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STT-MRAM绝对差值原位计算驱动的轻量型AdderNet电路设计
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作者 王黎勋 张跃军 +2 位作者 李琪康 张会红 温亮 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第9期3252-3261,共10页
随着人工智能研究的不断深入,卷积神经网络(Convolutional Neural Networks, CNN)在资源受限环境中的部署需求不断上升。然而,受限于冯·诺依曼架构,CNN加速器随着部署模型深度增加,卷积核逐层堆叠所引发的乘累加运算呈现超线性增... 随着人工智能研究的不断深入,卷积神经网络(Convolutional Neural Networks, CNN)在资源受限环境中的部署需求不断上升。然而,受限于冯·诺依曼架构,CNN加速器随着部署模型深度增加,卷积核逐层堆叠所引发的乘累加运算呈现超线性增长趋势。为此,该文提出一种基于自旋转移矩磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Magnetoresistive Random Access Memory, STT-MRAM)的轻量型加法神经网络(AdderNet)加速电路设计方案。该方案首先将L1范数引入存算一体架构,提出STT-MRAM绝对差值原位计算方法,以轻量级加法取代乘累加运算;其次,设计基于磁阻状态映射的可配置全加器,结合稀疏优化策略,跳过零值参与的冗余逻辑判断;最后,进一步构建支持单周期进位链更新的并行全加器阵列,实现高效的卷积核映射与多核L1范数并行计算。实验结果显示,在CIFAR-10数据集上,该加速器实现90.66%的识别准确率,仅较软件模型下降1.18%,同时在133 MHz频率下达到32.31 GOPS的最大吞吐量与494.56 GOPS/W的峰值能效。 展开更多
关键词 磁性随机存储器 加法神经网络 稀疏计算 硬件加速器 人工智能
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基于硅转接板的2.5D封装中电源地平面研究和优化
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作者 陈龙 宋昌明 +3 位作者 周晟娟 章莱 王谦 蔡坚 《电子与封装》 2025年第11期34-40,共7页
针对基于硅转接板的2.5D封装中电源分配网络(PDN)阻抗大、系统电压噪声大的电源完整性问题,建立2.5D封装模型,研究和优化封装系统的电源完整性。采用三维电磁场与电路协同仿真的方法,对硅转接板上的电源地平面进行阻抗优化,并通过合理... 针对基于硅转接板的2.5D封装中电源分配网络(PDN)阻抗大、系统电压噪声大的电源完整性问题,建立2.5D封装模型,研究和优化封装系统的电源完整性。采用三维电磁场与电路协同仿真的方法,对硅转接板上的电源地平面进行阻抗优化,并通过合理选择与布局深槽电容(DTC)对系统进行阻抗优化和电压噪声改善。结果显示,提高电源地平面的布线密度能够有效降低PDN的阻抗。电源地平面线宽/线距存在优化下限,当线宽/线距小于片间互连信号线线宽的2倍时会对片间互连信号线产生阻抗不连续的不良影响。在所建立的模型中,根据PDN阻抗的高频谐振峰选择DTC,使得PDN阻抗降低约83%,电压噪声减小约42%。同时,DTC的集成会在中高频段引入新的谐振峰,对PDN产生阻抗增大的不利影响。 展开更多
关键词 2.5D封装 硅转接板 电源完整性 电源地平面 深槽电容
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复合终端下n-Ga_(2)O_(3)异质肖特基二极管的结构设计及优化
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作者 马豪威 朱敏敏 《功能材料与器件学报》 2025年第1期56-63,共8页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难。基于此,本... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难。基于此,本文提出采用p-NiO/n-Ga_(2)O_(3)异质结所构成的结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky,JBS),并与场板(Field Plate,FP)及阶梯型终端(Mase)进行复合,以提升其性能。为了对器件设计及制备提供理论指导,应用TCAD仿真软件对其进行了仿真研究。研究发现,与基础肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)相比,采用复合终端的SBD的击穿电压由887 V增加至3069V,同时正向导通电阻由3.975 mΩ·cm^(2)略微增加至5.395 mΩ·cm^(2)。此外,本文探讨了p-NiO掺杂浓度和厚度对器件性能的影响。结果证明,复合终端结构有效改善了器件的反向击穿性能,并且为器件性能的优化提供了理论指导。 展开更多
关键词 Ga_(2)O_(3)-SBD 复合终端结构 异质结 击穿电压
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β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管中的单粒子烧毁机制分析
