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RF CMOS、BiCMOS的新进展(五)——移相器、RF开关、集成无源元件和相控阵
1
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期1-12,共12页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成`
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基于方向解耦与多尺度增强的芯片表面缺陷检测模型
2
作者 王翔 黄娟 +2 位作者 顾寄南 王文波 向泓宇 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期68-76,共9页
芯片表面缺陷检测在工业生产中至关重要,现有注意力机制因方向敏感性不足,难以有效获取破损、裂纹等有向线状表面缺陷。提出了一种基于YOLOv11n改进的双向多尺度检测网络(DMNet)模型,该模型设计了基于方向解耦建模的双向注意力(DDA)机... 芯片表面缺陷检测在工业生产中至关重要,现有注意力机制因方向敏感性不足,难以有效获取破损、裂纹等有向线状表面缺陷。提出了一种基于YOLOv11n改进的双向多尺度检测网络(DMNet)模型,该模型设计了基于方向解耦建模的双向注意力(DDA)机制与多尺度特征增强(MSFE)模块。DDA机制通过宽度、高度分支获取正交方向特征,并结合位置编码感知微小缺陷的像素级偏移;MSFE模块由空洞分支和池化分支组成,可分别获取长程依赖与保留局部细节。二者的结合显著提升了芯片表面缺陷的检测性能。在公共数据集D_(A)^(R)和D_(B)^(R)上验证了该模型的先进性,结果表明,与初始模型相比,该模型的参数量(Params)减小了1.2%,精确率(P)、召回率(R)与平均精度均值(mAP)在D_(A)^(R)缺陷数据集上分别提高了8.4%、6.9%和9.1%,在D_(B)^(R)缺陷数据集上分别提高了12%、4%和4.2%。 展开更多
关键词 芯片缺陷检测 特征增强 方向敏感性 注意力机制 YOLOv11n
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温度对14nm FinFET SRAM单粒子效应的影响
3
作者 谭钧元 郭刚 +4 位作者 张付强 江宜蓓 陈启明 韩金华 秦丰迪 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期87-93,共7页
由于鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM)特有的鳍片电荷共享机制,其对单粒子效应(SEE)呈现出与传统平面器件截然不同的敏感特性。利用TCAD仿真构建14 nm FinFET SRAM模型并结合重离子实验加以验证,研究了温度对14 nm FinFET S... 由于鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM)特有的鳍片电荷共享机制,其对单粒子效应(SEE)呈现出与传统平面器件截然不同的敏感特性。利用TCAD仿真构建14 nm FinFET SRAM模型并结合重离子实验加以验证,研究了温度对14 nm FinFET SRAM电荷收集机制的影响。结果表明,随着温度的升高,高线性能量转移(LET)离子诱导的电荷收集过程逐渐减弱,多节点电荷收集现象也会逐渐减弱,且当环境温度达到125℃临界值时,敏感节点会出现收集电荷的雪崩式累积现象。此外,随着温度的升高,器件的翻转截面从1.27×10^(-3)cm^(2)增大到1.81×10^(-3)cm^(2),增大了约43%,且在高温下翻转截面的增大趋势愈发显著,该结果与仿真结果良好吻合。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管静态随机存储器(FinFET SRAM) 单粒子效应(SEE) 电荷收集 TCAD 温度
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高精度闭环霍尔流传感器研制
4
作者 熊伟 王首浩 +5 位作者 徐佳佳 陈鹏 马亚军 王言徐 王伟 张艺卓 《计算机测量与控制》 2026年第1期277-284,共8页
