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基于虚实联动技术的集成电路氧化工艺研究 被引量:1
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作者 陈光红 洪静 黎文婷 《中国集成电路》 2025年第7期30-33,72,共5页
借助紫光教育公司的多功能实验基础平台、实验用半导体参数分析仪、HSLab软件,研究了集成电路制造工艺中的氧化工艺,通过工艺仿真、调整参数等分析比较了不同的氧化方式、氧化时间、氧化温度等对氧化效果的影响,并通过数据提取、数据输... 借助紫光教育公司的多功能实验基础平台、实验用半导体参数分析仪、HSLab软件,研究了集成电路制造工艺中的氧化工艺,通过工艺仿真、调整参数等分析比较了不同的氧化方式、氧化时间、氧化温度等对氧化效果的影响,并通过数据提取、数据输入、数据输出、数据画图等功能完成了两个任务:生成指定厚度的栅氧化层或掩蔽层,应用氧化技术进行硅局部氧化隔离技术(LOCOS),并优化工艺减小应力。研究结果表明,借助虚实联动技术可以以较低的成本、更高效设计来优化集成电路制造的关键工艺。 展开更多
关键词 虚实联动 氧化工艺 工艺仿真 工艺优化
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集成电路芯片锡基微凸点电迁移:从物理本质到可靠性提升
2
作者 黄明亮 王胜博 +3 位作者 尤海潮 刘厚麟 任婧 黄斐斐 《金属学报》 北大核心 2025年第7期979-997,共19页
随着先进封装技术向微型化、高性能方向发展,集成电路芯片锡基微凸点的直径持续减小至微米尺度,通过单个凸点的电流密度随直径减小呈平方增加,其电迁移行为与机理研究对集成电路芯片互连可靠性评估与设计具有重要价值。本文归纳分析了... 随着先进封装技术向微型化、高性能方向发展,集成电路芯片锡基微凸点的直径持续减小至微米尺度,通过单个凸点的电流密度随直径减小呈平方增加,其电迁移行为与机理研究对集成电路芯片互连可靠性评估与设计具有重要价值。本文归纳分析了芯片互连微凸点(焊点)电迁移现象的物理本质、主要影响因素和研究方法;系统综述了微焊点固-固电迁移过程中的极性效应、反极性效应和两相分离等电迁移行为特征与液-固电迁移过程中原子迁移、相析出和相溶解等电迁移行为特征;梳理评价了电迁移寿命的评估模型及修正模型;最后阐明了微焊点电迁移可靠性提升的方法,并展望了集成电路芯片互连锡基微凸点电迁移未来的研究方向和可靠性分析方法。 展开更多
关键词 电子封装 芯片互连 锡基微凸点 电迁移 可靠性
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光刻机分系统辐射发射检测方法
3
作者 陈婉如 赵士桢 +1 位作者 陆瑾 金善益 《上海计量测试》 2025年第4期8-11,共4页
基于电磁兼容的现场辐射发射检测方法,搭建了一套适用于大型电子设备的电磁兼容现场测试分析系统,以解决光刻机分系统因体积庞大、无法在暗室中测试的问题,为考察光刻机分系统的电磁兼容性能、光刻机分系统电磁兼容测试系统设计与检测... 基于电磁兼容的现场辐射发射检测方法,搭建了一套适用于大型电子设备的电磁兼容现场测试分析系统,以解决光刻机分系统因体积庞大、无法在暗室中测试的问题,为考察光刻机分系统的电磁兼容性能、光刻机分系统电磁兼容测试系统设计与检测规范制定提供技术支撑。 展开更多
关键词 光刻机分系统 电磁兼容 辐射发射
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基于改进Frangi滤波的芯片表面缺陷检测算法
4
作者 何钢 朱峰 +1 位作者 邹华涛 姚远 《计算机集成制造系统》 北大核心 2025年第10期3785-3793,共9页
针对复杂纹理芯片表面缺陷检测困难的问题,提出一种基于改进Frangi滤波的芯片表面缺陷检测算法。改进算法突破了传统Frangi滤波仅能有效增强线状缺陷的限制,在原算法模型的基础上,先将圆形结构抑制项去除,再采用优化后的频率调谐(FT)显... 针对复杂纹理芯片表面缺陷检测困难的问题,提出一种基于改进Frangi滤波的芯片表面缺陷检测算法。改进算法突破了传统Frangi滤波仅能有效增强线状缺陷的限制,在原算法模型的基础上,先将圆形结构抑制项去除,再采用优化后的频率调谐(FT)显著性检测算法对背景判定条件进行改进,最后加入所构建的块状缺陷响应项,得到新型多特征响应函数。实验结果表明,改进算法能够有效增强芯片表面各类缺陷,平均检测率达到97.3%,较原算法提升46%。与同类检测算法相比,改进算法在弱划痕检测方面优势明显,划痕检测率达到90%。此外,算法平均耗时仅0.08 s,满足实时检测需求。 展开更多