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作者 李幸 马腾 +4 位作者 钟思檑 彭超 张鸿 张战刚 雷志锋 《上海航天(中英文)》 2025年第4期81-88,共8页
本研究深入探讨了重离子和高能质子辐照条件下,β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)的单粒子烧毁(SEB)现象。实验表明:反向偏压是影响β-Ga_(2)O_(3)SBD失效的关键因素,仅当反向偏压达到一定临界值时,器件才会发生SEB,且反向偏压越高,... 本研究深入探讨了重离子和高能质子辐照条件下,β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)的单粒子烧毁(SEB)现象。实验表明:反向偏压是影响β-Ga_(2)O_(3)SBD失效的关键因素,仅当反向偏压达到一定临界值时,器件才会发生SEB,且反向偏压越高,烧毁发生时间越短。通过计算机辅助设计技术(TCAD)仿真和扫描电子显微镜(SEM)分析,本研究进一步揭示了SEB的机理,表明辐照引起的高电场和电子-空穴对的积累是导致SEB的主要原因。高能质子和重离子辐照引发的热效应和电场增强,使器件局部过热,从而导致SEB的发生。该成果为优化β-Ga_(2)O_(3)器件设计、提升其在高辐射环境下的抗辐照能力,提供了理论指导和工程参考,具有重要的应用价值。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3)功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) Kr离子 高能质子 反向偏压
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对二维Graphene/VS_(2)/BN范德华多层异质结构作为LIBs的阳极材料的相关研究 被引量:2
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作者 伍虎 唐贵平 +1 位作者 肖事成 范志强 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1543-1552,共10页
通过范德华尔斯作用将单层石墨烯(Graphene)、单层二硫化钒(VS2)和单层氮化硼(BN)构建成Graphene/VS2/BN范德华三层异质结构,并将其与不同数量的锂结合,研究了其作为锂离子电池(Li-Ion Batterys,LIBs)中阳极电极材料的可行性.Graphene/V... 通过范德华尔斯作用将单层石墨烯(Graphene)、单层二硫化钒(VS2)和单层氮化硼(BN)构建成Graphene/VS2/BN范德华三层异质结构,并将其与不同数量的锂结合,研究了其作为锂离子电池(Li-Ion Batterys,LIBs)中阳极电极材料的可行性.Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构具有-0.33 e V/A2的形成能,具有较强的稳定性,理论上可实现合成.同时,计算了Graphene/VS_(2)/BN范德华异质结构的平面内刚度,得出的杨氏模量(Y)为886.88 N/m,高于单层VS_(2)的Y(82.5 N/m),具有较好的力学性能.Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构表面和界面上吸附Li的吸附能(-5~-2 e V)远大于相应单层的吸附能,表明其对Li具有较好的吸附性能.Li在Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构的不同表面和界面处迁移时的扩散势垒非常小(0.3~0.6 e V),对电池速率性能极为有利.Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构在LIBs的阳极电极材料方面的应用具有广泛的前景. 展开更多
关键词 石墨烯 异质结 吸附能 开路电压 能带 锂离子电池
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基于体硅MEMS工艺的射频微系统冲击特性仿真研究 被引量:1
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作者 冯政森 王辂 +4 位作者 曾燕萍 杨兵 祁冬 王志辉 张睿 《电子技术应用》 2024年第2期65-70,共6页
高过载冲击试验成本高、周期长,同时失效检测手段较少,难以定位结构薄弱点。针对体硅工艺MEMS(Micro-electromechanical System)射频微系统,采用冲击响应谱与瞬态动力学方法,研究板级与试验条件下的高冲击载荷响应。仿真结果表明,该射... 高过载冲击试验成本高、周期长,同时失效检测手段较少,难以定位结构薄弱点。针对体硅工艺MEMS(Micro-electromechanical System)射频微系统,采用冲击响应谱与瞬态动力学方法,研究板级与试验条件下的高冲击载荷响应。仿真结果表明,该射频微系统能够承受高冲击过载,仿真结果可提前预判结构失效点,提高产品抗冲击可靠性。 展开更多
关键词 体硅MEMS 射频微系统 冲击 响应谱 瞬态动力学 可靠性
