ４２和Ｐｔ工作电极进行阴极极化。ＦｅＮｉ４２的蚀刻过程由溶液中Ｆｅ３＋向合金界面的扩散传质控制，其蚀刻电流与还原步骤的极限扩散电流相等。应用Ｐｔ工作电... 用电位线扫描对玻美度为３０°Ｂé的三氯化铁溶液中的ＦｅＮｉ４２和Ｐｔ工作电极进行阴极极化。ＦｅＮｉ４２的蚀刻过程由溶液中Ｆｅ３＋向合金界面的扩散传质控制，其蚀刻电流与还原步骤的极限扩散电流相等。应用Ｐｔ工作电极的动电位阴极极化可以对合金的蚀刻电流密度进行衡量。快速电位扫描获得的Ｐｔ电极极化曲线上有波峰出现，相应于溶液中Ｆｅ３＋还原为Ｆｅ２＋。波峰缩短了极限电流平台区，成为利用快扫描获得合金蚀刻电流密度的限制性因素。ＦｅＮｉ４２自身的阴极极化曲线上也有波峰和曲线转折，相应于合金表面的金属再沉积。不能利用ＦｅＮｉ４２电极通过快速电位扫描获得其蚀刻电流密度值。 展开更多
关键词 蚀刻 阴极极化 引线框架 集成电路 蚀刻速度
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电-热-力耦合下扇出型晶圆级封装RDL导电层热-力可靠性分析
8
作者 武瑞康 臧柯 +2 位作者 范超 王蒙军 吴建飞 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期955-964,共10页
为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-... 为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-力分布中,导电层起主导作用。与材料和厚度相比,导电层结构的过渡角度对RDL可靠性的影响相对较小。过渡角度在130°~160°范围内时,温度与应力极值波动小于1%;0.8~15 GHz频段内,RDL的温度与应力极值会随频率升高而递增且上升速率逐渐减缓。正交试验结果表明,导电层材料对温度和应力极值的影响最为显著。经优化后,导电层最佳参数为:银材料,厚度10μm,过渡角度140°。该研究成果可为先进封装领域中RDL的结构设计与优化提供参考。 展开更多
关键词 扇出型晶圆级封装(FOWLP) 导电层 重分布层(RDL) 多物理场 正交试验
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高频下器件引脚布局对柔性PCB热应力的影响
9
作者 薛宜春 王蒙军 +1 位作者 范超 吴建飞 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期860-868,共9页
为了优化高频微波下柔性电子器件的引脚布局设计,提出了一种高频微波作用下的柔性印制电路板(PCB)多物理场有限元仿真方法。在全波电磁分析体系中考虑电磁-热-应力多物理场耦合对柔性电子可靠性的影响。对柔性PCB互连结构的两种缺陷形... 为了优化高频微波下柔性电子器件的引脚布局设计,提出了一种高频微波作用下的柔性印制电路板(PCB)多物理场有限元仿真方法。在全波电磁分析体系中考虑电磁-热-应力多物理场耦合对柔性电子可靠性的影响。对柔性PCB互连结构的两种缺陷形式建模仿真,仿真与实验结果相吻合,验证了仿真方法的有效性。采用该方法模拟柔性PCB表面贴装器件,结果表明,在0.45~15 GHz频率范围内,减小导通引脚间距会使柔性PCB的温度升高、von Mises应力分布改变;随着工作频率的提高,导通引脚靠近芯片中心的柔性PCB温度上升速度变慢,其所受von Mises应力降低,展现出更高的可靠性。该研究结果为优化柔性电子热管理和提高其结构可靠性提供了新思路。 展开更多
关键词 柔性印制电路板(PCB) 互连结构 高频微波 多物理场 有限元仿真
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x光纳米光刻掩模的离子束制备法 被引量：1
10
作者 韩勇 彭良强 +3 位作者 巨新 伊福廷 张菊芳 吴自玉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期44-45,共2页
重离子束轰击聚碳酸酯后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的铜纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的掩模。
关键词 纳米光刻 纳米线 x光掩模 离子束制备法