针对我国航天伺服霍尔电流传感器精度低、线性度差、温漂大、响应慢及磁路易饱和等问题,文章提出一种航天伺服系统的高精度闭环霍尔电流传感器设计方案;采用磁路用开环“回”字形聚磁环与1J85坡莫合金叠片结构设计,次级线圈采用扁平漆... 针对我国航天伺服霍尔电流传感器精度低、线性度差、温漂大、响应慢及磁路易饱和等问题,文章提出一种航天伺服系统的高精度闭环霍尔电流传感器设计方案;采用磁路用开环“回”字形聚磁环与1J85坡莫合金叠片结构设计,次级线圈采用扁平漆包线精密绕制和特殊的热处理工艺技术;经过伺服系统带载试验表明,±130 A量程内线性度达到0.14%、误差±0.09%FS、温漂小于50 ppm/℃、动态响应3μs各项性能指标满足航天伺服系统测量需求。 展开更多
关键词 电流传感器 线性度 聚磁环 次级线圈 伺服系统
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一种新型的高性能CPU时钟树自适应优化策略
5
作者 樊凌雁 张哲 +2 位作者 黄灿坤 骆建平 刘海銮 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第4期1192-1201,共10页
该文基于精简指令集系统(RISC-V)架构提出了一种新型的自适应全流程(ADFF)时钟树优化方法,高效利用有用偏差(useful skew)来优化高性能CPU时钟树,以满足市场对芯片高性能和低功耗的双重需求。针对时钟树,通过选择关键路径并结合理论延... 该文基于精简指令集系统(RISC-V)架构提出了一种新型的自适应全流程(ADFF)时钟树优化方法,高效利用有用偏差(useful skew)来优化高性能CPU时钟树,以满足市场对芯片高性能和低功耗的双重需求。针对时钟树,通过选择关键路径并结合理论延迟和缓冲器制造有用偏差,采用循环迭代的方式,在不同流程自适应修复常规流程无法解决的建立时间违例(setup violation)和保持时间违例(hold violation)。为了在提升性能的同时,最大限度降低功耗,该文对加入的延迟单元进行合并(merge)处理,实现功耗与时序的联合优化。最后采用RISC_V CPU核进行验证,研究结果表明,在确保合理功耗的基础上,所提方法显著改善了时序情况,总时序裕量违例几乎完全消除。 展开更多
关键词 时钟树 有用偏差 自适应 时间违例 联合优化
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一种早期电压降动态补强方法
6
作者 张富凯 孙希延 +4 位作者 肖有军 纪元法 付文涛 白杨 江富荣 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期37-44,共8页
随着集成电路先进工艺节点不断缩小,传统电压降分析与后期修复方法导致修复成本高昂,设计周期延长。提出了一种集成于布局阶段的早期电压降动态补强方法。在布局阶段即进行精确的电压降热点分析,通过识别热点区域内电平同步翻转的高电... 随着集成电路先进工艺节点不断缩小,传统电压降分析与后期修复方法导致修复成本高昂,设计周期延长。提出了一种集成于布局阶段的早期电压降动态补强方法。在布局阶段即进行精确的电压降热点分析,通过识别热点区域内电平同步翻转的高电流单元,并采用单元分散布局策略有效减小局部电源网络密度;对难以利用布局优化的区域实施电源网络局部自动增补,动态增强供电能力。测试结果显示,电压降峰值减小29.3%,电压降平均值减小17.9%,违例单元数量减少68.9%。该方法实现了电源完整性的早期、高效的优化,为解决先进工艺电源瓶颈问题提供了有效的预防性设计策略,适用于低功耗设计。 展开更多
关键词 集成电路 电压降 布局优化 电源网络 结果质量
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UHF RFID无源音频采集标签芯片
7
作者 孟令辉 张长春 +1 位作者 张翼 王静 《传感器与微系统》 北大核心 2026年第1期101-105,共5页
