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一种动态精准的Flash型FPGA内核电源控制技术
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作者 马金龙 潘乐乐 +2 位作者 韦文勋 江少祥 于宗光 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期263-269,共7页
为满足Flash型现场可编程门阵列(FPGA)在多工作模式下内核电源供电的安全性与可靠性需求,设计并实现了一种Flash型FPGA内核电源控制逻辑电路。该电路利用Flash器件的非易失特性集成状态记忆模块,精准识别FPGA的5种工作状态。通过动态控... 为满足Flash型现场可编程门阵列(FPGA)在多工作模式下内核电源供电的安全性与可靠性需求,设计并实现了一种Flash型FPGA内核电源控制逻辑电路。该电路利用Flash器件的非易失特性集成状态记忆模块,精准识别FPGA的5种工作状态。通过动态控制JD7节点电平,实现了内核电源的精准管理与电气隔离:在非用户模式下将JD7置为电源电压V_(CC),以消除信号冲突风险;在用户模式下切换为GND,建立完整的电源回路。电路在一款60万门规模的Flash型FPGA中集成验证,测试结果表明,在55~125℃范围内及±5%电源电压波动条件下,全片擦除后静态电流低至1 mA,用户模式下功能正确。本研究为高可靠Flash型FPGA提供了一种有效的内核电源管理解决方案,显著提升了芯片的鲁棒性。 展开更多
关键词 Flash型现场可编程门阵列(FPGA) 内核电源供电 电源控制电路 非易失存储 高可靠性
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(六)——RF ASIC和微系统集成
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期205-214,共10页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(五)——移相器、RF开关、集成无源元件和相控阵
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期1-12,共12页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成`
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(五)——移相器、RF开关、集成无源元件和相控阵(续)
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期109-118,共10页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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高温Taylor撞击实验技术及其在金属材料本构模型验证中的应用
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作者 陈军红 尹标 +4 位作者 张胜德 胡文军 张方举 谢若泽 徐伟芳 《力学学报》 北大核心 2026年第2期486-496,共11页
高温Taylor撞击实验为应变率和温度相关的材料本构模型验证和参数优化提供了新方法.基于空气炮装置,突破了实验件速度实现与控制、实验件高温实现与装置设计、高温实验件冲击动力学响应量测试三项关键技术,建立了高温Taylor撞击实验技术... 高温Taylor撞击实验为应变率和温度相关的材料本构模型验证和参数优化提供了新方法.基于空气炮装置,突破了实验件速度实现与控制、实验件高温实现与装置设计、高温实验件冲击动力学响应量测试三项关键技术,建立了高温Taylor撞击实验技术,并将其应用于05Cr17Ni4Cu4Nb钢本构模型参数验证与优化中.首先,对05Cr17Ni4Cu4Nb钢进行了室温~900℃以及1.0×10^(-3)~1.0×10^(3) s^(-1)应变率下的拉伸实验,获得了不同温度和应变率下的应力应变曲线.基于参考应变率下材料流动应力随塑性应变变化、屈服强度随应变率变化以及屈服强度随温度变化规律,拟合得到了05Cr17Ni4Cu4Nb钢应变率和温度相关的Johnson-Cook本构模型参数.其次,利用高温Taylor撞击实验技术对05Cr17Ni4Cu4Nb钢进行了室温,300,500,570和710°C下的Taylor撞击实验,获取了不同温度下撞击后实验件外形尺寸.开展了05Cr17Ni4Cu4Nb钢室温及高温Taylor撞击有限元数值模拟分析,建立了本构模型参数优化流程和优化算法,以实验件尺寸平均偏差作为优化目标函数,开展了05Cr17Ni4Cu4Nb钢本构模型参数优化,获取了优化后的Johnson-Cook本构模型参数.优化结果表明:由单轴应力状态获取的Johnson-Cook本构模型参数过高地描述了05Cr17Ni4Cu4Nb钢在复杂应力状态下的应变硬化行为、应变率硬化行为和温度软化行为. 展开更多