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基于单弯引线互连的CQFP射频传输性能
11
作者 杨振涛 余希猛 +2 位作者 于斐 任昊迪 刘林杰 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期948-954,共7页
为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求,提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接,相较于传统的翼型引线互连结构,其可将引线焊盘长度由1.00 m... 为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求,提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接,相较于传统的翼型引线互连结构,其可将引线焊盘长度由1.00 mm缩短至0.50 mm,有效改善了焊盘的阻抗匹配效果。通过仿真分析了信号线中心距、焊盘尺寸、垂直通孔直径和焊料量对射频传输性能的影响,确定最优参数分别为:信号线中心距0.65 mm、焊盘尺寸0.28 mm×0.50 mm、垂直通孔直径为0.05 mm、焊料量为0.35 mm×0.20 mm×0.10 mm。仿真分析与样品测试结果表明,采用单弯引线互连结构可以将射频传输带宽由35 GHz提高至50 GHz,有效拓宽了CQFP在高频领域中的应用范围,为高性能陶瓷封装结构的优化设计提供了参考。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 陶瓷四边扁平封装(CQFP) 单弯引线 阻抗匹配 射频(RF)性能
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一种Ka波段多通道RF集成微系统封装
12
作者 杨振涛 余希猛 +3 位作者 于斐 刘莹玉 段强 刘林杰 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期723-729,共7页
随着各类信息载荷集成系统性能的提升,射频(RF)集成微系统向多通道、高集成、高频率、低噪声、多功能、小型化的方向发展。基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,提出了一种应用于Ka波段的多通道RF集成微系统封装,多通道RF模块通过直径0.60 mm的... 随着各类信息载荷集成系统性能的提升,射频(RF)集成微系统向多通道、高集成、高频率、低噪声、多功能、小型化的方向发展。基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,提出了一种应用于Ka波段的多通道RF集成微系统封装,多通道RF模块通过直径0.60 mm的焊球与数字处理模块连接,以实现三维堆叠。结合理论计算和仿真优化,合理设计屏蔽层和接地层,以实现低损耗、高屏蔽的带状线传输结构。测试结果表明,在DC~40 GHz频段,多通道RF模块的传输路径回波损耗≤-10 dB、插入损耗≥-1.5 dB。理论计算与实测结果的均方根误差为0.0027,二者具有较好的一致性。本研究结果可为RF集成微系统陶瓷封装设计提供参考。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 倒装芯片 射频(RF)集成微系统 三维堆叠 传输损耗
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硅通孔互连结构热-机械可靠性研究进展
13
作者 董子萱 仓冬青 +2 位作者 赵继聪 孙海燕 张凯虹 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期552-567,共16页
