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SIT耐压容量的控制和工艺调节
被引量：
4
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作者
刘瑞喜
李思渊
何山虎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期19-22,共4页
对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。
关键词
SIT
耐压
静电感应晶体管
制造工艺
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
SIT耐压容量的控制和工艺调节
被引量：
4
1
作者
刘瑞喜
李思渊
何山虎
机构
兰州大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期19-22,共4页
文摘
对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。
关键词
SIT
耐压
静电感应晶体管
制造工艺
Keywords
Static induction transistor Voltagewithstand Control
分类号
TN386.705 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SIT耐压容量的控制和工艺调节
刘瑞喜
李思渊
何山虎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
4
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