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采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路 被引量：3
1
作者 李树荣 郭维廉 +2 位作者 郑云光 刘理天 李志坚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期715-720,共6页
本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的... 本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构。 展开更多
关键词 混合模式晶体管 VLSI BMHMT IC 铋CMOS 制造工艺
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SOI退火推进型栅控混合管的实验研究 被引量：1
2
作者 黄如 张兴 +1 位作者 李映雪 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期56-60,91,共6页
本文讨论了一种SOI退火推进型栅控混合管（DGCHT）的设计与制备．实验结果表明，这种混合管与以前提出的混合管相比，可在不需要亚微米工艺情况下，实现短沟，并仍具有驱动能力大，亚阈摆幅小，导通电压低等特点；虽然栅极使基区表面耗... 本文讨论了一种SOI退火推进型栅控混合管（DGCHT）的设计与制备．实验结果表明，这种混合管与以前提出的混合管相比，可在不需要亚微米工艺情况下，实现短沟，并仍具有驱动能力大，亚阈摆幅小，导通电压低等特点；虽然栅极使基区表面耗尽，Early效应仍较小；虽具有较高的电流增益，仍改善了击穿特性，可望实现截止频率及击穿电压之间的良好折中．本文同时对这种器件的Early效应及高电流增益下的击穿特性作了理论分析．由DGCHT组成的反相器可在1V电源电压下工作．兼之SOI材料的固有特点，DGCHT器件可望具有较小的功耗延迟积，适用于低压低功耗电路，同时其较大的电流增益使其在模拟电路方面也将极具潜力． 展开更多
关键词 退火推进型 栅控混合管 DGCHT
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基于半导体桥的防护电路设计
3
作者 赵帅 陈绍炜 王聪 《科学技术与工程》 北大核心 2012年第27期6927-6932,共6页
半导体桥(SCB,Semiconductor Bridge)易受到外界复杂环境的干扰导致误爆,所以防护电路的设计对其应用显得尤为重要。传统的防护电路由于吸收能量小、工艺复杂等原因难与SCB集成制造。提出了一种基于CMOS工艺的保护技术,利用电容和肖特... 半导体桥(SCB,Semiconductor Bridge)易受到外界复杂环境的干扰导致误爆,所以防护电路的设计对其应用显得尤为重要。传统的防护电路由于吸收能量小、工艺复杂等原因难与SCB集成制造。提出了一种基于CMOS工艺的保护技术,利用电容和肖特基管来完成对SCB的静电放电(ESD)防护和电磁干扰(EMI)防护,易与SCB进行集成化制造,提高SCB器件的稳定性和安全性,在Simplorer仿真中验证了所设计防护电路的性能满足要求。 展开更多
关键词 半导体桥 VHDL-AMS 静电防护 电磁干扰防护
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含Eu^(3+)红色窄带发射的电压变色有机电致发光 被引量：2
4
作者 冉刚 李文连 +5 位作者 梁春军 虞家琪 刘星元 于沂 赵宇 彭俊彪 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第2期145-147,共3页
本文研究了含有稀土有机配合物的有机电致发光（ＯＥＬ）器件。这种器件在改变驱动电压时可获得不同的ＯＥＬ发射颜色，其中红色成分来自Ｅｕ（１１１）离子的特征发射。在正向偏压为１０，１５和２０Ｖ时可分别获得红，绿和黄色的ＯＥ... 本文研究了含有稀土有机配合物的有机电致发光（ＯＥＬ）器件。这种器件在改变驱动电压时可获得不同的ＯＥＬ发射颜色，其中红色成分来自Ｅｕ（１１１）离子的特征发射。在正向偏压为１０，１５和２０Ｖ时可分别获得红，绿和黄色的ＯＥＬ发射。 展开更多
关键词 电压变色 有机电致发光 OEL
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低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究 被引量：1
5
作者 李婷 王颖 +2 位作者 陈宇贤 高松松 程超 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2012年第1期78-81,共4页