高性能计算(HPC)和物联网等新兴领域的高速发展推动了封装技术的进步,对更高集成度和更小型化电子设备的需求日益增长。传统的2D封装技术在满足芯片高性能和功能多样化方面显露出局限性,而2.5D封装作为一项补充技术,已成为提升芯片性能... 高性能计算(HPC)和物联网等新兴领域的高速发展推动了封装技术的进步,对更高集成度和更小型化电子设备的需求日益增长。传统的2D封装技术在满足芯片高性能和功能多样化方面显露出局限性,而2.5D封装作为一项补充技术,已成为提升芯片性能和集成度的重要解决方案之一。硅通孔(TSV)作为2.5D封装中的核心组成部分,其可靠性对2.5D封装的性能和寿命有直接影响。以TSV的制作工艺及其潜在可靠性问题为切入点,系统地总结和探讨了TSV的材料、结构及工艺方面对其热-机械可靠性的影响。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 热-机械可靠性 封装应力 2.5D封装 形变
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面心立方金属键合界面微观变形机制与力学性能的原位TEM研究
14
作者 方浩禧 梁健 +5 位作者 李政坤 袁渊 于宗光 李力一 钟立 孙立涛 《电子显微学报》 北大核心 2025年第4期391-398,共8页
随着集成电路制程逼近摩尔定律极限,以直接键合工艺为核心的超高密度互连三维集成芯片技术成为突破瓶颈的主要途径之一。面心立方(face-centered cubic,FCC)金属作为直接键合工艺中重要的互连材料,其键合界面的力学性能显著影响键合质... 随着集成电路制程逼近摩尔定律极限,以直接键合工艺为核心的超高密度互连三维集成芯片技术成为突破瓶颈的主要途径之一。面心立方(face-centered cubic,FCC)金属作为直接键合工艺中重要的互连材料,其键合界面的力学性能显著影响键合质量。本文利用原位透射电子显微镜(transmission electron microscopy,TEM),研究了键合界面类型对其微观变形机制及界面强度的影响。结果表明:大取向差键合界面(倾斜大角晶界)变形机制以晶界塑性为主,易引发应力集中与裂纹萌生,界面强度较低(700 MPa);小取向差键合界面变形机制以位错塑性为主,表现出更高的键合强度(1.62 GPa);孪晶界的键合界面强度主要与孪晶取向有关,平直孪晶界键合界面的变形机制存在阶错运动以及位错与孪晶界的交互作用,具有较高的键合强度(1.60 GPa),而倾斜孪晶界面的变形机制主要为孪晶界滑移,其强度下降至(1.10 GPa)。本研究为优化键合工艺、提升芯片封装可靠性提供了理论指导。 展开更多
关键词 键合界面 面心立方金属 键合强度 变形机制 原位透射电子显微镜
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微电子镀覆技术发展动态 被引量：3
15
作者 夏传义 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2000年第4期48-53,56,共7页
介绍了微电子镀覆在半导体和IC封装、凸点制作、多芯片组件以及微电子机械系统中的应用。
关键词 微电子镀覆 半导体 IC封装 微电子机械系统
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BGA陶瓷外壳的频率提升研究
16
作者 王轲 乔志壮 +1 位作者 刘林杰 李明磊 《电子质量》 2025年第11期1-6,共6页
随着射频电路的发展,对高频、高集成度封装的需求日益提升。球栅阵列(BGA)封装因具备更高封装密度和优良电性能,在微波射频封装领域得到广泛应用。针对某款实测最高频率仅30 GHz的陶瓷球珊阵列(CBGA)外壳,开展频率升级研究。通过射频传... 随着射频电路的发展,对高频、高集成度封装的需求日益提升。球栅阵列(BGA)封装因具备更高封装密度和优良电性能,在微波射频封装领域得到广泛应用。针对某款实测最高频率仅30 GHz的陶瓷球珊阵列(CBGA)外壳,开展频率升级研究。通过射频传输截止频率分析,缩小了外壳内部陶瓷射频传输孔的直径,有效提升了工作频段;基于通带内阻抗匹配特性分析,通过减薄转接板厚度和降低键合丝高度,改善了通带内的回波损耗性能。板级实测结果表明,改进后产品的最高工作频率达到48 GHz,通带内回波损耗≤-15 dB,插入损耗≤2.0 dB,且带内无谐振点。该外壳外形结构与尺寸保持不变,并通过可靠性验证,具备直接替换能力。升级后的外壳频率通用性更高,可广泛应用于高频、高密度封装领域。 展开更多
关键词 球珊阵列 陶瓷外壳 高频 截止频率
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电子封装软钎焊焊点形态预测技术研究现状 被引量：3
17