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GaN HEMT栅偏置电压与反向传导电压的解耦合研究
7
作者 周峰 荣玉 +1 位作者 郑有炓 陆海 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第3期264-269,共6页
第三代宽禁带氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的反向传导特性由于受到栅极偏置的控制作用,限制了器件在双向DC/DC变换器等场景中的实用化发展。通过采用源极控制p-GaN区域的结构设计,使得部分异质结导电沟道受到源极控制,实现了反... 第三代宽禁带氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的反向传导特性由于受到栅极偏置的控制作用,限制了器件在双向DC/DC变换器等场景中的实用化发展。通过采用源极控制p-GaN区域的结构设计,使得部分异质结导电沟道受到源极控制,实现了反向传导电压与栅极偏置电压的解耦合,有效解决了负栅偏压下器件的反向传导特性退化难题。研究表明,当器件p-GaN层上方的源控金属块和栅极金属块长度比值为1∶1时,有利于实现正向与反向传导性能的最佳折中。在150℃高温下,采用新结构设计的GaN HEMT维持了低开启反向传导能力。双脉冲动态开关测试表明,器件具有快速开关能力。器件制备工艺简单,兼容现有的GaN HEMT工艺流程,有望促进GaN功率半导体器件技术在变换器应用领域的实用化发展。 展开更多
关键词 GaN HEMT 反向传导能力 栅偏置电压 双脉冲开关 双向变换器
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面向存算架构的神经网络数字系统设计
8
作者 卢北辰 杨兵 《微电子学与计算机》 2024年第9期98-109,共12页
随着深度学习与神经网络的不断发展,庞大的计算量使得传统的冯·诺依曼架构设备面临“存储墙”等问题,因此“存内计算(Compute-In-Memory,CIM)”成为满足神经网络高时效需求和高运算量要求的主流设计方向。针对高密度数据的高性能... 随着深度学习与神经网络的不断发展,庞大的计算量使得传统的冯·诺依曼架构设备面临“存储墙”等问题,因此“存内计算(Compute-In-Memory,CIM)”成为满足神经网络高时效需求和高运算量要求的主流设计方向。针对高密度数据的高性能计算提供高速且节能的解决方案,设计了一款神经网络加速器。首先,完成了对ResNet14神经网络的量化,依据其结构设计了一种面向存内计算的数字系统。而后,为了增强该系统的多网络适配性,提出了一种兼容性架构构想,使该数字系统可适配ResNet18或其他卷积神经网络的部分卷积层。最后,将该系统加载到FPGA上进行验证。在10 MHz的时钟频率下,以Cifar-10和MNIST数据集进行目标分类任务,分别得到60 FPS下84.17%和98.79%的准确率,具有更小的数据位宽和相近的准确率。 展开更多
关键词 存内计算 数字集成电路设计 目标分类 卷积神经网络 ResNet14
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串行链路IBIS-AMI模型信号完整性分析及优化 被引量:1
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作者 杨云普 王青 曾燕萍 《无线电工程》 2024年第4期882-891,共10页
为解决高速串行链路通信时由于均衡器未精细配置导致的信号完整性问题,通过研究IBIS-AMI模型均衡结构对信号完整性的影响,使用田口试验法建立仿真试验,实现各均衡参数优化,解决了均衡器参数需要精细配置的问题。建立并分析一阶线性模型... 为解决高速串行链路通信时由于均衡器未精细配置导致的信号完整性问题,通过研究IBIS-AMI模型均衡结构对信号完整性的影响,使用田口试验法建立仿真试验,实现各均衡参数优化,解决了均衡器参数需要精细配置的问题。建立并分析一阶线性模型,对最佳参数组合下的眼图做出预测,并将仿真值与预测值进行对比,验证了最佳参数组合的准确性。在最佳均衡参数下,发射端与接收端得到的预测值和仿真值最大偏差不超过6%,证明了该最佳参数组合是准确的。眼图扩张程度提升了25%,信号质量明显变好,为系统驱动程序设置与信号完整性研究提供了较好的指导与参考。 展开更多
关键词 信号完整性 IBIS-AMI 田口试验 高速串行链路 眼图
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反熔丝的研究与应用 被引量:20
10
作者 王刚 李平 +3 位作者 李威 张国俊 谢小东 姜晶 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期30-33,共4页
综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工... 综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料。 展开更多
关键词 反熔丝 氧化物-氮化物-氧化物 非晶硅 栅氧化层 反熔丝PROM 反熔丝FPGA
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磁悬浮微进给机构的PID控制 被引量:9
11
作者 宋文荣 于国飞 +2 位作者 王延风 何惠阳 韩红霞 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期28-31,共4页