横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGB... 横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计,实现了导通压降为1.0 V,薄外延层上小元胞尺寸,且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件. 展开更多
关键词 LIGBT 沟槽 击穿电压 导通电阻 导通压降
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4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管静态特性 被引量：2
6
作者 苗志坤 李天琪 徐立坤 《电子科技》 2013年第8期26-29,共4页
为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有SiO2间隔的结势垒肖特基二极管(TSOB)的器件特性进行了仿真研究。通过优化参数来改善导通压降(VF)-反向漏电流(IR)和击穿电压的折衷关系。室温下,沟槽深度... 为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有SiO2间隔的结势垒肖特基二极管(TSOB)的器件特性进行了仿真研究。通过优化参数来改善导通压降(VF)-反向漏电流(IR)和击穿电压的折衷关系。室温下,沟槽深度为2.2μm时,器件的击穿电压达到1 610 V。正向导通压降为2.1 V,在VF=3 V时正向电流密度为199 A/cm2。为进一步改善器件的反向阻断特性,在P型多晶硅掺杂的有源区生成一层SiO2来优化漂移区电场分布,此时改善的器件结构在维持正向导通压降2.1 V的前提下,击穿电压达到1 821 V,增加了13%。在1 000 V反向偏置电压下,反向漏电流密度比普通结构降低了87%,有效降低了器件的漏电功耗。普通器件结构的开/关电流比为2.6×103(1 V/-500 V),而改善的结构为1.3×104(1 V/-500 V)。 展开更多
关键词 结势垒肖特基二极管 导通压降 击穿电压 反向漏电流
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第3代电流传送器的PSpice建模及运用初探 被引量：1
7
作者 韩智 宋玉宏 吴镇扬 《西部广播电视》 2005年第5期56-59,共4页
第3代电流传送器CCⅢ是继电流传送器的第1代和第2代的发展之后出现的新型的电流模式器件。本文面向实际电路,应用1 2 μmCMOS工艺参数,对CCⅢ元件进行PSpice建模仿真。并利用CCⅢ元件构成带通滤波器,对电路进行MOS管级的计算机PSpice仿... 第3代电流传送器CCⅢ是继电流传送器的第1代和第2代的发展之后出现的新型的电流模式器件。本文面向实际电路,应用1 2 μmCMOS工艺参数,对CCⅢ元件进行PSpice建模仿真。并利用CCⅢ元件构成带通滤波器,对电路进行MOS管级的计算机PSpice仿真。该电路属于有源滤波电路,易集成,能实现高工作频率、高带宽滤波功能,并通过计算滤波电路的灵敏度,证明该电路是实际可行的。 展开更多
关键词 第3代电流传送器 PSpice建模 带通滤波器
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低压应用中的SOI栅控混合管的设计考虑
8
作者 黄如 杨兵 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期770-775,共6页
本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反映了各效应对参数要求的矛盾折中，为器件设计提供了理论依据，也为合理开发... 本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反映了各效应对参数要求的矛盾折中，为器件设计提供了理论依据，也为合理开发深亚微米工艺指明了方向． 展开更多
关键词 SOI栅控混合管 MOSFET 设计 GCHT
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潜在失效模式及后果分析FMEA方法研究及案例分析
9
作者 朱福龙 高树林 《中文科技期刊数据库(文摘版)自然科学》 2018年第2期00119-00119,共1页
为了适应快速变化的市场需求,缩短新产品的开发周期,同时提高产品的可靠性,在大中型国有企业中实施FMEA分析,已经成为一种必然的趋势。本文论述了运用FMEA的故障分析方法,在此基础上研究符合国有大中型企业的风险分析过程的FMEA方法,并... 为了适应快速变化的市场需求,缩短新产品的开发周期,同时提高产品的可靠性,在大中型国有企业中实施FMEA分析,已经成为一种必然的趋势。本文论述了运用FMEA的故障分析方法,在此基础上研究符合国有大中型企业的风险分析过程的FMEA方法,并且基于案例分析在FMEA系统中的应用,提高了系统的实用性。 展开更多
关键词 潜在失效模式及后果分析 FMEA
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