关键词 高温 高应变率 TAYLOR 撞击 本构模型 参数优化
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基于方向解耦与多尺度增强的芯片表面缺陷检测模型
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作者 王翔 黄娟 +2 位作者 顾寄南 王文波 向泓宇 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期68-76,共9页
芯片表面缺陷检测在工业生产中至关重要,现有注意力机制因方向敏感性不足,难以有效获取破损、裂纹等有向线状表面缺陷。提出了一种基于YOLOv11n改进的双向多尺度检测网络(DMNet)模型,该模型设计了基于方向解耦建模的双向注意力(DDA)机... 芯片表面缺陷检测在工业生产中至关重要,现有注意力机制因方向敏感性不足,难以有效获取破损、裂纹等有向线状表面缺陷。提出了一种基于YOLOv11n改进的双向多尺度检测网络(DMNet)模型,该模型设计了基于方向解耦建模的双向注意力(DDA)机制与多尺度特征增强(MSFE)模块。DDA机制通过宽度、高度分支获取正交方向特征,并结合位置编码感知微小缺陷的像素级偏移;MSFE模块由空洞分支和池化分支组成,可分别获取长程依赖与保留局部细节。二者的结合显著提升了芯片表面缺陷的检测性能。在公共数据集D_(A)^(R)和D_(B)^(R)上验证了该模型的先进性,结果表明,与初始模型相比,该模型的参数量(Params)减小了1.2%,精确率(P)、召回率(R)与平均精度均值(mAP)在D_(A)^(R)缺陷数据集上分别提高了8.4%、6.9%和9.1%,在D_(B)^(R)缺陷数据集上分别提高了12%、4%和4.2%。 展开更多
关键词 芯片缺陷检测 特征增强 方向敏感性 注意力机制 YOLOv11n
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基于条纹结构光特征提取的三维重建方法
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作者 吴福培 彭俊龙 +1 位作者 乐聪 李昇平 《计算机集成制造系统》 北大核心 2026年第2期609-616,共8页
重建印刷电路板(PCB)元器件的表面三维形貌对检测其贴装质量具有重要意义。然而,因元器件表面特征和颜色分布的随机性,往往难以准确恢复其表面形貌。为此,提出一种基于条纹结构光特征提取的三维重建方法。首先,引入曝光系数并建立多重... 重建印刷电路板(PCB)元器件的表面三维形貌对检测其贴装质量具有重要意义。然而,因元器件表面特征和颜色分布的随机性,往往难以准确恢复其表面形貌。为此,提出一种基于条纹结构光特征提取的三维重建方法。首先,引入曝光系数并建立多重曝光图像合成规则,进而获取曝光均匀的编码图案,并建立十二步相移法求解其像素点的相对相位。其次,通过格雷码辅助编码法求解出目标的绝对相位。在此基础上,提出自适应相位滤波方法,进而结合邻近点相位对绝对相位异常点进行估计补偿,从而实现异常相位的修正。最后,结合标定结果重建PCB表面三维形貌。实验结果表明,所提方法可有效提高求解复杂表面相位的准确率,且能准确可靠地恢复PCB表面元器件的三维形貌,检验了所提方法的有效性。 展开更多
关键词 三维重建 印刷电路板 结构光 格雷码 图像处理
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阵列式微细管介质阻挡放电高效清洗晶圆表面光刻胶研究
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作者 姜楠 郭煜 +5 位作者 王荣刚 孙玉荣 孙新怡 王雅文 于广林 李杰 《中国电机工程学报》 北大核心 2026年第4期1698-1707,I0034,共11页
针对传统大气压等离子体清洗技术在晶圆表面光刻胶去除中面临的瓶颈问题,该文提出一种阵列式微细管介质阻挡放电(dielectric barrier discharge,DBD)等离子体清洗技术,通过高、低压微细介质管电极交错阵列布局,结合垂直喷射的高速气流,... 针对传统大气压等离子体清洗技术在晶圆表面光刻胶去除中面临的瓶颈问题,该文提出一种阵列式微细管介质阻挡放电(dielectric barrier discharge,DBD)等离子体清洗技术,通过高、低压微细介质管电极交错阵列布局,结合垂直喷射的高速气流,拓展了等离子体的覆盖面积并显著提升了等离子体中活性粒子向晶圆表面传输的靶向性和效率;研究了清洗间距、清洗时间、放电电压及气体流速等关键工艺参数对光刻胶清洗效果的影响。