采用180 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一种基于超高频射频识别(UHF RFID)技术的无源音频采集标签。标签通过采集射频能量运行,而无需外部电源供电,同时采用低功耗电路架构,尽可能降低系统功耗。利用反向散射发送采集到的音... 采用180 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一种基于超高频射频识别(UHF RFID)技术的无源音频采集标签。标签通过采集射频能量运行,而无需外部电源供电,同时采用低功耗电路架构,尽可能降低系统功耗。利用反向散射发送采集到的音频信号,相较于WiFi和蓝牙等传统无线技术,简化了发送步骤并降低了所需的功耗。仿真结果表明:整流器最高整流效率为37%,稳压模块产生1.2 V电压,为标签中其他模块提供工作电压。音频处理电路将音频信号转换为数字信号,通过反向散射将信号以750 kbps的速度发送到基站,标签的整体功耗为1.1 mW。 展开更多
关键词 超高频射频识别 反向散射 整流器 传感器 带隙基准
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基于三维集成的Ku波段双面引出高功率T/R模块
8
作者 程玺琮 周彪 +1 位作者 许向前 王子杰 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期57-62,76,共7页
面向低剖面有源相控阵天线系统,基于三维集成技术研制了一款Ku波段双面引出四通道高功率收发(T/R)模块。模块通过多功能芯片集成技术实现大功率、高密度单层瓦式集成;设计了类同轴垂直互连结构,可通过球栅阵列实现双面对外信号互连,解... 面向低剖面有源相控阵天线系统,基于三维集成技术研制了一款Ku波段双面引出四通道高功率收发(T/R)模块。模块通过多功能芯片集成技术实现大功率、高密度单层瓦式集成;设计了类同轴垂直互连结构,可通过球栅阵列实现双面对外信号互连,解决了当前模块仅能单面互连的问题,并对关键结构进行电路分析及电磁仿真;为确保高输出功率工作,进行了散热设计和仿真验证。测试结果表明,在Ku波段发射通道饱和输出功率大于40 dBm,接收通道增益大于25 dB,噪声系数小于3.5 dB,模块尺寸仅为16.0 mm×16.0 mm×2.2 mm。 展开更多
关键词 收发(T/R)模块 KU波段 双面引出 高功率 三维集成
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基于二维材料的集成与应用
9
作者 杨高琛 马辰龙 +11 位作者 徐浪浪 史文昊 黄鑫宇 孙铭君 毕铭 何啸 孟潇涵 吕晟杰 林维佳 贺敏 童磊 叶镭 《物理学报》 北大核心 2026年第1期45-74,共30页
在后摩尔时代,随着器件物理尺寸的缩放极限和冯·诺依曼架构的局限性逐渐显现,传统硅基集成电路领域面临严峻挑战.然而,二维层状材料凭借无悬挂键、高载流子迁移率、高光生载流子浓度等独特的物理特性,有望突破这些瓶颈.目前,许多... 在后摩尔时代,随着器件物理尺寸的缩放极限和冯·诺依曼架构的局限性逐渐显现,传统硅基集成电路领域面临严峻挑战.然而,二维层状材料凭借无悬挂键、高载流子迁移率、高光生载流子浓度等独特的物理特性,有望突破这些瓶颈.目前,许多二维材料已经实现了规模化生长与应用,在高性能单一功能器件、多功能融合器件、逻辑电路和集成芯片制造与应用当中展现出巨大的潜力.本文综述了二维材料的基本特性、构成的基础功能器件、功能电路模块以及三维集成等方面的研究进展,重点探讨了二维材料在规模化集成方案方面的挑战和解决路径,并为未来的发展方向提出了展望. 展开更多
关键词 二维材料 基础功能器件 逻辑电路 规模化集成
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超导量子处理器芯片工艺线中金属污染问题的研究
10
作者 徐晓 张海斌 +9 位作者 宿非凡 严凯 荣皓 邓辉 杨新迎 马效腾 董学 王绮名 刘佳林 李满满 《物理学报》 北大核心 2026年第1期316-322,共7页