利用磁悬浮技术实现了微进给机构的运动部件与运行导轨之间的无接触支撑,消除了摩擦与磨损,克服了摩擦产生的金属粉尘污染问题。采用主动可控电磁阻尼系统,控制线圈的电流即可控制系统的阻尼,可根据实际应用场合,确定采用恒定阻尼还是... 利用磁悬浮技术实现了微进给机构的运动部件与运行导轨之间的无接触支撑,消除了摩擦与磨损,克服了摩擦产生的金属粉尘污染问题。采用主动可控电磁阻尼系统,控制线圈的电流即可控制系统的阻尼,可根据实际应用场合,确定采用恒定阻尼还是时变阻尼。对磁悬浮微进给机构实施PID控制,并进行了仿真试验。结果表明:当阻尼恒定不变时,应使C_2=0.5~1.0,机构的位移控制超调量≤0.933%,绝对稳态误差值≤1.77~2.30μm;当采用时变阻尼系统时,位移控制超调量≤3.617%,绝对稳态误差值≤0.033μm,运动控制达到纳米级准确度。 展开更多
关键词 磁悬浮技术 微进给机构 PID控制 金属粉尘污染 主动可控电磁阻尼系统 集成电路
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直接序列扩频信号快速捕获 被引量:12
12
作者 李菊 陈禾 +1 位作者 吴嗣亮 何佩琨 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期905-908,共4页
提出一种新的基于频域并行搜捕法的改进型快捕电路结构.该结构利用设计复用技术实现FFT单元和IFFT单元的复用;通过软件计算本地伪码FFT,并将其结果存储在ROM中,使硬件规模大幅减少;采用并行设计提高系统的运算速度;采用块浮点算法提高... 提出一种新的基于频域并行搜捕法的改进型快捕电路结构.该结构利用设计复用技术实现FFT单元和IFFT单元的复用;通过软件计算本地伪码FFT,并将其结果存储在ROM中,使硬件规模大幅减少;采用并行设计提高系统的运算速度;采用块浮点算法提高动态范围和运算精度.整个快捕电路由一块FPGA XC 2V 3000-5实现,工作时钟为29 ns,精度为1/4码片情况下,伪码捕获仅需4.145 m s.仿真和测试结果验证了设计的正确性. 展开更多
关键词 直接序列扩频信号 快速捕获 频域并行搜捕法 现场可编程门阵列
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直线驱动磁悬浮进给机构的研究 被引量:6
13
作者 孙宝玉 梁淑卿 +2 位作者 宋文荣 王延风 何惠阳 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2003年第4期338-342,共5页
分析了传统机械进给机构的特点,设计了一种集磁悬浮和线性驱动技术为一体的精密进给平台机构,此机构采用直线同步电机对悬浮的平台机构提供驱动力。这种驱动方式避免了传统驱动方式造成的摩擦、弹性变形、滞后和非线性误差,实现了平台... 分析了传统机械进给机构的特点,设计了一种集磁悬浮和线性驱动技术为一体的精密进给平台机构,此机构采用直线同步电机对悬浮的平台机构提供驱动力。这种驱动方式避免了传统驱动方式造成的摩擦、弹性变形、滞后和非线性误差,实现了平台进给机构在水平和垂直两方向的无接触支撑和导向。针对磁悬浮平台进给机构设计了直线同步电机的结构,并对直线电机产生的磁力进行分析计算。直线驱动技术在磁悬浮平台进给机构中的应用使进给系统具有响应快速、刚度高以及定位精确的特点,能够满足微电子设备高精度、高效率和超洁净加工的需要。 展开更多
关键词 直线驱动 磁悬浮平台 直线同步电机 数字PID控制 微电子设备
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Avalon总线与SOPC系统架构实例 被引量:24
14
作者 徐宁仪 周祖成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期17-20,共4页
介绍了可编程系统集成(SOPC)的基本概念和Avalon总线,着重描述了Avalon总线的内容和操作,利用SOPC Builder搭建了一个SOPC的实例,在Altera的Excalibur Nios开发板上进行了仿真验证。
关键词 AVALON总线 SOPC 系统架 嵌入式微处理器 集成电路 可编程系统集成
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神经电生理微电极阵列检测系统研制 被引量:8
15
作者 林楠森 宋轶琳 +1 位作者 刘春秀 蔡新霞 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第8期2028-2032,共5页
该文设计了基于微电极阵列的16通道神经电生理信号检测系统。检测系统由硬件和软件两部分组成,其中硬件部分可分为以下3个模块:微电极阵列接口模块,用于实现微电极阵列和检测系统的可靠连接;多通道信号放大模块,用于对微弱电生理信号进... 该文设计了基于微电极阵列的16通道神经电生理信号检测系统。检测系统由硬件和软件两部分组成,其中硬件部分可分为以下3个模块:微电极阵列接口模块,用于实现微电极阵列和检测系统的可靠连接;多通道信号放大模块,用于对微弱电生理信号进行提取并放大至合适的幅度;数据采集模块,对放大后的电生理信号进行高速数据采集并通过USB2.0接口和计算机相连。软件部分采用多线程、多缓存等技术保证对信号的实时观测和分析。对检测系统的主要参数进行了测试,并结合实验室自制神经微电极阵列对SD大鼠海马区脑切片进行神经电生理信号的检测。系统的输入噪声Vrms<2μV,放大倍数为1000倍,频率带宽范围为10~3000 Hz,并且能够检测到放电幅度为20μV左右的神经电生理信号。该文针对微电极阵列神经电生理信号检测中的技术难点,从硬件和软件设计上保证微弱信号的提取,检测系统的分辨率可达0.6μV,各项参数能够满足神经电生理信号的检测需要。 展开更多