利用原子力显微镜(atomic force microscopy,AFM)、X射线光电子能谱仪(X-ray photoelectron spectrometer,XPS)、傅里叶红外光谱仪(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)、水接触角测试仪等表征技术分析等离子体清洗对晶圆表面粗糙度、元素构成、表面官能团、表面亲水性转变的影响,同时,基于密度泛函数理论(density functional theory,DFT)计算揭示了清洗机制。结果表明,在电压11kV、清洗间距0.5mm、清洗时间180s、气体流速1m/s条件下,光刻胶的清洗效率达到81.6%,晶圆表面平整度与形貌完整性保持良好,未观测到明显损伤;FTIR和XPS分析揭示了清洗过程中光刻胶残留及其与晶圆表面化学键合被有效去除,同时,羟基等极性基团的引入,显著提升了晶圆表面的亲水性,接触角由92.6锐减至19.8,亲水性显著改善,为后续的沉积与掺杂工艺提供了理想的表面环境,可促进沉积材料的均匀分布与掺杂剂的有效渗透,对晶圆制造工艺的优化及器件性能的提升具有重要意义。 展开更多
关键词 介质阻挡放电 等离子体清洗 晶圆污染 光刻胶 亲水性
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基于元特征增强的小样本PCB缺陷检测
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作者 宋涛 李程 +5 位作者 熊海龙 叶定兴 袁川 赵月雯 唐宏耀 冉璐 《计算机集成制造系统》 北大核心 2026年第2期617-627,共11页
面向小样本条件下印刷电路板(PCB)表面缺陷检测任务,引入元学习方案,充分提取先验知识并在新缺陷上进行快速泛化。同时,设计了一种基于元特征增强的小样本检测算法。首先,将元学习与微调策略相结合,元测试阶段仅微调检测器头部,改善知... 面向小样本条件下印刷电路板(PCB)表面缺陷检测任务,引入元学习方案,充分提取先验知识并在新缺陷上进行快速泛化。同时,设计了一种基于元特征增强的小样本检测算法。首先,将元学习与微调策略相结合,元测试阶段仅微调检测器头部,改善知识迁移过程中的分类模糊。然后,针对PCB新类与基类缺陷易于混淆的问题,在支持分支设计全局特征融合模块,将全局通道特征与原始支持特征融合以区分不同缺陷类别。最后,在查询分支上引入自注意力模块提升网络对小目标的关注度,帮助解决缺陷目标漏检问题。所提方法在10shot任务中展现出优异的检测性能,在PKU-Market-PCB缺陷数据集的新类AP(average precison)达到了62.4%。 展开更多
关键词 小样本目标检测 元学习 特征增强 PCB缺陷检测
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温度对14nm FinFET SRAM单粒子效应的影响
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作者 谭钧元 郭刚 +4 位作者 张付强 江宜蓓 陈启明 韩金华 秦丰迪 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期87-93,共7页
由于鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM)特有的鳍片电荷共享机制,其对单粒子效应(SEE)呈现出与传统平面器件截然不同的敏感特性。利用TCAD仿真构建14 nm FinFET SRAM模型并结合重离子实验加以验证,研究了温度对14 nm FinFET S... 由于鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM)特有的鳍片电荷共享机制,其对单粒子效应(SEE)呈现出与传统平面器件截然不同的敏感特性。利用TCAD仿真构建14 nm FinFET SRAM模型并结合重离子实验加以验证,研究了温度对14 nm FinFET SRAM电荷收集机制的影响。结果表明,随着温度的升高,高线性能量转移(LET)离子诱导的电荷收集过程逐渐减弱,多节点电荷收集现象也会逐渐减弱,且当环境温度达到125℃临界值时,敏感节点会出现收集电荷的雪崩式累积现象。此外,随着温度的升高,器件的翻转截面从1.27×10^(-3)cm^(2)增大到1.81×10^(-3)cm^(2),增大了约43%,且在高温下翻转截面的增大趋势愈发显著,该结果与仿真结果良好吻合。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM) 单粒子效应(SEE) 电荷收集 TCAD 温度
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高精度闭环霍尔流传感器研制
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作者 熊伟 王首浩 +5 位作者 徐佳佳 陈鹏 马亚军 王言徐 王伟 张艺卓 《计算机测量与控制》 2026年第1期277-284,共8页