关键词 芯片缺陷检测 Frangi滤波 多特征响应 HESSIAN矩阵 显著性检测
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高深径比TSV高功率脉冲溅射技术
5
作者 李彦睿 林杰 +4 位作者 秦跃利 张健 王文博 冉柯 李士群 《电子工艺技术》 2025年第4期5-8,22,共5页
围绕TSV三维集成微系统的射频信号传输特性要求,针对TSV制造中的高深径比盲孔结构,研究对比了高功率脉冲磁控溅射与传统直流溅射工艺的效果。试验结果表明,通过提升等离子体离子化效率,高功率脉冲磁控溅射金属种子层的台阶覆盖率显著提... 围绕TSV三维集成微系统的射频信号传输特性要求,针对TSV制造中的高深径比盲孔结构,研究对比了高功率脉冲磁控溅射与传统直流溅射工艺的效果。试验结果表明,通过提升等离子体离子化效率,高功率脉冲磁控溅射金属种子层的台阶覆盖率显著提高,尤其在深径比为10:1的高密度互连穿孔中表现更优。验证了HiPIMS在提升TSV溅射沉积质量方面的技术优势,有效降低了TSV晶圆种子层金属厚度,并提供了一种高效、高可靠的解决方案。 展开更多
关键词 TSV 高功率脉冲 离子化效率 高深径比穿孔 台阶覆盖率
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内嵌金属柱在LTCC微流道基板中的散热性能
6
作者 王晗 李振松 《北京信息科技大学学报(自然科学版)》 2025年第1期111-116,共6页
在集成散热微流道的低温共烧陶瓷(low-temperature co-fired ceramics,LTCC)封装基板中引入内嵌金属柱(embedded metal columns,EMCs)作为导热增强结构,是提升封装体散热性能的重要改进措施。基于已有的理论分析与试验研究结果,结合工... 在集成散热微流道的低温共烧陶瓷(low-temperature co-fired ceramics,LTCC)封装基板中引入内嵌金属柱(embedded metal columns,EMCs)作为导热增强结构,是提升封装体散热性能的重要改进措施。基于已有的理论分析与试验研究结果,结合工艺条件,分析内嵌金属柱截面形状、长度、直径和流体入口流速对其散热性能的影响。通过正交试验设计,在有限元仿真软件中建立带有内嵌金属柱的LTCC微流道基板的热仿真模型,并对得到的热仿真数据进行极差与方差分析。研究结果表明,影响内嵌金属柱散热性能的因素由大到小依次为流体流速、内嵌金属柱截面形状、内嵌金属柱直径以及内嵌金属柱长度;在置信度为90%的情况下,流体入口流速、内嵌金属柱截面形状和直径均对其散热性能有显著影响,内嵌金属柱长度对其散热性能无显著影响。 展开更多
关键词 正交试验设计 散热性能 微流道 内嵌金属柱 低温共烧陶瓷
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磨料对集成电路CMP工艺质量的影响
7
作者 张海磊 谢亚伟 《时代汽车》 2025年第21期130-132,共3页
CMP技术通过化学腐蚀与机械研磨协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化,广泛应用于集成电路制造及先进封装领域。抛光设备、抛光垫和抛光液是决定抛光质量的三大关键要素。磨料为抛光液的核心成分之一,直接影响抛光速率和质量。文章阐述了... CMP技术通过化学腐蚀与机械研磨协同作用实现晶圆表面纳米级平坦化,广泛应用于集成电路制造及先进封装领域。抛光设备、抛光垫和抛光液是决定抛光质量的三大关键要素。磨料为抛光液的核心成分之一,直接影响抛光速率和质量。文章阐述了集成电路CMP工艺中磨料的作用,生产中常用的磨料种类、典型案例,分析了选择磨料的原则,通过案例,深入讨论了磨料对于CMP质量的影响。 展开更多
关键词 集成电路 CMP 磨料
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基于强化学习的回流焊工艺参数智能优化研究