作者 王春青 赵秀娟 杨士勤 《电子工艺技术》 2000年第1期7-9,16,共4页
概述了近年来国内外电子封装软钎焊焊点形态预测研究工作的进展及尚未解决的问题，供有关人员参照。
关键词 焊点形态 预测 电子封装 软钎焊
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玻璃通孔技术的力学可靠性问题及研究进展
18
作者 马小菡 董瑞鹏 +2 位作者 万欣 贾冯睿 龙旭 《电子与封装》 2025年第7期93-103,共11页
随着集成电路持续朝高密度、高性能方向发展,玻璃通孔(TGV)互连技术由于具有优异的电学、光学特性,良好的力学稳定性和低成本等优势,在三维电子封装、集成无源器件和光电器件集成方面具有广泛应用前景。系统综述TGV在芯片封装中的应用... 随着集成电路持续朝高密度、高性能方向发展,玻璃通孔(TGV)互连技术由于具有优异的电学、光学特性,良好的力学稳定性和低成本等优势,在三维电子封装、集成无源器件和光电器件集成方面具有广泛应用前景。系统综述TGV在芯片封装中的应用背景、制造工艺、材料选择及其所面临的主要力学挑战。对比玻璃中介层技术与硅通孔互连,总结TGV在成本、电学性能及机械稳定性方面的优势。阐述TGV与玻璃面板的制造流程,并强调常用玻璃材料(硅酸盐玻璃、石英玻璃和硼硅酸盐玻璃)的力学性能差异。重点分析TGV技术所面临的力学挑战,并给出潜在的解决方案。研究结果可为后续TGV结构优化与高可靠性封装设计提供一定的理论依据与工程指导。 展开更多
关键词 玻璃通孔 先进封装 力学性能 可靠性
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Via Clean湿法工艺应用及设备研究
19
作者 李长城 陈钊 谢振民 《电子工业专用设备》 2025年第4期55-62,共8页
通孔清洗(Via Clean)湿法工艺主要用于去除刻蚀过程中产生的残留物、光刻胶、聚合物和金属布线的污染物等,以提高芯片的良率。介绍了Via Clean在后道(BEOL)、前道(FEOL)和基片(Substrate)通孔制造三个工艺制程的需求,对Via Clean设备的... 通孔清洗(Via Clean)湿法工艺主要用于去除刻蚀过程中产生的残留物、光刻胶、聚合物和金属布线的污染物等,以提高芯片的良率。介绍了Via Clean在后道(BEOL)、前道(FEOL)和基片(Substrate)通孔制造三个工艺制程的需求,对Via Clean设备的主要功能模块及关键技术进行了研究,重点研究了真空系统腔室(VSC)单片湿法清洗工艺,分析了该工艺的清洗原理,并采用该工艺对10∶1深宽比的硅通孔(TSV)晶圆进行了试验研究,试验结果表明,晶圆表面的C/F元素原子得到了显著降低。 展开更多
关键词 通孔清洗 湿法清洗 单片清洗 真空系统腔室
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嵌入硅桥芯片的高密度有机基板制备与性能
20
作者 姚昕 张爱兵 李轶楠 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期730-739,共10页
基于硅桥芯片互连的异构集成技术可以有效提升芯粒间局域互连密度,满足高性能计算对芯粒间高密度互连日益增长的需求。针对亿门级现场可编程门阵列(FPGA)电路多芯粒间短距离的互连传输需求,通过生长超高铜柱与嵌入硅桥芯片的有机基板实... 基于硅桥芯片互连的异构集成技术可以有效提升芯粒间局域互连密度,满足高性能计算对芯粒间高密度互连日益增长的需求。针对亿门级现场可编程门阵列(FPGA)电路多芯粒间短距离的互连传输需求,通过生长超高铜柱与嵌入硅桥芯片的有机基板实现芯粒间高密度互连,规避了传统硅桥芯片嵌埋基板中深腔嵌埋的工艺风险,满足多芯粒高速互连需求的同时提高了系统集成的互连可靠性。深入研究了嵌入硅桥芯片的高密度有机基板的制备与集成技术。测试结果表明,亿门级FPGA电路性能及参数指标满足要求,参照GJB 548C、GB/T 4937等标准进行环境考核试验,电路无分层、失效等异常,验证了该嵌入式基板具备良好的电气及机械性能。该技术可显著提升高密度封装系统的集成度与可靠性,为其在5G通信、高性能计算等领域的应用提供参考。 展开更多
关键词 硅桥芯片 局域互连 高密度有机基板 嵌入式基板 芯粒 异构集成
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