针对我国航天伺服霍尔电流传感器精度低、线性度差、温漂大、响应慢及磁路易饱和等问题,文章提出一种航天伺服系统的高精度闭环霍尔电流传感器设计方案;采用磁路用开环“回”字形聚磁环与1J85坡莫合金叠片结构设计,次级线圈采用扁平漆... 针对我国航天伺服霍尔电流传感器精度低、线性度差、温漂大、响应慢及磁路易饱和等问题,文章提出一种航天伺服系统的高精度闭环霍尔电流传感器设计方案;采用磁路用开环“回”字形聚磁环与1J85坡莫合金叠片结构设计,次级线圈采用扁平漆包线精密绕制和特殊的热处理工艺技术;经过伺服系统带载试验表明,±130 A量程内线性度达到0.14%、误差±0.09%FS、温漂小于50 ppm/℃、动态响应3μs各项性能指标满足航天伺服系统测量需求。 展开更多
关键词 电流传感器 线性度 聚磁环 次级线圈 伺服系统
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基于RSM-NSGA Ⅱ的喷墨打印纳米银导线工艺参数优化
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作者 孙健 刘佳旺 +4 位作者 孙岩辉 吕景祥 苟宁 孙奕 李超 《精密成形工程》 北大核心 2026年第1期76-86,共11页
目的针对非法向喷墨打印中纳米银导线线宽精度与电性能难以协同控制的难题,提出工艺参数调控策略,旨在减小纳米银导线线宽并降低其电阻。方法以非法向喷墨打印的纳米银导线线宽及电阻为研究对象,构建基于响应面法(Response Surface Meth... 目的针对非法向喷墨打印中纳米银导线线宽精度与电性能难以协同控制的难题,提出工艺参数调控策略,旨在减小纳米银导线线宽并降低其电阻。方法以非法向喷墨打印的纳米银导线线宽及电阻为研究对象,构建基于响应面法(Response Surface Methodology,RSM)试验设计与非支配排序遗传算法(Non-dominated Sorting Genetic AlgorithmⅡ,NSGA-Ⅱ)的多目标优化模型。通过Box-Behnken试验设计,系统研究基板温度、打印速度及打印层数等关键参数对导线线宽和电阻的非线性影响机制,建立二阶多项式回归模型以表征参数-性能映射关系,并采用NSGA-Ⅱ算法进行Pareto前沿解集搜索,实现线宽与电阻的双目标协同优化。结果NSGA-Ⅱ算法优化得到的最优工艺参数组合如下:基板温度为120℃,打印层数为5,打印速度为6.25 mm/s,在该条件下,纳米银导线的预测结果为线宽99.439μm、电阻15.754Ω,试验结果为线宽97.403μm、电阻13.6Ω。偏差分别为2.04%和7.32%,均小于10%。此外,通过对比优化组与经验组在不同倾斜角度基板上的打印结果可知,优化组在导线线宽(减小率2.26%~14.66%)与电阻(降低率0.8%~20.45%)方面均显著优于经验组,且导线的表面形貌更加均匀。结论基于RSM-NSGAⅡ的优化模型有效实现了非法向喷墨打印场景下纳米银导线几何精度与电学性能的多目标优化,为复杂曲面电路板的高精度成形提供了理论支撑。 展开更多
关键词 喷墨打印 纳米银导线 响应面法 多目标优化 工艺参数优化
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三维集成电路通孔金属化技术研究进展
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作者 孙鹏 全雪松 +3 位作者 杜韵辉 黎科 钟毅 于大全 《电镀与精饰》 北大核心 2026年第2期1-18,共18页
通孔技术是三维集成电路实现芯片立体堆叠与异质集成的关键互连手段,其性能直接决定了系统级封装在高带宽、低延时及高可靠性方面的表现。硅通孔(TSV)技术成熟,是高性能计算和存储堆叠的主流方案,其核心挑战在于高深宽比下的保形沉积、... 通孔技术是三维集成电路实现芯片立体堆叠与异质集成的关键互连手段,其性能直接决定了系统级封装在高带宽、低延时及高可靠性方面的表现。硅通孔(TSV)技术成熟,是高性能计算和存储堆叠的主流方案,其核心挑战在于高深宽比下的保形沉积、热机械应力管理及工艺成本控制。玻璃通孔(TGV)作为新兴方案,凭借玻璃基板优异的高频特性、低介电损耗和良好的热匹配性,在射频前端、光电集成等领域展现出独特优势,但其金属与玻璃的界面黏附与通孔填充机制是当前难点。随着通孔技术向高深宽比、高互连密度的方向不断发展,金属化工艺作为通孔电气性能的决定性环节,正从传统物理气相沉积向原子层沉积、化学镀等保形性更优的工艺演进,致力于解决高深宽比(AR>10﹕1)通孔结构下的均匀性、缺陷控制及界面可靠性问题。本文系统综述了三维集成电路中硅通孔与玻璃通孔金属化工艺的研究进展,重点分析了主流制备方法,并对其未来技术发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 集成电路 硅通孔 玻璃通孔 电镀填充