超导量子处理器芯片的制造工艺面临特殊的金属污染挑战,其材料体系和工艺特性与传统半导体芯片存在显著差异.本研究系统分析了量子芯片中金属污染的来源、扩散机制及防控策略,重点探讨了超导材料(如Ta,Nb,Al,TiN等)在蓝宝石和硅衬底上... 超导量子处理器芯片的制造工艺面临特殊的金属污染挑战,其材料体系和工艺特性与传统半导体芯片存在显著差异.本研究系统分析了量子芯片中金属污染的来源、扩散机制及防控策略,重点探讨了超导材料(如Ta,Nb,Al,TiN等)在蓝宝石和硅衬底上的体扩散与表面扩散行为.研究发现,蓝宝石衬底因其致密晶格结构表现出优异的抗扩散性能,而硅衬底需重点关注Au,In,Sn等易迁移金属的污染风险.通过实验验证,Ti/Au结构的凸点下金属化层在硅衬底上易发生Au穿透扩散,且增加Ti层厚度无法显著改善阻挡效果.量子芯片的低温工艺(<250℃)和超低温工作环境(mK级)有效抑制了金属扩散,但暴露的金属表面和材料多样性仍带来独特挑战.研究建议建立量子芯片专属的金属污染防控体系,并提出了后续在新型材料评估、表面态调控及长期可靠性研究等方向的发展路径.本文为超导量子芯片的工艺优化和性能提升提供了重要理论支撑和技术指导. 展开更多
关键词 超导量子处理器芯片 工艺线金属污染 体扩散 表面扩散
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基于摩擦纳米发电机的井下振动传感器的研制
11
作者 刘江斌 任建超 +2 位作者 吴川 刘茂福 陈驰 《传感器与微系统》 北大核心 2026年第1期67-71,共5页
井下钻具的异常振动会影响钻进效率,甚至造成井下事故,因此有必要依靠振动传感器进行实时监测。传统的井下振动传感器需外接电源,影响效率增加成本,因此,基于摩擦纳米发电机原理研制了一种自供电振动传感器,以实现对钻柱纵向及横向振动... 井下钻具的异常振动会影响钻进效率,甚至造成井下事故,因此有必要依靠振动传感器进行实时监测。传统的井下振动传感器需外接电源,影响效率增加成本,因此,基于摩擦纳米发电机原理研制了一种自供电振动传感器,以实现对钻柱纵向及横向振动的测量。实验结果表明:传感器的工作温度范围为0~100℃,纵向及横向振动频率的测量范围均为1~15 Hz,且测量误差均不超过4%。单只传感器的输出功率最高可达12×10^(-5)W,能够实时点亮15个LED灯泡。设计的传感器在自发电的情况下可同时监测纵向及横向振动,且多只传感器并联可提升发电量,有望减轻井下供电压力或替代电池进行实时供电。 展开更多
关键词 振动传感器 自供电 摩擦纳米发电机 随钻测量 横向振动 纵向振动
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一种大电流低压差线性稳压器
12
作者 文传瑶 钟琼丽 +1 位作者 马奎 杨发顺 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期45-56,76,共13页
基于40 V双极型工艺设计了一种输出电压可调的大电流、低压差线性稳压器(LDO)。在带隙基准源电路中引入二极管修调技术,有效减小了工艺波动的影响;采用达林顿结构的横向pnp功率晶体管作为输出调整管,确保大电流条件下LDO具有较低的输入... 基于40 V双极型工艺设计了一种输出电压可调的大电流、低压差线性稳压器(LDO)。在带隙基准源电路中引入二极管修调技术,有效减小了工艺波动的影响;采用达林顿结构的横向pnp功率晶体管作为输出调整管,确保大电流条件下LDO具有较低的输入-输出电压差;设计了过温、限流、过压以及防反接4种保护电路,保证电路的稳定运行。基于Cadence Spectre进行电路设计和仿真,后仿结果表明电路可在输入电压为5.4~26 V、温度为-55~125℃下正常运行;实现5~20 V的可调输出电压;当输出电压为5 V、输出电流为1 A时,输入-输出电压差低至375 mV;线性调整率及负载调整率分别为0.375 mV/V和4.02 mV/A。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 大电流 达林顿调整管 二极管修调 输出电压可调
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基于层次化自适应增强的芯片表面缺陷检测算法HAE-YOLO
13
作者 李长江 邓剑勋 +4 位作者 蒲俊宇 孙宏森 刘凯 靳清清 余先伦 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期77-86,共10页