关键词 微电极阵列 检测系统 神经电生理信号
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CMOS图像传感器的自适应降噪方法研究 被引量:8
16
作者 田里 姚素英 周津 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1561-1565,共5页
提出了一种用于CMOS图像传感器的新型自适应降噪方法,并进行了逻辑电路实现。该方法通过运动检测和边缘检测技术进行噪声功率统计和分析,选择性的利用中值滤波、均值滤波以及运动自适应滤波方法,对传感器输出图像进行了数字降噪处理。... 提出了一种用于CMOS图像传感器的新型自适应降噪方法,并进行了逻辑电路实现。该方法通过运动检测和边缘检测技术进行噪声功率统计和分析,选择性的利用中值滤波、均值滤波以及运动自适应滤波方法,对传感器输出图像进行了数字降噪处理。实验表明本文方法降低了高斯噪声和椒盐噪声的影响,有效提高了图像质量和峰值信噪比。其结构易于电路实现,适用于CMOS图像传感器内部的实时降噪处理。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 自适应降噪 噪声功率统计 峰值信噪比
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SiGe CMOS结构与模拟分析 被引量:3
17
作者 戴显英 郝东艳 +2 位作者 张鹤鸣 胡辉勇 吕懿 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期338-341,共4页
提出了一种新的SiGeCMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组分及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGeCMOS... 提出了一种新的SiGeCMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组分及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGeCMOS电学性能的影响,给出了该结构的几何结构和物理结构参数.同时模拟了SiGeCMOS倒相器的传输特性. 展开更多
关键词 SIGE CMOS 结构模拟 电学性能
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干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较 被引量:3
18
作者 王维彪 金长春 +5 位作者 赵海峰 王永珍 殷秀华 范希武 梁静秋 姚劲松 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期272-274,共3页
主要研究了用干法刻蚀和各向同性湿法刻蚀的方法在〈100〉晶面和〈111〉晶面的单晶硅衬底上制备硅微尖.结果表明干法刻蚀和〈111〉晶面的硅衬底各向同性湿法腐蚀容易制备出顶端曲率半径比较小的硅微尖,通过实验。
关键词 干法 刻蚀 湿法 微电子器件
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晶片键合技术及其在微电子学中的应用 被引量:6
19
作者 吴东平 黄宜平 竺士炀 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期44-49,共6页
论述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,并对键合晶片的表征技术作了介绍。最后着重介绍了晶片键合技术在微电子学领域中的应用。
关键词 集成电路 硅片直接键合 SOI结构 三维器件
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温度应力对MEMS器件分层失效的影响规律 被引量:9
20
作者 刘加凯 齐杏林 王波 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期84-87,共4页
通过分析MEMS器件多层结构界面裂纹疲劳扩展的影响因素及温度应力对界面疲劳的影响机理,建立了温度应力对分层失效影响的理论模型,并建立了双材料结构层的有限元分析模型,研究了温度应力对界面裂纹疲劳扩展的影响规律。研究结果表明:在... 通过分析MEMS器件多层结构界面裂纹疲劳扩展的影响因素及温度应力对界面疲劳的影响机理,建立了温度应力对分层失效影响的理论模型,并建立了双材料结构层的有限元分析模型,研究了温度应力对界面裂纹疲劳扩展的影响规律。研究结果表明:在温度应力作用下,裂纹易沿界面方向扩展;温度幅值升高,裂纹疲劳扩展速率呈指数关系增大;裂纹从形成初期到扩展至分层失效的过程中历经较慢扩展、相对平稳扩展和快速扩展三个阶段。 展开更多
关键词 MEMS器件 温度应力 分层失效 界面裂纹 疲劳 理论模型 有限元分析
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