8
作者 黄少华 龙智新 +3 位作者 王燕清 王博宇 侯霄宇 孙浩 《电子机械工程》 2025年第4期1-8,共8页
针对回流焊工艺过程中关键参数优化调控问题,文中以满足工艺关键指标和加热因子面积最小为目标,提出了一种基于近端策略优化算法的策略优化框架。首先,对回流焊工艺参数优化过程的工艺约束和优化指标进行分析,将其转化为序列决策框架下... 针对回流焊工艺过程中关键参数优化调控问题,文中以满足工艺关键指标和加热因子面积最小为目标,提出了一种基于近端策略优化算法的策略优化框架。首先,对回流焊工艺参数优化过程的工艺约束和优化指标进行分析,将其转化为序列决策框架下的连续控制优化问题。进一步将其形式化为马尔可夫决策过程,明确强化学习过程中的各项关键要素。然后,为提升强化学习算法的稳定性和策略表达能力,采用了集成广义优势估计的Actor-Critic策略优化框架。最后,设计了针对回流焊参数优化的相关实验,验证了基于近端策略优化算法的智能优化方法具有较好的稳定性和泛化能力,为实际生产中的参数智能调节提供有效技术支持。 展开更多
关键词 回流焊 强化学习 工艺优化 近端策略优化 马尔可夫决策过程
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SiC抛光用碱性活化H_(2)O_(2)浆料稳定性研究
9
作者 王凯悦 白九伟 +3 位作者 武海涛 吕功 刘桐 张泽芳 《铸造设备与工艺》 2025年第4期21-28,共8页
提出了一种基于电化学腐蚀的单晶碳化硅(SiC)化学机械抛光方法。通过电化学实验研究不同条件下H_(2)O_(2)的腐蚀电流,发现当H_(2)O_(2)浓度为5%时,腐蚀电流最大。在碱性条件下(pH=11.62),H_(2)O_(2)活化程度较高,能够有效生成活性氧自... 提出了一种基于电化学腐蚀的单晶碳化硅(SiC)化学机械抛光方法。通过电化学实验研究不同条件下H_(2)O_(2)的腐蚀电流,发现当H_(2)O_(2)浓度为5%时,腐蚀电流最大。在碱性条件下(pH=11.62),H_(2)O_(2)活化程度较高,能够有效生成活性氧自由基。为了提高氧化性,加入Na_(2)SiO_(3)和MgSO_(4)两种稳定剂,其中MgSO_(4)对腐蚀电流的提升尤为显著。实验表明,加入2 mmol MgSO_(4)后,H_(2)O_(2)稳定性显著提高,且SiC表面出现大面积氧化区域。经过2 h的抛光实验,含MgSO_(4)的抛光液使SiC的材料去除率(MRR)达到264 nm/h,较纯H_(2)O_(2)提升11.4倍,抛光后的表面粗糙度为3.7 nm,表面光滑无明显划痕。 展开更多
关键词 SIC 化学机械抛光 碱活化 Na_(2)SiO_(3) MgSO_(4)
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高密度电子装联技术中的焊接应力控制研究
10
作者 赵桂花 李伟 《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》 2025年第6期129-131,共3页
随着电子产品向小型化、高性能方向发展,高密度电子装联技术面临着严峻的焊接应力挑战。通过理论分析和实验验证相结合的方法,探讨了影响焊接应力的关键因素,包括焊料成分、焊接温度曲线和基板材料等。实验结果表明,优化焊料合金配比和... 随着电子产品向小型化、高性能方向发展,高密度电子装联技术面临着严峻的焊接应力挑战。通过理论分析和实验验证相结合的方法,探讨了影响焊接应力的关键因素,包括焊料成分、焊接温度曲线和基板材料等。实验结果表明,优化焊料合金配比和控制焊接温度峰值可有效降低焊点应力。此外,采用低膨胀系数的基板材料能显著改善焊点可靠性。基于研究成果,提出了一套适用于高密度电子装联的焊接应力控制方案,为提高产品可靠性和使用寿命提供了技术支持。 展开更多
关键词 高密度电子装联 焊接应力 焊料合金 温度曲线 基板材料 可靠性
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可调节钨侧壁倾角的干法刻蚀工艺
11
作者 杜少博 王利芹 《电子工艺技术》 2025年第5期22-24,59,共4页