针对半导体芯片表面缺陷检测中存在的微小缺陷识别困难、缺陷特征复杂多样等挑战,提出了一种基于YOLOv8n改进的层次化自适应增强的芯片表面缺陷检测算法HAE-YOLO。采用渐进式通道感知C2f特征金字塔通道注意力(C2f_PCA)特征提取模块融合... 针对半导体芯片表面缺陷检测中存在的微小缺陷识别困难、缺陷特征复杂多样等挑战,提出了一种基于YOLOv8n改进的层次化自适应增强的芯片表面缺陷检测算法HAE-YOLO。采用渐进式通道感知C2f特征金字塔通道注意力(C2f_PCA)特征提取模块融合视觉混合器与卷积门控线性单元,借助层次化状态空间动态机制增强微小缺陷的特征表征能力;构建多路径自适应特征融合网络(MPAFFN),提升对不同类型缺陷的自适应能力;引入跨层特征对齐模块(CFAB)实现了骨干(Backbone)网络与颈部(Neck)网络的高效桥接及跨层级特征语义的对齐。实验结果表明,相较于基准模型,HAE-YOLO算法的平均精度均值(mAP@0.5)提高了4.6%,mAP@0.5~0.95提高了5.2%,同时参数量(Params)减少了29%,计算量(GFLOPs)减少了0.5。该算法可为晶圆生产线芯片表面缺陷实时检测提供高效的解决方案,对减少缺陷芯片流入后续工序、提高制备良率具有重要意义。 展开更多
关键词 芯片表面缺陷检测 YOLOv8 特征融合 多尺度特征 注意力机制
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超低温下TSV热应力分析及其结构优化
14
作者 王晗 行琳 +1 位作者 王冰 王如志 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期102-108,共7页
针对制冷型红外探测器芯片中硅通孔(TSV)在超低温环境下产生的热应力问题,采用传热-结构力学耦合多物理场有限元仿真方法,结合低温边界条件仿真与结构参数扫描,系统探究了不同结构TSV的热力学行为,并对其结构进行了优化。研究结果表明,... 针对制冷型红外探测器芯片中硅通孔(TSV)在超低温环境下产生的热应力问题,采用传热-结构力学耦合多物理场有限元仿真方法,结合低温边界条件仿真与结构参数扫描,系统探究了不同结构TSV的热力学行为,并对其结构进行了优化。研究结果表明,相较于传统实心圆柱形TSV,中空及纺锤形中空TSV可使Si衬底表面最大热应力至少减小300 MPa;采用钨代替铜作为金属芯材料可进一步降低热应力。此外,确定了纺锤形中空TSV的最佳绝缘层厚度(0.2μm)和金属镀层厚度(2μm),并揭示了TSV半径及间距对热应力的影响。优化后的结构可缩小阻止区(KOZ)范围,提高芯片集成度。本研究为制冷型红外探测器TSV设计提供了理论依据,对三维集成技术发展具有参考价值。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 热应力 红外探测器 结构优化 有限元仿真
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智能芯片IP软核的质量评测方法研究
15
作者 陈容 陈岚 +5 位作者 李锟 李苗 温孝谦 陆仁杰 秦兆慧 王亚丽 《电子技术应用》 2026年第1期28-32,共5页
针对IP(Intellectual Property)软核的广泛复用带来的质量管控挑战,从现有的IP核交付项质量评测出发,面向智能芯片特殊需求,构建了一套细致全面的主客观结合的IP软核综合质量评价体系。选取了主流的神经网络处理器单元软核对所提出的评... 针对IP(Intellectual Property)软核的广泛复用带来的质量管控挑战,从现有的IP核交付项质量评测出发,面向智能芯片特殊需求,构建了一套细致全面的主客观结合的IP软核综合质量评价体系。选取了主流的神经网络处理器单元软核对所提出的评价策略进行实证分析与验证,结果表明该评价体系能有效识别IP软核的优势与不足,为智能芯片IP软核的设计、优化、交付与选型提供了重要参考依据。 展开更多
关键词 智能芯片 IP软核 质量评测 集成电路
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基于CICQ交换结构的低功耗研究与设计
16
作者 李伟康 张卜方 李斌 《计算机测量与控制》 2026年第1期196-204,213,共10页