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智能传送带控制系统设计与实现
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作者 明志新 秦小芳 《现代制造技术与装备》 2026年第2期210-212,共3页
以某电子产品装配企业印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)生产线为背景,深入探讨智能传送带控制系统的设计与实现路径。通过分析负载变化和工位状态对系统性能的影响,构建基于自适应调速的控制架构。研究结果表明,该系统能够根据实... 以某电子产品装配企业印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)生产线为背景,深入探讨智能传送带控制系统的设计与实现路径。通过分析负载变化和工位状态对系统性能的影响,构建基于自适应调速的控制架构。研究结果表明,该系统能够根据实时负载与下游工位需求动态调节速度,有效降低能耗并减少人工干预,同时提高生产线的协同性和稳定性。 展开更多
关键词 传送带 自适应调速 印制电路板(PCB)生产线
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应用于电源管理芯片的低功耗快速响应比较器设计
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作者 谢海情 刘顺城 +2 位作者 刘文用 肖斌 赵欣领 《微电子学与计算机》 2026年第2期192-198,共7页
为提高电源管理芯片的响应速度以及工作效率,设计优化自偏置交叉耦合电路与尾电流补偿电路,实现一种低功耗快速响应比较器电路。运算放大器采用自偏置交叉耦合结构:第一级电路通过调节交叉耦合对的比例,提升系统的开环增益,改善比较器... 为提高电源管理芯片的响应速度以及工作效率,设计优化自偏置交叉耦合电路与尾电流补偿电路,实现一种低功耗快速响应比较器电路。运算放大器采用自偏置交叉耦合结构:第一级电路通过调节交叉耦合对的比例,提升系统的开环增益,改善比较器的功耗和精度;第二级电路通过引入自偏置结构,简化偏置电路设计,进一步优化比较器功耗。比较器输入电压发生变化时,尾电流补偿电路根据正、负端输入电压差值,选择导通相应的补偿电路,自适应调整运算放大器的尾电流,提高比较器的响应速度和系统带宽;比较器输入电压差在精度范围内时,关断尾电流补偿电路,降低比较器功耗。基于0.18μm CMOS工艺,完成电路设计与仿真,比较器的版图尺寸为73μm×71μm。结果表明:比较器开环增益为71.9 dB,最大开关频率为10 MHz,电压输入范围为2.5~5.0 V;在各工艺角下,比较器精度小于4 mV;静态电流为7.4μA,最小上升延时为0.01 ns,下降延时为2.79 ns。该比较器具有低功耗、高精度、快速响应等优势,可应用于高性能电源管理芯片。 展开更多
关键词 比较器 低功耗 快速响应 电源管理 尾电流补偿
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电容式触摸芯片用多频采样电路设计
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作者 谢海情 黄吕梁 +2 位作者 许彬 赵欣领 谌运政 《电子设计工程》 2026年第4期43-47,共5页
针对传统电容式触摸芯片的采样信号易受外部噪声干扰而引发注入锁定的现象,设计了一种多频采样电路。该电路引入5条充电电流支路,实现多频采样功能,减小采样信号受注入锁定现象的影响,提高采样精度。同时,设计了一种DOM(Delta over the ... 针对传统电容式触摸芯片的采样信号易受外部噪声干扰而引发注入锁定的现象,设计了一种多频采样电路。该电路引入5条充电电流支路,实现多频采样功能,减小采样信号受注入锁定现象的影响,提高采样精度。同时,设计了一种DOM(Delta over the Mean)算法对采样信号进行处理,以此监测触摸输入引脚的电容值变化。仿真结果表明,多频采样电路输出的采样信号受噪声干扰的计数值偏差仅为0.46%;FPGA验证表明DOM算法的计算精度为1×10^(-8),最大绝对误差不超过0.4%;该电路具有强抗干扰、高可靠性、高精度特性,可应用于各类电容式触摸芯片。 展开更多
关键词 多频采样 电容式触摸 触摸检测 差分结构 注入锁定
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一种高性能低压共源共栅电流镜的设计与实现
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作者 谭传武 《新潮电子》 2026年第4期217-219,共3页