主要介绍了在感应耦合等离子刻蚀工艺中,通过调整射频功率、气体流量、腔体压力等参数,实现对钨刻蚀后侧壁倾角的调节控制,为后续多层金属布线工艺中金属W的使用提供更多的技术支持。在多层布线工艺中,金属W的使用可以提高器件的可靠性... 主要介绍了在感应耦合等离子刻蚀工艺中,通过调整射频功率、气体流量、腔体压力等参数,实现对钨刻蚀后侧壁倾角的调节控制,为后续多层金属布线工艺中金属W的使用提供更多的技术支持。在多层布线工艺中,金属W的使用可以提高器件的可靠性,小角度的W可以有效降低多层金属布线中的工艺难度。 展开更多
关键词 感应耦合等离子刻蚀 多层金属布线 倾角
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基于卷积神经网络的深度估计及集成成像微单元图像阵列映射方法研究 被引量:1
12
作者 甘昕艳 彭玉颜 +6 位作者 康家欣 邹浥 张嘉伟 周雄图 郭太良 吴朝兴 张永爱 《光电子技术》 2025年第3期219-225,共7页
提出一种在深度估计中使用卷积神经网络训练的模型,以光场中预测的光线深度作为映射模型的深度参数,并由此合成微单元图像阵列。结果表明,该模型可以在中心深度13 cm左右精准预测光场的深度,多个数据集的测试精确度在89.9%以上,且以该... 提出一种在深度估计中使用卷积神经网络训练的模型,以光场中预测的光线深度作为映射模型的深度参数,并由此合成微单元图像阵列。结果表明,该模型可以在中心深度13 cm左右精准预测光场的深度,多个数据集的测试精确度在89.9%以上,且以该模型预测的深度进行映射可以大幅度改善映射过程中像素坐标重叠情况,提高集成成像效率,为无像素损失的微单元图像生成提供了一种可行方案。 展开更多
关键词 卷积神经网络 深度估计 集成成像 微单元图像阵列
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基于深度学习的自动光学检测在引线键合中的应用研究 被引量:1
13
作者 孙伟 张沅 +4 位作者 胡永芳 张伟 王越飞 牛牧原 濮宬函 《电子机械工程》 2025年第2期46-51,共6页
在微波组件的微组装过程中,基于标准图像对比、灰阶二值化等传统算法的引线键合自动光学检测技术存在手动引线键合质量检测困难、复杂图像检测编程繁琐、需要大量人工复判等问题。文中基于深度学习算法构建面向机器视觉的引线键合质量... 在微波组件的微组装过程中,基于标准图像对比、灰阶二值化等传统算法的引线键合自动光学检测技术存在手动引线键合质量检测困难、复杂图像检测编程繁琐、需要大量人工复判等问题。文中基于深度学习算法构建面向机器视觉的引线键合质量智能检测模型,通过微小目标智能识别分类和基于注意力机制的旋转目标检测,实现焊点缺陷检测、不定形引线检测和更好的自适应引线键合缺陷识别。相比传统检测算法,在应用基于深度学习的自动光学检测模型后,误报率由4.97%下降至1.92%,人工复判工作量下降62%,同时,随着缺陷数据的积累和模型训练的迭代,基于深度学习的自动光学检测模型引线键合检测质量和检测效率将得到进一步提升。 展开更多
关键词 自动光学检测 深度学习 引线键合
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主要国家和地区发展光子技术与产业经验及启示 被引量:1
14
作者 尹志欣 许晔 张丽 《科技中国》 2025年第1期28-36,共9页
当前,新一轮科技革命和产业变革正在重构全球创新版图,随着集成电路芯片制造工艺趋于物理极限,光子技术正成为新的发展趋势,光子技术与产业也成为主要国家发展前沿科技的重点方向与领域。深入分析光子技术与产业发展面临的形势与趋势,... 当前,新一轮科技革命和产业变革正在重构全球创新版图,随着集成电路芯片制造工艺趋于物理极限,光子技术正成为新的发展趋势,光子技术与产业也成为主要国家发展前沿科技的重点方向与领域。深入分析光子技术与产业发展面临的形势与趋势,剖析美国、日本、欧洲推动光子技术与产业发展的典型做法与经验特征,对我国发展光子产业具有重要启示意义。 展开更多
关键词 产业变革 前沿科技 光子技术 物理极限 集成电路 面临的形势 全球创新 新的发展趋势
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气体放电与等离子体在芯片制造领域中的应用
15
作者 付洋洋 王新新 +11 位作者 邹晓兵 韩星 陈佳毅 张东荷雨 陈健东 林楚彬 杨栋 贾鸿宇 王倩 郑博聪 赵凯 肖舒 《高电压技术》 北大核心 2025年第8期4458-4477,共20页