针对高性能交换芯片在先进工艺下面临的功耗问题,基于CICQ交换结构开展低功耗技术研究;分析CMOS集成电路中动态功耗与静态功耗的来源,明确优化方向;采用改进的输出总线缓存设计与流控反馈机制,解决多端口数据突发场景下的队头阻塞问题;... 针对高性能交换芯片在先进工艺下面临的功耗问题,基于CICQ交换结构开展低功耗技术研究;分析CMOS集成电路中动态功耗与静态功耗的来源,明确优化方向;采用改进的输出总线缓存设计与流控反馈机制,解决多端口数据突发场景下的队头阻塞问题;通过实施门控时钟、门控电源与多电压域技术,建立覆盖端口组、存储单元及SerDes接口的精细化功耗管理方案,并基于UPF标准构建从逻辑综合到物理实现的完整低功耗设计流程;实验结果表明,在12端口×4工作模式及12.5 Gbps单通道速率条件下,该方案使芯片总功耗由9.345 W降至5.520 W,降幅达40.9%,其中内部功耗降低48.2%,开关功耗降低46.5%,静态功耗降低33.4%。该方法能够满足高性能交换芯片的功耗控制需求,为同类型通信芯片的低功耗设计提供有效解决方案。 展开更多
关键词 低功耗 CICQ 门控时钟 门控电源 UPF
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一种基于浮动反相放大器的低功耗Sigma-Delta ADC
17
作者 张欣朵 辛晓宁 +1 位作者 任建 张家豪 《电子设计工程》 2026年第2期106-110,共5页
为了降低模拟前端系统的功耗,设计了一种基于浮动反相放大器的低功耗离散时间Sigma-Delta ADC,采用二阶前馈单位量化结构。为了实现低功耗,开关电容积分器的放大器采用动态放大器,其具有低功耗、全动态工作、无需共模反馈电路仍能保持... 为了降低模拟前端系统的功耗,设计了一种基于浮动反相放大器的低功耗离散时间Sigma-Delta ADC,采用二阶前馈单位量化结构。为了实现低功耗,开关电容积分器的放大器采用动态放大器,其具有低功耗、全动态工作、无需共模反馈电路仍能保持共模稳定等优点。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺进行电路设计和仿真测试,仿真结果表明,在过采样率为256时,信噪失真比SNDR可达到77.3 dB,无杂散动态范围SFDR可达到84.9 dB,有效位数约为12.6 bits。在1.8 V电源电压、512 kHz采样时钟下,整体功耗为7.1μW。 展开更多
关键词 Sigma-Delta ADC 低功耗 浮动反相放大器 开关电容电路
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(一)——低噪声放大器与接收前端 被引量：1
18
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期757-772,共16页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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产教融合背景下智能制造专业卓越人才培养新生态构建
19
作者 廖益龙 黄成红 +1 位作者 朱海 刘宇刚 《科技风》 2026年第2期128-130,153,共4页
智能制造是国家核心竞争力的关键领域,目前仍面临严峻的核心技术和人才短缺问题,高校培养体系与企业实际需求存在明显错位,智能制造专业卓越工程师培养存在诸多问题。课题组进行了深入研究,结合国内典型高校智能制造专业的实践探索,创... 智能制造是国家核心竞争力的关键领域,目前仍面临严峻的核心技术和人才短缺问题,高校培养体系与企业实际需求存在明显错位,智能制造专业卓越工程师培养存在诸多问题。课题组进行了深入研究,结合国内典型高校智能制造专业的实践探索,创新性地提出产教融合卓越工程师“三聚焦,三协同,四链接,八共同”的系统架构,对标产业链需求,其系统架构以高校与企业协同为核心,从课程体系、师资队伍、实训条件、课题研究和人才质量评价等方面重塑人才培养从“入口”到“出口”的全过程,实现了人才培养全链条的产教深度融合。实践证明,本文构建的新生态卓越人才培养体系育人成效显著。 展开更多
关键词 产教融合 智能制造 四链对接 卓越人才 新生态
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《微纳电子技术》编辑委员会
20
《微纳电子技术》 2026年第1期F0002-F0002,共1页
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