文章采用0.5μm CMOS工艺,提出一种改进型低压共源共栅电流镜。通过改进偏置网络结构、晶体管尺寸,该电流镜在保持高输出阻抗的同时,降低了最小工作电压。理论分析结合HSPICE仿真,发现在5μA~100μA输入电流范围内,该结构可实现相对误差... 文章采用0.5μm CMOS工艺,提出一种改进型低压共源共栅电流镜。通过改进偏置网络结构、晶体管尺寸,该电流镜在保持高输出阻抗的同时,降低了最小工作电压。理论分析结合HSPICE仿真,发现在5μA~100μA输入电流范围内,该结构可实现相对误差≤4%的电流复制,小信号输出阻抗为25.6 MΩ,适用于低功耗模拟集成电路的设计场景。 展开更多
关键词 共源共栅 电流镜 输出阻抗 CMOS电路
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基于自适应迭代的软硬模块混合布图面积最小化启发式方法
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作者 张浩 姚绍文 魏丽军 《机电工程技术》 2026年第4期1-7,19,共8页
随着集成电路设计复杂度的提高,如何在有限芯片面积内合理布置功能模块,提升资源利用率,已成为电子设计自动化领域的重要研究课题。为解决集成电路布图规划问题中的软硬模块混合布图面积最小化问题,提升布图紧凑性,提出了一种基于自适... 随着集成电路设计复杂度的提高,如何在有限芯片面积内合理布置功能模块,提升资源利用率,已成为电子设计自动化领域的重要研究课题。为解决集成电路布图规划问题中的软硬模块混合布图面积最小化问题,提升布图紧凑性,提出了一种基于自适应迭代的启发式算法。该算法采用分层枚举策略生成模块组合,并将问题分解为一系列硬模块面积最小化子问题。在迭代过程中,算法自适应地选择合适的子问题进行计算,并结合天际线启发式方法与局部搜索策略提升布图质量。同时,引入记忆池策略进一步扩大解的搜索范围。实验结果表明,所提出的方法在不同软模块占比情况下的平均填充率均能达到98%以上。在包含硬模块的11个测试实例中,其中8个实例的填充率略优于文献中相关算法。 展开更多
关键词 布图规划 面积最小化 条带装箱 启发式算法
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国产通用MCU芯片功能完整性测试方法研究与验证
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作者 田延娟 刘沐忱 +1 位作者 庄钥杰 李冉 《微型计算机》 2026年第6期265-267,共3页
随着芯片技术的飞速发展,高集成度、高复杂度的国产通用MCU芯片逐渐步入市场,为相关领域带来了新的发展机遇。在急剧增长的市场需求下,保证国产通用MCU芯片的品质与功能,是助力它实现深入推广和有效优化的关键。基于此,文章阐述了国产通... 随着芯片技术的飞速发展,高集成度、高复杂度的国产通用MCU芯片逐渐步入市场,为相关领域带来了新的发展机遇。在急剧增长的市场需求下,保证国产通用MCU芯片的品质与功能,是助力它实现深入推广和有效优化的关键。基于此,文章阐述了国产通用MCU芯片的结构、功能和原理,研究了该芯片功能完整性的测试方法,并验证了该方法的应用效果。研究结果表明,合理、严谨的测试方法可以帮助工作人员检查国产通用MCU芯片的功能,发现其中存在的问题和诱因,保障国产通用MCU芯片的产品质量,为相关领域的发展提供坚实保障。 展开更多
关键词 MCU芯片 功能 完整性测试 验证
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应用于RFID读写器的全数字锁相环研究
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作者 蒋小军 杨威 +1 位作者 蒋小伟 毛晓琴 《无线互联科技》 2026年第1期15-19,共5页
针对传统射频识别(Radio Frequency Identification, RFID)读写器在频率跟踪精度、响应速度及抗干扰能力方面存在的不足,文章提出了一种适用于RFID读写器的全数字锁相环(All-Digital Phase-Locked Loop, ADPLL)架构。该锁相环采用具有... 针对传统射频识别(Radio Frequency Identification, RFID)读写器在频率跟踪精度、响应速度及抗干扰能力方面存在的不足,文章提出了一种适用于RFID读写器的全数字锁相环(All-Digital Phase-Locked Loop, ADPLL)架构。该锁相环采用具有分层超前进位全加器结构的数控振荡器(Digital-Controlled Oscillator, DCO),可实现对标签回波信号频率的高精度跟踪,显著提升读写器的通信可靠性与系统稳定性。电路设计基于QuartusⅡ平台完成,包括功能建模与时序仿真。仿真结果表明,文章所提出的锁相环具备低功耗、低延迟等优良特性,适用于高性能、低功耗的RFID应用环境。 展开更多
关键词 RFID读写器 全数字锁相环 超前进位 数控振荡器
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