放电等离子体广泛应用于半导体芯片制造,包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、等离子体清洗等,其技术总成占据集成电路产业份额1/3以上,已发展成为芯片制造工艺与装备领域的关键核心技术。该文对气体放电与等离子体在芯片制造领域的典... 放电等离子体广泛应用于半导体芯片制造,包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、等离子体清洗等,其技术总成占据集成电路产业份额1/3以上,已发展成为芯片制造工艺与装备领域的关键核心技术。该文对气体放电与等离子体在芯片制造领域的典型应用进行了概述。首先,针对光刻光源系统,介绍了气体放电泵浦准分子激光、激光产生等离子体辐射极紫外光的基本原理,其本质都是利用等离子体产生的光辐射;其次,针对刻蚀用射频等离子体,介绍了低气压射频放电的产生、特性、调控及相关工艺技术;再次,对薄膜工艺、离子注入装备原理及相关放电等离子体技术原理进行了介绍与讨论;随后,在量测与检测方面,分别介绍了光学检测与电子束检测的特点,阐述了激光维持等离子体实现宽谱强辐射光源的基本原理与特性;最后,介绍了基于辉光放电的等离子体清洗技术,以及其在去除刻蚀残留物中的应用。通过总结梳理气体放电与等离子体在半导体制造领域中的应用及相关核心技术,明晰放电等离子体科学基础研究方向,助力解决半导体装备国产化过程中的等离子体技术瓶颈。 展开更多
关键词 气体放电 等离子体 芯片制造 气体激光 等离子体辐射 射频放电 等离子体刻蚀 激光维持等离子体 辉光放电清洗
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玻璃基板技术研究进展 被引量:1
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作者 赵瑾 于大全 秦飞 《电子与封装》 2025年第7期104-112,共9页
随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸... 随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸湿性和卓越的电学特性,成为突破传统封装限制的关键方向。围绕玻璃基板的结构特性与关键制造工艺进行分析,重点探讨了其在可靠性方面存在的主要问题,并总结其所面临的技术机遇与挑战。 展开更多
关键词 先进封装 玻璃基板技术 高密度互连 翘曲
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集成电路制造装备发展态势及关键技术分析
17
作者 张慧婧 胡思思 +1 位作者 盖爽 王洪燕 《机械设计与制造》 北大核心 2025年第10期103-110,116,共9页
集成电路制造装备作为集成电路技术不断迭代升级的基石,对集成电路产业的发展至关重要。以集成电路核心制造装备以及光刻机、刻蚀机、离子注入机细分领域为研究对象,综合运用文献调研、专家咨询和专利分析等方法,从技术发展趋势、地域... 集成电路制造装备作为集成电路技术不断迭代升级的基石,对集成电路产业的发展至关重要。以集成电路核心制造装备以及光刻机、刻蚀机、离子注入机细分领域为研究对象,综合运用文献调研、专家咨询和专利分析等方法,从技术发展趋势、地域分布、重要机构、主要技术布局、关键技术领域分布等方面梳理了集成电路核心制造装备技术发展现状。研究发现,美国、日本集成电路核心制造装备技术全球领先;我国相关专利申请数量虽然处于上游水平,但迫切需要在关键技术领域布局上进一步提升自主可控能力。在此基础上,对我国集成电路制造装备领域的发展提出了建议,为我国集成电路核心制造装备领域的关键技术突破、科技创新等提供决策支撑。 展开更多
关键词 集成电路 集成电路制造 核心制造装备 专利分析 技术趋势 技术识别
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自由基刻蚀多晶硅及氟原子密度检测的研究
18
作者 高远 李筝 +3 位作者 曹勇 桑利军 刘博文 刘忠伟 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第7期584-591,共8页
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,传统刻蚀技术在选择性和物理损伤控制等方面面临挑战。自由基刻蚀技术具有高精度、低刻蚀损伤等优点,在微纳加工中具有重要应用价值与广阔的应用前景。研究利用自由基刻蚀技术,以CF_(4)/O_(2)/He混合气... 随着集成电路特征尺寸的不断缩小,传统刻蚀技术在选择性和物理损伤控制等方面面临挑战。自由基刻蚀技术具有高精度、低刻蚀损伤等优点,在微纳加工中具有重要应用价值与广阔的应用前景。研究利用自由基刻蚀技术,以CF_(4)/O_(2)/He混合气体为放电气体,系统研究了放电参数,如输入功率与气体流量对多晶硅刻蚀速率和F原子密度的影响。使用Ar作为标定气体定量测定刻蚀过程中的F原子密度。结果表明,F原子密度和刻蚀速率均随功率或CF_(4)流量的增加呈现先上升后趋于平稳的趋势;适当增加He或O_(2)比例可以提高刻蚀速率,但过高的He或O_(2)流量会导致F原子密度减少和刻蚀速率下降。研究揭示了自由基刻蚀过程中的关键参数,为优化刻蚀工艺提供了理论指导。 展开更多
关键词 多晶硅 自由基刻蚀 刻蚀速率 F 原子密度
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金-铝键合界面空洞生长动力学研究
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作者 陈柏雨 王波 +3 位作者 可帅 黄伟 刘岗岗 潘开林 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期633-640,共8页
为探究金-铝键合界面处空洞的演化与焊盘厚度的关系,通过实验、仿真模拟和理论分析相结合的方法对金丝和铝焊盘键合点空洞的生长进行了研究。实验结果表明,2~3μm厚Al/0.5%Cu铝焊盘上采用99.99%金丝键合的样品在300℃下贮存24 h后,键合... 为探究金-铝键合界面处空洞的演化与焊盘厚度的关系,通过实验、仿真模拟和理论分析相结合的方法对金丝和铝焊盘键合点空洞的生长进行了研究。实验结果表明,2~3μm厚Al/0.5%Cu铝焊盘上采用99.99%金丝键合的样品在300℃下贮存24 h后,键合界面处产生的空洞数量与铝焊盘厚度呈正相关关系,该结果与基于编程软件的元胞自动机仿真预测结果高度一致。空洞的形成规律符合引入浓度梯度后的金属扩散理论,即空洞的半径随焊盘厚度的增大而增大,随着时间步长的推移,空洞的形成速率先增大后减小。本研究结果为高温贮存后金-铝键合界面断裂失效提供了理论支持。 展开更多
关键词 空洞生长 元胞自动机 金-铝键合 焊盘厚度 高温贮存
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基于YOLOv8与度量分析的三维BGA焊球缺陷检测方法 被引量:1
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作者 黄云飞 李璇 陈平 《CT理论与应用研究(中英文)》 2025年第2期235-243,共9页
随着电子器件的集成化和微型化,BGA封装的广泛应用使得对其焊球缺陷检测变得至关重要。通过CT扫描重建BGA封装芯片内部焊球三维图像,根据焊球及缺陷的三维特征,提出一种基于YOLOv8与度量分析的三维BGA焊球缺陷检测方法。首先,依托YOLOv... 随着电子器件的集成化和微型化,BGA封装的广泛应用使得对其焊球缺陷检测变得至关重要。通过CT扫描重建BGA封装芯片内部焊球三维图像,根据焊球及缺陷的三维特征,提出一种基于YOLOv8与度量分析的三维BGA焊球缺陷检测方法。首先,依托YOLOv8算法构建三维BGA芯片图像目标检测模型,通过精确调整训练数据集中空洞的尺寸比例,提高模型对目标尺寸空洞缺陷的检测敏感性。然后,将其应用于三维BGA芯片图像识别空洞缺陷,生产候选目标集。最后,设计缺陷尺寸度量算法,对候选焊球内部空洞进行三维图像分割,计算空洞率,据此筛选出目标指标值的空洞缺陷。同时,将缺陷尺寸度量算法与数据集构建过程相结合,实现焊球缺陷标记自动化,减少三维缺陷标注工作量。在三维BGA芯片图像数据集上的实验结果表明,该方法能有效识别目标空洞缺陷并实现高检出率和低误检率,验证方法的有效性。 展开更多
关键词 三维目标检测 BGA焊球 缺陷检测 缺陷度量 OTSU阈值分割
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